DE3050032T1 - - Google Patents

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DE3050032T1 DE19803050032 DE3050032T DE3050032T1 DE 3050032 T1 DE3050032 T1 DE 3050032T1 DE 19803050032 DE19803050032 DE 19803050032 DE 3050032 T DE3050032 T DE 3050032T DE 3050032 T1 DE3050032 T1 DE 3050032T1
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Description

^sruifferoQörner, ^Jvey
O-8 MÜNCHEN 22 · Wl DEN MAYERSTRASSE 40 D-1 BERLIN-DAHLEM 33 ■ PODBIELSKIALLEE 68
PCT/US80/01 5.1 1 Berlins dipl.-iimq. r. müller-börner
James William Savery München: dipl.-inq. hans-heinrich wey
' '. DIPL.-INQ. EKKEHARD KÖRNER
■31 449
Verfahren und Vorrichtung zum aktiven elektrochemischen Beseitigen von Wasser und ähnlichen Umgebungsverunreinigungen in Halbleiter- und anderen elektronischen und elektrischen Bauelementen und dgl.
nie vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren und Vorrichtung für das aktive elektrochemische Beseitigen von Wasser (weicher Ausdruck hier generell verwendet wird, um Wasser-und dgl. Dämpfe zu bezeichnen) und ähnlichen Umgebungsverunreinigungen aus elektronischen und elektrischen Bauelementen und Baugruppen und dgl. Spezieller und im Prinzip und zur Anwendung bevorzugt ist die Erfindung auf die aktive Getter-Elektrolyse von Wasser in elektronischen Bauelementen und Schaltkreisen gerichtet, wie beispielsweise in Halbieiterbaugruppen, Gehäusen und Packungen, einschließlich integrierten und Mikroschaltkreis-Baugruppen, Flüssigkristallanzeigeelementen von Digitaluhren, wasserempfindlichen Widerständen, Leitern und anderen Bauelementen.
MÜNCHEN: TELEFON (Οθθ) 2255Θ5 BERLIN: TELEFON (03O) 831QO88
KABE L: PROPINDUS ■ TELEX O624244 K AB EL: P RO P I N DU S · TELEX O1 84O57
Es ist bislang erkannt worden, daß eine hygroskopische Substanz, die in feuchtem Zustand leitfähig wird, bei Anlegung eines Potentials an die Substanz trocknen kann, durch die Elektrolyse des Wassers in gasförmigem Wasserstoff und Sauerstoff trocknen kann. Beispiele solcher früheren Trocknungstechniken sind in den US-Patentschriften 28 16 067, 30 38 853, 30 62 732, 31 88 283, 32 44 602, 33 13 718, 34 00 069, 34 65 193 und 34 74 023 beschrieben. Ein Elektrogerätegehäuse aus Calziumcarbid oder dgl. ist im französischen Patent 414 803 zur Absorption von Wasserdampf und Erzeugung eines Gases beschrieben.
Unglücklicherweise führen die Strukturen und die zugrundeliegenden Techniken dieser früheren Verwendungen nicht von selbst zu den miniaturisierten, Niederspannungs-, Temperatur Druck - Feuchtigkeits-Variationen elektrischer Eigenschaften und anderer kritischer und eigentümlicher Unsicherheiten von mikroelektronischen und ähnlichen Bauteilen, Baugruppen und Unterbaugruppen. Sie sind deshalb anscheinend bislang in der Technik nicht als anwendbar auf die Probleme der Umgebungsverunreinigungen von beispielsweise Halbleitern, integrierten und Mikro-Schaltkreisen, Flüssigkristallanzeigeelementen und dgl. angesehen worden. Man hat daher bislang zu völlig anderen Techniken für diesen Problemkreis gesucht, wie Eingießen der Halbleiterbauteile in Metallgehäuse und dgl. mit Glas/Metalldichtungen zur Sicherstellung des Schutzes gegen den die Betriebssicherheit herabsetzenden Einfluß von Flüssigkeiten und Gasen. Man hat die Bauteile in einer Atmosphäre eingekapselt, die so trocken wie möglich war, wie beispielsweise in Stickstoff, der typischerweise weniger als 1 bis 2 ppm Wasserdampf enthielt.
Wenn, weil die Bedingungen nicht in geeigneter Weise gewählt worden sind oder die Glas/Metalldichtungen beschädigt worden sind, der Wasserdampfgehalt innerhalb der Unterbaugruppe ansteigen kann, dann tritt sehr schnell eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des Halbleiters oder dgl. auf, die schließlich zum Ausfall führt. Für Anwendungsfälle, die höchste Zuverlässigkeit verlangen, beispielsweise in Flugkörpern und in der Weltraumtechnik und dgl., müssen.dementsprechend sehr strenge Bedingungen beim Testen der fertigen Unterbaugruppen erfüllt werden, um sich zu vergewissern, daß sie hermetisch oder atmosphärisch abgedichtet sind, und zwar mit teuren Qualitätskontroll-Testverfahren, wie Helium-Leckprüfung und, besonders in letzter Zeit, Leckprüfung mit radioaktiven Gasen. Das schwache Glied der Metallunterbaugruppe liegt trotz der durchgeführten aufwendigen Tests jedoch in der Tatsache, daß das Bauteil noch immer einer Verschlechterung durch Haarrisse unterliegt. Die Belastung durch den Lot- öder Schweißvorgang der Änschlußleitung(en) oder die physikalische Bewegung im Anschlußleiterbereich kann derart sein, daß Haarrisse in den Glas- Gegen- Metall-Dichtungen hervorgerufen werden, die schließlich zum Ausfall führen, weil die Kombination des Haarrisses, der als Belastungserhöhung wirkt, und die Kapillarwirkung, die Wasser in diesen Bereich zieht, zusätzliche Rissbildung initiiert usw. Obgleich deshalb vorsorgliche Tests an der Unterbaugruppe selbst durchgeführt werden können, sogar bis hin zur
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1 χ 10 ATM cc/sec. Leckprüfung, ergibt dies keine Sicherheit dagegen, daß das Bauteil im Betrieb hermetisch abgeschlossen bleibt. Im Gegenteil, innerhalb einer Benutzungszeit von einigen Monaten kann der Wasserdampfgehalt im Innern der Unterbaugruppe mehrere 1.000 ppm erreichen, was ausreichend ist, um eine Verschlechterung hervorzurufen.
Bine zusätzliche Schwierigkeit erwächst aus der Natur der Materialien, die gegenwärtig zur Herstellung von Halbleiter-
kreisen benutzt werden, die Wasser- und ähnliche Dämpfe enthalten oder mit der Zeit abgeben. Trotz der Bemühungen, das Bauteilinnere in einer Schutzatmosphäre zu halten, können dort Entwicklungen oder Wasser sein, die schließlich die Funktion des Schaltkreises verschlechtern. Wenn ionisierbare Feststoffe in der Unterbaugruppe vorhanden sind und eine Kondensation von Wasser stattfindet, dann lösen sich die ionisierbaren Feststoffe im Wasser und bilden eine Umgebungsverschmutzung, die unter dem Einfluß elektrischer Felder an Stellen innerhalb des Schaltkreises gelangen, die Probleme hervorrufen.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein neues und verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zur Beseitigung von UmgebungsVerschmutzungen, einschließlich Wasser in Halbleiter- und anderen elektronischen und elektrischen Bauelementen und Unterbaugruppen anzugeben, das bzw. die die oben beschriebenen Nachteile nicht aufweisen und im Gegenteil eine Verschlechterung der Funktion vermeiden, obwohl dergleichen Effekte, wie Wasserdampfentwicklung, resultierend von Haarrissen und/oder die Erzeugung von Verunreinigungen aus den Materialien innerhalb der Unterbaugruppen während des Gebrauchs auftreten.
Ein weiteres Ziel ist es, ein neues Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, die auf dem Prinzip der kontinuierlichen und aktiven elektrochemischen Wirkung arbeiten, speziell für den Fall von Wasser und ionisierbaren wasserlöslichen Feststoffen und dgl. durch Elektrolyse.
Ferner ist es ein weiteres Ziel, eine verbesserte Gettervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen anzugeben, die speziell für Halbleiter, integrierte Schaltungen, Dünn- und Dickfilm- und andere Technologien geeignet
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ist und die in der Tat als Modifikation oder Einsatz in zuvor entwickelten Bauelementen und Unterbaugruppen verwendbar ist oder beim Entwurf und der Herstellung der Bauelemente mit einbezogen werden kann.
Andere und weitere Ziele werden nachfolgend erläutert und sind spezieller in den anhängenden Ansprüchen umrissen.
Zusammenfassend betrifft die Erfindung gemäß einem ihrer bedeutsamen Aspekte ein Verfahren zur elektrochemischen Beseitigung von Wasser und Verunreinigungen aus einer elektronischen Unterbaugruppe und dgl., welches enthält: Anlegen eines elektrischen Feldes zwischen ein Paar eng benachbarter, sich nebeneinander erstreckender Leiterzüge, Anordnen der Leiterzüge längs einer hygroskopischen isolierenden Oberfläche, die in der Unterbaugruppe angeordnet ist und Einstellen der Abmessungen und des Abstandes der Leiterzüge mit Bezug auf das elektrische Feld zur Hydrolyse des Wassers innerhalb der Unterbaugruppe in Wasserstoff- und Sauerstoff-Gase. Bevorzugte Einzelheiten und zusätzliche Merkmale werden nachfolgend als beste Ausführungsdetails erläutert.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird daher trotz der geringen Größe, der niedrigen Spannungen und der esoterischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen und Mikroschaltkreisen und dgl. eingesetzt werden und deren Materialien ein aktives neues Getter in das Bauelement oder die Baugruppe eingefügt, das in der Tat jegliche Wasserentwicklung darin durch Elektrolyse in Wasserstoff- und Sauerstoff-Gase überführt, die dadurch auch zu einer leichten Druckerhöhung innerhalb der Baugruppe führen und auf diese Weise den Zutritt von Wasserdampf in die Baugruppe verhindert oder dessen Geschwindigkeit verringert.
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Die Kosten zur Erzielung dieses Ergebnisses, im Unterschied zur Herstellung und Anbringung des Getters selbst, liegen in dem kleinen Einsatz von Elektrizität zur Durchführung der Elektrolyse.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung kann das Verfahren zur Herstellung der Getter-Strukturen völlig kompatibel mit den Verfahren gemacht werden, mit denen die. Halbleiter selbst hergestellt werden und es ist je nach Wunsch in der Tat nicht nötig, hierzu einen separaten Schritt durchzuführen, vielmehr ist ein spezielles Ursprungsdesign für den Halbleiter oder Chip oder Schaltkreis erforderlich, um das Getterprinzip zu seinem Schutz einzubeziehen, was demzufolge unwesentliche Kosten im Verhältnis zu der gesteigerten Betriebszuverlässigkeit verursacht;
Die Erfindung soll nun unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen erläutert werden, von denen
Fig. 1 eine isometrische Darstellung in vergrößertem Maßstab einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt, die speziell zur Verwendung von Halbleitern, integrierten und MikroSchaltkreisen und dgl. geeignet ist;
Fig. 2 ist ein vergrößerter Teilschnitt im Anschlußbereich ; und
Fig. 3 ist eine grafische Darstellung, die die typische Stromänderung im Getter bei unterschiedlicher Feuchtigkeit für verschiedene angelegte Spannungen zeigt.
Bezugnehmend auf Fig. 1 ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel, das für Halbleiter, integrierte Schaltkreise,
Mikro-Schaltkreise, Flüssigkristallanzeigeelemente und eine Reihe ähnlicher Anwendungen geeignet ist, in einer versiegelten Unterbaugruppe oder einem Gehäuse H mit anderen elektronischen Bauelementen, die allgemein mit C bezeichnet sind, dargestellt. Die Gettervorrichtung ist in der Form eines Paares sich nebeneinander coplanar ineinander verschlungenen Spiralelektroden 1 und 3, beispielsweise aus Gold oder Goldlegierung, dargestellt, die, wie später vollständiger beschrieben wird, auf einer ebenen isolierenden Schicht 2, beispielsweise einer Siliziumdioxidschicht, niedergeschlagen sind, die dotiert oder mit einem hoch-hygroskopischen Material, wie Phosphoroxid (P9O1-), kombiniert ist und auf einem Siliziumsubstrat 4 ausgebildet ist.
Bei der Ausbildung einer solchen Struktur unter Verwendung von Techniken, die mit den oben erwähnten kompatibel sind, können entweder N- oder P-Typ-Silikonschreiben 4 verwendet werden. Durch Aufwachsen der Oxidbedeckung 2 bei hoher Temperatur wird eine relativ dicke isolierende Siliziumdioxidschicht 2 gebildet, deren Dicke mehr oder weniger in der Größenordnung von 3.000 bis 10.000 Ä liegt. In der zuvor beispielhaft beschriebenen Konstruktion kann Phosphor als Dotierungsmittel in den Ofen eingebracht werden, um ein Glas in Kombination mit dem Siliziumdioxid zu erzeugen, das ein gutes absorbierendes Material für Wasserdampf ist.
Die Struktur 2 kann dann in jedem gewünschten geometrischen Muster metallisiert werden, um sich nebeneinander erstreckende Elektroden auszubilden, indem darauf Schichten aus beispielsweise Chrom oder Nichrom und Gold aufgebracht werden. Das Chrom wird beispielsweise mit einer Dicke von ungefähr 1.000 % oder weniger aufgebracht, um sich nebeneinandererstreckende Elektroden auszubilden, indem Schichten aus beispielsweise Chrom oder Nichrom und Gold aufgebracht werden. Das Chrom wird beispielsweise in einer Dicke von 1.000 K
oder weniger aufgebracht, um eine auf der phosphor-dotierten Siliziumdioxidglasschicht 2 haftende Oberfläche zu bilden. Das Gold wird dann in einer dünnen Schicht auf der Oberseite des Chroms aufgebracht, um einen Verbindungsberich zu schaffen. Diese spezielle Technik des Aufbaus einer Chrom-Gold- oder Nichrom-Gold-Struktur zu erzeugen, stellt nicht nur Elektrodenoberflächen sicher, die nicht zerfressen werden können oder korrodieren (wegen der nicht-oxidierenden Eigenschaften von Gold), sondern sie ermöglicht die fertige Ausbildung geeigneter Anschlußbereiche 1.' und 31, die sich mit Elektrodenelementen verbinden und an die Golddrähte 1" und 3" angebracht werden, um einen Kontakt nach außen vom Bauelement herzustellen, wo Leitungsdrähte angelötet werden können (Fig. 2).
Es wurde gefunden, daß, wenn die Elektroden 1 und 3 geeignet dicht benachbart sind und geeignete Abmessungen haben, die Hydrolyse schnell unter dem Einfluß des elektrischen Feldes zwischen den Elektroden stattfindet, das durch sehr niedrige Gleichspannungspotentiale oder -spannungen erzeugt wird, die zwischen die Elektroden gelegt sind, wodurch die aktive kontinuierliche Elektrolyse von Wasser in 'Wasserstoff- und Sauerstoff-Gase innerhalb des Gehäuses durchgeführt wird und in beachtlicher Weise die Funktion der Bauelemente oder Schaltkreise C innerhalb der Unterbaugruppe H "gegen jegliche wesentliche Verschlechterung im Betrieb aufrechterhalten wird. Frühere Spannungen werden bei größeren Elektrodenabständen verwendet. .
Die dargestellte verschlungene, nebeneinandererstreckte Spiralelektrodenanordnung ist vorteilhaft zur wirksamen Bereichsanwendung und zum Verfahrenserfolg. Mit Spiralelektrodengesamtlängen von ungefähr 0,3 cm (typische verwendbare Längen liegen in der Größenordnung zwischen 0,03
2 und 0,3 cm), die einen Flächenbereich von ungefähr 0,0051 cm
bedecken, einer Leiterbreite von ungefähr 0,025 mm und einem im wesentlichen gleichförmigen Leiterzugabstand von ungefähr 0,025 mm (innerhalb der Grenzen im Größenbereich von etwa 0,01 bis 0,025 mm) hat sich erwiesen, daß niedrige Gleichspannungen, die zwischen die Leiterzüge 1' und 3' in der Größenordnung von ungefähr 5,0 bis 10 V liegen (allgemeiner gesagt von ungefähr 400 V/cm bis 100.000 V/cm und in manchen Fällen von ungefähr 1 bis 50 V), Wasserdampf und darin gelöste Verunreinigungen kontinuierlich und mit schneller Wirksamkeit entfernen. Der Widerstand der hygroskopischen isolierenden Oberflüche 2 ist vorteilhaft im Größenordnungsbereich von ungeführ 1 χ ΊΟ15 bis 1 χ 1012jf2. pro Quadrat eingestellt und hat vorteilhaft eine Dicke von 8.000 X.
Bezugnehmend auf die grafische Darstellung von Fig. 3 wächst der Betrag des Stromes (der auf der Ordinate aufgetragen ist) mit dem Wasserdampf (der auf der Abzisse aufgetragen ist), wobei die Anordnung über weite Bereiche betriebsfähig ist, wenn geeignetes PoO,- vorgesehen ist, wie später noch erläutert wird, und die Anordnung ist dann nicht speziell spannungsabhängig. Der Betrieb ist für 5, 10 und 15 Volt im unteren Bereich der Fig. 3 aufgezeichnet, mit entsprechend ungefähr 1,5 %, 1,5 % und 4,5 % P2O5-DIe oberste flachverlaufende Kurve erhielt man für weniger als 0,1 % PoO1. und sie zeigt, daß der kritische charakteristische Betriebsbereich der Erfindung mit solchen Dotierungsgrößen nicht erreicht werden kann.
Man hat gefunden, daß, wenn die angelegte Gleichspannung weniger als 1,5 V beträgt, die Getterwirkung beginnt träge zu werden und für dichtere Elektrodenabstände sind niedrigere Spannungen wünschenswert.
Der Anteil des Phosphors oder anderer Dotierungsmittel zur Erzeugung der hygroskopischen Effekte ist wichtig. Wenn zuviel Phosphor eingesetzt wird, dann ergeben sich sehr niedrige Widerstände im Gegensatz zu den gewünschten mehreren Hundert MSL . Zuviel Phosphor entwickelt Bedingungen, bei denen eine direkte Leitung durch die Schichten stattfindet, was vom Standpunkt, daß Strom verschwendet wird, der durch die Oxidschicht selbst fließt, unerwünscht ist, anstelle zur Hydrolyse des Wassers verwendet zu werden, und Bereiche des Glases lösen sich auf. Bevorzugte Mengen von Phosphor liegen zwischen etwa 0,2 und 8 Mol % P9O5 (im allgemeinen größer als 0,1 %), mit dickeren Oxiden für Bauelemente höherer Spannung.
Während die Erfindung in Verbindung mit einer separaten Gettervorrichtung in der Unterbaugruppe H dargestellt worden ist, so ist doch klar, daß selbige auch Teil eines integrierten oder Mikro-Schaltkreis-Chips 2 bis 4 oder eine Vergrößerung derselben sein und während der Herstellung dieses Chips mit hergestellt werden kann.
Als weiteres Beispiel einer nützlichen Anwendung der Erfindung sei das Gehäuse einer Digitaluhr genannt, das üblicherweise wasserdicht ist, gegen den Eintritt von Feuchtigkeit aber nicht isoliert ist. Durch Einschluß des Getters gemäß der Erfindung in das Gehäuse und Anlegen einer Spannung an die Elektroden wird eintretender Wasserdampf elektrolysiert, bevor er den empfindlichen Schaltkreis beeinflussen kann, woraus folgt, daß, wenn das Wasser elektrolysiert wird, der Innendruck im Gehäuse beachtlich steigt, weil die gebildeten Wasserstoff- und Sauerstoff-Gase ein größeres Volumen einnehmen als zuvor der Wasserdampf eingenommen hat. Dieser Überdruck entlädt
sich durch dieselbe Öffnung im Gehäuse, durch die der Wasserdampf eingetreten ist. Dieser Schutz ist notwendig für Γlüssigkristallanzeigeelemente aufgrund deren Natur, wie auch für die meisten Mikroschaltkreise. Die Erfindung findet in gleicher Weise Verwendung in Hörhilfeverstärkern und anderen elektronischen und elektrischen Systemen.
Ein anderes Verfahren zur Erzielung der gleichen Struktur, vielleicht mit einer stärkeren Phosphorkonzentration, kann darin bestehen, ein Fenster oder eine teilweise Vertiefung in die Oxidschicht selbst einzuätzen, das den Kontakt zwischen dem Elektrodenmetall und dem Siliziumdioxid erlaubt, das darin mit einem niedrigeren Dotierungsniveau ausgebildet ist. Ein weiteres Verfahren, das fast jede Kombination von Glasen oder niedergeschlagenen Oxiden erlaubt, kann darin bestehen, daä Metall direkt auf die Oberseite des Substrats aufzubringen und dann ein dotiertes Oxid oder Glas über der Gesamtanordnung aufzubringen und dann Bereiche über dem Metall zu öffnen, um Anschlußleitungen anzubringen.
Obgleich hier eine Spiralelektrodengeometrie dargestellt ist, versteht sich doch, daß auch andere geometrische Konfigurationen verwendet werden können und daß weitere Modifikationen für den auf diesem technischen Gebiet tätigen Fachmann möglich sind, ohne daß er den Geist und den Umfang der Erfindung, wie sie von den Ansprüchen beschrieben ist, verläßt.
Kö/Ili

Claims (22)

  1. 31 449 Ansprüche
    Verfahren zum elektrochemischen Beseitigen von Wasser und Verunreinigungen aus einer elektronischen Baugruppe und dgl., gekennzeichnet durch Aufbauen eines elektrischen Feldes zwischen einem Paar dicht nebeneinanderliegend verlaufender elektrischer Leiterzüge, Anordnen der Leiterzüge auf einer hygroskopischen isolierenden Oberfläche, die innerhalb der Baugruppe angeordnet ist und Einstellen der Leiterzugabmessungen und -distanz in bezug auf das elektrische Feld, um Wasser innerhalb der Baugruppe in Wasserstoff und Sauerstoff zu hydroIisieren.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die isolierende Oberfläche im wesentlichen eben ist und die Leiterzüge im wesentlichen coplanar sind.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die Distanz der Leiterzüge in der Größenordnung zwischen 0,001 mm und 0,025 mm liegt, die Leiterzuglänge zwischen 0,03 cm und Q3 cm liegt und das Potential des elektrischen Feldes zwischen 400 V/cm und 100.000 V/cm beträgt.
    MÜNCHEN: TELEFON (Ο8Θ) 99SS8S KABEL: PROPiNDUS 'TELEX OS 24 344
    BERLIN: TELEFON (O 3O) .8 31 JO HfJ
    KABEL: PROPINDUS · TELEX O1H40.17
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Widerstand der hygroskopischen isolierenden Oberfläche auf den Bereich von 1 χ 10 SX. pro Quadrat 1 χ 10 JiX pro Quadrat eingestellt ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die hygroskopische, isolierende Oberfläche durch Oxidation eines Siliziumsubtrats und Dotieren des Oxides, um es hygroskopisch zu machen, hergestellt wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Dotieren die Verwendung von Phosphor einschließt.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Oxid in einer Dicke im Bereich zwischen 3.000 Ä und 10.000 Ä gebildet wird und der Anteil des Phosphoroxids im Bereich von? ungefähr 0,2 bis 8 Mol % P^liegt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Leiterzüge durch Niederschlag von Nichrom-Gold- oder Chrom-Gold-Leitern auf dem dotierten Oxid hergestellt werden.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Leiterzüge in ineinanderlaufenden Spirallinien angeordnet werden.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die hygroskopische, isolierende Oberfläche, die die Leiterzüge trägt, als separates Element in die Baugruppe eingefügt wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die hygroskopische, isolierende Oberfläche, die die Leiterzüge trägt, als Teil der Herstellung der anderen in der Baugruppe enthaltenen elektronischen Elemente gebildet wird.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die hygroskopische, isolierende Oberfläche durch Oxidation eines Siliziumsubstrats, das anteilig zugleich Substrat eines weiteren elektronischen Elementes ist, hergestellt wird, wobei jene Oberfläche dotiert wird, um sie hygroskopisch zu machen.
  13. 13. Gettervorrichtung zum elektrochemischen Beseitigen von Wasser und Verunreinigungen aus einer elektronischen Baugruppe und dgl., in Kombination aufweisend: eine hoch hygroskopische, im wesentlichen ebene isolierende Oberfläche, die innerhalb der Baugruppe anbringbar ist, ein Paar nahe benachbarter, nebeneinander verlaufender, im wesentlichen coplanarer Leiter, die Elektrodenzüge längs eines Bereiches jener Oberfläche bilden, und Einrichtungen zum Anlegen einer Spannung an die Leiter, um ein elektrisches Feld zwischen den Elektrodenzügen aufzubauen, das dadurch gebildet wird und im Zwischenraum, das von den hygroskopischen Oberflächenteilen zwischen den Leitern eingenommen wird, wobei die Spannung so eingestellt ist, daß eine Hydrolyse von Wasser in deren Nachbarschaft stattfindet.
  14. 14. Gettervorrichtung nach Anspruch 13, bei der der Zwischen raum zwischen den Leitern in der Größenordnung von etwa 0,001 mm und 0,024 mm und die Spannung im Bereich von etwa 1 V bis 50 V liegt.
  15. 15. Gettervorrichtung nach Anspruch 13, bei der die hygroskopische, isolierende Oberfläche eine Oxidschicht aus Halbleitermaterial ist, das dotiert ist, um es hygroskopisch zu machen.
  16. 16. Gettervorrichtung nach Anspruch 15, bei der jenes Material Silizium ist und das Dotierungsmittel Phosphor enthält.
  17. 17. Gettervorrichtung nach Anspruch 1.3, bei der im wesentliche coplanare Leiter auf der hygroskopischen isolierenden Oberfläche angeordnet sind.
  18. 18· Gettervorrichtung nach Anspruch 17, bei der die Leiter in xneinandergeschlungenen Spiralbahnen angeordnet sind.
  19. 19. Gettervorrichtung nach Anspruch 17, bei der die Leiter auf oder in die Oberfläche metallisiert sind.
  20. 20. Gettervorrichtung nach Anspruch 19, bei der die Metallisierung aus Nichrom-Gold oder Chrom-Gold ist.
  21. 21. Cettervorrichtung nach Anspruch 13, bei der sie ein Teil eines anderen elektronischen Bauteils ist.
  22. 22. Gettervorrichtung nach Anspruch 21, bei der die isolierende Oberfläche eine Oxidschicht auf einem Siliziumsubstrat ist, das anteilig zugleich Substrat eines anderen elektronischen Bauelements ist.
DE19803050032 1979-11-09 1980-11-07 Gettervorrichtung zum elektrochemischen Beseitigenvon Wasser Expired DE3050032C2 (de)

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