DE3032567A1 - Differentialverstaerkerschaltung - Google Patents

Description

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Differential verstärkerschaltung

Gegenstand dieser Erfindung ist eine Differentialverstärkerschaltung. Gegenstand dieser. Erfindung ist insbesondere aber eine solche Differential verstärkerschal tung, deren Steilheitskennlinie (gin) eine gute Linearität aufzuweisen hat.

Für gewöhnlich wird für einen Verstärker ein Ansprechverhalten gewünscht, das zwischen Eingang und Ausgang eine gute Linearität aufzuweisen hat, oder aber ein Impedanzänderungsverhalten guter Linearität im Ansprechen der Schaltung auf das Eingangssignal. Man hat aber festgestellt, daß die Linearität im Ansprechverhalten und im Widerstands änderungsverhalten der Schaltungen mit Transistoren für gewöhnlich deswegen nicht voll ausreichen, weil die Steilheit (gm) eines Transistors ein nichtlineares Verhalten zeigt, welches sich mit der Eingangsspannung verändert.

Aus diesem Grunde sind bei Transistorverstärkerschaltungen konventioneller Art negative Rückkopplungsschaltungen oder Rückführungsschaltungen für die Verringerung des nichtlinearen Verhaltens solcher Verstärkerschaltungen erforderlich, aber eine negative Rückkopplung oder negative Rückführung verringert auch die Verstärkung oder den Gewinn der Verstärkerschaltung. Und bisher sind schon viele Versuche gemacht worden, die Linearität von Verstärkerschaltungen zu verbessern.

Diese Erfindung stellt sich somit die Aufgabe, eine Differential verstärkerschaltung zu schaf-

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Zur Lösung der vorgegebenen Aufgabe sieht die Erfindung eine Differential verstärkerschaltung vor, die sieb aus zwei DifferentialVerstärkersystemen zusammensetzt und dadurch gekennzeichnet ist, daß zu jedem Differential Verstärkersystem zwei Transistorkreis mit Transistoren (Qa, Qb, Qc, Qd) gleicher Impedanz gehören; daß ein jeder Transistorkreis zwei Transistoren aufweist, wobei ein Transistor mit seinem Emitter auf eine dem jeweils zutreffenden Paar zugeordnete STromquelle geführt ist; daß eine der Stromquellen (24) stärker ist als die andere (24) der Stromquellen; daß der Emitter eines jeden Transistors (Qa, Qb) eines jeden Differential verstärkersystemes jeweils über eine von zwei Impedanzen auf die zugehörige.Stromquelle geführt ist; daß die einzelnen Impedanzen des der stärkeren Stromquelle zugeordneten Paares größer sind

Ρ-

als die einzelnen- Impedanzen des der schwächeren Stromquelle zugeordneten Paares; daß ein jeder individuelle Transistor (Qa, Qb) in jedem Differential versärkersystem mit seiner Basis auf die Basis von einem (Qd, Qc) Transistor des anderen Differentialverstärkersystemes geführt ist und mit seinem Kollektoransc.hluß mit dem Kollektoranschluß des anderen Transistors (Qc, Qd) des anderen Differentialverstärkersystemes in Verbindung steht.

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Die Emitter aller Transistoren haben vorzugsweise die gleiche Fläche.

Die Erfindung soll nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt in:-

Fig. la Ein Schaltbild für einen Different!al verstärker herkömmlicher Art.

Fig. Ib Ein Kenn!iniendiagramm mit Darstellung der Steilheit gm für die mit Fig. la gezeigte Differential verstärkerschaltung.

Fig. 2 Ein Schaltbild betreffend einer Differentialverstärkerschaltung dieser Erfindung.

Fig. 3 Ein Kennliniendiagramm mit Darstellung der Stei1 heitskennlinien gm für eines der zu der mit Fig. 2 wiedergegebenen Schaltung gehörenden Differentialverstärkersysteme.

Fig. 4 Ein Kennliniendiagramm mit Darstellung der Steilheitskennlinien gm für die mit Fig. 2 wiedergegebene Different!al verstär kerschal tung.

Fig. 5 Kennliniendiagramm mit Darstellung der verschiedenen Fällen zugeordneten Kennlinien der Steilheit gm.

Fig. 6 Schaltbilder für andere Ausführungen der Different!
Erfindung.

Differential verstärkerschaltungen dieser

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Die Erfindung wird nachstehend nun unter Verweisung auf Fig. la bis Fig. 8 beschrieben und erläutert, wobei zur Vereinfachung der Beschreibung gleiche oder ähnliche Teile und Baugruppen auch mit den gleichen allgemeinen Hinweiszahlen gekennzeichnet sind.

Die bisher bekannte una herkömmliche Ausführung, für die die Erfindung eine Verbesserung darstellt, besteht aus einer Schaltung, zu der nach Fig. la zwei Differential Verstärkersysteme gehören. Diese bisher bekannte und herkömmliche Schaltung wird als .Spannungskonstanthaitesschaltung (ALC = Automatic Level Control Circuit) in einer integrierten Schaltung (IC) verwendet, die vom Zessionar dieser Erfindung hergestellt wird. Die Schaltunb besteht im Grunde aus den beiden Differentialverstärkersystemen TO und 12 die parallel geschaltet sind. Zu jedem Differential Verstärkersystem 10 oder 12 gehören jeweils zwei Transistoren gehören, und zwar die beiden Transistoren Q·,, Q₂ und die beiden Transistoren Qo, Q4. Einer der Transistoren eines jeden Differentialverstärkersystemes ΊO_s 12 hat einen Emitter, der flächenmäßig größer ist, als der Emitter des jeweils anderen Transistors in dem System. Die Steilheit der Differential vers.tärkersysteme IG und I⁹. ist mit den Kennlinien A und B im Kennliniendiagramm nach Fig. Ib dargestellt. Die mit Fig. Ib wieder gegebenen Kennlinien A und B bringen dann beide für das Steilheitsvernal ten der gesamten Schaltung die Kennlinie C.

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Das Steilheitsverhalten der Gesamtschaltung ist, wie dies aus der Kennlinie C hervorgeht,, im Mittel teil relativ flach. Die Schaltung nach Fig. la weist jedoch einige Einschränkungen auf, auf die nachstehend eingegangen wird. Zunächst einmal ist der Mittelteil der Steilheitskennlinie gm deswegen flach, weil, das Verhältnis im Emitterflächenbereich zwischen den Transistoren Q-,, Q₂ sowie Q₃, Q. in jedem Differential Verstärkersystem 10 o. er 12 gleich 1 : 4 ist. Falls diese Bedingung nicht gegeben ist, dann rundet sich der Mittelteil der Kennlinie C entweder nach oben oder nach unten aus. Sodann muß der jeweils andere Transistor in jedem Differential Verstärkersystem für seinen Emitter eine sehr große Fläche haben, damit eine Steilheitskennlinie gm in ihrem Mittelteil flach werden kann, das wiederum hat zur Folge, daß die Gesamtschaltung auch größer wird.

Fig. 2 zeigt nun eine Differential verstärkerschaltung als ein Ausführungsbeispiel dieser Erfindung. Auch diese Schaltung weist die beiden Differentialverstärkersystem 20 und 22 auf. Ein jedes der Differentialversärkersysteme 20 oder 22 besteht im wesentlichen aus den beiden NPN-Transistoren

Q und Q, oder Q und Q,und den beiden Diodensya D co

steinen D <;und D, oder D, und D,, wobei jeweils a ο Qq

eine Konstantstromquelle 24 oder 26 jeweils an das jeweils zutreffende Ende der Diodensysteme angeschlossen ist.

In uedem Verstärkersystem ist das jeweils andere

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Ende der Diodensysteme D , D. oder D , D, jeweils

au CQ

auf die EmitteranschVüsse der Transistoren Q und

Q, oder der Transistoren Q und Q , geführt. Ein Ende der ersten Konstantstromquelle 24 ist deshalb gleichzeitig und gemeinsam mit den jeweils zutreffenden Enden der zum ersten Different!al verstärker. system 2o gehörenden Diodensysteme D und D. ver-

a ο

bunden. In gleicher Weice ist ein Ende der zweiten Konstantstromquelle 26 auf die jeweils zutreffenden Enden der zum zweiten Differentialverstärkersyytem 22 gehörenden Diodensysteme D und D, geführt.

Von der zweiten Konstantstromquelle 26 aus zugeführt wird ein Strom der oC ^ma^ größer und stärker ist als der Strom, der von der ersten Konstantstromquelle aus auf geschaltet und zugeühfrt wird, wobei 1 )f oC/ O ist. Das hat zur Folge, daß die KonstantspannungsquelIe 26 einen schwächeren Strom zuführt als die Konstantspannungsquelle 26.

Die Basisanschlüsse des zum ersten Differentialverstärkersystem 20 gehörenden Transistors Q und des zum zweiten Differential Verstärkersystem 22 gehörenden Transistors Q. sind gemeinsam auf eine Eingangsklemme 28 geführt. In ähnlicher Weise sind die B.asisanschlüsse des zum ersten Differentialverstärkersystem 2o gehörenden Transistors Q^ und des zum zweiten Differential Verstärkersystem 22 gehörenden Transistors Q geminsam auf eine Eingangsklemme 30 geführt.

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Darüber hinaus sind auch die Kollektoranschlüsse des

Transistors Q, - dieser Transistor Q gehört zum era a

sten Differential Verstärkersystem 20 - und des Transistors Q - dieser Transistor Q gehört zum zweiten

C* C

Differential Verstärkersystem 22 - auf einen Ausgangs knoten 40 geführt, der seinerseits wiederum über eine dritte Konstantstromquelle 32 mit einem ersten Bezugsspannungsanschluß 36 verbunden ist. In gleicher Weise sind auch die Kollektoranschlüsse des Transistors Q, - dieser Transistor Q, gehört zum ersten Different!al Verstärkersystem 20 - und des Transistors Q, - dieser Transistor Q. gehört zum zweiten Differentialverstärkersystem 22 - auf einen anderen Ausgangsknoten 42 geführt, der seinerseits wiederum über eine vierte Konstantstromquelle 34 mit der ersten Bzugsspannungsklemme 36 in Verbindung steht. Die dritte KonstantstromquelIe 33 und die vierte Konstantstromquelle 34 führen einander über einen Stromspiegelungsabschnitt oder eine Stromspiegelungsschaltung die gleiche Strortimenge zu und arbeiten dabei als aktiv wirksame Belastungen der jeweils zutreffenden Differential verstärkersysterne.

Die anderen Enden der ersten und zweiten Konstantstromquellen 24 und 26 sind gemeinsam auf eine zweite Bezugsspannungsklemme 38 geführt.

Bei der in der beschriebenen Weise konstruierten Differential verstärkerschaltung weisen die zum ersten Different!al Verstärkersystem 20 gehörenden Dioden-

systeme D und D, die gleiche Anzahl von Dioden auf, a ο

beispielsweise (N-I), wobei N eine positive ganze

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Zahl ist. Auch die zürn zweiten Differentialverstärkersystem 22 gehörenden Diodensysteme D und D, weisen die gleiche Anzahl von Dioden auf, welche gegenüber der im Zusammenhang mit dem ersten Differenti al verstärkersystem verwendeten Anzahl an Dioden kleiner ist, beispielsweise (M-I), wobei M für eine positive und ganze Zahl steht. Die Diodensysteme mit der größeren Anzahl von Dioden sind der Stromquelle 24 zugeordnet, von der her der größere und stärkere Strom aufgeschaltet und zugeführt wi rd.

Damit aber weist ein jeder Strompfad, der vom Kollektoranschluß des ersten Transistors Q, oder des

zweiten Transistors Q, zur ersten Konstantstromquelle 24 führt, eine Anzahl von N-Diodenverbindungen auf, darin eingeschlossen auch den Basis-Ernitter-Anschluß des Transistors Q o-der-des Transistors Q,. Damit aber weist ebenfalls ein jeder Strompfad, der vom Kollektor des dritten Transistors Q oder des vierten Transistors Q. zur Konstantstromquelle 26 geführt ist, eine Anzahl von M Diodenverbindungen auf, darin eingeschlossen auch den Basis-Emitter-Anschluß des Transistors Q oder des Transistors Q₀J. Die Anzahl von N und M kann jeweils frei gewählt werden. Bedingung· ist jedoch, daß sich die Anzahl N und M unterscheiden, wobei - dies ist zuvor beschrieben worden - bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel N größer ist als M.

Um die Erfindung verständlich zu machen, soll nachstehend nun das Stei lhe-i tsverhal ten gm anhand nur

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-kleines Differentialverstärkersystemes, und zwar des Different!alverstärkersystemes 20, näher erläutert werden. Dann erst sollen Funktion und Arbeitsweise der gesamten Schaltung berücksichtigt werden.

Wird an die Eingangsklemmen 28 und 30 ein Eingangs signal mit der Spannung V. angelegt, dann fließen durch die Transistoren Q, und Q, jeweils die

α D

Ströme I und I. , dann fließt durch eine Ausgangsklemme 44, welche mit einem der Ausgangsknoten in Verbindung steht, beispielsweise mit dem Ausgangsknoten 40, ein Ausgangsstrom i·,. In diesem Falle entspricht der jeweils gegebene Zustand der nachstehend angeführten Gleichung, (1.):-

V. = N —
in q

ft^ - in

¹O

^{N V}t -

IndieserGleichungist:

K = Boltzman - Konstante,
T = absolute Temperatur,
q = die Elektronenladung

KT
Vj(= ) =die Teniperaturspannung,

I_n = Sättigungsstrom in Sperrichtung des Transistors und der Diode

I = halber Strom der ersten Konstantspannungs quelle 24.

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Unter Zugrundelegung von Gleichung (1) erhält man den Ausgangsstrom mit der nachstehend angeführten Gleichung (2):-

	1	- exp..	Vin	VT
	1	+ exp.	N .
1	Vin	VT
	N .

Um die Steilheit (gm^) für das erste Differentialverstärkersystem 20 zu erhalten, wird der Ausgangsstrom i-j im Hinblick auf die Eingangsspannung V-unter Anwendung der nachstehend angeführten Gleichung (3) differentiert:-

exp.

? ϊ ■ TF. V₁.

(\ ₊ ex_P. W¹TtA²

Die Steilheit gm_N ändert sich mit der Einxjangsspannung V. und kann deshalb in der mit Fig. 3 dargestellton Weise aufgezeichnet und dargestellt werden. Die Kennlinien A, B und C in Fig. 3 stehen jeweils für eine „'te i 1 hei ts-Kennl inie für N = eins, N = zwei oder N = drei. Die Form der drei Kennlinien läßt ganz klar erkennen, daß sich der mittlere- Teil der Kennlinie dann absenkt, wenn N erhöht wird, daß die Steigungen auf beiden Seiten des Mittelabschnittes dann schwächer werden, wenn N größer wird.

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So wie dies beim ersten Differentialverstärkersystem der Fall ist, erhält man auch die Steilheit für das zweite Differential Verstärkersystem 22 mit einem Differentiervorgang nach Gleichung (4):-.

2 .

ΤΠ

exp.

+ exp.

^Vin

M . V,

^Vin

MTV

(4)

Die gesamte Steilheit gm.. für die Gesamtschaltung kann man als Differenz aus gm^ und gm^ erhalten, weil die Ausgangsströme der jeweils zutreffenden Differential Verstärkersysteme 20 oder 22 an der Ausgangsklemme in einander entgegengesetzte Richtungen wirksam werden. Dazu die nachstehend angeführte Gleichung (5):-

exp.

^Vin

N . V₁

1 + exp.

(5)

Bei der Steilheitskennlinie gm,. handelt es sich um eine Kombination der beiden Kennlinien gm., und gm.., wie dies beispielsweise in Fig. 4 dargestellt ist. Die mit Fig. 4 wiedergegebenen Steilheitskennlinien A und B stehen jeweils für die Steilheit gm der Differential Verstärkersysteme 20 und 22, uns zwar für den Fall von H = 3, M = 2 und oL = 1/3.

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Die Kennlinie W ist die Steilheitskennlinie gm für die gesamte Schaltung, wohingegen es sich bei der Kennlinie B¹ um eine Ausführungsform der Kennlinie B für.den Fall von oL - 1 handelt. Damit aber zeigt die Kennlinie gm„ das gleiche Verhalten wie die Kennlinie gnu des Kenn!iniendiagrammes. Dies wiederum hat zur Folge, daß die Steilheitskennline gm., um ihren Mittelteil herum einen relativ fla-

chen Abschnitt aufzuweisen hat.

Fig. 5 zeigt nun ein Kennliniendiagramm, in das ganz verschiedene Steilheitskennlinien gm,. eingetragen sind, und zwar mit ganz bestimmten Werten für die Größen N₁ M und oL· . Bei der Kennlinie A handelt es sich um eine Steilheitskennlinie mit N = 2, M = 1 und mit OC = 1/4. Die Kennlinie B entspricht einer Steilheitskennlinie gm,. für den Fall das N = 3, M =2 uns OC = 1/2 ist. Die Kennlinie C steht schließlich für den Fall einer Kennlinie gm^ mit N = 4, M = 3 und mit OC = 3/5.

Das erste Ausführungsbeispiel, das zuvor beschrieben und erläutert worden ist, kann nun derart geändert und modifiziert werden, daß das Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 entsteht. Bei dem derart geänderten und modifizierten Ausführungsbeispiel einer Different!al verstärkerschaltung haben die jeweils in den Different!al Verstärkersystemen 20 und 22 verwendeten Transistorpaare Q , Q^ sowie Q , Q_d jeweils eine entgegengesetzte Leitfähigkeit. So handelt es sich beispielsweise bei den Transistoren Q und I], um NPN-Transistoren, während es

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bei den Transistoren Q und Q, um Transistoren mit

C U

PNP-Leitfähigkeit handelt.

Die Kollektoranschlüsse des NPN-Transistors Q

dieser Transistor Q gehört zum ersten Differential· Verstärkersystem 20 - und des PNP-Transistors Q - dieser Transistor Q gehört zum zweiten Differentialverstärkersystem 22 - sind jeweils über die Stromspiegelung-sschaltung 42 miteinander verbunden. Darüber hinaus sind die KoIlektoranschlüsse des NPN-Transistors Ck - dieser Transistor Q. gehört zum ersten Differential Verstärkersystem 20 - und des PNP-Transistors Q, - dieser Transistor Q, gehört zum zweiten Differential Verstärkersystem 22 ebenfalls über eine Stromspiegelungsschaltung 44 miteinander verbunden. Weiterhin vorhanden sind auch noch die in Reihe geschalteten Diodensysteme D und D. oder D und D. mit einer Anzahl von (N-I) oder (M-I) Dioden. Diese Diodensystem sind zwischen die jeweils zutreffenden Transistoren Q und Q, oder Q und Q, und den zugeordneten Konstantstromquellen 24 oder 26 geschaltet. Diese Schaltungsausführung zeigt gleiche oder ähnliche Wirkung, wie diese im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben worden sind.

Ein gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel geändertes und modifizierte AusfUhrungsbeispiel ist auch noch in Fig. 7 dargestellt. Bei diesem geänderten Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine Differential verstärkerschaltung, bei der statt der Üiodensysteme D,, D. D„ und D,, die in

α D C Q

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Fig. 2 dargestellt sind, die Widerstände Ra, R_b, R und R_d verwendet werden. Diese Widerstände sind wie die Di ode η systeme zwischen die jeweils zutreffenden Transistoren Q , Q^, Q und Q^ und den gemeinsamen KonstantstromquelTan 24 und 26 geschaltet. Die einem Differential Verstärkersystem zugeordneten Widerstände haben den gleichen Widerstandswert, die Widerstände zwischen den jeweils zutreffenden Differentialverstärkersystemen sind jedoch verschieden. So sind beispielsweise die dem ersten Different!alverstäkersystem 20 zugeordneten Widerstände R_a und R_b derart ausgewählt, daß sie gegenüber den Widerständen R_c und R^, die zum zweiten Different!alverstärkersystem 22 gehören, einen größeren Widerstandswert, was wiederum zur Folge hat, daß von der Konstantstromquelle 26 aus ein schwächerer Strom aufgeschaltet wird,als dies im Zusammenhang mit dem Differential Verstärkersystem ·2ο und der Konstantstromquelle 24 uer Fall ist. Was dieses geänderte und modifizierte Ausführungsbeispiel betrifft, so kann doe Form der Ste.i Ihei tskennl ine gm der Gesamtschaltung dadurch kontinuierlich geändert werden, daß man die Widerstände R₌, R, und R. R,

α D Cu

ändert. Im Mittelteil der gm-Kennlinie wird die Linearität jedoch schwächer, und ist nicht so ausgeprägt wie bei den Diodensystemen, nach Fig. 2.

Ein weiteres geändertes und modifiziertes Ausführungsbeispiel der Erfindung kann als Schaltung mi't variabler oder veränderlicher Impedanz verwendet werden. Das heißt, die Schaltung mit veränder-

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delricher Impedanz wird im Rahmen der Erfindung dadurch relaisiert, daß beispielsweise die Kollektoranschlüsse der Transistoren Q₃, (3 in der mit Fig. dargestellten Weise HJfxut«*der Verbindung der Kol.lek toranschlüsse mit der Aus gangs klemme 40, Fig. 2, mit der ersten Eingangsklemme 28 verbunden werden. Mit einer Schaltung , wird eine Impedanz Z der Gesamtschaltung als reziproker Wert der Steilheit gm,, erreicht. Und dies ist nachstehend mit Gleichung (6) ausgedrückt:-

Λ V.

_ d τη

3 i

21 ι w u

in

M . V_T

Il · V -τ-

(6)

Damit hat auch die Impedanz Z einen flachen Teil in der Steilheitskennlinie. Diese Impedanz Z verändert sich mit der Regelung der Ströme 21 und 2 oL I der Konstantstromquellen 24 und 26, indem. Sie das Verhältnis oC zwischen den Konstantströmen einhalten.

anstatt

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Claims (6)

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   Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho, Saiwai-ku, Kawasaki -shi, Kanagaw'a-ken (Japan)

   Differential verstärkerschaltung Patentansprüche : -

   Differential verstärkerschaltung bestehend aus zwei Differenti al verstärkersysteme η, dadurch gekennzeichnet, daß ein jedes der Differentialverstärkersysteme zwei Transsi torschaltungen (Qa, Qb, Qc, Qd) gleicher Impedanz aufweist; daß ein jedes der Transistorschaltungspaare zwei Transistoren auf weist, wobei der Emitter eines Transistors für dieses Transistorenschaltungspaar auf eine gemeinsame Stromquelle geführt ist; daß eine der Stromquellen (2%) stärker.als die andere Stromquelle (26) ist; daß der Emitter eines jeden Transistors (Qa, Qb) eines jeden Systemes über eine von zwei gleich großen Impedanzen auf die jeweils zugeordnete Stromquelle geführt ist; daß die individuelle Impedanzen, des der stärkeren Stromquelle zugeordneten Paares größer ist als alle Impedanzen, des der schwächeren Stromquelle zugeordneten Paares ist, wobei ein jeder Einzel transistor (Qa, Qb) in jedem System mit der Basis eines Einzel transistors (Qd, Qc) des anderen Systemes in Verbindung steht, wobei weiterhin der Kollektor auf den Kollektor' des anderen Transistors (Qc₅Qd) des anderen Systemes geführt ist.

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2. 2. Differential verstärkerschaltung
   nach Anspruch T,

   dadurch . gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren, die mit der schwächeren Stromquelle in Verbindung stehen, auf diese schwächere Stromquelle über gleich starke Impedanzen geführt sind.
3. 3. Different!al verstärkerschaltung
   nach Anspruch 1 oder 2,

   dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den angeführten Impedanzen um Gruppen von Diodenanschlüssen handelt.
4. 4. Different!al verstärkerschaltung

   nach irgendeinem der zuvor angeführten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Impedanzen um Widerstände handelt.
5. 5. Different!al verstärkerschaltung nach
   irgendeinem der zuvor angeführten Ansprüche, dadurch g.e kennzeichnet, daß es sich bei den vorerwähnten Transistoren um Transistoren gleicher Leitführigkeit handelt.
6. 6. Differential verstärkerschaltung nach
   irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4,
   dadurch gekennzeichnet, daß in dem einem System Transistoren gleicher Leitfühigkeit verwendet werden,wohin in dem
   anderen System die Transistoren entgegengesetzt gerichtete Leitfähigkeiten haben; daß

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   y' -

   weiterhin die zum anderen System gehörenden Transistoren eine andere Leitfähigkeit haben; daß schließlich die Kollektoren der zu den ver schiedenen Systemen gehörenden Transistoren über zwischengeschaltete Relaiskreise miteinander verbunden sind.

   Differential verstärkerschaltung nach Anspruch 6,

   dadurch gekennzeichnet, daß die zuvor angeführten Relaisschaltungen als Stromsptege.lungsschaltungen ausgeführt sind.

   Differential verstärkerschaltung nach irgendeinem der zuvor angeführten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verstärkerschaltung weiterhin auch noch eine Eingangsschaltunggehört, die auf die Basis von einem der Transistoren geführt ist, und auch ein Ausgangskreis, der mit den Kollektoren in Verbindung steht.

   Di ff erenti al verstärkerschal tu.ng nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß. einer der zuvor erwähnten Kollektoranschlüsse mit einem der vorerwähnten Basisanschlüsse in Verbindung steht, wobei zur Schaltung auch noch ein Eingangskreis gehört,' der auf einen der vorerwähnten Basisanschlüsse geführt ist.

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