DE3032461A1 - Verfahren zum herstellen von legierten metallkontaktschichten auf kristallorientierten halbleiteroberflaechen mittels energiepulsbestrahlung - Google Patents

Verfahren zum herstellen von legierten metallkontaktschichten auf kristallorientierten halbleiteroberflaechen mittels energiepulsbestrahlung

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US06/289,880 US4359486A (en) 1980-08-28 1981-08-04 Method of producing alloyed metal contact layers on crystal-orientated semiconductor surfaces by energy pulse irradiation
EP81106341A EP0046914B1 (de) 1980-08-28 1981-08-14 Verfahren zum Herstellen von legierten Metallkontaktschichten auf kristallorientierten Halbleiteroberflächen mittels Energiepulsbestrahlung
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282478A (ja) 2002-01-17 2003-10-03 Sony Corp 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1540991A1 (de) * 1964-11-19 1970-02-19 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper
DE1514288B2 (de) * 1964-12-11 1974-10-31 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers an einer Trägerplatte
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
DE2625917B2 (de) * 1975-06-19 1979-04-12 Asea Ab, Vaesteraas (Schweden) Halbleiteranordnung
DE2825212B1 (de) * 1978-06-08 1979-07-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven Laserlichtpulses
GB2035690A (en) * 1978-11-17 1980-06-18 Keller R Semiconductor device and a method of contacting a partial region of a semiconductor surface

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51111061A (en) * 1975-03-26 1976-10-01 Hitachi Ltd Electrode forming method
JPS5723223A (en) * 1980-07-18 1982-02-06 Fujitsu Ltd Manufacture of compound semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1540991A1 (de) * 1964-11-19 1970-02-19 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper
DE1514288B2 (de) * 1964-12-11 1974-10-31 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers an einer Trägerplatte
DE2625917B2 (de) * 1975-06-19 1979-04-12 Asea Ab, Vaesteraas (Schweden) Halbleiteranordnung
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
DE2825212B1 (de) * 1978-06-08 1979-07-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven Laserlichtpulses
GB2035690A (en) * 1978-11-17 1980-06-18 Keller R Semiconductor device and a method of contacting a partial region of a semiconductor surface

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-10, Nr. 4, August 1974, S. 219-228 *

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