DE3030454A1 - Einrichtung zur grossflaechigen abscheidung von haftfesten, insbesondere harten kohlenstoffschichten - Google Patents

Einrichtung zur grossflaechigen abscheidung von haftfesten, insbesondere harten kohlenstoffschichten

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Description

  • Einrichtung zur großflächigen Abscheidung von haftfesten,
  • insbesondere harten Kohlenstoffschichten Anwendungsgebiet der Erfindung Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur großflächigen Abscheidung von haftfesten, insbesondere harten Kohlenstoffschichten auf Substraten mittels ionisierter Gase und/oder Dämpfe. Der Einsatz derartiger Schichten kann sehr verschiedenartig sein. Er reicht von Werkzeugen mit verbesserter Oberflächenhärte bis zu Plastwerkstoffen mit erhöhter Kratzfestigkeit.
  • Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Im Stand der Technik ist die Erzeugung ionisierter Gase und/oder Dämpfe mittels Gleichspannungsentladung und Niedervoltbogenentladung bekannt.
  • Bei der Gleichspannungsentladung läßt sich die Erzeugung ionisierter Gase und/oder Dämpfe ohne Zusatzmaßnahmen nur durch relativ hohen Druck in der Vakuumkammer realisieren.
  • Dadurch müssen die bekannten Nachteile, wie z. B. störender Gaseinbau in den aus dem Plasma abgeschiedenen Schichten, in Kauf genommen werden. Durch Anwendung einer Glühkatode als Elektronenemitter läßt sich der Arbeitsdruck in günstigere Bereiche senken.
  • Hierzu sind mehrere Varianten bekanntgeworden. Meist wird die Glühkatode in einer kleinen separaten Kammer, die über eine Öffnung mit der eigentlichen Behandlungskammer verbunden ist, betrieben. In der kleinen Kammer wird oft ein höherer Druck aufrechterhalten und die Entladung brennt zwischen Glühkatode und einer in der Behandlungskammer befindlichen Anode, wobei zur Verstärkung und Bündelung der Entladung ein Magnetfeld erzeugt wird (DE-PS 22 46 983, DE-PS 17 65 625). Dies erfordert einen hohen technischen Aufwand, wobei ohne weitere Maßnahmen meist nur kleinere Oberflächen gleichmäßig behandelt werden können.
  • Es ist weiterhin bekannt, die Geometrie der Entladungsquellen so zu gestalten, daß eine optimale Behandlung z. B.
  • von Targetoberflächen bei der Katodenzerstäubung oder von Substratflächen bei Plasmabehandlungen möglich ist. Dies ist z. B. befriedigend für Gleichspannungsentladungsquellen gelungen, wo die Anordnung von Katode, Anode und der sich dazwischen befindlichen Auffängerflächen konzentrisch zueinander und zylindersymmetrisch erfolgt ist.
  • Im Falle der Niedervoltbogenentladung bei relativ niedrigem Druck mit Glühkatode gibt es Einrichtungen, die zwar in der Behandlungskammer angeordnet sind, aber nur die Behandlung kleiner Plächen zulassen. Bei diesen Einrichtungen sind deren Elektroden nacheinander auf einer Längsachse angeordnet. Dadurch wird die Austrittsfläche für Elektronen bzw. für die in der Einrichtung entstehenden Ionen durch die Größe der Absaugelektrodenöffnung bestimmt.
  • Im Endeffekt bestimmt diese Größe die gleichmäßig behandelbare Fläche. Einer Vergrößerung dieser Einrichtung zur Anwendung für industrielle Zwecke sind Grenzen gesetzt, wobei dann auch die volle Gleichmäßigkeit nicht erreicht werden kann.
  • Speziell zur Kohlenstoffbeschichtung sind des weiteren komplizierte Ionenstrahlquellen bekanntgeworden (z. B.
  • Aisenberg, Chabot; J. Appl. Phys. 42 (1971) 2953), wobei der erhebliche apparative und technologische Aufwand in keinem Verhältnis zur geringen zu beschichtenden Fläche und somit einer industriellen Anwendung im Wege stehen.
  • Ziel der Erfindung Das Ziel der Erfindung besteht darin, großflächige Substrate mit einer haftfesten, insbesondere harten Kohlenstoffschicht, zum Zwecke erhöhter Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit zu beschichten.
  • Darlegung des Wesens der ;'Erfindung Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zu schaffen, die mittels ionisierter Gase und/oder Dämpfe auf großflächigen Substraten eine gleichmäßige haftfeste Beschichtung, insbesondere mit harten Kohlenstoffschichten, ermöglicht.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß gegenüber den Substraten eine Glühkatode angeordnet ist, der Reflektorelektroden zugeordnet sind, derart, daß ihr Abstand untereinander und der Abstand einer hochtransparenten Anode zwischen Glühkatode und Substrat zur Glühkatode etwa gleich der mittleren freien Weglänge der Elektronen beträgt.
  • Die Länge der Glühkatode beträgt vorteilhafterweise mindestens gleich der axialen Ausdehnung der Substrate. Das Potential der Reflektorelektroden ist gleich oder etwa gleich dem Potential der Glühkatode. Konstruktiv werden die Reflektorelektroden als Bleche ausgebildet, die rechtwinklig zur Achse der Glühkatode angeordnet sind.
  • Zur Gewährleistung einer gleichmäßigen Schichtdicke auch in den Randbereichen der Substrate werden die äußeren Reflektorelektroden so angeordnet, daß sie die Substrate mindestens um 1/3 des Abstandes der Reflektorelektroden untereinander überragen.
  • Mit dieser erfindungsgemäßen Einrichtung wird erreicht, daß die von der Glühkatode emittierten Elektronen zwischen den Reflektorelektroden, in dadurch gebildeten Entladungskammern, gut reflektiert werden und ein stabiles Plasma auch bei niedrigen Drücken erzielt wird.
  • Die emittierten Elektronen, die z. T. nach mehrfacher Reflexion an den Reflektorelektroden zur Anode beschleunigt werden, sind in der Lage, insbesondere in Nähe der Anode Gas- bzw. Dampfteilchen zu ionisieren, so daß sich im Arbeitsraum ein diffuses Plasma ausbreitet. Die im Plasma vorhandenen Ionen werden von den temperierbaren und auf einem gegenüber der Glühkatode negativen Potential liegen den Substraten bzw. Substrathalter angezogen und wirken auf die Oberflächen der Substrate ein. Die Substratstromdichte, die die Ioneneinwirkung kennzeichnet, stellt sich über die gesamte Pläche weitgehend konstant ein.
  • Diese Ionen, die je nach Verfahren und Arbeitsmedium unterschiedlich sein können, z. B. Kohlenstoffionen aus einem Benzen-Arbeitsmedium, bilden auf der Substratoberfläche eine haftfeste harte Schicht, im angegebenen Falle eine Kohlenstoffschicht0 Die Arbeitsweise der gesamten Einrichtung soll nachfolgend erläutert werden.
  • Der Arbeitsraum wird durch bekannte Vakuunierzeuger evakuiert und durch an sich bekannte Dosierventile werden die für die Erzeugung der haftfesten harten Schichten erforderlichen Gase bzw. Dämpfe eingelassen und der gewünschte Arbeitsdruck, eventuell nach Drosselung der Saugleistung der Vakuumerzeuger, eingestellt. Durch Stromdurchgang wird die Glühkatode auf eine Temperatur aufgeheizt, die für die RmisRion von Elektronen notwendig ist.
  • Im Falle isolierender Substrate ist eine HF-Spannung günstig. Bei Anwendung der Einrichtung für Plasma-aktive bzw.
  • chemische Vorgänge und Ablagerprozesse ist i. a. keine Substratspannung erforderlich, so daß die Substrate mit der geerdeten Ionisationskammerwand verbundensein können.
  • Das Vakuumgefäß kann sowohl aus Glas als auch aus Metall gefertigt sein, wobei es dann Erdpotential besitzt und zwischen Erdpotential und Glühkatode ein Widerstand zugeschaltet ist, der entsprechend der anderen gewählten Potentiale zu dimensionieren ist. Insbesondere bei isolierenden Substraten ist es vorteilhaft, unmittelbar vor den Substraten eine auf negativen Potential liegende Netzelektrode als Eeschleunigungselektrode anzuordnen.
  • Bei wärmeempfindlichen Substraten, z. B. Plastwerkstoffen, ist es vorteilhaft, zwischen Glühkatode und Anode an sich bekannte Strahlungsblenden anzuordnen, die die geradlinige Wärmestrahlung verhindern.
  • Die geometrisch konstruktive Gestaltung der erfindungsgemäßen Einrichtung kann sowohl planparallel als auch konzentrisch mit innerer Glühkatode erfolgen. Im Bedarfsfall, z. B. bei größeren zylinderförmigen Substraten, ist auch der umgekehrte Fall möglich, daß das zentrische Substrat von Anode und Glühkatode mit Reflektorelektroden umgeben ist.
  • Eine planparallele Anordnung läßt sich sinnvoll mit einem Schleusen-Durchlaufsystem verbinden. Ausführungen konzentrischer Anordnung mit zentrischer Glühkatode sind im Ausführungsbeispiel dargestellt.
  • Ausführungsbeispiel Die Erfindung soll nachfolgend an vier Ausführungsbeisoielen näher erläutert werden.
  • Die Zeichnung zeigt in Fig. 1 - einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Einrichtung mit zylinderförmiger Substratanordnung Fig. 2 - die Anordnung nach Fig. 1 mit Beschleunigungselektrode Fig. 3 - eine erfindungsgemäße Einrichtung mit planetenartiger Substratanordnung Fig. 4 - eine Anordnung nach Fig. 1 mit Wärmestrahlungsblenden In Fig. 1 ist ein Rezipient dargestellt, in dem eine erfindungsgemäße Einrichtung angeordnet ist. Die Vakuumerzeugung und Zuführung des Reaktionsgases bzw. -dampfes erfolgt über den Flanschanschluß und ist nicht näher dargestellt.
  • Der eigentliche Arbeitsraum ist die mit 1 bezeichnete Ionisierungskammer. Diese wird durch die Substratanordnung (Substrat und Substrathalter) 4 zylindrisch nach außen begrenzt. Zentrisch ist die lonisierungseinrichtung angeordnet. Diese besteht aus einer Glühkatode 5, sie ist spiralförmig, axial zur Substratanordnung 4 in gleicher Länge wie diese, um einen Haltestab angeordnet. Am gleichen Haltestab sind auch die erfindungsgemäßen, im Beispiel scheibenartigen Reflektorelektroden 2, angeordnet. Die äußeren Reflektorelektroden 2 ragen axial um 1/3 des Maßes zwischen den Reflektorelektroden 2 über die axiale Länge der Substratanordnung 4 hinaus. Der Abstand zwischen den Reflektorelektroden 2 beträgt bei einem Arbeitsdruck von 5 x 10 2 Pa und dem Arbeitsmedium Benzen zur Lieferung von C-Ionen etwa 50 mm. Dieses Maß gilt auch für den radialen Abstand zwischen der Glühkatode 5 und der konzentrisch angeordneten hochtransparenten Anode 6. Der Raum zwischen den einzelnen Reflektorelektroden 2 und der Anode 6 bildet die eigentliche Entladungskammer 3, innerhalb dessen sich ein Plasma ausbildet und das Arbeitsmedium ionisiert wird.
  • Konstruktiv besteht die Glühkatode 5 aus einem hochschmelzenden Material, z. B. Tantal 0,6mm2 und 350 mm Drahtlänge. Die Reflektorelektroden 2 bestehen aus 1 mm dicken Stahlblechscheiben, und die Anode 6 besteht aus gitterförmig angeordneten Stahldrähten mit einem Durchmesser von 1 mm.
  • Die erforderlichen elektrischen Spannungen werden im Beispiel über den Rezipiententeller in bekannter Weise zugeführt.
  • Wenn als Beispiel eine harte Kohlenstoffschicht auf die Substrate abgeschieden werden soll, dann wird im Rezipient z. 3. eine Benzenatmosphäre von 1 x 1011 Pa erzeugt. An die Glühkatode wird eine Spannung von 30 V und ein Strom von 35 A angelegt. Damit wird die Glühkatode 5 auf die für eine gute Elektronenemittierung erforderliche Temperatur gebracht.
  • Die Anode 6 liegt auf einer Spannung von +100 V gegenüber der Glühkatode 5 und es fließt ein Anodenstrom von 2 A. Die Substrat anordnung 4 liegt auf einer negativen Spannung von -600 V gegenüber Masse.
  • Bei dieser Einrichtung bildet sich in der Ionisierungskammer 1 und im gesamten Rezipienten ein diffuses Plasma aus.
  • Durch das negative Potential der Substratanordnung 4 werden die Ionen aus dem Plasma heraus auf die Substratanordnung 4 extrahiert. Die lonenstromdichte beträgt bei einer negativen Spannung der Substratanordnung 4 von -600 V etwa 0,15 mAcm 2.
  • Dieser Ionenstrom ist ausreichend für eine haftfeste Abscheidung einer harten Kohlenstoffschicht, z. B. auf einen Werkzeugstahl zur Verschleißminderung.
  • Im Bedarfsfall ist es auch möglich, mit der selben Einrichtung vor dem Einlaß des Arbeitsmediums eine Edelgasatmosphäre zu erzeugen und durch Beschuß der Substrate durch Anlegen einer Spannung von z. B. -2 kV mit Edelgasionen, z. B. Argonionen, diese zu reinigen. Erst im zweiten Schritt werden nach Erzeugung einer Atmosphäre aus dem Arbeitsmedium die schichterzeugenden Ionen auf dem Substrat abgeschieden. Diese Verfahrensvariante dient vor allem einer hohen Haftfestigkeit.
  • In Fig. 2 ist grundsätzlich die gleiche Einrichtung wie in Fig. 1 dargestellt. In Abweichung dazu wurde jedoch unmittelbar vor der Substratanordnung 4 eine Beschleunigungselektrode 8 angeordnet. diese liegt auf negativer Spannung gegenüber Masse und ermöglicht insbesondere eine gute Beschichtung nichtleitender Substrate, z. B. aus Plastwerkstoff.
  • Fig. 3 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel, bei dem mehre-,re Substrathalter 4 stabförmig und rotierbar ausgeführt werden, auf denen vorzugsweise scheibenförmige Substrate 9 befestigt werden können.
  • Fig. 4 zeigt die Draufsicht auf eine Einrichtung, die besonders zur Beschichtung wärmeempfindlicher Substrate geeignet ist. Durch geeignet angeordnete Strahlungsblenden 7 innerhalb der Einrichtung nach Fig. 1 zwischen Glühkatode 5 und Anode 6 kann die von der Katode auf den Substrathalter 4 treffende Wärmestrahlung verringert werden.

Claims (8)

  1. lr rfindungsansprchc; 1. Einrichtung zur groflächigen Abscheidung von naftfesten, insbesondere von harten Kokilenstoffschichten, mittels lonisierten Gasen und/oder Dämpfen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Gluhkatode (5) gegenüber den Substraten angeordnet ist und daß der Glühkatode (5) Reflektorelektroden (2) zugeordnet sind, derart, daß ihr Abstand untereinander sowie de:- abstand einer hochtransparenten Anode (6), zwischen Glühkatode (5) und Substraten, zur Glühkatode (5) etwa gleich der mittleren freien Weglänge der Elektronen entspricht.
  2. 2. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Glühkatode (5) mindestens gleich der axialen Ausdehnung der Substrate ist.
  3. 3. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorelektroden (2) auf Katodenpotential liegen.
  4. 4. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorelektroden (2) rechtwinklig zur Achse der Glühkatode (5) angeordnet sind.
  5. 5. Einrichtung nach Punkt 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren Reflektorelektroden (2) die Substrate mindestens um 1/3 des Abstandes der Reflektorelektroden (2) untereinander überragen.
  6. 6. Einrichtung nach Punkt 1, dadurchgekennzeichnet, daß die Anode (6) und die Substrate konzentrisch zur Glühkatode (5) angeordnet sind.
  7. 7. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar vor den Substraten eine Beschleunigungselektrode (8) angeordnet ist.
  8. 8. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Glühkatode (5) und Anode (6) Strahlungsblenden (7) angeprdnet sind.
DE19803030454 1979-10-02 1980-08-12 Vorrichtung zur großflächigen Abscheidung von haftfesten, insbesondere harten Kohlenstoffschichten Expired DE3030454C2 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504519A (en) * 1981-10-21 1985-03-12 Rca Corporation Diamond-like film and process for producing same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246361A1 (de) * 1982-02-27 1983-09-08 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kohlenstoff enthaltende gleitschicht
US6804791B2 (en) 1990-03-23 2004-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Data processing apparatus
JPH0560537U (ja) * 1992-01-22 1993-08-10 弘 小川 厨房用塵芥処理装置
JP4080503B2 (ja) 2005-10-03 2008-04-23 中部日本マルコ株式会社 非接触コネクタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504519A (en) * 1981-10-21 1985-03-12 Rca Corporation Diamond-like film and process for producing same

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JPS5941509B2 (ja) 1984-10-08
CH653708A5 (en) 1986-01-15

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