DE3025886C2 - - Google Patents

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DE3025886C2
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    • H01J31/34Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
    • H01J31/38Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem in einer Fernsehkameraröhre entsprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem der dort ange­ gebenen Art war aus der US-PS 38 94 261 bekannt.
Aus der US-PS 28 92 115 war weiter ein Elektronenstrahler­ zeugungssystem vom Pierce-Typ bekannt, bei der die Kathode mit einem Kragen versehen ist, so daß der etwas Ungleich­ mäßigkeiten aufweisende Rand der Kathodenfläche abgedeckt ist.
Einer der Aspekte einer Kameraröhre ist die Ansprechgeschwindigkeit, d. h. die Geschwindig­ keit, mit der sie auf Änderungen der Lichtstärke an­ spricht. Diese Ansprechgeschwindigkeit wird u. .a. durch die Tatsache beeinflußt, daß die Ladung, die der Elektronen­ strahl während der kurzen Zeit, in der er ein bestimmtes Bildelement passiert, dem Bildelement zuführt, von der Ge­ schwindigkeitsverteilung der Elektronen in dem Elektronen­ strahl abhängig ist. Diese Beeinflussung der Ansprech­ geschwindigkeit wird auch als Strahlstromträgheit bezeich­ net. Die Geschwindigkeitsverteilung der die Kathode ver­ lassenden Elektronen ist von der Temperatur der Kathode abhängig und wird als Maxwell'sche Verteilung bezeichnet. Infolge von Wechselwirkungen zwischen den Elektronen des Elektronenstrahls untereinander kann ein Überschuß an schnellen Elektronen entstehen. Dies bedeutet, daß mehr schnelle Elektronen im Strahl vorhanden sind als sich nach der Maxwell'schen Verteilung erwarten ließe.
Dieser Überschuß an schnellen Elektronen führt eine nach­ teilige Beeinflussung der Strahlstromträgheit und damit der Ansprechgeschwindigkeit herbei.
In Proc. IRE 1955, Seiten 307-315 ist die temperaturabhän­ gige Geschwindigkeitsverteilung im Strahl eines Elek­ tronenstrahlerzeugungssystems vom Pierce-Typ theoretisch behandelt.
In einem Trioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem mit nacheinander einer Kathode, einem negativen Gitter und ei­ ner Anode, wie im Aufsatz "Eine kleine experimentelle Farbfernsehkamera" in "Philips Technische Rundschau", Jahrgang 29, 1968, Nr. 11, beschrieben, wird infolge der Tatsache, daß zwischen der Kathode und der Anode eine Lin­ se gebildet wird, ein Strahlknoten ("Cross-over") er­ zeugt. In dem Strahlknoten finden sehr viele Wechselwir­ kungen statt, wodurch die Strahlstromträgheit beeinträch­ tigt wird. Dadurch, daß nun dafür gesorgt wird, daß die Stromdichte des Elektronenstrahls in einem Elektronen­ strahlerzeugungssystem von der Kathode zu der Anode nicht oder nahezu nicht zunimmt, wird die Strahlstromträgheit erheblich verringert.
Eine Fernsehkameraröhre mit einem Dioden-Elektronenstrahl­ erzeugungssystem mit einer geringeren Strahlstromträgheit als ein Trioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem ist in der US-PS 38 31 058 beschrieben. Die darin beschriebene Kameraröhre enthält ein Elektronenstrahlerzeugungssystem, bei dem während der Abtastung die Stromdichte des Elek­ tronenstrahls in jedem Punkt längs der Achse zwischen der Kathode und der Anode höchstens das Dreifache der Strom­ dichte im Schnittpunkt der Achse mit der Kathode beträgt.
Zur Verringerung der Strahlstromträgheit hat es sich näm­ lich als wichtig erwiesen, die Anzahl von Wechselwirkungen zwischen den Elektronen des Elektronenstrahls untereinan­ der zu beschränken. Das in diesem Elektronenstrahlerzeu­ gungssystem verwendete Gitter wird nur während der Rück­ laufperiode des Teilbilds stark negativ gemacht, wodurch die Elektronenemission unterdrückt wird. Die Öffnung in diesem Gitter ist im Vergleich zu der Öffnung in der Anode sehr groß (die betreffenden Durchmesser sind 0,75 mm bzw. 0,02 mm). Dieses Elektronenstrahlerzeugungssystem wird nachstehend als ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungs­ system vom ersten Typ bezeichnet.
In der DE-OS 29 04 865 ist ein zweiter Typ eines Dioden- Elektronenstrahlerzeugungssystems beschrieben, das eben­ falls eine geringe Strahlstromträgheit aufweist. Dieses Elektronenstrahlerzeugungssystem weist zwei hintereinander angeordnete Anoden statt einer einzigen Anode auf. Der Durchmesser der Öffnung in der ersten Anode, die von den beiden Anoden der Kathode am nächsten liegt, ist minde­ stens zweimal größer als der Durchmesser der Öffnung in der zweiten Anode. Die zweite Anode wird auf ein Potential von mindestens 100 V in bezug auf die Kathode gebracht und weist ein mindestens zehnmal höheres Potential als die er­ ste Anode auf, wodurch zwischen den zwei Anoden eine Linse gebildet wird. Die Öffnung in der ersten Anode muß aber derart klein sein, daß die Linse die Emission der Kathode nahezu nicht beeinflußt. Dieses Elektronenstrahlerzeu­ gungssystem weist den Vorteil auf, daß dynamische Strahl­ stromsteuerung möglich ist, ohne daß eine große Kathoden­ belastung erforderlich ist. Außerdem hat sich herausge­ stellt, daß die sogenannte Rückstrahlwirkung ("Return beam effect"), d. h. ein Störsignal, das durch schnelle Sekun­ därelektronen herbeigeführt wird, die von dem zurück­ kehrenden Elektronenstrahl aus der Anode ausgelöst werden, nahezu nicht auftritt.
Ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem der eingangs genannten Art ist aus der US-PS 38 94 261 bekannt und ent­ hält eine Kathode und eine Anode. Der Teil der Anode, der die Öffnung enthält, ist auf der Kathodenseite an dem ver­ bleibenden Teil der Anode befestigt.
Beide genannten Ausführungsformen von Dioden-Elektronen­ strahlerzeugungssystemen weisen jedoch den Nachteil auf, daß die Kathode über einen sehr großen Teil der Kathoden­ oberfläche emittiert. Da die emittierende Oberfläche der Kathode viel größer als die Oberfläche der Öffnung in der ersten Anode ist, wird ein sehr großer Teil des Elek­ tronenstroms in einem Dioden-Elektronenstrahlerzeugungs­ system von der ersten Anode abgefangen. Der dabei auftre­ tende Strom wird auch als der Anodenstrom bezeichnet. Die­ ser führt, vor allem bei Anwendung dynamischer Strahl­ stromsteuerung, eine zusätzliche Verlustleistung herbei. Außerdem muß in diesem Falle die Spannungsquelle für das Steuersignal für den dynamischen Strahl imstande sein, er­ hebliche Spitzenströme (z. B. 10 mA) zu liefern.
Es ist nicht sinnvoll, die emittierende Oberfläche dadurch zu beschränken, daß die Kathode kleiner ausgeführt wird, weil auch dann die Lebensdauer der Kathode beschränkt wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem in einer Fernsehkameraröhre zu schaffen, bei der der Anodenstrom geringer ist als bisher gebräuchlich ist, wobei eine geringe Strahlstromträgheit erhalten bleibt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeich­ nenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale ge­ löst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Dadurch, daß in einem Dioden-Elektronenstrahlerzeugungs­ system die Anode auf diese Weise ausgeführt wird, ist das elektrische Feld zwischen der Kathode und der Anode in der Nähe der Mitte der emittierenden Oberfläche und der Öff­ nung in der Anode gegenüber am stärksten, so daß das Ge­ biet, das dem die Öffnung enthaltenden Teil der Anode ge­ genüberliegt, am stärksten emittiert wird. Außerhalb die­ ses Gebietes nimmt die Emission infolge der abnehmenden elektrischen Feldstärke ab. Die Stromdichte wird dadurch also zu dem Rande der emittierenden Oberfläche hin ab­ nehmen und infolgedessen wird der Gesamtanodenstrom eben­ falls abnehmen.
Es ist auch möglich, daß die Anode aus einer mit einer neutralen Öffnung versehenen Metallplatte besteht, wobei diese Öffnung mit einem sich in Richtung auf die Kathode erstreckenden Kragen versehen ist; diese Ausführungsform kann durch einen Tiefziehvorgang sehr einfach aus Platten­ material hergestellt werden.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung liegt der die zentralen Öffnung enthaltende Teil der Anode in oder nahezu in der Öffnung in einem Gitter, das ein negatives Potential gegenüber der Kathode aufweist, wobei dieses Gitter und dieser Teil der Anode einen nahezu gleichen Abstand von der emittierenden Oberfläche aufweisen.
Es hat sich nämlich nach dieser Ausführungsform der Erfin­ dung auch als möglich erwiesen, lediglich aus einem klei­ nen Teil der emittierenden Oberfläche Elektronen emittie­ ren zu lassen. Dies erfolgt dadurch, daß die Anode zu der Kathode hin und in der Öffnung im Gitter auf die angege­ bene Weise verschoben wird, derart, daß das Gitter und der die Öffnung enthaltende Teil der Anode in einem nahezu gleichen Abstand von der Kathode liegen. Dadurch wird die Emission der Kathode auf ein kreisförmiges Gebiet be­ schränkt, das einen kleineren Durchmesser als die zentrale Öffnung im Gitter aufweist, ohne daß unerwünschte Linsen­ effekte im Gebiet zwischen der Kathode und der Anode auf­ treten, wodurch die Strahlstromträgheit vergrößert werden würde. Dies hat zur Folge, daß der Anodenstrom drastisch abnimmt, das Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem seine geringe Strahlstromträgheit beibehält und die Kathode eine lange Lebensdauer beibehält, weil die gebildete Mono­ schicht aus Barium auf dem nicht emittierenden Teil der emittierenden Oberfläche zu dem wohl emittierenden Teil der emittierenden Oberfläche wandert.
Diese Ausführungsform der Erfindung kann in den beiden an­ gegebenen Typen von Dioden-Elektronenstrahlerzeugungs­ systemen verwendet werden. Beim zweiten Typ befindet sich der die zentrale Öffnung enthaltende Teil der ersten Anode in oder nahezu in der Öffnung im Gitter.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeich­ nung dargestellt und werden im folgenden näher beschrie­ ben. Es zeigt
Fig. 1 im Querschnitt schematisch eine Fernsehkamera­ röhre mit einem Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach der Erfindung,
Fig. 2 ein Detail der Fig. 1,
Fig. 3 und 7 die berechneten Äquipotentiallinien und Elek­ tronenbahnen (ohne Raumladung) in Elektronen­ strahlerzeugungssystemen nach der Erfindung, und
Fig. 4, 5, 6, 8, 9 und 10 je ein Detail eines Schnittes durch eine andere Ausführungsform der Erfindung.
Die in Fig. 1 gezeigte Kameraröhre ist vom "Plumbikon"-Typ (Handelswarenzeichen von Philips). Sie enthält einen Glas­ kolben 1 mit auf einer Seite einem Frontglas 2, auf dessen Innenseite eine photoempfindliche Auftreffplatte 3 ange­ bracht ist. Diese Auftreffplatte besteht aus einer photo­ leitenden Schicht und einer durchsichtigen leitenden Signalplatte zwischen der lichtempfindlichen Schicht und dem genannten Frontglas. Die photoleitende Schicht besteht hauptsächlich aus speziell aktiviertem Bleimonoxid und die Signalplatte aus leitendem Zinnoxid. Auf der anderen Seite des Glaskolbens 1 befinden sich die Anschlußstifte 4 der Röhre. Die Kameraröhre enthält, entlang einer Achse 5 zen­ triert, ein Elektronenstrahlerzeugungssystem 6 und einen Kollektor 7. Außerdem enthält die Röhre eine Netzelektrode 8, um eine senkrechte Ladung des Elektronenstrahls auf der Auftreffplatte 3 zu bewirken. Die Ablenkspulen 9 dienen dazu, den von dem Elektronenstrahlerzeugungssystem 6 er­ zeugten Elektronenstrahl in zwei zueinander senkrechten Richtungen abzulenken und ein Raster auf der Auftreff­ platte 3 beschreiben zu lassen. Die Fokussierspule 10 fokussiert den Elektronenstrahl auf die Auftreffplatte 3. Das Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem 6 enthält außerdem eine Kathode 11 mit einer emittierenden Ober­ fläche 12 und eine Anode 13.
Die Befestigung der genannten Einzelteile und ihre Verbin­ dungen mit den Anschlußstiften 4 sind in der Figur der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt. Die Anode 13 ist mit einer derart kleinen Öffnung versehen, daß sie zu­ gleich eine Blende bildet.
Fig. 2 zeigt ein Detail der Fig. 1. Es handelt sich um ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem vom ersten Typ. Die Kathode 11 ist mit einer emittierenden Oberfläche 12 versehen. Die Anode 13 ist mit dem flachen Spitzenteil 14 des kegeligen Teiles 15 der emittierenden Oberfläche ge­ genüber angeordnet. Die Öffnung 16 im Spitzenteil 14 ist derart klein (z. B. 0,02 mm), daß sie zugleich eine Blende für den Elektronenstrahl bildet.
In Fig. 3 sind eine Anzahl der berechneten Bahnen 40 der Elektronen, die von der Kathode 111 in einem Dioden-Elek­ tronenstrahlerzeugungssystem vom zweiten Typ emittiert werden, dargestellt. Da das Elektronenstrahlerzeugungs­ system drehsymmetrisch ist, ist nur der auf einer Seite der Symmetrieachse liegende Teil der Konfiguration darge­ stellt. Die erste Anode 113 weist ein Potential von +10 V gegenüber der Kathode 111 mit der emittierenden Oberfläche 112 auf. Die zweite Anode weist ein Potential von +300 V auf und ist mit einer Blende 100 mit einer Öffnung 101 mit einem Durchmesser von 0,03 mm versehen. Zwischen den Elek­ troden sind die Äquipotentiallinien 117 dargestellt. Da­ durch, daß der flache Spitzenteil 114 der Anode 113 der emittierenden Oberfläche 112 der Kathode 111 gegenüber in einem viel kleineren Abstand von der Kathode als der ver­ bleibende Teil der Anode liegt, ist die Feldstärke infolge des Potentialunterschiedes zwischen der Anode und der Kathode in der Mitte der Kathode am größten.
Die Stromdichte in dem emittierten Elektronenstrahl ist daher in einem Gebiet in der Mitte der emittierenden Ober­ fläche der Kathode am größten und nimmt zu dem Rande der Kathode hin ab. Dadurch nimmt auch der Anodenstrom ab.
In Fig. 4 ist eine andere Ausführungsform mit einem Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem vom zweiten Typ dargestellt. Das Elektronenstrahlerzeugungssystem dieses Typs enthält eine erste und eine zweite Anode. Der emittierenden Oberfläche 19 der Kathode 20 gegenüber ist eine keramische Platte 21 angeordnet, die mit einer Öff­ nung 22 versehen ist. Auf der von der Kathode 20 abgekehr­ ten Seite ist eine Metallschicht 23 angebracht, die sich außerdem über die Wand der Öffnung 22 erstreckt und auf der der Kathode zugekehrten Seite rings um die Öffnung den Teil 24 bildet, wobei diese Metallschicht die erste Anode bildet. Die Öffnung 22 kann zu der Kathode hin zugespitzt sein. Die zweite Anode 26 ist mit einer Platte 27 mit ei­ ner Öffnung 28 versehen. Der Durchmesser der Öffnung in der ersten Anode ist etwa 0,2 mm. Der Durchmesser der Öff­ nung 28 in der Platte 27 beträgt 0,03 bis 0,05 mm. Der Ab­ stand zwischen der ersten und der zweiten Anode beträgt entlang der Achse etwa 0,6 mm. Die Dicke der keramischen Platte ist 0,3 mm. Dadurch, daß nur der kleine Teil 24 der ersten Anode der emittierenden Oberfläche 19 der Kathode naheliegt, ist der auftretende Anodenstrom viel niedriger als bei den bisher üblichen Bauarten.
Fig. 5 zeigt ein Einzelteil des Dioden-Elektronenstrahler­ zeugungssystems vom zweiten Typ, das nacheinander, um eine Achse zentriert, eine Kathode 30 mit einer emittierenden Oberfläche 31, eine erste Anode 12 mit einem sich zu der Kathode erstreckenden Teil 33 mit einer Öffnung 34 und eine zweite Anode 35 mit einer Platte 36 mit einer kleinen Öffnung 37 enthält.
Der Durchmesser der Spitzenoberfläche des Kegelstumpfes beträgt 0,4 mm und der Durchmesser der Öffnung 34 ist 0,2 mm. Die Öffnung 37 weist einen Durchmesser von 0,05 mm auf. Andere Abmessungen können mit Hilfe der dargestellten Skala 38 bestimmt werden.
Fig. 6 zeigt ein Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem der in Fig. 2 dargestellten Art im Schnitt, nun jedoch mit einem zusätzlichen Gitter 40. Die Kathode 41 ist mit einer emittierenden Oberfläche 42 versehen. Die Anode 43 ist mit einem kegeligen Teil 44 versehen, der einen flachen Spitzenteil 45 aufweist, der der emittierenden Oberfläche 42 gegenüberliegt und mit einer Öffnung 46 versehen ist. Der Teil 45 weist einen etwa gleichen Abstand wie das Gitter 40 von der Kathode auf.
In Fig. 7 sind eine Anzahl der berechneten Bahnen 50 der Elektronen, die von der Kathode 51 in einem Dioden-Elek­ tronenstrahlerzeugungssystem der in Fig. 6 dargestellten Art emittiert werden, gezeigt.
Da das Elektronenstrahlerzeugungssystem drehsymmetrisch ist, ist wieder der auf einer Seite der Symmetrieachse liegende Teil der Konfiguration dargestellt. Das Gitter 52 weist ein Potential von -30 V gegenüber der Kathode 51 auf und die erste Anode 53 weist ein Potential von +10 V ge­ genüber der Kathode 51 auf. Zwischen den Elektroden sind die Äquipotentiallinien 54 dargestellt. Die zweite Anode weist ein Potential von +300 V auf und ist mit einer Blen­ de 102 mit einer Öffnung 103 mit einem Durchmesser von 0,03 mm versehen. Dadurch, daß der flache Spitzenteil 55 der ersten Anode sich in einer Ebene mit dem Gitter 52 be­ findet, wird die Emission der Kathode außerhalb eines kleineren mittleren Gebietes mit in diesem Falle einem Radius von 0,2 mm stark unterdrückt.
Dies bietet eine Anzahl von Vorteilen. Der Anodenstrom wird beschränkt und die Verlustleistung wird also herab­ gesetzt. Das Barium, das an der Oberfläche der Kathode die emittierende Monoschicht bildet, wandert über die Katho­ denoberfläche zu dem emittierenden Teil. Durch diese Nach­ lieferung wird die Lebensdauer der Kathode und also der Aufnahmeröhre verlängert. Ein derartiges Elektronenstrahl­ erzeugungssystem weist, wie bereits erwähnt wurde, eben­ falls eine geringe Strahlstromträgheit auf.
In Fig. 8 ist noch eine andere Ausführungsform mit einem Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem vom zweiten Typ dargestellt. Dieses Elektronenstrahlerzeugungssystem ent­ hält eine erste und eine zweite Anode. Der emittierenden Oberfläche 60 der Kathode 61 gegenüber ist eine keramische Platte 63 angeordnet, die mit einer Öffnung 64 versehen ist. Auf der der Kathode zugekehrten Seite ist eine Me­ tallschicht angebracht, die das Gitter 65 bildet. Auf der von der Kathode abgekehrten Seite ist eine Metallschicht 66 angebracht, die sich außerdem über die Wand der Öffnung 64 erstreckt und auf der der Kathode zugekehrten Seite rings um die Öffnung den Teil 67 bildet, der in einer Ebene mit dem Gitter liegt, wobei diese Schicht die erste Anode bildet. Die Öffnung 64 kann zu der Kathode hin zuge­ spitzt sein. Die zweite Anode 68 ist mit einer Platte 69 mit einer Öffnung 70 versehen. Der Durchmesser der Öffnung 64 in der ersten Anode ist etwa 0,2 mm. Der Durchmesser der Öffnung 70 in der Platte 69 beträgt 0,03-0,05 mm. Der Abstand zwischen der ersten und der zweiten Anode be­ trägt längs der Achse etwa 0,6 mm. Die Dicke der kerami­ schen Platte ist etwa 0,3 mm.
Fig. 9 zeigt ein Einzelteil eines Dioden-Elektronen­ strahlerzeugungssystems vom zweiten Typ. Das Elektronen­ strahlerzeugungssystem enthält nacheinander, um eine Achse zentriert, eine Kathode 80 mit einer emittierenden Ober­ fläche 81, ein Gitter 82, eine erste Anode 83 mit einem sich zu dem Gitter hin erstreckenden Teil 84 mit einer Öffnung 85 und eine zweite Anode 86 mit einer Platte 87 mit einer kleinen Öffnung 88. Der Durchmesser der Spitzen­ oberfläche des Kegelstumpfes beträgt 0,4 mm und der Durch­ messer der Öffnung 85 ist 0,2 mm. Die Öffnung 88 weist ei­ nen Durchmesser von 0,05 mm auf. Die anderen Abmessungen können mit Hilfe der Skala gemäß Fig. 9 bestimmt werden.
Fig. 10 zeigt im Schnitt eine letzte Ausführungsform. Die erste Anode 90 besteht aus einer Metallplatte, die mit ei­ nem durch Tiefziehen erhaltenen Kragen 91 der emittieren­ den Oberfläche 92 der Kathode 93 gegenüber versehen ist. Die zweite Anode 94 enthält wieder die Blende 95 mit einer Öffnung 96.
Der der emittierenden Oberfläche gegenüberliegende Teil der Anode, der die zentrale Öffnung enthält, braucht z. B. nicht rund zu sein, was auch für die emittierende Ober­ fläche zutrifft.

Claims (8)

1. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem in einer Fernsehkameraröhre,
bei dem auf einer Achse zentriert hintereinander eine Kathode mit mindestens eine Anode mit einer zentralen Öffnung angeordnet sind, wobei die Fläche der Öffnung wesentlich kleiner ist als die emittierende Oberfläche der Kathode und
bei dem sich die emittierende Oberfläche der Kathode senkrecht zu der Achse erstreckt und die der Kathode benachbarte Anode einen die zentrale Öffnung umgebenden Teil mit einer der Kathode zugewandten Stirnfläche aufweist, die der der Kathode näherliegt als der restliche Teil der Anode,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnfläche des der Kathode näherliegenden Teils (14) der Anode (13) kleiner ist als 75% der emittierenden Oberfläche (12) der Kathode (11).
2. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der die zentrale Öffnung (16) umgebende Teil (14) der Anode (13) einen Durchmesser von weniger als 0,5 mm und die zentrale Öffnung (16) einen Durchmesser von weniger als 0,3 mm aufweisen.
3. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode die Form eines hohlen Kegelstumpfes (15) mit einem die Öffnung (16) aufweisenden flachen Spitzenteil (14) aufweist.
4. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode (90) aus einer mit einer zentralen Öffnung versehenen Metallplatte besteht, wobei diese Öffnung mit einem sich in Richtung auf die Kathode erstreckenden Kragen (91) mit einem die Öffnung aufweisenden flachen Spitzenteil versehen ist (Fig. 10).
5. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der die zentrale Öffnung (46) enthaltende Teil (45) der Anode (44) in der Öffnung eines Gitters (40) liegt, das ein negatives Potential gegenüber der Kathode aufweist, wobei dieses Gitter und dieser Teil der Anode einen nahezu gleichen Abstand von der emittierenden Oberfläche aufweisen (Fig. 6).
6. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der kleinsten Öffnung im Gitter (40) kleiner als 1 mm ist.
7. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode in Form einer elektrisch leitenden Schicht (66) auf der von der Kathode (61) abgekehrten Seite einer Platte (63) aus Isoliermaterial angebracht ist, daß das Gitter gleichfalls in Form einer elektrisch leitenden Schicht (65) auf der der Kathode zugekehrten Seite dieser Platte angebracht ist, daß diese Platte mit einer zentralen Öffnung (64) versehen ist, und daß die elektrisch leitende Schicht (66), die die Anode bildet, sich außerdem über die Wand der zentralen Öffnung und über ein Gebiet rings um die Öffnung auf der der Kathode zugekehrten Seite koaxial mit der Öffnung in der das Gitter bildenden Schicht (65) erstreckt (Fig. 8).
8. Dioden-Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung in der Platte zu der Kathode hin zugespitzt ist.
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