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VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON REINSTINDIUM
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Die vorliegende erfindung betrifft die iiichteisenmetallurgie und
insbesondere ein Verfahren zur Herstellung von Reinstindium.
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Das Verfahren soll sich zur Reinigung metallischen Indiums von begleitenden
beimischungen wie Zink, Kadmium, Talium, Kupfer, Nickel und dgl. eignen. Diese Beimischungen
enthält Indium in der Regel bei seiner Gewinnung aus verschiedenen Rohstoffquellen.
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Gegenwärtig hat Indium weitgehend Verwendung bei der Herstellung
von Halbleitern gefunden. Indium als Akzeptor- Beimischung verleiht Germanium und
Silizium p-Leitfähigkeit, weshalb es zur Schaffung von n-p-Übergängen verwendet
werden kann. Seine weitgehende
wird durch Verwendung begünstigt
die Tatsache, daß es leicht die Oberfläche des Germaniums benetzt und mit ihm bei
tiefer Temperatur gut verschmilzt. der Halbleiterverbindungen auf Grundlage von
Indiumbesitzen phosphid, - arsenid und Indiumantimonid - grobes praktisches Interesse.
Indiumantimonid verfügt über eine grobe Elektronenbeweglichkeit und wird bei der
Herstellung von Hall-Gebern und Infrarotdetektoren verwendet. Indiumphosphid wird
zur Herstellung von Hochtemperaturtransistoren und lndiumarsenid zur Herstellung
von Tieftemperaturtransistoren, Thermistoren und optischen Geräten verwendet.
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Für die Verwendung von Indium bei der Herstellung von Halbleitern
ist Reinstindium mit einem Gehalt arn Grundstoff bis auf dem Niveau 99,999 99,99999
Massen bei Kontrolle einer bedeutenden Zahl limitierender Beimengungen erforderlich.
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Die Hauptrohstoffquelle von metallischem Indium sind polymetallische
Erze, die durch Gehalt einer großen Anzahl wertvoller Komponenten ge kennzeichnet
sind. So enthalten beispielsweise die Bleizinkerze, welche die wichtigste Rohstoffart
zur Gewinnung von metallischem Indium sind, weiter Sohwefel, Selen, Tellur, Kupfer,
Kadmium, Arsen, Thallium, solchen Gallium, Germanium und andere Komponenten. Das
aus einer Rohstoffquelle gewonnene Indium enthalt eine große Menge von
Beistoffen,
die mit Hilfe einiger Reinigungsverfahren von abgebrannt Indium werden können, wobei
ein jedes Verfahren für die Abtrennung bestinunter limitierender Beimischungen im
Indium wirksam ist.
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bekannt ist ein Verfahren zur Herstellung von Reinstindium ( s. DE-PS
1229304 ) Dieses Verfahren gestattet es, metall mit einem aebis halt an Grundstoff
von 99,999 99,9999 Masse% zu gewinnen.
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Das Verfahren sieht die Schaffung eines Temperaturgefälles von vorzugsweise
100°C im Reaktionsgefäß vor, wobei das geschmolzene Indium im bereich einer höheren
Temperatur der Einwirkung eines Gasgemisches aus Wasserstoff und Wasserdämpfen unterzogen
wird. Infolgedessen oxydiert das geschmolzene Indium zu einem niedrigerem Oxyd,
das in die Zone des Reaktors mit tieferer Temperatur übertragen wird und dort zu
neinstmetall reduziert wird. Dieses aber Verwahren verfügt über eine geringe Leistung
und ertordert großen Aufwand an Elektroenergie und Arbeitskraft.
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Im bekannten Verfahren zur herstellung von Keinstindium durch Chlorieren
metallischen Indiums mit nach-Folgendem Rektifizieren, Zonenschmelzen und Disproportionieren
der sereinisten llonochloride kann man Indium mit einem Gehalt an Grundstoff auf
dem Niveau n.10-5 Gew.% erhalten (A.D. Bronnikow, I.I. Wassilewskaja, L.A. Nikelson,
R.K.
Nikolajew, W. A. Smirnow, @achrichten der Ad@ der UdSSR, Metalle, 1974, Nr. 4, S.
54). sie Verwendung von Chlor bzw. chlorhaltiger @rodukte kompliziert jedoch die
apparative Gestaltung der Frozesse, erfordert die Befolgung besonderer Regeln der
Sicherheitstechnik und die hohe iiydroskopizität des Indiummonochlorids erschwert
eine effektive Durchführung des Zonenschmelzens und Rektifizierens. Zu den Nachteilen
des Verfahrens gehören auch seine vielen Stadien und hohe Verluste an Indium, die
10 % erreichell.
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Bei eleKtrolytischer Raffinierung von Indium ( s. US-PS 3260425)
ist die anodische Auflösung von eine große Anzahl von beimischungen enthal@endem
Indium vorgesehen.
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b 5 Die salzsaure Lösung weist einen pH-Nert von 0,5 V 1 auf und
enthält lndiumchlorid und Natriumchlorid <etwa 80 g/l> Zwischen den Anoden
sind gleichmäßig Graphitkatoden verteilt, auf denen das Abscheiden des gereinigten
Indiums erfolgt. Bei dem elektrochemischen Raffinieren des Indiums erfolgt ein Austausch
der Elektrolytlösung mit ihrer Reinigung auf lonenaustauschharzen mit quartärer
Ammoniumbase.
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Das Verfahren gestattet teinstirdium zu gewinnen. Das auf der Kathode
aus zufällende metallische Indium weist jedoch eine außerordentlich wirksame Oberfläche
auf, was zu einer hohen Oxydation des Metalls, Mitnahme des Elektrolyts und letzten
Endes
zur Verunreinigung des gereinigten Metalls und rierabsetzung der Ausbeute an Endprodukt
führt. Das Verfahren gestattet auch nicht eine genügend tiefe Reinigung des Aletalls
(weniger als 1.10-5 Masse%) von einer Reihe limitierender Beimengungen, wie Thallium,
Kadmium, Zink, Blei u.a. durchzuführen.
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Bekannt ist ein Verfahren zum elektrolytischen Raffinieren von Indium
aus einer sauren Lösung unter Anwendung von metallischem Quecksilber als Kathode
(Japanische Patentschrift Nr. 427 Die Verwendung von .uecksilber kompliziert jedoch
die Sicherheitsbedingungen beim Raffinicren von Indium, stellt die Aufgabe Indium
vom Queckzu befreine silber und das mit Beimengungen gesättigte Amalgam zu raffinieren.
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Wach einem anderen bekannten Verfahren (Keinstoffe, Wissenschaft
und Technik, Berlin, 1963, 91-104) wird eine Amalgamelektrolyse des Indiums mit
nachfolgendem Vakuumschmelzen von Indium bei 550-600°C und einem Restdruck in der
Kammer von 1.10-4 bis 1.10-5 Torr im Laufe von drei bis vier Stunden angewandt.
Das Gewonnene metallische Indium enthält 99,999 Masse% an Grundsubstanz. Diesem
Verfahren sind die gleichen Nachteile wie dem obenerwähnten eigen.
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Bekannt ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Reinstindium,
(Anmeldung der VRP Nr. 65539 ),
nach dem lndium mit erhöhtem Gehalt
an Beimengungen in Salzsäure aufgelöst und mit einer Ammoniaklösung neutralisiert
wird, danach wird die indiumhaltige Lösung von Beimengungen durch Zementation auf
Reinstindiumplatten gereinigt und aus der gewonnenen Lösung wird mit iiilfe der
blextrolyse Indium abgeschieden, das weiterhin im Vakuum bei einer Temperatur über
10000C erhitzt wird.
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Im erwähnten Verfahren erfolgen bedeutende Verluste an gereinigtem
Metall durch die vielen Stadien des technologischen Schemas, durch eine große Menge
an verwendeten Lösungen und durch die hohen Temperaturen bei der Vakuumbehandlung
des Metalls. Die Vielstufigkeit des Verfahrens wirkt sich negativ auf die Reinheit
des gewonnenen Endprodukts aus.
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Der Erfindung, die ein Herstellungsverfahren von Reinstindium betrifft,
liegt die Aufgabe zugrunde , eine Technologie der Durchführung des Prozesses zu
entwickeln, die es gestattet, den Reinheitsgrad des Indium zu steigern und gleichzeitig
seine Verluste herabzusetzen. Die vorliegende Erfindung bezweckt somit eine Steigerung
ds Reinheitsgrades von lndium mit gleichzeitiger Herabsetzung seiner Verluste.
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Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im Verfahren zur Herstellung
von Reinstindium,bei dem Vakuumschmelzen
und elektrochemisches Raffinieren
des Metalls in salzsaurer Lösung erfolgen, erfindungsgemäß des Vakuumschmelzen des
metalls in zwei Stadien erfolgt: im ersten Stadium geht der prozeß bei 850 @@@ 940°C
während 1@@@5 Stunden und im zweiten Stadium bei 950 bis 1100°C während 0,5 bis
2 Stunden vor sich, danach wird das Metall dem elektrochemischen Raffinieren in
salzsaurer Lösung unterzogen und der auf der Kathode abgeschiedene Rückstand des
Indiums zird durch seine einführung in geschmolzenes Indium bei 160 bis 400°C geschmolzen.
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Es ist zweckmäßig, das elektrochemische Raffinieren des metalls in-salzsaurer
Lösung bei einer konzentration des Indiumchlorids in der Lösung von 120 bis 200
g/l in Gegenwart von Thioharnstoff und/ oder Gelatine bei einer Konzentration von
0,1 bis 0,7 g/l ung bei einer Katodenstromidchte von 0,015 bis 0,03 A/cm2 durchzuführen.
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Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet metallisches Reinstindium
mit einem Gehalt an Grundbeimengungen auf dem Niveau n.10-6 Masse%, zu gewinnen
und die metallverluste auf 3 bis 6% herabzusetzen.
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Weitere Vorteile der vorliegenden erfindung ergeben sich aus der
nachfolgenden ausführlichen Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfahrens und konkreten
Beispielen zu seiner Verwirklichung Das technische Beimengungen enthaltende Indium
wird
dem Vakuumschmelzen in zwei Stadien unterzogen: im ersten Stadium bei 850 bis 940°C,
während 1 bis 5 Stunden, bis bis im zweiten Stadium bei 950 V 1100 0 während 0,5
2 2 Stunden.
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Die Durchführung des Vakuumschmelzens von Indium in zwei Stadien
gewährleistet im ersten Stadium eine wirksame Entfernung leichtflüchtiger beimengungen
wie Schwefel, Selen, Tellur, Kadmium, Zink u.a. und im zweiten Stadium -von weniger
flüchtigen deimengungen wie Thallium, Blei, u.a.
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Die gewählte Temperaturführung im ersten und zweiten Stadium des Verfahrens
schließt die Bildung schwerflüchtiger intermetallischer Verbindungen mit Indium
aus, da der Gehalt an solchen Beimengungen in der Regel nicht 1.10-3 Masse% übersteigt.
Die Wahl der Zeitspanne zur Durchführung des Vakuumschmelzens von metallischem Indium
im ersten und zweiten Stadium wird durch die Reinheit des Endproduktes und Verluste
an Metall bestimmt. So gestattet es die Durchführung des prozesses im ersten Stadium
des Vakuumschmelzens bei einer Temperatur unter d500C im Laufe einer Stunde und
die nachfolgende Durchführung des Prozesses bei einer Temperatur unter 950°C im
Laufe von weniger als 0,5 Stunden nicht Indium solchen mit einem2Gehalt an Beimengungen
von Blei, allium und anderen Beistoffen zu gewinnen, daß2für nachfolgendes elektrochemisches
Haffinieren geeignet wäre. Der Gehalt an diesen Beimengungen bleibt auf dem Niveau
n. 10-3 bis n. 10-4 Masse% pro Beimengung . Anderseits führt ein Vakuum -schmelzen
bei
maximalen Grenzwerten von Zeit und Temperatur zu bedeutenden Verlusten an metallischem
lndium, die 15% erreichen. flach dem Vakuumschmelzen wird das Metall dem elektrochemischen
Raffinieren unterzogen. Es ist zu bevorzugen, das elektrochemische Raffinieren bei
einer Konzentration des Indiumchlorids in der Lösung von 120 bis 200 g/l in Gegenwart
von Thioharnstoff und/oder Gelatine bei einer Konzentration von 0,1 bis 0,7 g/l
und bei einer Kathodenstromdichte von 0,015 bis 0,03 A/cm2 durchzuführen.
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Bei einer Konzentration des Indiumchlorids unter 120 g/l sinkt die
Stromausbeute und bei einer konzentration des Indiumchlorids im elektrolyt über
200 g/l wachsen die Metallverluste durch I.litnahme des Elektrolyts durch den Kathodenrückstand
an. Zur Verringerung der Stromausbeute führen auch eine hohe Konzentration von Thioharnstoff
und Gelatine im elektrolyt über 0,7 g/l und die Durchführung des Elektroraffinierens
bei einer Stromdichte über 0,03 A/cm2.
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Gleichzeitig gewährleistet eine Konzentration von thioharnstoff und
Gelatine unter 0,1 g/l nicht die Gewinnung eines hochreien Kathodenmetalls, bezogen
auf die Beimengungen von blei, Kupfer, Nickel u.a., und die Durchführung des elektrochemischen
Rattinierens bei einer Stromdichte unter 0,01 A/cm2 setzt die Leistungsfähigkeit
des Prozesses herab. Der auf der
Katode abgeschiedene Indiumniederschlag
wird durch seine Durchführung in geschmolzenes Indium bei 160 @@ bis 400°C umgeschmolzen.
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Die Durchführung des Umschmelzens des gewonnenen Kah todenmetalls
ohne Vorliegen von Bad -indium führt zur Bildung einer groben Menge von dunkelgrauer
Schlacke, die offensichtlich ein Gemisch von Oxyd- und Chloridverbindungen des Indiums
sind. Die Verluste an Metall durch Oxydation übersteigen dabei 45% Es sei betont
, daß die Durchführung des Verfahrens zum Einschmelzen des Kathodenmetalls in das
geschmolzene Indium bei einer Temperatur unter 1600C zum Ansteigen der Dauer des
prozesses und zur Bildung von bis 15% Oxidfuhrt, während film an der Oberfläche
des Metalls eine bbersteigung der Temperatur des Prozesses auf über 400°C <führt>
zu Verlusten an Indium durch Bildung von Oxidfilm wie auch niederer Indiumchloride
als ergebnis der Reaktion zwischen Indium und der nichtausgewaschenen Salzsäure(.
Die Menge an Bad-Indium beträgt 10 bis 20% vom Gewicht des hatodenmetalls, das umgeschmolzen
werden soll, wobei das Bad-Indium die dedeckung der Oberfläche des eingetauchten
Kathodenindiums gewährleistet.
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Das Wesen des Verfahrens wird durch nachfolgende konkrete deispiele
seiner Verwirklichung veranschaulicht.
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Beispiel 1.
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Technisches Indium, das in Masse% Nickel 1.10-3,
Kupfer
1.10-3, Blei 2.10-3, Thallium 5.10-3, Kadmium 1.10-3 Zinn 4.10-3, Schwefel 3.10-3,
Selen 4.10-4 enthält, wird dem Vakuumschmelzen bei 850°C während 2,5 Stunden unterzogen,
wonach die Temperatur auf 970°C gesteigert und das Metall darauf 45 Minuten gehalten
wird. Das Vakuumschmelzen erfolgt im Vakuum von 2.10-5 Torr bei ständigem Umrühren
des Metalls. Danach wird das Metall auf 380 bis 450°C abgekühlt und in Graphitkokillen
gegossen, wo die Eristallisation des Metalls erfolgt. Im Laufe dieses ganzen prozesses
wird ein Vakuum von 2.10 5 orr aufrechternalten. Die Verluste an geschmolzenem Indium
in Sublimaten übertreffen nicht 3%.
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Das auskristallisierte und abgekühlte Metall mit einem Gehalt an
Beimengungen (in Masse%): Kupfer 1.10-3, Blei 1.10-4, Thallium 6.10-5, Zinn 4.10-3,
Nickel 1.10-3, Kadmium, Schwefel, Seien, Zink jeweils weniger als 5.10-5, dient
als Anode für den nachfolgenden Prozeß des elektrochemischen Raffinierens.
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Die Oberfläche der Gußanoden enthält keine Oxideinschlüsse, ist glatt
und glänzend, das trägt zum staoilen Verlauf der Elektrolyse bei.
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Das elektrochemische Raffinieren des Indiums wird bei einer Konzentration
von Indiumchlorid im elektrolyt von 150 g/l in Gegenwart von Thioharnstoff und Gelatine
durchgeführt,
deren Konzentration 0,3 bzw. 0,1 g/l beträgt.
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Das elektrochemische Raffinieren erfolgt bei einer Katodenstromdichte
von 0,025 A cm2. An der aus ritan hergestellten Katnode bleibt der dichte gleichmäßige
kückstand abgeschieden, der leicht von der Titanplatte abgenommen wird, Die Stromausbeute
beträgt 99,8%. Die Ausbeute an Reinstmetall erreicht nach dem elektrochemischen
R@ffinieren 96%.
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Der gewonnen Kathodenrückstand wird mit schwach angesäuertem Wasser
und danach mit Wasser ausgewaschen, bei etwa 55°C getrocknet und danach in geschmolzene
metallische,m Indium eingeschmolzen, welches sich in einer Geraphitschale bei 20000
befindet.
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Als Bad wird Reinstindium mit einem Gehalt an den obenerwähnten Beimengungen
auf dem Miveau n.10-5 bis n.10-6 Masse% verwendet.
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Das gewonnene kompakte Metall enthält in Masse%: blei unter 1.10-5,
Zinn 1.10-5, kupfer unter 5.10-6, Nickel 1.10-5, Zink unter 5.10-6, Thallium unter
2.10-5, Kadmium unter 1.10-5, Schwefel, Selen jeweils unter 5.10-5.
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Die Ausbeute an Metall als einwandfreiem Erzeugnis beträgt 94%.
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Beispiel 2.
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Als Ausgangsmetall wird Indium mit folgenden beimengungen in Masse
% verwendet: Kupfer d.10-3, Blei 1.10-3,
Thallium 6.10-3, Zinn
5.10-3, Nickel 8.1-4, Kadmium 1.10-3, Schwefel 3.10-3, Selen 5.10-4, Indem die Reihenfolge
der Durchführung der Prozesse wie in Beispiel 1 beibehalten wird, erfolgt die Reinigung
des metallischen Indiums unter folwenden technologischen Bedingungen: das erste
Stadium des Vakuumschmelzens erfolgt bei 850°C und einer Dauer des trovon zesses
5 Stunden; das zweite Stadium des Prozesses des Vakuumschmelzens erfolgt bei 9500C
und einer Dauer des Prozesses von 0,5 Stunden; das elektrochemische Raffinieren
erfolgt in salzsaurer Lösung bei einer Konzentration des Indiumchlorids 120 g/l
in Gegenwart von Thioharnstoff bei einer Konzentration von 0,1 g/l und einer Konzentration
der Gelatine von 0,5 g/l, wobei die Kathodenstromdichte 0,015 A/cm2 beträgt.
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h Das auf der Titanplatte gewonnene Katodenindium wird in einem Tndium-Bad
bei 170°C eingeschmolzen.
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Als Ergebnis gewinnt man metall mit einem Gehalt an Beimengungen in
Masse%: Blei unter 1.1015, Zinn unter 1.10-5, Kupfer 6.10-6, Nickel 5.10-6, Zink
unter 5.10-6, Thallium unter 2.105, Kadmium unter 1.10-5, Schwefel, Selen unter
5,10-6, Die Ausbeute an Metall als einwandfreiem Srzeugnis beträgt 95%, Beispiel
3.
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Als Ausgangsmaterial wird Indium mit einem Gehalt an
Beimengungen
wie in Beispiel 2 verwendet. Indem man die Reihenfolge der Durchführung der Prozesse
wie in Beispiel 1 beibehält, erfolgt die Reinigung des metallischen Indiums unter
folgenden technologischen Bedingungen: das erste Stadium des Vakuumschmelzens geht
bei 940°C und einer Dauer des Prozesses von 1 Stunde, das zweite Stadium des Prozesses
des Vakuumschmelzens bei 11000C und einer Behandlungsdauer von 1,5 Stunden vor sich;
das elektrochemische Raffinieren ererfolgt bei einer Konzentration des Indiumchlorids
von 200 g/l in Gegenwart von Thioharnstoff bei einer Konzentration von h 0,5 g/l
und Gelatine von 0,2 gil, die Katodenstromdichte be -trägt 0,030 A/cm2 . Das auf
der Titanplatte gewonnene Kanthodenindium wird in einem Indium-Bad bei 400°C eingeschmolzen.
Als ergebnis gewinnt man metall mit fol-Indem Gehalt an Beimengungen in nasses:
Blei unter 1.10-5, Zinn unter 1.10 5, Kupfer 7.10-6, Nickel 5.10-6, Zink unter 5.10-6,
Thallium unter 2.10-5, Kadmium unter 1.10-5, Schwefel, Selen jeweils unter 5.10-5.
Die Ausbeute an Metall als einwandfreiem Erzeugnis beträgt 96 %.
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Beispiel 4.
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Als Ausgangsmetall wird Indium mit folgendem Gehalt an Beimengungen
in Masse% verwendet: Kupfer 1.10-2, Blei 2.10-3, Thallium 5.10-3, Zinn 1.10-2, Nickel
1.10-3, Kadmium 1.10-3, Schwefel 5.10-3, Selen 5.10-4. Indem man die Reihenfolge
der
Durchführung der Prozesse wie in Beispiel 1 beibehält, erfolgt die Reinigung des
Indiums unter folgenden technologischen Bedingungen: das erste Stadium des Vakuumschmelzens
geht bei 900°C und einer Dauer des Prozesses von einer Stunde, das zweite Stadium
des Vakuumschmelzens bei 100000 von und einer Behandlungsdauer einer Stund vor sich;
das elestrochemische Raffinieren erfolgt bei einer Konzentration des Indiumchlorids
von 150 g/l in Gegenwart von Thioharnstoff bei einer Konzentration von 0,1 g/l und
einer Kathodenstromdichte von 0,02 A/cm2.
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Das auf einer Graphitkathode gewonnen Indium wird in einem Indium-Bad
bei 2500C eingeschmolzen. Als Srgebnis gewinnt man Metall mit folgendem Gehalt an
Beimengungen in Masse%: Kupfer 5.10-6, 3lei unter 1.10-5.
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Thallium unter 2.10-5, Zinn unter 1.10-5, Nickel 3.10-6, Zink unter
5.10-6, Kadmium unter 1.10-5. Schwefel, Selen unter 5.10-5, Die Ausbeute an Metall
als einwandfreiem Erzeugnis beträgt 93%.
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Beispiel 5.
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Ausgangsindium, das in Masse% folgende Beimengunen enthält: Kupfer
3.10-3, Blei 1.10-3. Thallium 6.10-3, Zinn 1.10-3, Nickel 5.10-3, Kadmium, Schwefel,
Selen, Zink Jeweils 1.10-3 wird dem Vakuumschmelzen zuerst bei 9000C während zwei
Stunden und danach bei 11000C während 0,5 Stunden
unterzogen.
Das elektrochemische Raffinieren erfolgt in salzsaurer Lösung bei einer Konzentration
des Indiumchlorids von 150 g/l in Anwesenheit von Thioharnstoff bei einer Konzentration
von 0,7 g/l und einer Katodenstromdichte 0,03 A/cm2. Das elektrochemische Raffinieren
erfolgt bei ununterbrochenem Reinigen des Elektrolyts durch Zementieren auf hochreinen
Indiumplatten. Das gewonnene Kathodenindium wird in einem lndium- Bad bei 3000C
eingeschmolzen. Als ergebnis gewinnt man Metall mit einem Gehalt an Beimengungen
in Massec%o: Kupfer 3.10-6, Blei unter 1.10-5, Thallium unter 2.1O5, Zinn unter
1.10-5, Nickel 3.10-6, Zink unter 5.10-6, Schwefel, Selen jeweils unter 5.10-5.
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Die Ausbeute an Metall als einwandfreie m Erzeugnis beträgt 94s.
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Beispiel 6.
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Als Ausgangsmetall wird Indium mit einem Gehalt an Beimengungen wie
in Beispiel 5 verwendet. Indem man die Reihenfolge der Durchführung der Prozesse
wie in Beispiel 1 beibehält, erfolgt die Reinigung von metallischem Indium unter
folgenden technologischen Bedingungen: das erste Stadium des von Vakuumschmelzens
geht bei 870°C und einer Dauer des Prozesses 2 Stunden, das zweite Stadium des Vakuumschmelzens
bei 950°C und einer Dauer des Prozesses von zwei Stunden vor sich; das elektrochemische
Raffinieren erfolgt bei einer Konzentration
von Indiumchlorid
130 g/l in Gegenwart von Gelatine bei einer Konzentration von 0,5 g/l und bei einer
Kathodenstromdichte 0,02 A/cm2. Das Indium wird auf eine Indiumplatte gefällt. Das
gewonnene Ratodenindium wird in einem Indium-Bad bei 2500C eingeschmolzen. Als brgebnis
gewinnt man Metall mit einem Gehalt an Beimengungen in Masse%: Kupfer 3.10-6, Blei
unter 1.10-5, Thallium unter 2.10-5, Zinn unter 1.10-5, Nickel 5.i0'6, Zink unter
5.10-6, Schwefel, Selen jeweils unter 5.10-5. Die Ausbeute an Metall als einwandfreiem
Erzeugnis beträgt 95%.