DE3018846A1 - Elektronisches bauelement in chipform und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents
Elektronisches bauelement in chipform und verfahren zur herstellung desselbenInfo
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Description
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Elektronisches Bauelement in Chipform und Verfahren zur·Herstellung desselben
Die vorliegende Erfindung betrifft ein würfel- bzw. chipartiges
elektronisches Bauelement und insbesondere einen Tantal-Chipkondensator, dessen Anschlußelektroden aus Metallfolie
starr in einer Harzumhüllung festgelegt sind.
Seit einiger Zeit wendet man elektronische Chip-Bauelemente im großen Ausmaß in elektronischen Schaltungen an, um die
elektronischen Vorrichtungen möglichst klein bzw. flach auszuführen. Die Anschlußgestaltung von Chipwiderständen oder keramischen
Chipkondensatoren mit glasierten Silberelektrodenanschlüssen an den Enden eines Keramik- bzw. dielektrischen Substrats
ergibt einen hohen Volumenwirkungsgrad sowie gute Abmessungstoleranzen
des Bauteils. Ein elektronisches Chip-Bauelement mit Anschlußdrähten wie beispielsweise ein Tantalkondensatorelement
mit festem Elektrolyt läßt sich im Vergleich zu' Keramik-Chipkondensatoren jedoch nicht mit so gutem Volumenwirkungsgrad
und Abmessungstoleranz ausführen.
Einen besseren Volumenwirkungsgrad für Tantal-Chipkondensatoren erhält man, wenn man das Bauelement mit einer dünneren Beschichtung
ausführt. Diese dünnere Beschichtung oder Umhüllung des
Elements wird herkömmlicherweise mit einem Metallgehäuse oder einer Hülse hergestellt. Sie ergibt jedoch keine ausreichende
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Abmessungstoleranz bei geringen Kosten. Man weiß jedoch, daß man mit dem Übertragsformverfahren ("transfer molding method")
gute Abmessungstoleranzen, aber keinen guten Volumenwirkungsgrad erhält. Es .ist eine wünschenswerte Besonderheit für nach
dem Übertragsformverfahren hergestellte Bauelemente, daß metallplättchenförmige Anschlüsse, die so dünn und breit wie
möglich sind, an den Enden der Umhüllung angebracht sind. Derartige Anschlüsse sind jedoch nach dem Übertragsformen nicht
fest mit den Enden der Umhüllung verbunden, da herkömmlicherweise die Anschlüsse gebogen werden, ohne das innere Element
zu verletzen.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Chip-Bauelement mit hohem Volumenwirkungsgrad bei geringen Erstellungskosten
zu schaffen.
Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Chip-Bauelement
mit mechanisch sicher festgelegten Metallfolienanschlüssen beiderseits der Harzumhüllung anzugeben.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist, ein Chip-Bauelement
mit großer isolierter Fläche auf der der Schaltungsplatine zugewandten Unterseite anzugeben.
Die elektronischen Bauelemente, auf die sich die vorliegende Erfindung anwenden läßt, sind neben Tantal-Elektrolytkondensatoren
Bauelemente wie Kondensatoren, Widerstände, Dioden und andere.
Die Erfindung soll nun unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung anhand bevorzugter Ausführungsformen ausführlich beschrieben
und erläutert werden.
Fig. 1 bis Fig. 4 zeigen (a) Perspektivdarstellungen und (b) Schnittdarstellungen
von chipartigen elektronischen Bauelementen nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 bis Fig. 7 zeigen schematisiert den Verfahrensgang
bei der Herstellung eines Chipbauteils nach der vorliegenden Erfindung.
Wie die Fig. 1 bis Fig. 3 zeigen, ist ein Paar Metallfolien 3 (31, 32) als Anschlußpaar des Chipbauteils an den Enden des
Harzrahmens 21, das ein elektronisches Element 1 einhüllt, festgelegt. Der Aufbau der Umhüllung nach der vorliegenden
Erfindung ist dahingehend gekennzeichnet, daß die Isolierharzumhüllung 2 einen Harzrahmen 21 und das Gießharz 22 aufweist,
die in getrennten Schritten ausgeführt werden. Ein Paar Metallfolien 3 als Anschlüsse des Chipbauteils ist fest an den
Endflächen des Harzrahmews 22 festgeklebt. Im Harzrahmen ist ein elektronisches Bauelement 1 eingeschlossen..
Die Anschlußdrähte (erster Art) 5a, 5b des Bauelements sind durch einen Schlitz 4 in der Metallfolie 3 und im Harzrahmen
21 geführt und elektrisch mit der Metallfolie 3 verbunden. Die Metallfolie 3 besteht aus Kupfer, Nickel, Eisen oder
Legierungen dieser Metalle. Vorzugsweise ist ein gut lötbares Metall wie Zinn, Silber oder Lot auf diese Metallschicht aufgebracht.
Vorzugsweise besteht die Metallfolie aus Kupfer und der Zuleitungsdraht zum Element ist an ihr mit Lot oder einer
elektrisch leitfähigen Paste wie einer Leitsilberpaste festgelegt. Weiterhin besteht die Metallfolie vorzugsweise aus
einem Metall wie Nickel, Eisen oder Legierungen dieser Metalle, an dem der Anschlußdraht wie beispielsweise der Tantalzuleitungsdraht
eines Tantalkondensators anaeschweißt werden kann.
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NACHQEfNEICHT
Falls geschweißt wird, wie oben erwähnt, kann auch vernickelte Kupferfolie für die Anschlüsse verwendet werden.
Der Aufbau des Harzrahmens 2 in Fig. 2 unterscheidet sich von dem der Fig. 1. In der Fig. 1 hat der Harzrahmen, in dem das
elektronische Bauelement angeordnet werden soll, keinen Boden. Der Harzrahmen der Fig. 2 zur Aufnahme des elektronischen Elements
1 liegt als C-Profil-Element mit einer Bodenfläche vor.
Die Zusammensetzung des Rahmenharzes 21 und des Gießharzes 22 kann die gleiche oder unterschiedlich sein. Soll beispielsweise
eine Lumineszenzdiode umhüllt werden, verwendet man nach der· vorliegenden Erfindung ein opakes Harz für den Rahmen
und ein transparentes Harz für den Verguß.
Eine weitere elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht und dem elektronischen Bauelement soll unten für ein elektronisches
Bauelement mit mindestens einem Elementanschluß beschrieben werden, der auf einem Oberfl-ächenteil des Elements (zweite
Anschlußart) mittels eines Silber- oder Lotauftrags anstelle des oben beschriebenen Anschlußdrahts ausgebildet ist.
In dem in Fig. 3 und Fig. 4 gezeigten Fall ist der Elementanschluß
elektrisch verbunden durch zusätzliche Zuleitungsbänder oder -drähte 17 in Fig. 3 und 6a, 6b in Fig. 4, die
über den Harzrahmen oder durch Schlitze in diesem und den Metallfolien
31 - 32 geführt und auf letzteren mit. einem leitfähigen Mittel wie Lot oder einer Leitpaste festgelegt sind.
Die Fig. 5 bis 7 zeigen das Verfahren zur Herstellung eines Chipbauteils nach der vorliegenden Erfindung. Obgleich die
vorliegende Erfindung am Beispiel von Tantalelektrolytkondensatoren beschrieben werden soll, ist die vorliegende Erfindung
auf derartige Kondensatoren nicht beschränkt, sondern für elektronische Bauelemente im allgemeinen geeignet.
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j NACHQEKHICHT
Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements
soll unten am Beispiel eines Tantalelektrolyt-Chipkondensators beschrieben werden.
In der Fig. 5a ist eine isolierende Harzplatte 7 gezeigt, auf
deren eine Seite eine etwa 35 μΐη dicke Kupferfolie 8 und auf
deren andere Seite eine 30 bis 100 μπι dicke Nickelfolie mit
einem Klebstoff aufgeklebt sind. Die Dicke der Harzplatine entspricht der Länge des herzustellenden Chipbauelements. In
der Fig. 5b wird die mit Metallfolie beklebte Harzplatine zu 1,3 mm dicken Blöcken 10 aufgeteilt. In der Fig. 5c werden'
Öffnungen wie beispielsweise Löcher 11 für einzeln einzuschließende elektronische Bauelemente und die Schlitze 12, die
von den Löchern durch das Harz zur Außenseite der Metallfolie verlaufen, in das Harz 7 eingebracht. Der Schlitz 12 ist vorzugsweise
etwas breiter als der Durchmesser des Zuleitungsdrahts des Bauelements; vorzugsweise ist der Schlitz 12 etwa
halb so tief wie der Block dick ist. In dem in Fig. 5d gezeigten
nächsten Schritt werden in die Löcher 11 Tantalelektrolytkondensatoren
1 eingesetzt. Die Kathoden der Kondensatorelemente 1 werden über ein Metalldraht oder -band mit einem leitfähigen
Klebestoff wie Silberpaste oder Lot auf die in Fig. 3 und 4 gezeigte Weise elektrisch mit der außenliegenden Kupferfolie
8 verbunden. Das hier erwähnte Tantalkondensatorelement selbst wird auf bekannte Art und Weise hergestellt, wie unten
beschrieben.
Eine Tantal-Sinteranode mit 0,7 mm Durchmesser und 1,3 mm Länge
mit einem 0,2 mm-Tantal-Anschlußdraht an einem Ende wird anodisch
oxidiert; infolgedessen bildet sich auf der Tantaloberfläche eine isolierende Tantaloxidschicht. Auf der dielektrischen
Schicht werden Schichten aus Mangandioxid, kolloidalem Graphit und dann Silber als Kathode - in dieser Reihenfolge -
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NACHGEREICHT
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ausgebildet. Die Silberpastenschicht entspricht dem Elementanschluß
zweiter Art, der Tantaldraht dem Elementanschluß erster Art, wie oben erwähnt.
In der Fig. 5e wird das Loch 11, in dem sich das Tantalkondensatorelement
befindet, mit einem fließfähigen Harz wie einem härterhaltigen Epoxyharz 15 bis zur Oberseite des Harzgehäuses
7 ausgegossen. Vor dem Eingießen des Harzes verschließt man die Außenseite der Schlitze 12 sowie die Unterseite des Lochs
11 mit einem Klebeband, Fett oder anderem Verschlußmaterial, damit das eingefüllte Harz nicht auslaufen kann. Nach dem
Härten des Epoxyharzes entfernt man gegebenenfalls auf der Oberfläche des Blocks verbleibende Flecken. Der Tantaldraht
14 wird auf die Nickelfolie 9 aufgeschweißt. Nach dem Schweißen verbleibt, durch Einschnitte in der Mitte entlang der gestrichelt
gezeigten Linie in Fig. 5e den Block zu den einzelnen Chipbauteilen aufzuteilen. Fig. 5f zeigt den so hergestellten
Tantal-Chipkondensator.
Die Fig. 6a zeigt einen Behälter 16 für ein Chipbauteil nach der vorliegenden Erfindung, wie in Fig. 2 oder 3 gezeigt. Der
Behälter besteht aus einem Harz 7 mit einer in den Harzteil 7 des Stabs 10 eingeformten Ausnehmung 16 sowie Schlitzen in mindestens
einer Seite der Behälterseitenwände. In der Fig. 6b ist in die Ausnehmung 16 eine Vielzahl von Tantal-Elektrolytkondensatorelemente
18 eingesetzt. Nach dem Einsetzen der Elemente werden die Chipbauteile fertiggestellt, wie oben beschrieben.
Es soll nun ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Chipbauteilen
nach der vorliegenden Erfindung beschrieben werden. Obgleich als einzubettende Elemente hier ebenfalls Tantal-Elektrolytkondensatoren
verwendet sind, ist die vorliegende Erfin-
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nachgereioht] ..:..: : : ■ -. . :"" - :
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dung auf diese nicht beschränkt, sondern auf elektronische Bauelemente
allgemein anwendbar.
In diesem Beispiel dient als Material für den Behälter anstelle des in Fig. 5a gezeigten Materials ein dünnes Glasepoxyharzlaminat,
das auf einer Seite mit einer Metallfolie kaschiert ist. Derartiges beispielsweise kupferkaschiertes Epoxyharzlaminat
ist als Grundmaterial für flexible gedruckte Schaltungsplatinen handelsüblich.
In der Fig. 7a wird ein kupferkaschiertes Plattenmaterial mit einem isolierenden Harzlaminat 41 (beispielsweise ein zu 35 μπι
Dicke einseitig mit einer Kupferfolie 42 beklebtes Glasepoxylaminat) zu einer rechteckigen Platte 40 in einer Breite von
6 mm und beliebiger Länge aufgeschnitten. Entlang einer Kante der Platte 40 werden Schlitze 44 in regelmäßigen Abständen
vorgesehen. Die Schlitze 44 sind jeweils 0,35 mm breit und 0,7'
mm lang; ihr Abstand beträgt 2 mm. In der Fig. 7b wird die Kupferfolie 42 dort, wo die Kantenschlitze sich befinden', etwa
50 μΐη dick und 1,5 mm breit vernickelt.
Dann bringt man mit einem Reißwerkzeug auf der Oberfläche des
Grundharzes 41 parallel zueinander in einem Abstand von 2,5 mm von den Seitenkanten der Platte 40 zwei gradlinige Rillen
ein, die so tief wie möglich sind. Diese Rillen sind erforderlich, damit das Grundharz im folgenden Verarbeitungsschritt
infolge seiner Sprödigkeit nicht bricht; die eingerissenen Rillen 56 dürfen die Kupferfolie 42 nicht erreichen. In der
Fig. 7c wird die mit den Rillen versehene rechteckige Platte 40 entlang der Reißlinie um im wesentlichen 90° so umgebogen,
daß die Harzseiten nach dem Biegen einander zugewandt sind und ein im Querschnitt U-förmiger Behälter 60 für die einzuschließenden elektronischen Bauteile entsteht. Der so erstell-
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ten Behälter 60 ist am Boden etwa 3 mm breit und 1,5 mm hoch; seine Festigkeit reicht aus, um die U-Gestalt durch die mechanische
Festigkeit der Kupferfolie beizubehalten. In der Fig. 7d ist ein Ende eines Kupferbandes als elektrische Anschlußeinrichtung
mit der Kupferfolie 42 beispielsweise verlötet, während das andere Ende um den Rand der Behälterseitenwand herum
auf den Boden des Behälters 60 geführt wird. In der Fig. 7e sind eine Vielzahl von Tantalkondensatorelementen 48 in den
Behälter 60 zu einer Reihe eingesetzt worden; die Kathode jedes Kondensatorelements ist mit jedem Kupferband 47 durch
ein elektrisch leitfähiges Haftmittel wie Lot oder Silberpaste verbunden worden. Das elektrisch leitfähige Haftmittel
wird vorläufig auf das Kupferband oder die Kathodenfläche des Kondensatorelements oder auch auf beide aufgebracht, bevor
das Element eingesetzt wird. Das bei diesem Verfahren eingesetzte Tantalkondensatorelement ist würfelförmig mit den Abmessungen
1,0x1,2x1,9mm3 und an einem Ende mit einem Tantalzuleitungsdraht
versehen.
In der Fig. 7f wird ein gießfähiges Harz wie ein einen Härter enthaltendes Epoxharz 41 in den Behälter eingegossen. Vor dem
Eingießen des Harzes müssen die Schlitze und Stirnseiten des Behälters verschlossen werden, damit kein Harz auslaufen kann.
Geeignete Verschlußmittel sind ein Siliconharz oder ein üV-härtendes Harz mit ziemlich hoher Viskosität. Das Gießharz wird
danach ausgehärtet. Nach dem Härten werden das Verschlußmittel und etwaige Flecken entfernt. In der Fig. Iq wird die Kupferfolie
42 in der Mitte der Unterseite des Behälters etwa 2mm breit abgeschliffen oder chemisch abgeätzt; die verbleibenden
Teile der Kupferfolie werden dann zu den Anschlüssen eines Chipbauteils. Der Tantalzuleitungsdraht 59 wird umgebogen und auf
die Nickelschicht 45 mit einem Widerstandschweißgerät mit Parallelspaltelektroden
aufgeschweißt.
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Nach diesem Schweißschritt teilt man das Werkstück zu den einzelnen
Chipbauteilen entlang der Mitte zwischen zwei nebeneinanderliegenden Schlitzen auf, wie in Fig. 6h gestrichelt gezeigt.
Die Fig. 6i zeigt das so hergestellte Chipbauteil.
Bei dem Verfahren nach Fig. 7 wird die Kupferfolie auf der Unterseite des Behälters nach dem Tantalschweißschritt wie in
Fig. 7g entfernt. Es ist jedoch möglich, diesen Teil der Kupferfolie bereits zu Anfang, d.h. von der noch flachen Harzplatine
zu entfernen.
In den oben beschriebenen Verfahren ist das einzuschließende Element ein Tantalkondensatorelement; folglich ist eine Nickelschicht
auf der Kupferfolie erforderlich, um den Tantaldraht an den Bauteilanschlußflächen anschweißen zu können. Falls das
eingeschlossene Bauelement lötbare Anschlußdrähte aufweist, kann diese Nickelschicht entfallen.
Weiterhin wird man sowohl die Kupferfolie als auch die Vernikkelung
mit einer Lotschicht überziehen, damit das fertige Bauelement leichter auf eine Schaltungsplatine aufgelötet werden
kann.
Anstelle der elektrischen Verbindung zwischen der Tantalkathodenschicht
und dem Bautelementanschluß 42a durch ein Kupferband 47 kann man die Verbindung auch durch Löten durch ein durchkontaktiertes
Loch herstellen, das an einer Stelle des Bauteileanschlusses gegenüber den Zuleitungsdrähten des Tantalkondensators
eingebracht wird.
Im folgenden soll beschrieben werden, wie man das Harz auch ohne Verschließen der Schlitze einfüllen und aushärten kann. Für
den in den Fig. 6b und 7e gezeigten Behälter werden beide Enden
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der Ausnehmung anfänglich vor dem Eingießen des Harzes mit einem Verschlußmittel wie beispielsweise einem Siliconfett
verschlossen. Bei dem Behälter der Fig. 5d werden die Löcher unten mit einem Klebeband verschlossen, bevor man das Harz
eingießt. Und zwar gießt man zunächst das Harz - beispielsweise ein einen Härter enthaltendes fließfähiges Epoxyharz - ein
und dreht dann den Behälter sehr schnell um, bevor das Harz aus den Schlitzen austreten kann. Bei abwärts weisender Behälteröffnung
wird dann das Harz ausgehärtet.
Bei nach der vorliegend beschriebenen Erfindung hergestellten Bauelementen zeigen die Anschlußelektroden des Chipbauteils
eine hohe Festigkeit gegen ein Ablösen. Dieses Ergebnis wird erstens erzielt,weil die dünne Metallfolie des Anschlusses der
Ablösekraft (beispielsweise infolge der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Metalls und des Rahmenharzes)
widersteht. Zweitens kann die Metallfolie mit dem Harzrahmen fest verklebt werden, indem man, was vorteilhaft ist,
günstigere Bedingungen wie hohen Druck oder hohe Temperaturen anwendet. Dabei braucht man Schäden am Bauelement nicht zu befürchten,
da dieses Verkleben erfolgt, bevor das Bauelement eingeschlossen wird.
030051/0866
Claims (13)
- MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL COMPANY LIMITED,1006 Kadoma, Osaka, JapanPatentansprücheΪ Elektronisches Chip-Bauelement, gekennzeichnet durch einen isolierenden Harzrahmen, ein Paar im wesentlichen flacher Anschlüsse aus Metallfolie, die auf die beiden Enden des Rahmens aufgeklebt sind, wobei mindestens eines der Rahmenenden einen Schlitz enthält, der sich zur Außenfläche der Metallfolie öffnet, durch ein elektronisches Bauelement mit-einem Paar Anschlüsse, das in dem Rahmen eingeschlossen ist und dessen Anschlüsse elektrisch mit den Metallfolien verbunden sind, und durch ein isolierendes Harz, mit dem der verbleibende Innenraum im Rahmen ausgegossen ist.030051/0G66ORIGINAL INSPECTED
- 2. Chip-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem elektronischen Bauelement um einen Tantalelektrolytkondensator handelt.
- 3.Chip-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauelement eine Lumineszenzdiode ist.
- 4. Chip-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfolie aus einem Metall aus der aus Kupfer und Nickel bestehenden Gruppe besteht.
- 5. Chip-Bautelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gießharz transparent ist.
- 6. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) eine Metallfolie mit einem Klebstoff auf beide Seiten einer Platte aus isolierendem Harz aufbringt, (b) die metallbeschichtete Harzplatte zu Blöcken aufschneidet, (c) öffnungen zur Aufnahme elektronischer Bauelemente sowie Schlitze einbringt, die sich zur Außenfläche mindestens einer der Metallfolien auf den Enden des Harzblocks öffnen, (d) elektronische Bauelemente in· die öffnungen einsetzt, (e) fließfähiges isolierendes Harz in die öffnungen eingießt und dort härtet, (f) die Elementanschlüsse elektrisch mit der jeweiligen Metallfolie verbindet, nachdem das Gießharz ausgehärtet ist, und (g) das so hergestellte Werkstück zu den einzelnen Bauelementen aufschneidet.
- 7. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements, dadurch, gekennzeichnet, daß man (h) eine metallbeschichtete Harzplatte in Rechteckform mit einer Vielzahl von Schlitzen vorsieht, die in regelmäßigen Abständen entlang mindestens der Kante einer längeren Seite der Platte eingeschnit-Ö3ÖÖS1/0668Ί ι ι ι ^ - *NACHGEREtCHT] * /"ten sind, wobei die Platte aus einem I sol ierhar zlaxninat besteht, auf das mit einem Klebstoff eine Metallfolie aufgeklebt ist, (i) einen U-förmigen Behälter herstellt, indem
man die rechteckige metallbeschichtete Harzplatte entlang zu
den längeren Seitenkanten des rechteckigen Laminats parallelen Linien im wesentlichen rechtwinklig so aufbiegt, daß die Harzseiten einander zugewandt sind, (j) eine Vielzahl von elektronischen Bauelementen in regelmäßigen Abständen in den Behälter einsetzt, (k) die Anschlüsse der elektronischen Bauelemente
elektrisch mit der Metallfolie auf der Außenfläche des Behälters elektrisch leitfähig verbindet, (1) den Behälter mit
einem fließfähigen isolierenden Harz im wesentlichen vollständig ausgießt und dort härtet, (m) die Kupferfolie von im wesentlichen der gesamten Unterseite des Behälters entfernt,
so daß sich zwei Bauteilanschlüsse ergeben, und (n) den gehärteten Behälter in der Mitte zwischen nebeneinanderliegenden Bauelementen zu den einzelnen Bauelementenchips zertrennt. - 8. Verfahren zur Herstellung von elektronsichen Chip-Bauelementen nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß es
sich bei den elektronischen Bauelementen um Tantal-Elektrolytkondensatoren handelt, deren AnodenZuleitungen in die Schlitze eingelegt und mit der Metallfolie verschweißt und deren Kathoden über Zuleitungsbänder elektrisch mit der Metallschicht verbunden werden, wobei man die als Anodenanschluß gedachte Kupferfolienfläche vernickelt, um dort die Tantalzuleitung anzuschweißen. - 9. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man weiterhin zum Aufbiegen der Harzplatte auf den Biegelinien in die metallkaschierte Harzplatte auf der Harzseite zwischen den Schritten (h) und (i) jeweils eine Rille einreißt.030051/0666NACHQEREICHT3018848-A-
- 10. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet/ daß das elektrische Verbindungsmittel Lot in einem Loch dem Anschluß des elektronsichen Bauelements gegenüber ist.
- 11. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chip-Bauelements nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man den Schritt (m) zwischen den Schritt (h) und (i) ausführt.
- 12. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man im Schritt (e) das Harz aushärtet, während die Öffnung im Behälter abwärts gewandt ist.
- 13. Verfahren nach Anspruch 7,.dadurch gekennzeichnet, daß man im Schritt (1) das Harz aushärtet, während die Öffnung im Behälter abwärts gewandt ist.030051/0680
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3134617A1 (de) * | 1981-09-01 | 1983-03-17 | Ernst Roederstein Spezialfabrik für Kondensatoren GmbH, 8300 Landshut | Folien-kondensator in chip-bauweise und verfahren zu seiner herstellung |
DE3619311A1 (de) * | 1986-06-07 | 1987-12-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Solargenerator mit hoher flaechenausnutzung |
DE3638342A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
US5050043A (en) * | 1989-09-19 | 1991-09-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Solid electrolyte capacitor in a chip structure having a fused element |
DE19921109B4 (de) * | 1998-05-28 | 2009-12-03 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3123198C2 (de) * | 1980-12-08 | 1993-10-07 | Gao Ges Automation Org | Trägerelemente für einen IC-Baustein |
US4488204A (en) * | 1983-11-01 | 1984-12-11 | Union Carbide Corporation | Device for use in making encapsulated chip capacitor assemblies |
ATE69908T1 (de) * | 1987-05-05 | 1991-12-15 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement in chip-bauweise und verfahren zu seiner herstellung. |
US5491111A (en) * | 1994-10-26 | 1996-02-13 | Tai; George | Method of making a semiconductor diode |
DE10131236B4 (de) | 2001-06-28 | 2006-03-30 | Epcos Ag | Kondensator |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3221089A (en) * | 1960-07-01 | 1965-11-30 | James H Cotton | Method for capacitor fabrication |
US3345544A (en) * | 1965-05-17 | 1967-10-03 | Mallory & Co Inc P R | Solid aluminum capacitors having a proted dielectric oxide film |
FR1566728A (de) * | 1968-03-29 | 1969-05-09 | ||
FR2054755A5 (de) * | 1969-07-25 | 1971-05-07 | Asscher Jean | |
DE2927011C2 (de) * | 1978-07-31 | 1985-08-08 | Sprague Electric Co., North Adams, Mass. | Chip-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2079769A6 (de) * | 1970-02-02 | 1971-11-12 | Asscher Jean Claude |
-
1979
- 1979-05-18 JP JP54061834A patent/JPS6041847B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-05-15 GB GB8016039A patent/GB2053568B/en not_active Expired
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- 1980-05-16 FR FR8011055A patent/FR2457005A1/fr active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3221089A (en) * | 1960-07-01 | 1965-11-30 | James H Cotton | Method for capacitor fabrication |
US3345544A (en) * | 1965-05-17 | 1967-10-03 | Mallory & Co Inc P R | Solid aluminum capacitors having a proted dielectric oxide film |
FR1566728A (de) * | 1968-03-29 | 1969-05-09 | ||
FR2054755A5 (de) * | 1969-07-25 | 1971-05-07 | Asscher Jean | |
DE2927011C2 (de) * | 1978-07-31 | 1985-08-08 | Sprague Electric Co., North Adams, Mass. | Chip-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3134617A1 (de) * | 1981-09-01 | 1983-03-17 | Ernst Roederstein Spezialfabrik für Kondensatoren GmbH, 8300 Landshut | Folien-kondensator in chip-bauweise und verfahren zu seiner herstellung |
DE3619311A1 (de) * | 1986-06-07 | 1987-12-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Solargenerator mit hoher flaechenausnutzung |
DE3638342A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
US5050043A (en) * | 1989-09-19 | 1991-09-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Solid electrolyte capacitor in a chip structure having a fused element |
DE19921109B4 (de) * | 1998-05-28 | 2009-12-03 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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JPS6041847B2 (ja) | 1985-09-19 |
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