DE3008926A1 - Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laenge - Google Patents
Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laengeInfo
- Publication number
- DE3008926A1 DE3008926A1 DE19803008926 DE3008926A DE3008926A1 DE 3008926 A1 DE3008926 A1 DE 3008926A1 DE 19803008926 DE19803008926 DE 19803008926 DE 3008926 A DE3008926 A DE 3008926A DE 3008926 A1 DE3008926 A1 DE 3008926A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- josephson
- contacts
- interferometer
- same
- control line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/873—Active solid-state device
- Y10S505/874—Active solid-state device with josephson junction, e.g. squid
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
• h
Asymmetrische Interferometer mit Josephson-Kontakten
gleicher magnetischer Länge.
Asymmetrische Interferometer bestehen aus induktiven Verbindungen oder Brücken zwischen Josephson-Kontakten, deren maximale
Josephson-Ströme ungleich groß sind. Der maximale Josephson-Strom des Interferometers IQ wird durch das magnetische Feld einer über
der induktiven Brücke geführten Steuerleitung mit dem Steuerstrom In, moduliert. Asymmetrische Interferometer werden anstelle von
symmetrischen Interferometern mit gleich großen maximalen Josephson-Strömen z.B. als Speicherzellen für zerstörungsfreies
Auslesen einzelner Flußquanten und als logische Gatter eingesetzt, wenn die Betriebsströme besonders große Toleranzen haben müssen
Die Optimierung der asymmetrischen Interferometer wird meist unter der vereinfachenden Annahme vorgenommen, daß -das magnetische
Feld der Steuerleitung im Innern der Josephson-Kontaktes vernachlässigbar klein ist. In diesem Fall spricht man auch von Interferometern
mit Punktkontakten.
Der maximale Josephson-Strom I- von Interferometern mit Punktkontakten
läßt sich relativ einfach in Abhängigkeit von dem Steuer strom Ip und der Anzahl N der in der Interferometerschleife eingezogenen
Flußquanten berechnen. Für jeden Flußquantenzustand N gibt es in der I_,I -Ebene einen geschlossenen Bereich. Man
spricht von einer Gattercharakteristik.
Die Bereiche der verschiedenen Flußquantenzustände von Interferometern mit zwei Punktkontakten gehen durch eine Verschiebung entlang der I^-Achse ineinander über. Beispielsweise haben dort alle Maxima der Flußquantenzustände die gleiche Höhe.
Die Bereiche der verschiedenen Flußquantenzustände von Interferometern mit zwei Punktkontakten gehen durch eine Verschiebung entlang der I^-Achse ineinander über. Beispielsweise haben dort alle Maxima der Flußquantenzustände die gleiche Höhe.
In Abb. 1 ist I= f(I„) mit N als Parameter für ein Interferometei
G c
mit zwei Punktkontakten und mit einem Verhältnis der maximalen Josephson-Ströme von 2/1 und mit einer charakteristischen Phase
λ = 2 ττ·Ι,Ιο/Φο=2τγ gezeigt. Hierbei ist L die Induktivität der
130040/0069
Brücke zwischen den Kontakten und IQ der maximalen Josephson-Strom
des kleineren Kontakts ohne äußeres Magnetfeld. Φ = 2,07 mVps ist ein Flußguant.
Bei starker Miniaturisierung der Interferometer kann infolge der
endlichen Auflösung der Strukturierungsprozesse der magnetische
Fluß in den Josephson-Kontakten nicht mehr gegenüber dem Fluß im IntenSerometerring vernachlässigt werden. Die Veränderung
der Bereiche der Flußguantenzustände gegenüber Interferometern mit Punktkontakten ist besonders ausgeprägt und ungünstig bei
asymmetrischen Interferometern mit Josephson-Kontakten, die merklich verschiedene Längen parallel zur Steuerleitung besitzen,
da durch ein gegebenes Steuerfeld der maximale Josephson-Strom des längeren Kontakts merklich stärker verkleinert wird als der
des kürzeren, so daß die z. B. für große Toleranzen günstige Ungleichheit der maximalen Josephson-Ströme der Kontakte durch die
Aussteuerung verkleinert wird.
Das gewünschte Verhältnis der maximalen Josephson-Ströme der Kontakte kann jedoch unverändert gehalten werden, wenn die ....
magnetischen Flüsse Φ in den Kontakten sich im gleichen Verhäiinis
ändern. In diesem Sonderfall kann die resultierende Gattercharakteristik durch die Multiplikation der Charakteristik
des einzelnen Josephson-Kontakts mit der des Interferometers aus Punktkontakten gewonnen werden. Sind zusätzlich beide Josephson-Kontakte
kurz gegenüber der Josephson-Eindringtiefe, so ist die Charakteristik des einzelnen Josephson-Kontakts besonders einfach
V O Ψ » wobei x "'V^o ·
In diesem Fall werden die Maxima der Flußguantenzustände mit zunehmendem
Betrag |lc[ für Φβ <*ο kleiner.
Die Skizze eines asymmetrischen Interferometers mit einem Verhältnis
der maximalen Josephson-Ströme von 3/1 ist in Abb. 2 zu sehen. Über einer supraleitenden Grundplatte M1 und einer dicken Isolierschicht
ist eine strukturierte supraleitende Schicht M2 angeordnet.
130040/0069
30Q8926
Sie bildet die untere- Elektrode der beiden Josephson-Kontakte A un
B. über der M2-Schicht liegt eine Isolierschicht z.B. aus Silizium
oxid mit einer Dicke von etwa 200 nm. Die dicke Isolierschicht hat im Bereich der schraffierten Flächen öffnungen, welche die
M2-Schicht freigeben. Dort entsteht das dünne Tunneloxid.
Die beiden schraffierten Flächen unterscheiden sich um den Faktor Die Kantenlänge der Flächen parallel zur Steuerleitung, d.h. die
magnetische Länge des Kontakts ist gleich groß. Über der dicken und dünnen Oxidschicht liegt die supraleitende Schicht M3. Sie
bildet die obere Elektrode der Josephson-Kontakte und die obere Verbindung zwischen den Kontakten. Die gesamte Breite der M3-Schicht
über dem dicken und dünnen Oxid, am kleinen und großen
Josephson-Kontakt ist gleich groß, so daß auch das Magnetfeld der Steuerleitung an beiden Kontakten die gleiche Größe hat. Die
Breite der oberen Verbindung zwischen den Kontakten kann kleiner gehalten werden als die gesamte Breite über dem dicken und dünnen
Oxid, wenn die Induktivität der Verbindung bei gegebener Länge möglichst groß sein soll. Die Steuerleitung S liegt über einem
Isolator in einer weiteren strukturierten supraleitenden Schicht M4. Der Gatterstrom fließt in der Skizze von G nach H durch das
Interferometer.
1 30040/0069
Literatur
1. H. Beha,- W. Jutzi, Speicherzelle für zerstörungsfreies Auslesen
mit 2 Josephson-Kontakten, Offenlegungsschrift 2735133 mit dem Anmeldetag vom 4.8.1977.
2. H. Beha, Asymmetrie 2-Josephson junctions interferometer as a
logic gate, Electronics Letters Vol. 13 No. pp. 218-220, March 1977.
130040/0069
Abb. 1 Normierter Gatter strom i == I_/I als Funktion
G Gi O
des normierten Steuerstromes i = I /I mit der Flußquantenzahl N als Parameter. Das Verhältnis
der maximalen Josephson-Ströme ist 2/1. Die charakteristische Phase ist λ = 2irLI /φ = 2ττ.
Abb. 2 Auslegungsskizze eines asymmetrischen Interferometers
für ein Verhältnis der maximalen Josephson-Ströme von 3/1.
130040/0069
Leerseite
Claims (3)
1. Interferometer mit ungleich großen Flächen der Josephson-Kontakte
dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Flüsse der Steuerleitungen in den Josephson-Kontakten nahezu gleich
groß sind.
2. Interferometer nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß
die Josephson-Kontaktlängen parallel zur Steuerleitung gleich groß sind und die gesamten Breiten der Metallisierung der
Gegenelektrode der Josephson-Kontakte über einer dünnen aktiven
Tunnelschicht und über einer dicken passiven Isolationsschicht im rechten Winkel zur Steuerleitung gleich groß sind.
3. Interferometer nach Anspruch 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Breite der Gegenelektrode der Josephson-Kontakte
größer ist als die Breite der induktiven Verbindung zwischen zwei Josephson-Kontakten.
130040/0069
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803008926 DE3008926A1 (de) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laenge |
US06/239,978 US4473833A (en) | 1980-03-08 | 1981-03-03 | Asymmetric interferometers with Josephson junctions of equal magnetic length |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803008926 DE3008926A1 (de) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laenge |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3008926A1 true DE3008926A1 (de) | 1981-10-01 |
DE3008926C2 DE3008926C2 (de) | 1988-12-29 |
Family
ID=6096604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803008926 Granted DE3008926A1 (de) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laenge |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4473833A (de) |
DE (1) | DE3008926A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60199227A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-08 | Tokyo Daigaku | 超伝導回路 |
DE4036380A1 (de) * | 1990-11-15 | 1992-05-27 | Kloeckner Moeller Gmbh | Beschickungsvorrichtung fuer werkzeugmaschinen und dergleichen |
ES2213620T3 (es) * | 1999-10-04 | 2004-09-01 | Qest Quantenelektronische Systeme Tubingen Gmbh Sitz Boblingen | Dispositivo para la medicion de alta resolucion de campos magneticos. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2623605B2 (de) * | 1975-06-30 | 1978-01-19 | International Business Machines Corp, Armonk, N.Y. (V.St.A.) | Mehrfach-josephsonkontakt-interferometer |
DE2735133A1 (de) * | 1977-08-04 | 1979-02-15 | Univ Karlsruhe Inst Fuer Elekt | Speicherzelle fuer zerstoerungsfreies auslesen mit 2 josephson-kontakten |
-
1980
- 1980-03-08 DE DE19803008926 patent/DE3008926A1/de active Granted
-
1981
- 1981-03-03 US US06/239,978 patent/US4473833A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2623605B2 (de) * | 1975-06-30 | 1978-01-19 | International Business Machines Corp, Armonk, N.Y. (V.St.A.) | Mehrfach-josephsonkontakt-interferometer |
DE2735133A1 (de) * | 1977-08-04 | 1979-02-15 | Univ Karlsruhe Inst Fuer Elekt | Speicherzelle fuer zerstoerungsfreies auslesen mit 2 josephson-kontakten |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
GB-Z.: Electronics Letters, Bd. 13, No. 7, 1977, S. 218-220 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3008926C2 (de) | 1988-12-29 |
US4473833A (en) | 1984-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2201150C3 (de) | Ladungsgekoppelte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Fortleitung einer Ladung mit hoher Geschwindigkeit | |
DE3816667C2 (de) | Gate-gesteuertes monolithisch integriertes Halbleiterelement mit bidirektionaler Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Betrieb | |
DE2165006C3 (de) | Halbleiterlaser | |
DE3441201A1 (de) | Halbleiteranordnung zum erzeugen elektromagnetischer strahlung | |
DE2455501B2 (de) | Logische Speicher- und Verknüpfungsschaltung mit Josephson-Elementen | |
DE2623605C3 (de) | Mehrfach-Josephsonkontakt-Interferometer | |
DE1614300B2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode | |
DE2220789A1 (de) | Feldeffekttransistor | |
DE2504088A1 (de) | Ladungsgekoppelte anordnung | |
DE3401407A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2252148B2 (de) | ||
DE3008926A1 (de) | Asymmetrische interferometer mit josephson-kontakten gleicher magnetischer laenge | |
DE2114918B2 (de) | Mikrowellenoszillator vom lawinenlaufzeittyp | |
DE1514867B2 (de) | Halbleiterdiode | |
DE2622790A1 (de) | Verfahren und anordnung zur kantenaetzung fuer die herstellung schmaler oeffnungen zu materialoberflaechen | |
DE1614250B2 (de) | Halbleiteranordnung mit gruppen von sich kreuzenden verbindungen | |
DE2800363A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
DE2721744A1 (de) | Heterojonctions-transistor | |
DE2063242A1 (de) | Mikrowellen Bauelement | |
DE1262348B (de) | In integrierter Schaltung ausgebildeter Informationsspeicher mit Vierschichtdioden und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4117866A1 (de) | Verfahren zum betreiben eines halbleiterlasers als modensynchronisierten halbleiterlaser und einrichtungen zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE2652103C2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung für ein logisches Schaltungskonzept und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2063613C3 (de) | Supraleitendes Bauelement | |
DE3614463C2 (de) | ||
DE4010823A1 (de) | Modensynchronisierter halbleiterlaser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |