DE3614463C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlaservorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Eine derartige Halbleiterlaservorrichtung ist aus der US-PS 43 61 887 bekannt. Bei der bekannten Halbleiterlaservor­ richtung ist der Feldeffekttransistor, der zum Verstärken des Laserstromes dient, horizontal auf dem Laserbereich angeordnet. Daher kann die optische Leistungsabgabe des Halbleiterlasers nicht mit einem geringen Strom angetrieben und moduliert werden.

Aus der DE-31 24 633 A1 ist eine Halbleiterlaservorrichtung bekannt, bei der ein Transistor vertikal auf dem Substrat und über dem Halbleiterlaser angeordnet ist. Der Transistor ist vom vertikalen Typ mit statischer Induktion (SIT), es wird jedoch kein Feldeffekttransistor verwandt.

Seit kurzem sind Halbleiterlaser in den praktischen Gebrauch gekommen, nämlich solche Vorrichtungen zum Lesen von Signa­ len von optischen Disketten, zur optischen Kommunikation oder als Lichtquelle zum Schreiben in eine optische Disket­ te. In dem Fall, in dem ein Halbleiterlaser für optische Kommunikation oder zum Schreiben auf eine optische Diskette benutzt wird, muß die optische Leistungsabgabe des Halblei­ terlasers auf eine oder andere Art moduliert werden. Bis jetzt wurde die optische Leistungsabgabe eines Halbleiter­ lasers durch Verändern oder An- und Abschalten des durch den Halbleiterlaser fließenden Stromes aufgrund eines vor­ herbestimmten Signales moduliert, das geschah durch die Ein­ richtung eines Antriebs-/Modulationsschaltkreises, der einen Transistor, IC, oder ähnliches aufwies und separat von dem Halbleiterlaser vorgesehen war.

Als ein Beispiel für solch eine konventionelle Halbleiter­ laservorrichtung ist eine Vorrichtung mit einem Halbleiter­ laser und einem Feldeffekttransistor zur Modulation, der in horizontaler Richtung mit auf einem Substrat integriert ist, in T. Fukuzawa, et al., Applied physics Letters 36 (3), 1. Februar 1980, Seite 181, "Monolithic Integration of a GaAlAs Injection Laser with a Shottky-Gate Field Effect Transistor" offengelegt.

Das konventionelle Verfahren zur Modulation der opti­ schen Leistungsabgabe eines Halbleiterlasers durch die Ein­ richtung eines Antriebs-/Modulationsschaltkreises, der sepa­ rat von dem Halbleiterlaser vorgesehen ist, hat jedoch Nachteile, nämlich hohe Kosten wegen der komplizierten Schaltkreis­ struktur oder niedrige Systemzuverlässigkeit wegen der Zu­ nahme der Anzahl von Teilen. Da die meisten der signalverar­ beitenden ICs oder LSIs mit MOS-Transistoren gebildet werden, können diese ICs und LSIs im allgemeinen nur geringe Ströme treiben. Folglich ist in diesem Fall eines Halbleiterlasers, der etwa 10 mA als antreibenden Strom benötigt, ein bipola­ rer IC oder ein Transistor mit großen Treiberströmen zusätz­ lich nötig, das verursacht ein anderes Problem, daß nämlich die Kosten der Antriebs-/Modulationsschaltkreise zunehmen.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Halbleiterlaservor­ richtung der eingangs beschriebenen Art mit geringen Kosten und hoher Zuverlässigkeit vor­ zusehen, die ebenfalls die optische Leistungsabgabe des Halb­ leiterlasers mit einem geringen Strom antreiben und modulie­ ren kann.

Die Lösung der Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die durch die Merkmale des kenn­ zeichnenden Teils des Anspruches 1 gekennzeichnet ist.

Eine vorteilhafte Eigenschaft der Halbleiterlaservorrichtung ist es, daß der Halbleiterlaserbereich und der vertikale Feldeffekttransi­ stor in Reihe zusammengeschaltet und in einem Stück miteinander in vertikaler Richtung ausgebildet sind.

Ein weiterer Vorteil der Halbleiterlaservorrichtung ist es, daß die optische Leistungsabgabe des Halbleiterlaserbereiches einfach modu­ liert werden kann, indem eine Modulationssignalspannung an die Gate-Elektrode des vertikalen Feldeffekttransistors an­ gelegt wird, ohne daß irgendwelche komplizierten äußeren An­ triebs-/Modulationsschaltkreise vorgesehen werden müssen.

Ein anderer Vorteil der Halbleiterlaservorrichtung ist es, daß nur ein Span­ nungssignal als Modulationssignal für die optische Leistungs­ abgabe angelegt wird, da ein Feldeffekttransistor zur Modu­ lation der optischen Leistungsabgabe benutzt wird, so daß praktisch kein Strom verbraucht wird.

Weitere Eigenschaften der Halbleiter­ laservorrichtung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbei­ spieles anhand der Figuren. Von den Figuren zeigt

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Halbleiterlaservorrichtung;

Fig. 2 einen Querschnitt durch den zentralen Bereich einer in Fig. 1 gezeigten Halbleiterlaservor­ richtung und einen an die Halbleiterlaservor­ richtung angeschlossenen externen Schaltkreis;

Fig. 3 die schematische Darstellung eines Ersatz­ schaltkreises für die in Fig. 2 gezeigten Halb­ leiterlaservorrichtung und den externen Schalt­ kreis; und

Fig. 4A, 4B Kurven zum Beschreiben des Modulationsbe­ triebes aufgrund einer Ausführungsform der Halbleiterlaservorrichtung.

Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Halbleiterlaservorrichtung. Zu Beginn wird die Struktur der in Fig. 1 gezeigten Halbleiterlaservorrichtung beschrieben. In Fig. 1 wird gezeigt, daß eine n-Typ GaAs- Stromblockierungsschicht 2, eine p-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 3, eine p-Typ oder n-Typ Al _y Ga_{1- y} As aktive Schicht 4 und eine n-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 5 auf der oberen Oberfläche eines p-Typ GaAs-Substrates 1 in dieser Reihen­ folge aufgebracht werden. Ein Teil der p-Typ Al _x Ga_{1- x} As- Überzugsschicht 3 bildet eine Streifenstruktur 30, die einen trapezförmigen Querschnitt hat und das p-Typ GaAs-Substrat 1 durch die n-Typ GaAs-Stromblockschicht 2 erreicht. Eine p-seitige ohmsche Elektrode 12, die aus Ti-Au- oder ähn­ lichem zusammengesetzt ist, ist auf der unteren Oberfläche des p-Typ GaAs-Substrates 1 gebildet. Die p-Typ ohmsche Elektrode 12, das p-Typ GaAs-Substrat 1, die n-Typ GaAs- Stromblockschicht 2, die p-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 3, die Al _y Ga_{1- y} As-aktive Schicht 4 und die n-Typ Al _x Ga_{1- x} As- Überzugsschicht 5 bilden einen CSP-(kanalisierter Substrat­ planarstreifen/Channeled Substrate Planar Stripe)-Halblei­ terlaserbereich einer internen stromzusammendrückenden Struktur. Der trapezförmige Streifen 30 dient zum Zusammen­ drücken des Stromes des Halbleiterlasers, der wie oben be­ schrieben gebildet wird. Solche Laserstrukturen können leicht durch die normale Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase implemen­ tiert werden. Wenn die Wellenlänge der Laserschwingung 780 nm beträgt, kann der Anteil an Al (x, y) an der Zusammensetzung der p-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 3, an der n-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 5 und an der Al _y Ga_{1- y} As-aktiven Schicht 4 x = 0,45 und y = 0,15 betragen. Ein senkrech­ ter MISFET-(metal insulator semiconductor field effect tran­ sistor/Metall-Isolator-Silizium-Feldeffekttransistor)- Bereich ist auf der oberen Oberfläche dieser Laserstruktur gebildet. Es ist nämlich eine n-Typ GaAs-Schicht 6, die den Source-Bereich bildet, auf der oberen Oberfläche der n-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 5 gebildet, eine p-Typ GaAs- Schicht 7 ist auf der oberen Oberfläche davon gebildet, und eine n-Typ GaAs-Schicht 8 ist wiederum auf der Oberfläche davon gebildet. Die p-Typ GaAs-Schicht 7 wird durch Ätzen bloßgelegt, wie es weiter unten beschrieben wird, und die p-Typ GaAs-Schicht 7 dient als Kanalbereich an den angren­ zenden Bereichen der bloßgelegten Oberfläche. Die n-Typ GaAs-Schicht 8 funktioniert als Drain-Bereich. Diese Schich­ ten, d. h. die n-Typ GaAs-Schicht 6, die p-Typ GaAs-Schicht 7 und die n-Typ GaAs-Schicht 8, können leicht oberhalb des Halbleiterlaserbereiches zusammen aufeinanderfolgend durch Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase oder durch metallorgani­ sches chemisches Abscheiden aus der Dampfphase gebildet wer­ den. Die Dicke der n-Typ GaAs-Schicht 6 und n-Typ GaAs- Schicht 8 kann zu 1 µm bis zu einigen µm ausgewählt werden, die Ladungsträgerdichte darin kann ungefähr 1 × 10¹⁸ cm^-3 sein. Die Dicke der p-Typ GaAs-Schicht 7 kann ungefähr 1 µm bis einige µm sein, und die Ladungsträgerdichte darin kann 1 × 10¹⁷ cm^-3 sein. Eine V-geformte streifenförmige Rinne 31 ist in dem oberen Bereich der npn-Struktur ausgebildet, die Breite ihrer Öffnung beträgt ungefähr 2 µm ∼ 5 µm, und die Tiefe ist so, daß der Boden der Rinne zumindestens die n-Typ GaAs-Schicht 6 erreicht. Die Rinne 31 ist praktisch direkt über der trapezförmigen Streifenstruktur 30 angeordnet, da­ mit der interne Strom des Halbleiterlaserbereiches zusammen­ gedrückt wird. Die V-geformte streifenförmige Rinne 31 wird gebildet, nachdem eine vorherbestimmte Ätzgrundmaske auf der oberen Oberfläche der n-Typ GaAs-Schicht 8 durch Ätzen der n-Typ GaAs-Schicht 8, der p-Typ GaAs-Schicht 7 und der n-Typ GaAs-Schicht 6 ausgeführt ist, in dem ein GaAs-Ätzmittel be­ nutzt wird, etwa wie ein Ätzmittel, das aus wäßrigem Ammo­ niak (NH₄OH) und Wasserstoffperoxid (H₂O₂) zusammengesetzt ist, die Zusammensetzung beträgt 30 : 1. Ein Teil der p-Typ GaAs-Schicht 7 wird durch dieses Ätzen bloßgelegt, und der Bereich benachbart zu der bloßgelegten Oberfläche dient als Kanalbereich des MISFET-Bereiches, wie es oben beschrieben wurde. Eine dünne isolierende Schicht 10 von einer Dicke von einigen 1000 Å, die aus einer Aluminiumoxidschicht (Al₂O₃) oder einer Siliziumoxidschicht (SiO₂) oder einer Vielfach­ schicht davon gebildet ist, wird auf der oberen Oberfläche der V-geformten gestreiften Rinne 31 und auf der n-Typ GaAs- Schicht 8 durch die CVD-Methode oder ähnliches abgeschieden. Eine Gate-Elektrode 11 aus Aluminium usw. wird auf der obe­ ren Oberfläche der isolierenden Schicht 10 gebildet. Eine n- seitige ohmsche Elektrode 9 aus AuGe-Ni-Au usw. wird auf der oberen Oberfläche der n-Typ GaAs-Schicht 8 gebildet. So­ mit bilden die n-Typ GaAs-Schicht 6, die p-Typ GaAs-Schicht 7, die n-Typ GaAs-Schicht 8, die dünne isolierende Schicht 10, die Gate-Elektrode 11 und die n-seitige ohmsche Elek­ trode 9 den vertikalen MISFET-Bereich oberhalb des Halblei­ terlaserbereiches.

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt des zentralen Bereiches der in Fig. 1 gezeigten Halbleiterlaservorrichtung sowie einen äußeren Schaltkreis, der zum tatsächlichen Betreiben und Modulieren der Halbleiterlaservorrichtung angeschlossen wird. In Fig. 2 sind eine Gleichspannungsquelle 14 mit einer Spannung V _O und ein Widerstand 15 mit einem Widerstandswert R ₁ zur Strombegrenzung in Reihe zwischen der p-seitigen ohm­ schen Elektrode 12 des Halbleiterlaserbereiches 17 und der n-seitigen ohmschen Elektrode 9 des MISFET-Bereiches 18 ge­ schaltet. Eine positive Spannung ist an die p-seitige ohm­ sche Elektrode 12 angelegt, während eine negative Spannung an die n-seitige ohmsche Elektrode 9 angelegt ist. Ein modu­ lierendes Gate-Signal wird von einer Signalquelle 16 der Gate-Elektrode 11 zugeführt.

Fig. 3 ist eine schematische Darstellung einer Ersatzschal­ tung für die in Fig. 2 gezeigte Halbleiterlaservorrichtung und den äußeren Schaltkreis. Die Betriebsweise wird im folgenden unter Bezug­ nahme auf die Fig. 1 und 3 beschrieben.

Zuerst soll der Fall angenommen werden, bei dem keine modu­ lierende Gate-Signalspannung an die Gate-Elektrode 11 ange­ legt ist. Da der MISFET-Bereich 18 eine in vertikaler Rich­ tung ausgerichtete npn-Struktur hat, ist der Übergang zwi­ schen der n-Typ GaAs-Schicht 6 und der p-Typ GaAs-Schicht 7 in einem solchen Status, daß er in umgekehrter Richtung vor­ gespannt ist. Wenn daher die angelegte Spannung V _O kleiner als die Durchbruchsspannung des Übergangs gesetzt ist, fließt kein Strom durch den MISFET-Bereich 18, so daß kein Strom durch den Halbleiterlaserbereich 17 fließt, der in Reihe mit dem MISFET-Bereich 18 geschaltet ist. Folglich ist es ersichtlich, daß in dem Halbleiterlaserbereich 17 in die­ sem Fall keine Laserschwingungen auftreten.

Ein Fall, in dem eine positive Gate-Spannung V _G (ein Puls oder eine Gleichspannung) an die Gate-Elektrode 11 angelegt wird, wird jetzt beschrieben. In diesem Fall wird eine nega­ tive Ladung (Elektron) in die Bereiche eingeführt, die be­ nachbart zu der bloßgelegten Oberfläche der p-Typ GaAs- Schicht 7 in der V-förmigen streifenförmigen Rinne 31 sind, die einen Strompfad 13 bildet (Fig. 2), d. h., einen inver­ tierten n-Kanal in der p-Typ GaAs-Schicht 7. Elektronen kön­ nen durch diesen n-Kanal 13 fließen. Der Fluß des Stromes in diesem Fall ist in Fig. 2 durch einen Pfeil 41 angezeigt. Zu der gleichen Zeit fließt ein Strom zu dem Halbleiterlaserbe­ reich 17, der in Reihe mit dem MISFET-Bereich 18 gebildet ist, durch die Öffnung der trapezförmigen Streifenstruktur 30 der n-Typ GaAs-Stromblockschicht 2, wie durch einen Pfeil 40 in Fig. 2 gezeigt ist. Wenn Löcher konzentriert in die Al _y Ga_{1- y} As-aktive Schicht 4 aus der p-Typ Al _x Ga_{1- x} As- Überzugsschicht 3 injiziert werden und wenn Elektronen kon­ zentriert in die Bereiche benachbart zu der Öffnung der tra­ pezförmigen Streifenstruktur 30 der n-Typ GaAs-Stromblock- Schicht 2 von der n-Typ Al _x Ga_{1- x} As-Überzugsschicht 5 inji­ ziert werden und der fließende Strom höher als der Schwin­ gungsschwellwertstrom I _th gesetzt wird, dann tritt zu diesem Zeitpunkt Laserschwingung in dem Bereich 20, der in Fig. 2 durch eine gestrichelte Linie umkreist wird, auf.

Fig. 4A ist eine graphische Darstellung, die die Betriebs­ charakteristiken des vertikalen MISFET-Bereiches 18 zeigen. Fig. 4A zeigt die Abhängigkeit der Drain-Spannung V _D von dem Drain-Strom I _D in Form einer durchgezogenen Linie, wobei die Gate-Spanung V _G als Parameter genommen ist, und sie zeigt ebenfalls eine Arbeitsgerade, die durch eine gestrichelte Li­ nie dargestellt ist. Aus Vereinfachungsgründen wird inzwi­ schen der Spannungsabfall (der vorwärtsgerichteten Spannung) des Halbleiterlaserbereichs 17 in diesem Fall nicht in Be­ tracht gezogen. Fig. 4B zeigt ein Beispiel der Abhängigkeit der optischen Ausgangsleistung P von dem Strom I in dem Halbleiterlaserbereich 17.

Wenn nun eine Gate-Spannung V ₆ an die Gate-Elektrode 11 an­ gelegt wird, fließt ein Strom I ₁ zu dem MISFET-Bereich 18, der Strom ist durch den Schnittpunkt der Arbeitslinie und der in Fig. 4 gezeigten Drain-Strom-I _D -Drainspannung-V _D - Abhängigkeitskurve bestimmt. Daher kann, wenn der Strom I ₁ fließt, eine Laserschwingungsausgangsleistung P ₁, die dem Strom I ₁ entspricht, bei dem Halbleiterlaserbereich 17 er­ zielt werden, wie es aus Fig. 4B ersichtlich ist. Wenn die Gate-Spannung V _G niedriger gemacht wird als die Spannung V ₃, hört die Laserschwingung auf, wie es aus den Fig. 4A und 4B ersichtlich ist. Wenn weiterhin ein modulierendes Gate- Signal einer beliebigen Wellenform und Frequenz an die Gate- Elektrode 11 angelegt ist, während die Spannung höher als die Spannung V ₃ aufrechterhalten wird, kann ein Laserstrahl erhalten werden, dessen Intensität entsprechend der Varia­ tion des Signales variiert. So kann also die optische Aus­ gangsleistung des Halbleiterlasers moduliert werden.

Obwohl in der obigen Ausführungsform eine Halbleiterlaser­ vorrichtung beschrieben wurde, die aus einer GaAs/AlGaAs- Typ-Laserdiode und einem GaAs-Typ-vertikalen MISFET zusam­ mengesetzt ist, kann natürlich die Erfindung auch auf eine Halbleiterlaservorrichtung angewandt werden, die aus einer InP/InGaAsP-Systemlaserdiode und einem InP-System-senkrech­ ten MISFET zusammengesetzt ist.

Obwohl in der obigen Ausführungsform eine Kombination von einer Laserdiode und einem vertikalen MISFET beschrieben wurde, können eine Mehrzahl von vertikalen MISFETs in hori­ zontaler Richtung zusammengefaßt werden, damit der Treiber­ strom erhöht werden kann, und zusätzlich können eine Mehr­ zahl von Laserdioden in horizontaler Richtung zusammengefaßt werden, damit die optische Ausgangsleistung erhöht wird. Die Erfindung kann nämlich auf eine Halbleiterlaservorrichtung angewandt werden, die aus einer Mehrzahl von Laserdioden und einer Mehrzahl von senkrechten MISFETs besteht.

Obwohl in dem senkrechten MISFET der obigen Ausführungsform der Kanal benachbart zu der geneigten Ebene der V-förmigen streifenartigen Rinne gebildet wurde, kann der Querschnitt der streifenförmigen Rinne auch U-förmig mit einem flachen Bereich am Grunde desselben sein.

Obwohl in der obigen Ausführungsform ein Halbleiterlaser be­ schrieben wurde, der eine auf einem p-Typ-Substrat gebildete, internen Strom zusammenpressende CSP-Struktur hat, kann die Erfindung auch unter Benutzung eines Halbleiterlasers einge­ führt werden, der eine willkürliche Struktur hat und auf einem Substrat von einem willkürlichen Leitungstyp gebildet ist.

Claims (8)

1. Halbleiterlaservorrichtung mit

• 1. einem Halbleiterlaserbereich (17) mit
  • 1.1 einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps,
  • 1.2 einem Halbleiterlaser (2, 3, 4, 5, 30) mit doppelter Heterostruktur, der auf der oberen Oberfläche des Halb­ leitersubstrats (1) gebildet ist,
• 2. einem Feldeffekttransistor-Bereich (18) zum Modulieren der optischen Leistungsabgabe mit
  • 2.1 einer ersten Halbleiterschicht (6) eines zweiten Lei­ tungstyps, der entgegengesetzt zum ersten Leitungstyp ist,
  • 2.2 einer auf der oberen Oberfläche der ersten Halbleiter­ schicht (6) gebildete zweite Halbleiterschicht (7) vom ersten Leitungstyp,
  • 2.3 einer sich in Richtung der Lichtausbreitung erstrecken­ den, streifenförmigen Rinne (31), die von der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgeht und bis in die erste Halb­ leiterschicht (6) hineinreicht,
  • 2.4 einer dünnen isolierenden Schicht (10), die auf der oberen Oberfläche der streifenförmigen Rinne (31) gebildet ist,
  • 2.5 einer Gate-Elektrode,

dadurch gekennzeichnet, daß

• • 2.6 der Feldeffekttransistor-Bereich (18) mit der streifen­ förmigen Rinne (31) und die aktive Zone (20) vertikal auf dem Substrat übereinander angeordnet sind, wobei der Feldeffekttransistor-Bereich (18) eine im wesentlichen senkrecht zum Substrat ausgerichtete Struktur hat,
  • 2.7 auf der oberen Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (7) eine dritte Halbleiterschicht (8) vom zweiten Leitungstyp gebildet ist,
  • 2.8 die Gate-Elektrode auf der oberen Oberfläche der dünnen isolierenden Schicht (10) gebildet ist.

2. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterlaserbereich (17) eine CSP- (channeled substrate planar) Struktur aufweist.

3. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterlaser eine Stromblockierungsschicht (2) vom zweiten Leitungstyp, die auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) vom ersten Leitungstyp gebildet ist,
eine Überzugsschicht (3) vom ersten Leitungstyp, die auf der oberen Oberfläche der Stromblockierungsschicht (2) gebildet ist, eine aktive Schicht (4) vom ersten oder zweiten Leitungs­ typ, die auf der oberen Oberfläche der Überzugsschicht (3) gebildet ist, und
eine Überzugsschicht (5) vom zweiten Leitungstyp, die auf der oberen Oberfläche der aktiven Schicht (4) gebildet ist,
aufweist, wobei eine Streifenstruktur (30) in dem Halbleiter­ substrat (1) vom ersten Leitungstyp und in der Stromblockierungs­ schicht (2) vom zweiten Leitungstyp zur Konzentration des Stromes gebildet ist.

4. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterlaserbereich (17) aus dem System GaAs/AlGaAs und
der vertikale Feldeffekttransistorbereich (18) aus GaAs gebildet ist.

5. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterlaserbereich (17) aus dem System InP/InGaAsP und
der vertikale Feldeffekttransistorbereich (18) aus InP gebildet ist.

6. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenartige Rinne (31) einen V-förmigen Querschnitt aufweist.

7. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenartige Rinne (31) einen U-förmigen Querschnitt mit einem flachen Bereich am Boden derselben aufweist.