DE2943603A1 - Loteinlage - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
- B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
- B23K35/0233—Sheets, foils
- B23K35/0238—Sheets, foils layered
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Description
Loteinlage
Die Loteinlage nach der vorliegenden Erfindung stellt eine Verbesserung der in der US-PS 4 020 987 beschriebenen und
beanspruchten Loteinlage dar und ist u.a. nützlich bei der Herstellung eines hermetisch abgeschlossenen Behälters für
eine Halbleiteranordnung, wie in der US-PS 3 823 468 beschrieben und beansprucht.
Die Loteinlage nach der vorliegenden Erfindung ist von besonderem Nutzen zum hermetischen Abschließen eines Behälters
für eine Halbleiteranordnung wie einen integrierten Schaltkreis, der vor Berührung mit der Umluft geschützt werden muß.
Bei derHerstellung von Halbleiteranordnungen muß der Behälter,
in dem die aktive Halbleiteranordnung sich befindet - gewöhnlich ein Hohlraum in einem Metall- oder Keramikkörper - hermetisch
abgeschlossen werden. Zu diesem Zweck hat man bisher eine metallische Abdeckung und einen Lotring verwendet. Nach
herkömmlicher Praxis befestigt man den Lotring an der Verschlußabdeckung, setzt die resultierende Einheit auf den Behälter
der Halbleiteranordnung auf und erwärmt, um den Lotring mit der Abdeckung und dem Behälter zu verschmelzen, wie
in den US-PSn 3 823 468 und 3 874 549 beschrieben.
Bei diesem Verfahren zur Herstellung hermetisch abgeschlos-
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sener Halbleiter-Baugruppen war es üblich^ eine Loteinlage
aus einer eutektischen Legierung zu verwenden, die im wesentlichen
aus 80 % Gold und 20 % Zinn besteht; diese Einlage hat den Vorzug eines wünsehenswert hohen Schmelzpunktes von
etwa 2800C und einer hohen Zugfestigkeit, so daß Sicherheit
gegen einen Bruch des Gehäuses unter Stoßbelastung oder rauher Behandlung besteht. Während derartige Loteinlagen zur
Zufriedenheit eingesetzt werden, hat der gegenwärtig fortwährend
steigende Goldpreis sie sehr teuer gemacht*
Der in der genannten US-PS 4 020 98 7 beschriebene Lotring enthielt anstelle der eutektischen Gold-2inn-Legierung eine
Blei-Einu-Silber-Legierung, die mit einer oxidationsfesten
Zinn-Silber-Legierung beschichtet ist; diese Loteinlage läßt einen günstigen Vergleich mit der Gold-Zinn-Legierung hinsichtlich
der verhältnismäßig hohen VerschljeStenperatur und
der Zugfestigkeit zu.
Es hat sich jedoch zunehmend ein Bedarf für ein billiges»Lot
für Halbleiter-Saagrappen und andere Anwendungen entwickelt,
bei denen ein Flußmittel nicht eingesetzt werden kann; dieses IjGt soll bei einer erheblich geringeren Temperatur im Bereich
von 205 bis 23515C die Verschließbehandlung ermöglichen.
Es ist daher ein 2iel der vorliegenden Erfindung, eine neue
und verbesserte legierte Lotelnlage zur Verwendung beim hermetischen
Verschiieflen eines Behälters für eine Halbleiteranordnung
anzugeben, die in den Erstellungskosten niedrig wie die der US-PS 4 020 98? ist, aber bei einer erheblich
niedrigeren Temperatur schmilzt, während die verhältnismäßig
hohe Zugfestigkeit der Lotein]aqe aus der eutektischen Gold-Zinn-Legierung
erhalten bleibt.
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Nach der vorliegenden Erfindung besteht eine Loteinlage aus einem verhältnismäßig dicken Element aus einer Legierung aus
58 bis 68 % Zinn und 32 bis 42 % Blei mit der Eigenschaft, aus dem fließfähigen Zustand als homogene Mischung zu verfestigen,
und mit einer verhältnismäßig dünnen Schicht aus einer oxidationsfesten Legierung aus 92 bis 98 % Zinn und 2
bis 8 % Silber auf jeder Oberfläche.
Die Erfindung soll nun unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung mit anderen und weiteren Zielen ausführlich beschrieben
werden; ihr Umfang ist durch die Ansprüche festgelegt.
Fig. 1 ist eine Perspektivdarstellung eines Teils eines Metallbandes, aus dem eine Loteinlage nach der
vorliegenden Erfindung gestanzt werden kann; und
Fig. 2 ist eine Perspektivdarstellung einer Loteinlage nach der vorliegenden Erfindung.
Die Fig. 1 zeigt einen Metall-Verbundstreifen 10 mit einem in
der Mitte befindlichen verhältnismäßig dicken Kern 11 einer Legierung mit der Eigenschaft, daß sie aus dem fließfähigen
Zustand als homogene Mischung verfestigt - beispielsweise aus einer Legierung aus 58 bis 68 % Zinn und 32 bis 42 %
Blei, wobei die bevorzugte Legierung aus 63 % Zinn und 37 % Blei besteht. Auf der Ober- und der Unterseite des Kerns 11
sind verhältnismäßig dünne Beschichtungen 12, 13 aus einer oxidationsfesten Legierung vorgesehen - beispielsweise einer
Legierung aus 92 bis 98 % Zinn und 2 bis 8 % Silber, vorzugsweise aus im wesentlichen 96,5 % Zinn und 3,5 % Silber. Die
Beschichtungen 12, 13 können auf den Kern 11 durch Kaschieren,
galvanischeoder gleichwertige Verfahren aufgebracht werden.
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dem Band 10 kann eine Reihe von Loteinlagen beliebiger Gestalt ausgestanzt werden - beispielsweise der in Fig. 1
gestrichelt gezeigte Ring. Der in Fig. 2 gezeigte resultierende gestanzte Loteinlagering 14 weist innen einen verhältnismäßig
dicken flachen Ring 15 sowie oben und unten je eine Beschichtung 16 bzw. 17 auf.
Wie bereits erwähnt, ist es die Aufgabe der Zinn-Silber-Beschichtung
16, 17 auf den Oberflächen des Bleikerns bzw. -rings 15* eine Oxidation zu verhindern^ Ohne diese Beschichtung
oxidiert der Bleilegierungskern sehr leicht und die offenliegende oxidierte Oberfläche würde das Benetzen der Meta
I !abdeckung und des Dichtrings des Halbleiterbehälters
durch das Lot verhindern. Flußmittel, die das Oxid lösen» lassen sich hier nicht verwenden, da sie den iTmenrausi des
HaJhlolterbohälters verschmutzen und die Funktion der Halbleiteranordnung
im Behälter bee inträchtigen.
Das Dickenverhältnis vom Ring 15 zu den Beschichtungen*16,
17 beträgt etwa 18:1. In einer Ausführungsforin der Erfindung hat der Ring 15 eine Dicke im Bereich von 0,05 mm ίΟ,ΟΟΙβ in,)
und jede der Schichten 16, 17 eine solche im Bereich von 2,5 \xm
i 0,0001 in.K
Beim hensetisehen Absehiiefien eines Halbleiterbehälters rait
einera Deckel schmilzt der Lotring \4, benetzt die Abdeckung
und die Oberfläche des Dichtrings eines Halbieiterbehältersj
dabei legieren sich die Außenteile der Zinn-Silber-Schichten 16, 17 mit dem Kern 15 aus der Bleilegierung, Weiterhin legieren
die Zinn-Silber-Schichten 16, 17 sich rait der Metallbeschiehfrüivq
(gewöhnlich aas flala, Silber oder Zinn) auf der
Abdeckung wiä dem Dichtring des Behälters.
Die Zinn-Blei-Legierung des Sings 15 ist ein übliches eutektisches
Leg ierxmg slot, Ais Lot allein verwendet erfordert
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29A3603
es jedoch ein Flußmittel, um das sich an der Oberfläche bildende Bleioxid zu lösen. Die oxidationsfesten Zinn-Silber-Schichten
16, 17 eliminieren diese Notwendigkeit eines Flußmittels, so daß die Loteinlage sich auch zum Verschließen von
Halbleiter-Baugruppen eignet, bei denen kein Flußmittel verwendet werden darf.
Der oben beschriebene Lotring erlaubt eine Verschließtemperatur im Bereich von 205 bis 235°C; die optimale Löttemperatur
liegt bei 216°C. Nach dem Beenden des Lotvorgangs hat
die Lotschmelze eine Gleichgewichtszusammensetzung vorzugsweise aus 64,2 % Zinn, 35,6 % Blei und 0,2 % Silber. Während,
wie angegeben, die Verschließtemperatur der Loteinlage im Bereich von 205 - 235°C liegt, beträgt die tatsächliche Schmelztemperatur
des Legierungsrings 15 in der bevorzugten Zusammensetzung von 63 % Zinn und 37 % Blei etwa 183°C. Es hat
sich in der Produktionspraxis jedoch ergeben, daß man ein optimales Verschließverhalten erhält, wenn man das Lot während
des Schließvorgangs etwa 20 bis 600C über den Schmelzpunkt
des Lots erwärmt.
Zusätzlich zu der niedrigeren Verschließtemperatur der oben beschriebenen
Loteinlage hat diese den Vorteil einer erheblich höheren Zugfestigkeit im Bereich von 0,5 χ 103 kg/cm2 (7,5 χ
103 lbs./sq.in.). Dieser Wert hält die Wahrscheinlichkeit gering,
daß die extrem dünne Loteinlage bei der Handhabung und beim Zusammensetzen der Verschlußabdeckung mit dem Lotring
und dem Behälter beim Verschließen des Behälters reißt.
Die Erfindung ist oben speziell an einer vorgeformten Loteinlage zum Verschließen einer Halbleiterbaugruppe beschrieben.
Sie hatweitere Anwendungen in der Form durchgehender Scheibchen oder anderer flacher Plättchen zum Verlöten von Gegenständen
- beispielsweise zum Befestigen eines Halbleiterchips
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auf einem Gehäusesockel, zum Anlöten eines Kühlkörpers an ein metallisiertes Kermaiksubstrat, zum Befestigen
eines metallisierten Glaselements an einem Tragelement axis Metall usw.
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Claims (7)
- 791 Weaver Street, Larchmont, Westchester, New York 10538 V.St.A.Patentansprüche. Loteinlage, gekennzeichnet durch ein verhältnismäßig dickes flaches Element aus einer Legierung, die aus 58 bis 68% Zinn v.nd 32 bis 42 % Blei besteht und aus dem fließfähigen Zustand als homogene Mischung verfestigt, und durch eine verhältnismäßig dünne Beschichtung aus einer oxidationsfesten Legierung aus 92 % bis 98 % Zinn und 2 bis 8 % Silber auf beiden Seiten des Elements.
- 2. Loteinlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Element aus einer Legierung aus im wesentlichen 63 % Zinn und 37 % Blei besteht.
- 3. Loteinlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtungslegierung aus im wesentlichen 96,5 % Zinn und 3,5 % Silber besteht.030022/0584ORIGINAL INSPECTED
- 4. Loteinlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daS das Verhältnis der Dicke des Elements zur Dicke der Legierungsschichten etwa 18:1 beträgt.
- 5. Loteinlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Elements iss Bereich von G, 05 ram iO*OO18 in.) und die der Legierungsschicht jeweils im Bereich von 2,5 μΐη (0,0001 in.) liegt.
- 6. Loteinlage nach Anspruch 1f dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungsschicht auf das Element aufkaschiert 1st.
- 7. Lofceinlaqe nach Anspruch 1, zum hermetisch dichten Aufbringen und Verschlieflen eines Deckels auf einen Sehälter
für eine Halbleiterbaugruppe, wobei das flache Legierungs- «leraeat in Forrs eines Dichtrings vorliegt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US96436578A | 1978-11-28 | 1978-11-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2943603A1 true DE2943603A1 (de) | 1980-05-29 |
DE2943603C2 DE2943603C2 (de) | 1982-05-19 |
Family
ID=25508461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2943603A Expired DE2943603C2 (de) | 1978-11-28 | 1979-10-29 | Loteinlage und deren Verwendung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5573497A (de) |
CA (1) | CA1099994A (de) |
DE (1) | DE2943603C2 (de) |
FR (1) | FR2442690A1 (de) |
GB (1) | GB2036794A (de) |
IT (1) | IT1126816B (de) |
NL (1) | NL180811C (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2178683A (en) * | 1985-07-11 | 1987-02-18 | Nat Semiconductor Corp | Improved semiconductor die-attach method and product |
GB8817192D0 (en) * | 1988-07-19 | 1988-08-24 | Raychem Pontoise Sa | Solder & connection device incorporating solder |
GB8903311D0 (en) * | 1989-02-14 | 1989-04-05 | Raychem Pontoise Sa | Composite solder article |
US5881945A (en) * | 1997-04-30 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Multi-layer solder seal band for semiconductor substrates and process |
KR19990029741A (ko) | 1997-09-29 | 1999-04-26 | 갈라스 윌리엄 이 | 금 도금되는 땜납 재료와 땜납을 이용하여 플럭스 없이 납땜하는 방법 |
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- 1979-10-19 IT IT50617/79A patent/IT1126816B/it active
- 1979-10-29 FR FR7926776A patent/FR2442690A1/fr active Granted
- 1979-10-29 DE DE2943603A patent/DE2943603C2/de not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2442690A1 (fr) | 1980-06-27 |
IT7950617A0 (it) | 1979-10-19 |
NL180811C (nl) | 1987-05-04 |
NL180811B (nl) | 1986-12-01 |
FR2442690B1 (de) | 1984-04-27 |
IT1126816B (it) | 1986-05-21 |
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NL7907537A (nl) | 1980-05-30 |
CA1099994A (en) | 1981-04-28 |
GB2036794A (en) | 1980-07-02 |
DE2943603C2 (de) | 1982-05-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ALLIED CORP., MORRIS TOWNSHIP, N.J., US |
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8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: RUSCHKE, O., DIPL.-ING., 1000 BERLIN RUSCHKE, H., DIPL.-ING. ROST, J., DIPL.-ING. ROTTER, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
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8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: HASCOE, NORMAN, LARCHMONT, WESTCHESTER, N.Y., US |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |