DE2942585A1 - Leistungs-halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
BROWN,BOVERI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT
Mannheim 19. Okt. 1979
Mp.-Nr. 414/78 ZFE/P3-Bi/Bt
Die Erfindung betrifft ein Leistungs-Halbleiterbauelement,
dessen aktives Element zwischen zwei Metallscheiben angeordnet ist und mit Druck kontaktiert wird, wobei zwischen
den beiden Metallscheiben ein isolierender Dichtring angeordnet ist, die beiden Metallscheiben je einen ringförmigen
Vorsprung besitzen und durch ein elastisches Kunststofftsil
zusammengepreßt sind.
Es ist bekannt, die Halbleiterelemente, die sehr große
Leistungen schalten müssen, in einem Gehäuse zwischen zwei Kupferscheiben einzubauen, die als Anode und Kathode dienen.
Diese Kupferscheiben ermöglichen einerseits die Zuführung
des Stroms und andererseits die Abführung der Verlustwärme, die während des Betriebs des Bauelements auftritt.
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Da die Spannungen, die an das Halbleiterbauelement angelegt werden, sehr hoch sein können, sind die beiden Elektroden
durch einen Keramikisolator miteinander verbunden. Handelt es sich dabei um einen Thyristor, so enthält der Isolator
einen metallischen Einsatz, der die Herausführung der Steuerelektrode
ermöglicht.
Eine der Kupferscheiben, gewöhnlich die Anode, und der isolator
sind über ein Zwischenstück miteinander verbunden, welches eine geringfügige Verschiebung des einen Teils
gegenüber dem anderen ermöglicht; das andere Ende des Isolators weist einen ringförmigen Flansch auf. Das Ganze bildet
das Gehäuse, in dem das aktive Element untergebracht wird.
Die zweite Kupferscheibe, gewöhnlich die Kathode, ist mit
einem ringförmigen Flansch versehen, der aus dem selben Material besteht und den selben Durchmesser aufweist wie
der mit dem Isolator verbundene Flansch.
Die zweite Kupferscheibe berührt die Kathodenseite des aktiven
Elementes, sobald sich die mit der Kupferscheibe bzw. dem Isolator verbundenen Flansche berühren. Die beiden
Flansche dienen dazu, eine elastische Verbindung zwischen , dem Isolator und der Kathode zu erzeugen, indem sie kalt
oder mittels Lichtbogen miteinander verschweißt werden; sie dienen ferner dazu, das aktive Element von der umgebenden
Atmosphäre zu isolieren. Das Ganze muß deshalb dicht sein.
Falls es sich um einen Thyristor, handelt, muß die Steuerelektrode
herausgeführt werden. Hierzu dient im allgemeinen ein Draht, der in ein Rohr, welches durch den Isolator hindurchgeführt
ist, gelötet, gefaßt oder einfach geklemmt ist und der mittels Druck oder mittels Lötung mit der Steuerelektrodenfläche
des aktiven Elementes kontaktiert ist.
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Das Ganze wird zusammengepreßt, um einen guten Kontakt zwischen dem aktiven Element und den Kupferscheiben für Anode
und Kathode sowie der Steuerelektrode, falls diese nicht mit dem aktiven Element verlötet ist, herzustellen.
Ein derartiges Bauelement besitzt mehrere Nachteile; der Herstellungspreis für die Einzelteile, aus denen das Element
aufgebaut wird, ist hoch; außerdem ist die Montage schwierig, wodurch einmal die Montagekosten anwachsen und mögliche
Fehlerquellen entstehen.
Aus der DE-OS 21 18 356 ist ein scheibenförmiges Halbleiterbauelement
bekannt, dessen Gehäuse aus zwei starren, einen Rand aufweisenden Deckplatten und einem mit diesen dicht
verbundenen Isolierring besteht, wobei die Deckplatten in der Nahe des Randes mindestens je einen der anderen Deckplatte
zugewandten Ringbuckel aufweisen, wobei ferner der Isolierring aus elastischem Material besteht, auf dessen
Ober- und Unterseite die Ringbuckel aufliegen und wobei ferner Mittel vorgesehen sind, die die Deckplatten gegeneinander
pressen, wobei die Ringbuckel sich in den Isolierring eindrücken.
Die beiden Deckplatten werden durch federnde Krallen zusammengehalten,
die den umlaufenden Rand der Deckplatten federnd umfassen.
Alternative Mittel zur Halterung der beiden Deckplatten sind ein Schrumpfschlauch oder zwei miteinander verschraubte
Schraubkappen.
Diese bekannten Lösungen besitzen folgende Nachteile. Bei Verwendung
von Krallen oder Schrumpfschlauch können nicht die nach den einschlägigen Bestimmungen VDE 110 und VDE 160 vorgeschriebenen
Luft- und Kriechstrecken eingehalten werden,
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da die Außenseite nicht entsprechend geformt, z.B. mit umlaufenden
Rippen versehen werden kann. Auch ist die Herstellung des Isolierrings mit den einstückig angeformten Krallen
teuer.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungs-Halbleiterbauelement anzugeben, bei dem die beschriebenen
Nachteile durch eine Verringerung der Materialkosten und durch eine Vereinfachung der Montage beseitigt
sind.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das Kunststoffteil
als ringförmiger Isolator mit einem etwa U-förmigen Querschnitt mit radial nach innen gerichteten Lippen ausgebildet
ist und daß die Lippen des Isolators allseitig über die Vorsprünge greifen und den Innenraum zwischen den Metallscheiben
ringsum abdichten.
Damit ergeben sich die Vorteile, daß der Innenraum, indem sich das aktive Element befindet, gegenüber der äußeren Atmosphäre
wesentlich hermetischer abgeschlossen ist, da dar Isolator nicht nur als Halteorgan, sondern gleichzeitig auch
als Dichtung wirkt. Außerdem können die vorbeschriebenen Luft- und Kriechstrecken bei einem umlaufenden ringförmigen
Isolator besser eingehalten werden, insbesondere dann, wenn vorzugsweise die Außenseite des Isolators, der aus einem
Material mit ausreichender mechanischer Festigkeit bestent, mit umlaufenden Rippen versehen ist.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung besteht der Isolator
aus faserverstärktem Polytetrafluoräthylen, d.h. aus
einem Kunststoffmaterial mit ausreichender mechanischer und thermischer Beständigkeit. Dank einer gewissen Elastizität
kann er über die Vorsprünge der Metallscheiben geschoben werden, so daß das aktive Element in seiner Position
zwischen den beiden Metallscheiben gehalten wird.
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Zur Verbesserung der Dichtheit des Gehäuses kann zusätzlich zwischen den beiden Metallscheiben ein O-Ring, der vorzugsweise
aus Silikonkautschuk besteht, eingelegt sein. Derartige O-Ringe sind handelsüblich. Dieser O-Ring kann auch
dazu dienen, das aktive Element während der Montage in seiner Position zu fixieren.
Gemäß einer Weiterbildung kann zur Zentrierung des aktiven Elements jedoch auch ein zusätzlicher Ring aus Isoliermaterial
vorgesehen sein, beispielsweise ein Abschnitt von einem Kunststoffschlauch.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist im Falle eines Thyristors ein Steuerelektrodenanschluß isoliert durch eine
der beiden Metallscheiben, im allgemeinen durch die Kathodenscheibe, geführt.
Damit ergeben sich die Vorteile, daß der gesamte Aufbau, der
eine Leistungsdiode oder einen Leistungsthyristor bildet, eine gute mechanische Festigkeit besitzt, dicht ist und
billiger hergestellt werden kann, da nur einfach geformte, teilweise handelsübliche Kunststoffteile verwendet werden
und die Montage einfach durchführbar ist.
Die Figur zeigt als Ausführungsbeispiel einen Querschnitt durch einen Thyristor, der entsprechend der Erfindung aufgebaut
ist. Außerdem wird anhand der Figur das Montageverfahren beschrieben.
Man erkennt eine Kathodenscheibe 3, in die ein Metallstift als Steuerelektrodenanschluß und eine Isolierhülle 6 eingepreßt
sind. Die Isolierhülle 6 kann aus Polytetrafluorä'thylen
bestehen. Der Stift 7, die isolierende Hülle 6 und die Bohrung in der Kathodenscheibe 3 sind so geformt, daß sich
der Stift 7 nicht bewegen kann.
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Zunächst wird ein Isolator 10 aus Kunststoff angebracht, der einen U-förmigen Querschnitt mit zwei radial nach innen
gerichteten Lippen 11, 13 besitzt. Er besteht vorzugsweise aus faserverstärktem Polytetrafluoräthylen oder einem anderen
Kunststoffmaterial, welches eine ausreichende mechanische Festigkeit besitzt, und so weit verformbar ist, so
daß die Lippe 13 des Isolators 10, deren innerer Durchmesser etwas geringer ist als der äußere Durchmesser eines Vorsprungs
14 an der Kathodenscheibe 3, über den genannten Vorsprung 14 gleitet und sich dann in der Lage befindet,
die in der Figur dargestellt ist. An der Außenseite des Isolators 10 sind Rippen 15 angeformt zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit.
Anschließend wird eine Spiralfeder 4, die von einer Isolierscheibe
5 zentriert wird, so eingesetzt, daß die Feder mit dem Steuerstift 7 Kontakt hat. Schließlich wird das
aktive Element 1 mit seiner Kathodenseite nach unten montiert, wobei durch einen Isolierring 8 zentriert wird.
Jetzt wird ein O-Ring 9, der vorzugsweise aus Silikonkautschuk
besteht, auf die Kathodenscheibe 3 gelegt.
Die Anodenscheibe 2 wird montiert, indem durch einen ausreichend großen Druck der Vorsprung 12 des Anodenblocks
über die Lippe 11 des Isolators 10 gleitet, wobei der äußere Durchmesser des Vorsprungs 12 größer ist als der innere
Durchmesser der Lippe 11 des Isolators 10.
Die Abmessungen sind so, daß der Isolator 10 die Anodenscheibe 2 und die Kathodenscheibe 3 sowie die Feder 4 mit
dem aktiven Thyristorelement 1 in Kontakt bringt und gleichzeitig den O-Ring 9 zusammenpreßt.
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COPY
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Es ist von Interesse, daß die Kathodenscheibe mit dem eingesetzten
Steuerelektrodenstift getrennt vorbereitet werden kann, wodurch die Montage vereinfacht wird.
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Claims (1)
- Mp.-Nr. 414/78 19. Okt. 1979ZFE/P3-Bi/BtAnsprüche1. Leistungs-Halbleiterbauelement, dessen aktives Element zwischen zwei Metallscheiben angeordnet ist und mit Druck kontaktiert wird, wobei zwischen den beiden Metallscheiben ein isolierender Dichtring angeordnet ist, die beiden Metallscheiben je einen ringförmigen Vorsprung besitzen und durch ein elastisches Kunststoffteil zusammengepreßt sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffteil als ringförmiger Isolator (10) mit einem etwa U-förmigen Querschnitt mit radial nach innen gerichteten Lippen (11, 13) ausgebildet ist, und daß die Lippen (11, 13) des Isolators (10) allseitig über die Vorsprünge (12, 14) greifen und den Innenraum zwischen den Metallscheiben (2, 3) ringsum abdichten.2. Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolator (10) aus faserverstärktem Polytetrafluoräthylen besteht.3. Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Metal L-scheiben (2, 3) ein O-Ring (9) eingelegt ist.5. Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der O-Ring aus Silikonkautschuk besteht.6. Leistungs-Halbleiterbauelement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ring(8) aus Isoliermaterial zur Zentrierung des aktiven Elementes (1) vorgesehen.ist.030019/0745ORIGINAL INSPECTiQ414/78 - 2 - 19. 10. 19796. Leistungs-Halbleiterbauelement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen des Isolators (10) gerippt sind.7. Leistungs-Halbleiterbauelement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuerelektrodenanschluß (7) isoliert durch eine der beiden Metallscheiben (3) geführt ist.030019/0745
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2942585A1 true DE2942585A1 (de) | 1980-05-08 |
Family
ID=9214030
Family Applications (1)
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DE19792942585 Withdrawn DE2942585A1 (de) | 1978-10-23 | 1979-10-22 | Leistungs-halbleiterbauelement |
Country Status (2)
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1978
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