DE3143335A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE3143335A1
DE3143335A1 DE19813143335 DE3143335A DE3143335A1 DE 3143335 A1 DE3143335 A1 DE 3143335A1 DE 19813143335 DE19813143335 DE 19813143335 DE 3143335 A DE3143335 A DE 3143335A DE 3143335 A1 DE3143335 A1 DE 3143335A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
semiconductor device
insulating body
contact elements
stack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19813143335
Other languages
English (en)
Inventor
Winfried Ing.(Grad.) 8542 Roth Schierz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau U Elektronik Mbh 8500 Nuernberg
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau U Elektronik Mbh 8500 Nuernberg, Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau U Elektronik Mbh 8500 Nuernberg
Priority to DE19813143335 priority Critical patent/DE3143335A1/de
Publication of DE3143335A1 publication Critical patent/DE3143335A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

  • HALBLEITERVORRICHTUNG
  • Die ltrfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, bei der ein großflächiger Halbleiterkörper austauschbar mit Kontaktbauteilen kontaktiert und in einem teilweise von den Kontaktbauteilen gebildeten, im wesentlichen scheibenförmigen Hohlraum dicht eingeschlossen ist.
  • halbleitervorrichtungen hoher Strombelastbarkeit, speziell im Bereich von einigen hundert bis über tausend Ampere, sind bevorzugt in sogenannter Scheibenzellenhauweise ausgeführt, um durch Ableitung der Verlustwärme nach beiden Kontakt seiten des Halbleiterkörpers das thermische Betriebsverhalten zu optimieren.
  • Jede Scheibenzelle ist zwischen gegenseitig elektrisch isoliert angeordneten Kühlkörpern fest eingespannt und mit vorgebbarem Druck kontaktiert.
  • Solche Scheibenzellen erfordern einen beträchtlichen Material- und Verfahrensaufwand. Beim Einbau von wenigstens zwei Zellen zwischen Kontaktelementen, das sind Kithlkörper oder Stromleiter-Bauteile, in einer Ebene ist wegen unvermeidbaren, aber unerwünschten Bauhöhentoleranzen sowie wegen mangelnder Planparallelität der Kontaktflächen jeder Zelle ein besonderer Sortieraufwand notwendig. Weiter ist bei Ausfall e Lner Zelle dieselbe zwar austauschbar, aber mit dem unbrauchbaren Halbleiterkörper ist auch das teuere Gehäuse zu verwerfen.
  • Zur Vermeidung dieser Nachteile sind ilalbieitervorrichtungen bekannt geworden, bei denen anstelle des Keramikrings ein Kuststoffkörpervorgesehen ist, in welchem aus Halbleiterkörper, Kontaktstücken und an diesen anliegenden, stempelförmigen Druckstücken ein Stapel gebildet ist, der mit Hilfe von radial gegen die Innenmantelfläche des besonders ausgebildeten Kunststoffkörpers wirkenden Dichtungsringen dicht eingeschlossen ist. Dieser kostengiinstiaere, z.D. aus der ])E-OS 30 05 313 bekannte Aufbau erfordert jedoch Bauteile mit besonderer Formgebung und beim Zusammenbau verhindern die radial wirkenden Dichtungsringe ein einfaches Stapeln. Außerdem wird die Verlustwärme überwiegend nur nach einer Seite der Konstruktion abgeleitet.
  • Weiter ist aus der DS-QS 27 19 400 eine scheibenförmige Halbleiterzelle bekannt, bei welcher der Halbleiterkörper mit seinen Kontaktstücken im Stapel zwischen besonderen Druckstücken angeordnet ist, die ihrerseits mit einem zylindrischen Ring ein Gehäuse bilden und mit Hilfe von zwischen den ])ruckstücken radial wirkenden, aus einem Kleber bestehenden Dichtungsringen innerhalb des zylindrischen Ringes fest gehalten sind. Derartige Vorrichtungen stellen zwar wirtschaftlichere Scheibenzellen dar, lassen aber hinsichtlich Bauhöhentoleranz, Planparallelität und Austauschbarkeit die vorgenannten Nachteile erkennen.
  • Schließlich ist aus der DE-OS 2825 682 ein Halbleiterbauelement mit Isoliergehällse bekannt, bei dem ein scheibenförmiger Halbleiterkörper über angrenzende, napfförmige Elektroden und über in dieselben eingelegte Xontaktronden aus Molybdän an jeder Seite mit einem druckkontaktkörper kontaktiert ist, der an seiner Mantelfläche eine nutenförmige Vertiefung zur Aufnahme eines radial regen einen ringfdrmigen Gehäusekörper wirkenden Dichtungsringes aufweist. Derartige Vorrichtungen zeigen schen aufgrung ihrer Vielzahl von Einzelteilen jeweils einen erheblichen Material- und Vcrahrensaijfwand.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe Zugrunde, einen Allfbau für Halbleitervorrichtungen sehr hoher Strombelastbarkeit anzugeben, der gegenüber dem Bekannten hinsichtlich der verwendeten Teile und deren Zusammenbau wesentlich kostengünstiger ist, keinen Sortieraufwand bei gemeinsamer Kontaktierung von zwei oder mehr Vorrichtungen erfordert und bei dem alle Teile austauschbar sind.
  • die Lösung der Aufgabe besteht bei einer Halbleitervorrichtung der eingangs erwähnten Art darin, dnn ein aus Halbleiterkörper und beidseitig je einem Kontaktstück bestehender Stapel mit seinen Kontakt flächen zwischen zwei Kontaktelementen großer Flächenausdehnung angeordnet ist, daß der Hohlraum zur Aufnahme des Stapels aus den beiden Kontaktelementen und aus einem zwischen denselben liegenden Isolierstoffkörper gebildet und mit Hilfe von Dichtungsmitteln an den zur gegenseitigen Verbindung dienenden Flächen der Kontaktelemente und des Isolierstoffkörpers dicht verschlossen ist, und daß die Kontaktstücke und die den Hohlraum bildenden flauteile wahlweise an gegenüberligenden Flächen Ausbildungen zur gegenseitigen lagebestimmten Zuordnung sämtlicher Bauteile aufweisen.
  • Als Kontaktelemente großer Flächenausdehnung können bandförmige Stromleiterteile oder aber Kühlbauteile vorgesehen sein.
  • Als Dichtungsmittel dienen Dichtungsringe oder Flachdichtungen.
  • Zur Anordnung eines Dichtungsmittels, vorzugsweise zur Aufnahme eines Dichtungsringes zwischen den entsprechenden Flächen von Isolierstoffkörper und Kontaktelementen ist insbesondere der Isolierstoffkörper an jeder Anschlußseite mit einer Vertiefung versehen.
  • Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des Gegenstandes der Erfindung ist ein ringförmiger Isolierstoffkörper vorgesehen, der wenigstens an einer Stirnseite eine Ausbildung aufweist, die zur gegenseitigen lagebestimmten Anordnung in eine angepaßte Ausbildung des zugeordneten Kontaktelements eingreift.
  • Die mit dem Halbleiterkörper einen Stapel bildenden Kontaktstücke können angrenzend an das jeweilige Kontaktelement einen Abschnitt gröflerer Querschnittsfläche zur konzentrischen Führung des Isolierstoffkörpers aufweisen.
  • Andererseits kann zur konzentrischen Führung des Stapels der Isolierstoffkörper an der Innenrandzone wenigstens einer Stirnfläche einen in sich geschlossenen oder mehrere zum Zentrum spiegelbildliche Ansätze aufweisen.
  • Anstelle eines ringförmigen Isolierstoffkörpers kann ein plattenförmiger Isolierstoffkörper vorgesehen sein, der mit einer durchgehenden Öfnung zur Aufnahme des Stapels versehen ist und außerdem Durchbohrungen enthält, die mit solchen in den Kontaktelementen übereinstimmen und zur lagebestimmten gegenseitigen Zuordnung mit @llfe von durchgeheden Bolzen dienen.
  • Die gegenseitige Fixierung der Kontaktelemente und des Isolierstoffkörpers kann auch dadurch erreicht werden, daß der plattenförmige Isolierstoffkörper an wenigstens einer Seite Vertiefungen zum Eingriff von angepaßten Ausbildungen des angrenzenden Kontakte.lements enthielt.
  • Weiterhin ist eine solche gegenseitige Fixierung dadurch erzielbar, daß der Isoliersto ffkörper und wenigs tens eines der Kontaktelemente an den gegenüber liegenden Flächen übereinstimmende Einbuchtungen zur beiderseitigen Aufnahme eines Zentrierringes aufwels en.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung des Gegenstandes der Erfindung besteht darin, daß die am Halbleiterkörper anliegenden Kontaktstücke jeweils Teil des angrenzenden Kontaktelements sind.
  • Anhand der in den Figuren 1 bis 4 dargestellten Ausführungsbeispiele wird der Gegenstand der Erfindung aufgezeigt und erläutert. Die Figuren stellen sämtlich im Querschnitt die Unterbringting des aus Halbleiterkörper und Kontaktstücken bestehenden Stapels in dem zwischen den Kontaktelementen gebildeten Hohlraum dar mit unterschiedlicher Formgebung der Bauteile zu ihrer gegenseitigen Fixierung. Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
  • Gemäß Figur 1 ist ein scheibenförmiger Halbleiterkörper 1 großflächig im Stapel zwischen zwei im wesentlichen plattenförmigen Kontaktstücken 11,12 angeordnet. Dieser Stapel ist in einem aus den Kontaktelementen 13,14 und dem zwischenliegenden, ringförmigen Isolierstoffkörper 16 gebildeten, scheibenförmigen Hohlraum untergebracht. Die Kontaktstücke 11,12 weisen in dem an das jeweilige Kontaktelement 13, bzw. 14 angrenzenden Bereich der Mantelfläche je einen flanschförmigen Ansatz 11a bzw. 12a zur konzentrischen Fübrung des Isolierstoffk0rpers 16 auf. Die achsiale Bemessung des Ansatzes richtet sich nach der geforderten Spannungsüberschlagsfestigkeit zwischen den Kontaktstücken 11,12. Die Ausladung des Ansatzes soll eihen Schutz des halbleiterkörpers 1 gegenüber dem Isolierstoffkörper 16 bei Lageänderungen durch thermische Dehnung beim einsatz sicherstellen. Bedarfsweise und zur zusätzlichen Abdeckung kann noch ein Schutzring 18 angebracht sein. Das Kontaktstück 11 weist an der unteren Auflagefläche eine zentrale Vertiefling 11b auf, die mit einer entsprechenden (13b) im Kontaktelement 13 übereinstimmt und zur Aufnahme eines Zentrierstiftes 15 für die Basisfixierung des Aufbaus dient.
  • Der Isolierstoffkörper 16 ist an jeder Stirnseite mit einer beispielsweise nutenförmigen Vertiefung 16a zur Aufnahme eines Dichtungsringes 17 versehen.
  • Im druckkontalit ierten Zustand des Aufbaus liegen die vorbehandelten Kontaktflächen der Kontaktelemente 13,14 und der Kontaktstücke 11,12' jeweils gegenseitig plan und fest an. Über das fixierte Kontaktstück 13 ist der Isolierstoffkörper 16 und Über diesen das obere Kontaktstück 12 in konzentrischer Zuordnung gegen Seitenbewegungen fixiert. Die flauhöhe des Isolierstoffkörpers 16 ist so bemessen, daß bei kontaktiertem Halbleiterkörper 1 die zllm dichten Verschluß des Hohlraums angebrachten Dichtungsringe 17 deformiert an den J)ichtungsflächen anliegen.
  • Als Kontaktelemente 13,14 können gleichzeitig zur Stromleitung dienende, z.B. mit Kühlmittelkanälen versehene Kühlbauteile oder nbcr z. 13. schienenförmige Stromleiterteile vorgesehen sein. Beide Arten von Kontaktelementen bestehen vorzugsweise aus Kupfer.
  • Der Isolierstoffkörper 16 besteht aus in der Halbleitertechnik verwendbarem Kunststoff. Die Verbindung sämtlicher Bauteile zu dem dargestellten Aufbau kann vorteilhaft durch eine nicht gezeigte Druckkontaktvorrichtung mit Spannbolzen, Druckplatten und Tellerfedern hergestellt sein, wobei dann die Kontaktelemente Durchbohrungen für die Durchführung der Spannbolzen aufweisen können.
  • Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung alle Bauteile und iiire gegenseitige Zuordnung ist eine besonders einfache Ünterbringung eines großflächigen Halbleiterkörpers und ein überraschend kostengünstiger Zusammenbau sämtlicher Teile erzielbar.
  • Bei einer ausführungsform nach Figur 2 sind das untere Kontaktstück 11 mit Zentrierstift sowie der Isolierstoffkörper 16 in gleicher Ausgestaltung wie gemäß Figur 1 vorgesehen. Der Halbleiterköper 1 ist an der zu schëtzenden Ranszone mit einer ausladenden Isolierstoffabdeckung 21 versehen, die gleichzeitig zur Lagefixierung des halbleiterkörpers 1 bezüglich des Kontaktstücks 11 beim Zusammenbau dienen kann.
  • Gemäß der Darstellung ist ein Halbleiterkörper 2 mit Steuereleictrode vorgesehen, dessen zentral angeordnete Steuerelektrode 29 mit einem Stromleiter kontaktiert ist, der in einer achsialen Durchbohrung 22a des Kontaktstücks 22 und in einer in der entsprechenden und bereinstimmenden äußeren Durehbohrung 24b eingepaßten Durchführung 25 geführt ist. Dabei ist das Kontaktstück 22 mit Hilfe einer die Durchbohrung 22a am oberen Ende umgebenden Vertiefung 22b, in welche ein Ansatz der Durchführung 25 eingreift, gemeinsam mit dem Kontaktelement 24 lagebestimmt fixiert.
  • Bei einen anderen Ausführungsbeispiel nach Figur 3 ist der Halbleiterkörper 2 zwischen einem unteren, beispielswise zylindrischen Kontaktsttjck 31 und einem für die Kontaktierung dor zentralen Steuerelektrode vorgesehenen, der darstellung in Figur 2 entsprec-henden oberen Kontaktstück 22 angeordnet. Die gegenseitiefe Fixierung der den Hohlraunt bildenden Teile sowie die feste räumliche Zuordnung des Stapels wird durch besondere Ausbildung des Isolierstoffkörpers 36 erreicht. Er weist einen achsialen Abschnitt mit je einer Vertiefung 36a an beiden Stirnseiten für die Aufnahme eines Dichtungsringes 17 sowie, ebenfalls auf beiden Stirnseiten, einen an die Außenmantelfläche angrenzenden Fortsatz 36c auf, der in kontaktiertem Zustand des Aufbaus in entsprechende Vertierungen 33c bzw. 34c der Kontaktelemente 33 bzw. 3@ eingreift. Ferner ist der lsolierstoffkörper 36 noch mit einer flanschförmigen Ailsladung 36b an seiner Innenmantelfläche im Bereich des Kontakt stücks 33 versehen, die mit entsprechender Bemessung zur Zentrierung des Kontalctstüclcs 33 dient. Der Halbleiterkörper kann wieder eine profilierte Schutzabdeckung 21 tragen.
  • Schließlich zeigt Figur 4 eine besonders vorteilhafte Weiterbildung des Gegenstandes der Erfindung, bei der die Kontaktstücke beiderseits des Halbleiterkörpers 46 die Formagebung gemäß der- Darstellitng in Figur 1 aufweisen, jedoch jeweils Teil (43e, 44e) der Kontaktelemente 43,1i sind. Der Aufbaut besteht dann nur noch aus den Kontaktelementen, dem Isolierstoffkörper 46 und aus dem unmittelbar zwischen den besonders ausgebildeten Kontaktflächen der Kontaktstücke 43,44 beidseitig anliegenden halbleiterkörper 1.
  • Der plattenförmige Isolierstoffkörper 46 weist eine durchgehende, angepaßte Öffnung 4tib zum Eingriff der Kontaktansätze 43e, 44e der Kontaktelemente auf.
  • An seinen beiden Anschlußseiten ist der Isolierstoffkörper 46 mit je einer Vertiefung 46a zur Aufnahme eines Dichtungsringes 17 und daneben mit je einer einbuchtung litvd versehen, die mit einer entsprechend bemessenen, gegenüberliegenden Einbuchtung 44d bzw.
  • 43d der iCon taktolemente übereinstimmt und zur gemeinsamen Aufnahme eines Zentrierringes 49 zur gegenseitigen lagebestimmten Anordnung der den Hohlraum bildenden bauteile dient.
  • Der IsoZiarst offkiirper 4(; ist t vorteilhaft mit zusätzlichen Durchbohrungen zum gemeinsamen Aufreihen mit den Kontaktelementen 43,44 auf Spannbolzen einer Druckkontaktvorrichtung versehen. In Figur 4 sind hierzu lediglicii Narkierungen (In) für den Verlauf der Spannbolzen angegeben.
  • Die gegenseitige Fixierung der den Hohlraum bildenden Teile ist auch dadurch erzielbar, daß gemäß der Dar-Stellung in Figur 4, linke Hälfte, wenigstens eines der Kontaktelemente (43) einen stegförmigen Ansatz 43d aufweist, welcher in eine entsprechend angepaßt ausgebildete Vertiefung 46d des Isolierstoffkörpers 46 eingreift. Eine solche besondere Ausbildung eines Kontaktelements beeinträchtigt die Wirtschaftlichkeit der Vorrichtung. nach der Erfindung nicht , da gerade mit so 1clen Hochleistungsvorrichtungen bestückte Anlagen insgesamt sehr kostenintensiv sind, sodaß eine besondere Ausgestaltung beispielsweise atich von Kühlbauteilen unbeachtlich ist, wenn damit eine Lösung der gestellten Aufgabe erzielbar ist.
  • Bei einer anderen, nicht dargestellten Weiterbildung des Gegenstandes der Erfindung können die %entrierringe 49 innerhalb der von den Dichtungsringen 17 umschlossenen Fläche angebracht sein und, im Falle von den Kontaktelementen getrennter Kontaktstücke, radial nach innen verlanfende Stege zur zentrierten Anordnung der Kontaktstücke zum Isolierstoffkörper aufweisen. Sämtliche zur Fixierung und/oder Zentrierung dienenden Ausbildungen der Bauteile können in sich geschlossen verlaufen, oder aber jeweils lediglich steg- oder bogen- oder höckerförmig sein.
  • Zur 11erstellung des Gegenstandes der Erfindung werden z.B. nach Figur 1 das untere Kontaktelement 13, das untere Kontaktstück 11, der Halbleiterkörper 1, der Isolierst o-ffkörpe r 16 mit unterem Dichtungsring 17, der Schutzring 18, das obere Kontaktstück 2, der obere Dichtungsring 17 und das obere Kontaktolement 12 in der genannten Reihenfolge gestapelt und mittels Druckkontaktvorrichtung kontaktiert und gegenseitig fest verbunden.
  • Die Vorteile des Gegenstandes der Erfindung bestehen in der Verwendung einfacher und kostengünstig herstellbarer Bauteile mit einer den Zusammenbau optimierenden Ausgestaltung und in geringster Anzahl sowie in der einfachen Austauschbarkeit sämtlicher-Bauteile.
  • L e e r s e i t e

Claims (15)

  1. P A T E N T A N S P R Ü C H E 1. Halbleitervorrichtung, bei der ein großflächiger Halbleiterkörper austauschbear mit Kontakthauteilen kontaktiert und in einem teilweise von den Kontaktbauteilen gebildeten, im wesentlichen schelbenförmigen Hohlraum dicht eingeschlossen ist1 d a cl ti r c h g e k e n n z e i c h n e t daß ein aus Halbleiterkörper (1) und bidseitig je einem Kontaktstück (11,12) bestehender Stapel mit seinen Kontaktflächen zwischen zwei Kontaktelementen (13 ,14) grot3er Flächenausdehnung angeordnet ist, daß der Hohlraum (19) zur Aufnahme des Stapels aus den beiden Kontaktelementen (13,14) und aus einem zwischen denselben liegenden Isolierstoffkörper (16) gebildet und mit Hilfe von Dichtungsmitteln (17) anden zur gegenseitigen Verbindung dienenden Flächen der Kontaktelemente und des Isolierstoffkörpers dicht verschlossen is-t, und daß die Kontaktstücke (11,12) und die den Hohlraum bildenden Bauteile (13,14,16) wahlweise an gegenüberliegenden Flächen Ausbildungen (33c, 34c, 36c) zur gegenseitigen lagebestimmten Zuordnung sämtlicher Bauteile aufweisen.
  2. 2. Halblei tervorrichtlng nacit Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktelemente großer Flächenausdehnung bandförmige Stromleiterteile vorgesehen sind.
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktelemente großer Flächenausdehnung Kühlbauteile vorgesehen sind.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die am Halbleiterkörper (1) anliegenden Kontaktstücke jeweils Teil (43e,44e) des augrenzenden Kontaktelements (43,44) sind.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Dichtungsmittel Dichtungsringe (17) vorgesehen sind.
  6. 6. halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Oichtungsmittel Flachdichtungen vorgesehen sind
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffkörper an jeder Anschlußseite zu den Kontaktelementen eine zur Anordnung eines Dichtungsmittels geeignete Ausbildung aufweist.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffkörper an jeder Anschlußseite eine Vertiefung (16a) zur Aufnahme eines Dichtungsringes (17) aufweist.
  9. 9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein ringförmiger Isolierstoffkörper (36) vorgesehen ist, der nn wenigstens einer Stirnseite eine Ausbildung (3@c) aufweist, die zur gegenseitigen lagebestimmten Zuordnung in eine augepaßte Ansbildung (33c, 34c) des zugeordneten Kontaktelements (33, 34) eingreift.
  10. 19. halbleitervorrichtung nach anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß weingstens eines der Kontaktstücke (11) angrenzend an das jeweilige Kontaktelement (13) einen Abschnitt (11a) größerer Querschnittsfläche zur Führung des Isolierstoffkörpers (16) aufweist.
  11. 11. Halbleitervorrichtung nach anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffkörper (36) an der Innenrandzone wenigstens einer Stirnfläche einen in sich geschlossenen oder mehrere zum Zentrum spiegelbildliche Ansätze (36b) zur konzentrischen Führung des Stapels aufweist,
  12. 12, J-IRLbl.e itervorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet 9 daß ein plattenförmiger Isolierstoffkörper (6) mit einer durchgehenden Offnirng (46b) zur Aufnahme des Stapels vorgesehen ist.
  13. 13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der plattenförmige Isolierstoffkörper (46) und die Kontaktelemente (43,44) iibereinstimmende Durchbohrungen (m) zur lagebestimmten gegenseitigen Zuordnung mit Hilfe von durchgehenden Bolzen aufweisen.
  14. 14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der plattenförmige Isolierstoffkörper (46) an wenigstens einer Seite Vertiefungen (46d) zun Eingriff von angepaßten Ausbildungen (43d) des angrenzenden Kontaktelements (43) aufweist.
  15. 15. Halbleitervorrichtung nach Ansprllch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der plattenförmige Isolierstoffkörper (46) und wenigstens eines der Kontaktelemente (44) an den gegenüberliegenden Flächen übereinstimmende Einbuchtungen (44d,46d) zur beiderseitigen Aufnahme eines Zentrierringes (49) aufweisen.
DE19813143335 1981-10-31 1981-10-31 Halbleitervorrichtung Ceased DE3143335A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813143335 DE3143335A1 (de) 1981-10-31 1981-10-31 Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813143335 DE3143335A1 (de) 1981-10-31 1981-10-31 Halbleitervorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3143335A1 true DE3143335A1 (de) 1983-05-11

Family

ID=6145347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813143335 Ceased DE3143335A1 (de) 1981-10-31 1981-10-31 Halbleitervorrichtung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3143335A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2598031A1 (fr) * 1986-04-29 1987-10-30 Alsthom Boitier pour semi-conducteur de puissance
WO1993000852A1 (en) * 1991-07-03 1993-01-21 Steven Chayer Methods of and apparatus for containing and evacuating fluids
DE10048859A1 (de) * 2000-10-02 2002-04-18 Infineon Technologies Ag Druckkontaktanordnung sowie deren Verwendung
WO2013030001A1 (de) * 2011-08-26 2013-03-07 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbauelement mit einem kühlkörper
DE102006014145C5 (de) * 2006-03-28 2015-12-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1250009B (de) * 1962-07-28
GB975827A (en) * 1960-03-24 1964-11-18 Siemens Ag A semi-conductor arrangement
US3231795A (en) * 1962-10-18 1966-01-25 Bendix Corp Low inductance and capacitance electrical cartridge and method of manufacture
US3499095A (en) * 1962-05-28 1970-03-03 Siemens Ag Housing for disc-shaped semiconductor device
DE1614630A1 (de) * 1967-10-13 1970-05-21 Semikron Gleichrichterbau Steuerbares Halbleiter-Bauelement
DE2014289A1 (de) * 1970-03-25 1971-10-14 Semikron Gleichrichterbau Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2049571A1 (de) * 1970-10-09 1972-04-13 Siemens Ag Halbleiterbauelement
US3673308A (en) * 1970-04-30 1972-06-27 Licentia Gmbh Silicon wafer cell
DE2015247B2 (de) * 1969-03-31 1972-07-27 Hitachi, Ltd., Tokio Halbleiter-bauelement
DE2257078A1 (de) * 1972-11-21 1974-05-30 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
DE2556749A1 (de) * 1975-12-17 1977-06-23 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
DE2654532A1 (de) * 1976-12-02 1978-06-08 Licentia Gmbh Scheibenfoermige halbleiterzelle
DE2825682A1 (de) * 1978-06-12 1979-12-20 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement mit isoliergehaeuse
DE2942585A1 (de) * 1978-10-23 1980-05-08 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungs-halbleiterbauelement
DE2847092A1 (de) * 1978-10-28 1980-05-08 Siemens Ag Montagehilfe zur halterung eines scheibenfoermigen halbleiterbauelementes

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB975827A (en) * 1960-03-24 1964-11-18 Siemens Ag A semi-conductor arrangement
US3499095A (en) * 1962-05-28 1970-03-03 Siemens Ag Housing for disc-shaped semiconductor device
DE1250009B (de) * 1962-07-28
US3231795A (en) * 1962-10-18 1966-01-25 Bendix Corp Low inductance and capacitance electrical cartridge and method of manufacture
DE1614630A1 (de) * 1967-10-13 1970-05-21 Semikron Gleichrichterbau Steuerbares Halbleiter-Bauelement
DE2015247B2 (de) * 1969-03-31 1972-07-27 Hitachi, Ltd., Tokio Halbleiter-bauelement
DE2014289A1 (de) * 1970-03-25 1971-10-14 Semikron Gleichrichterbau Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung
US3673308A (en) * 1970-04-30 1972-06-27 Licentia Gmbh Silicon wafer cell
DE2049571A1 (de) * 1970-10-09 1972-04-13 Siemens Ag Halbleiterbauelement
DE2257078A1 (de) * 1972-11-21 1974-05-30 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
DE2556749A1 (de) * 1975-12-17 1977-06-23 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
DE2654532A1 (de) * 1976-12-02 1978-06-08 Licentia Gmbh Scheibenfoermige halbleiterzelle
DE2654532B2 (de) * 1976-12-02 1981-07-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Scheibenförmige Halbleiterzelle
DE2825682A1 (de) * 1978-06-12 1979-12-20 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement mit isoliergehaeuse
DE2942585A1 (de) * 1978-10-23 1980-05-08 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungs-halbleiterbauelement
DE2847092A1 (de) * 1978-10-28 1980-05-08 Siemens Ag Montagehilfe zur halterung eines scheibenfoermigen halbleiterbauelementes

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
P-Abstract KOKAI No. 54-25163 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2598031A1 (fr) * 1986-04-29 1987-10-30 Alsthom Boitier pour semi-conducteur de puissance
WO1993000852A1 (en) * 1991-07-03 1993-01-21 Steven Chayer Methods of and apparatus for containing and evacuating fluids
DE10048859A1 (de) * 2000-10-02 2002-04-18 Infineon Technologies Ag Druckkontaktanordnung sowie deren Verwendung
DE10048859B4 (de) * 2000-10-02 2005-12-15 Infineon Technologies Ag Druckkontaktanordnung sowie deren Verwendung
DE102006014145C5 (de) * 2006-03-28 2015-12-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
WO2013030001A1 (de) * 2011-08-26 2013-03-07 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbauelement mit einem kühlkörper

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3005313C2 (de) Halbleiteranordnung
EP1483797B1 (de) Becherförmiges gehäuse und kondensator mit dem gehäuse
EP2705557B1 (de) Lithiumsekundärzellenanordnung
DE3143336A1 (de) Halbleitergleichrichterbaueinheit
EP0727797B1 (de) Sicherheitsschalter
EP0123905A2 (de) Überspannungsschutzvorrichtung zum Anbau an einen Anschlussverteiler
DE102019219698A1 (de) Batteriepack und herstellungsverfahren für ein batteriepack
WO2020098885A1 (de) Dreiphasiger bürstenloser gleichstrommotor
WO2020064975A1 (de) Separatorplatte und elektrochemisches system
DE3143335A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3520855C1 (de) Galvanische Zelle mit Presskontaktierung
DE1276768B (de) Seewasserbatterie
DE3102771C2 (de) Elektrische Batterie mit Schichtaufbau
DE3246968A1 (de) Elektrische batterie mit mehreren nebeneinanderliegenden zueinander parallel angeordneten zylinderischen zellen
EP0064656B1 (de) Elektrochemische Speicherzelle
EP1500159B1 (de) Schmelzkarbonatbrennstoffzelle und verfahren zur herstellung einer solchen
DE2916276C2 (de) Schaltgerät
DE3322593A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102019120497A1 (de) Zellkontaktierungsmittel und batteriesystem
DE8131930U1 (de) Halbleitergleichrichterbaueinheit
DE3024071A1 (de) Gasanzeigetafel aus glas
DE3031440C2 (de) Röhrenfassung für eine Kathodenstrahlröhre
DE3148300A1 (de) Magnetkopf und verfahren zum herstellen eines magnetkopfes
DE2614358C3 (de) Dichtring und Zellenverbinder eines Akkumulators
DE102022000036A1 (de) Deckelbaugruppe für eine Batterieeinzelzelle

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH, 8500 NUERNBERG, DE

8131 Rejection