DE2931392A1 - Integrierbare treiberschaltung - Google Patents

Integrierbare treiberschaltung

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DE2931392A1
DE2931392A1 DE19792931392 DE2931392A DE2931392A1 DE 2931392 A1 DE2931392 A1 DE 2931392A1 DE 19792931392 DE19792931392 DE 19792931392 DE 2931392 A DE2931392 A DE 2931392A DE 2931392 A1 DE2931392 A1 DE 2931392A1
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Wesley Kenneth Waldron
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Description

General Electric Company/ 1 River Road, Schenectady, New York 12305 (USA)
Integrierbare Treiberschaltung
Die Erfindung betrifft eine integrierbare Treiberschaltung zur Ansteuerung von Verbrauchern.
Flüssigkristallanzeigen sind hauptsächlich wegen des verhältnismäßig niedrigen Wertes der erforderlichen Ansteuerleistung für die Verwendung in vielen Geräten interessant. Die heutigen Flüssigkristallanzeigen enthalten jedoch vie]e Elektroden, die individuell angesteuert werden müssen und somit eine beträchtliche Anzahl von Treiberschaltungen erfordern. Bisher waren für Flüssigkristallanzeigen vorgesehene Treiberschaltungen in Festkörpertechnik mit verhältnismäßig wenigen Bauelementen nicht verfügbar, wobei die Treiberschaltungen mit geringen Kosten auf einem einzigen Halbleiterchip integrierbar sein sollten.
Ein Gleichspannungsausgangssignal, das nicht null ist, neigt dazu, die Leistungsfähigkeit der Anzeigezelle mit der Zeit zu verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Treiberschaltung für eine Flüssigkristallanzeige zu schaffen, die auf einer sehr kleinen Chipfläche bei geringen Kosten herstellbar ist und die Gleichspannungskomponente des Ausgangssignales bei verhältnismäßig geringer Ausgangsimpedanz minimiert.
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Zur Lösung dieser Aufgabe ist die erfindungsgemäße Steuerschaltung durch die Merkmale des Hauptanspruches gekennzeichnet.
Die integrierbare Treiberschaltung mit geringer Ausgangsimpedanz zur Ansteuerung der Elektrode einer Flüssigkristallanzeige oder dgl. weist zwei Halbleiterbauelemente auf, die zwischen eine erste und eine zweite Spannungsquelle geschaltet sind, wobei die Elektrode an die Verbindung zwischen den beiden Halbleiterbauelementen angeschlossen ist. Von der Anschlußstelle der Elektrode ist eine Avalanchediode zu einer der Versorgungsspannungen geschaltet,um einen Avalanchedurchbruch in der Diode zu ermöglichen, wenn das angesteuerte Halbleiterbauelement der beiden Halbleiterbauelemente in dem gesperrten Zustand ist. Die Avalanchediode! weisen einen niedrigen "EIN"-Widerstand auf und erzeugen an der jeweiligen Elektrode im "AUS"-Zustand gleiche/ feste Spannungen, womit die Gleichspannung an der Flüssigkristallanzeigezelle im wesentlichen null ist. Der Grad der Verunreinigungen der Avalanchediode steuert deren Avalanchespannung und wird durch Ionenimplantation oder bekannte Verfahren eingestellt, die zur Herstellung der in Serie geschalteten Transistoren vom Verarmungs-ZAnreicherungstyp angewendet werden.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des Gegenstandes der Erfindung dargestellt. Es zeigen:
Fig. 1 die Schaltung zweier integrierbarer Treiberschaltungen gemäß der Erfindung, die an eine Flüssigkristall anzeige angeschlossen sind und
Fig. 2 ein Halbleiterbauelement mit einer integrierten Treiberschaltung gemäß der Erfindung in einer Seitenansicht.
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In Fig. 1 ist ein Paar gleicher, integrierbarer Treiberschaltungen 10 und 10' veranschaulicht, die dazu dienen, eine Flüssigkristallanzeige 11 anzusteuern. Die in dem Kästchen mit gestrichelten Linien schematisch dargestellte Flüssigkristallanzeige 11 hat wenigstens zwei gegenüberliegende Elektroden 12a und 12b, in die Steuersignale E. bzw. E2 eingespeist werden. Es ist ersichtlich, daß praktische Flüssigkristallanzeigen eine Vielzahl geeignet bemessener und geformter Elektroden, die in der Nähe der sichtbaren Oberfläche der Flüssigkristallanzeige schient angeordnet sind (beispielsweise Elektroden, die durch die dargestellte Elektrode 12a veranschaulicht sind) und andere Elektroden aufweisen, die möglicherweise von einer anderen Größe und Gestalt sind und sich neben der anderen Oberfläche der Flüssigkristallschicht befinden (wie dies durch die dargestellte Elektrode 12b veranschaulicht ist). Die Theorie und der Betrieb von Flüssigkristallanzeigen ist an sich bekannt und braucht hier nicht im einzelnen beschrieben zu werden; es soll jedoch festgehalten werden, daß die Gleichspannung zwischen den gegenüberliegenden Elektroden 12a und 12b möglichst nahe an null Volt gehalten werden soll (um die Neigung des Flüssigkristallmaterials zu minimieren, die Anzeigeeigenschaften mit der Zeit ungünstig zu verändern) und daß jede der Anzahl der getrennten Elektroden abhängig von der jeweiligen Anzeige und der darzustellenden Information eine Steuerspannung mit einer Amplitude Frequenz und/oder Phase erfordert, die sich von denjenigen Steuersignalen unterscheidet, die in die anderen Elektroden eingespeist wird.
Jede der Treiberschaltungen 10 und 10' für die Anzeige ist zwischen eine erste Stromsammelschiene 14 mit einem ersten Potential V1 und eine zweite Stromsam.-
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melschiene 15 mit einem zweiten Potential V~ geschaltet. Jede Treiberschaltung 10 und 10' weist ferner zwei aktive Halbleiterbauelemente Q1 und Qp bzw. Q-. und Q4 auf, die in einer elektrischen Serienschaltung zwischen der ersten und der zweiten Stromsammeischiene 14 bzw. 15 liegen. Bei dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel sind die Halbleiterbauelemente Q. bis Q4 MOS-Tranistoren, wobei aus Darstellungsgründen P-MOS-Transistoren gewählt sind. Es ist jedoch offensichtlich, daß genauso gut N-MOS ebenso wie JFET-Transistoren (Sperrschichtfeldeffekttransistoren) und andere Halbleiterbauelemente verwendet werden können. Die Transistoren Q1 und Q-. werden jeweils als aktive Schalter verwendet. Die Sourceelektrode 18a bzw. 19a des Transistors Q1 bzw. Q-. ist mit der zweiten Stromsammelschiene 15 verbunden, während deren jeweilige Drainelektroden 18b bzw. 19b mit einem zugehörigen Ausgangsanschluß 20a bzw. 20b verbunden sind, von dem aus die zugehörigen Steuerspannungen E1 oder E- in die jeweils zugehörige Anzeigeelektrode 12a oder 12b eingespeist werden. Die Anoden der Avalanchedioden D1 bzw. D2 sind an die zugehörigen Drainelektroden 18b bzw. 19b angeschlossen, während die Kathoden der Avalanchedioden D1 bzw. D_ mit der zweiten Stromsammeischiene 15 verbunden sind. Voneinander unabhängige Signale 01 bzw. 0„ ' die die Signalspannung der jeweils zugehörigen ersten Elektrode 12a oder der zweiten Elektrode 12b festlegen, sind zwischen der jeweils zugehörigen Gateelektrode 18c des Transistors Q1 oder der Gateelektrode 19c des Transistors Q, und der zweiten Stromsammeischiene 15 eingekoppelt·
Ein zweiter Transistor Q2 bzw. Q4 wird als aktiver Arbeitswiderstar oder Stromquelle verwendet; die Gateelektrode 22a bzw. 23a und die Sourceelektrode 22b bzw. 23b des jeweils zugehörigen Transistors Q2 oder Q4 ist mit der Drainelektrode 18b bzw. 19b sowie der Anode der zugehörigen Avalanchediode D1 bzw. D2 und dem ebenfalls zugehörigen Ausgangs-
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anschluß 20a bzw, 20b verbunden. Die Drainelektrode 22c bzw. 23c des entsprechenden Transistors Q~ bzw. Q. ist an die erste Stromsammelschiene 14 angeschlossen. Bei P-MOS-Transistoren ist der aktive Schalttransistor Q1 bzw. Q-. ein Transistor vom Anreicherungstyp , während der Lasttransistor Q- oder Q. ein Transistor vom Verarmungstyp ist; die Spannung V1 der ersten Stromsammelschsie 14 ist negativer als die Spannung V_ auf der zweiten Stromsammelschiene 15. Die erste Versorgungsspannung V1 hat vorzugsweise einen Wert von -V Volt (vorgegeben durch die Eigenschaften der anzusteuernden Flüssigkristallanzeige) , während die zweite Versorgungsspannung V„ eine Spannung von null Volt hat (beispielsweise weil sie mit dei'i Masseanschluß verbunden ist) . Offensichtlich macht es die Verwendung von N-MOS-Bauelementen erforderlich , daß die erste Versorgungsspannung V1 positiver als die zweite Versorgungsspannung V« ist und daß die Polarität der Avalanchedioden D1 und D2 umgekehrt ist, d.h. daß deren Anoden mit der zweiten Stromsammelschiene 15 verbunden sind. In ähnlicher Weise muß die Polarität der Steuersignale 0^ und 02 umgekehrt sein.
Wie bereits oben ausgeführt, kann eine spezielle Anzeige eine Vielzahl von einzeln angesteuerten Elektroden aufweisen, von denen jede eine Treib erschaltung erfordert: die jeweils zwei Transistoren aufweist, deren Source-Drain-Anschlüsse (oder äquivalente Elektroden) in Serie zwischen die erste und zweite Versorgungsspannung geschaltet sind, wobei ein erstes Bauelement als aktive Last arbeitet, während das andere Bauelement im aktiven
Schalterbetrieb verwendet wird; die ferner eine den aktiven Schalter überbrückende Avalanchediode aufweisen; und deren Verbindung zwischen den beiden Halbleiterbauelementen schließlich mit- der zu steuernden Elektrode der Flüssigkristallzelle verbunden ist.
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Die Betriebsweise der Treiberschaltung für die Flüssigkristallanzeige ist hier anhand der Flüssigkristallanzeige 11 mit zwei Elektroden beschrieben. Jede der Eingangsspannungen 01 und 02 ist von der anderen unabhängig und wird (durch eine aus Gründen der Einfachheit nicht dargestellte Schaltung) darstellungsgemäß zwischen einer Amplitude von null Volt und einer anderen Spannungsamplitude umgeschaltet, wobei die Null-Volt-Spannung das zugehörige Schalterbauelement Q" bzw. Q., in den gesperrten Zustand bringt, während die andere Amplitude das gesteuerte Bauelement (Q1 oder Q-.) in den Sättigungszustand fährt. Bei jeweils in den Sättigungszustand gefahrenem aktivem Schalttransistor Q. oder Q2 ist die
Spannung an dem zugehörigen Ausgangsanschluß 20a bzw.
20b im wesentlichen gleich der Spannung V» der zweiten Stromversorgungsschiene 15 plus der Sättigungsspannung des zugehörigen Transistors Q1 bzw. Q-. Der durch die
Drain-Source-Schaltung des Transistors Q1 bzw. Q-. fließende Maximalstrom wird durch den maximalen Source-Elektrodenstrom (I, ) des aktiven Lasttransistors Q„ bzw. Q3
eingestellt.
Wenn einer der aktiven Schalttransistoren Q1 oder Q-.
in den gesperrten Zustand gefahren istf fließt der aus der Sourceelektrode des zugehörigen aktiven Lasttransistors Q2 bzw. Q4 kommende Strom durch die jeweils zugehörige Avalanchediode D1 bzw. D3. Die Avalanchespannung jeder Diode wird durch den Grad der Verunreinigungen, die
während des Diodenherstellungsvorganges zugeführt werden, festgelegt und bestimmt die Spannungsamplitude an dem jeweiligen Ausgangsansehluß 20a bzw. 20b der zugehörigen Steuerschaltung 10 bzw. 10', wenn das entsprechende Steuersignal 0.. oder 0„ ausreichend positiv ist, um den zugehörigen aktiven Schalttransistor in den Sperrzustand zu überführen.
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- 10 τ"
Im Idealfall weisen bei einer Flüssigkristallanzeige 11 mit zwei Elektroden die voneinander unabhängigen unipolaren Signale zum Ansteuern der Elektroden 12a und 12b der Flüssigkristallanzeige 11 gleiche Amplitude und Pulsbreite, jedoch unterschiedliche Phasenlage auf, um eine Wechselspannungsanregung der Anzeige zu erzeugen. Wenn die Spannungen E1 und E? ungleiche Amplitude, Pulsbreite oder eine andere als die entgegengesetzte Phasenlage aufweisen, entsteht an der Anzeigezelle eine Gleichspannungskomponente. Wegen der relativen Einfachheit der nur zwei Bauelemente mit drei Elektroden und einer Avalanchediode erfordernden Treiberschaltung kann diese in einem verhältnismäßig kleinen Bereich auf einem Halbleiterchip hergestellt werden, weshalb eine Vielzahl von Treiberschaltungen auf einem einzigen Halbleiterchip hergestellt werden können, um eine weitgehende Gleichheit (und demzufolge Einstellung) von: der Sättigungsspannung der aktiven Schaltelemente^des maximalen Sourcestromes des Strombegrenzungsbauelementes und der Avalanchespannung der Dioden zu erzielen." üblicherweise wird die Avalanchespannung der Dioden durch den Grad der Verunreinigungen gesteuert, die während der Herstellung in den Dioden eingelagert werden. Die Dioden können entweder unter Verwendung üblicher zur Herstellung von MOS-Transistoren vom AnreicherungsyVerarmungstyp angewendeter Verfahren hergestellt werden oder es kann ein getrennter Ionenimplantationsschritt angewendet werden, um die zusätzlichen Verunreinigungen hinzuzufügen, damit die gewünschte Avalanchespannung erreicht wird. Auf diese Weise sind im Sättigungszustand die Sättigungsspannungen der Bauelemente und somit die Elektrodenspannungen E1 und E2 im wesentlichen gleich, weshalb an der Flüssigkristallzelle eine Gleichspannung von im wesentlichen null Volt erscheint, während in dem gesperrten Betriebszustand die jeweils durch die zugehörigen Avalanchedioden mit im wesentlichen gleichen Durchbruchsspannungen er-
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zeugten Elektrodenspannungen, an der Flüssigkristallzelle wiederum eine im wesentlichen bei null liegende Gleichspannungskomponente erzeugen. Wenn die Dioden nicht im Avalanchebetrieb (mit niedrigem "EIN"-Widerstand) arbeiten, bilden der hohe Widerstand der Flüssigkristallzelle und der "Abschalf-Widerstand der als aktive Last geschalteten Transistoren Q2 bzw. Q. jeweils einen Spannungsteiler während abwechselnder Halbschwingungen der steuernden Schwingungen, wodurch an den Elektroden der Flüssigkristallzelle eine von null verschiedene Gleichspannung auftreten kann. Die Gleichheit der "Abschalt"-widerstände beider aktiver Arbeitswiderstandsbauelemente ist sehr schwierig zu erreichen, um das Auftreten einer steuernden Off-Set-Gleichspannung bei diesem Betriebsfall zu vermeiden.
Das bevorzugte, in Fig. 2 veranschaulichte, P-MOS-Bauelemente verwendende Ausführungsbeispiel der integrierbaren Treiberschaltung kann durch die Herstellung jedes Paares von MOS-Transistoren Q1 und Q2 bzw. Q3 und Q4 jeweils nebeneinander auf einem Substrat 25 aus η-leitendem Silizium ausgeführt werden. In dem Substrat 25 wird für die Drainelektrode des Transistors Q2 ein p-leitendes Gebiet 26a hergestellt. Ein längliches p-leitendes Gebiet 26b bildet die Sourceelektrode des Transistors Q2 und die Drainelektrode des Transistors Q-. Ein drittes p-leitendes Gebiet 26c wiederum bildet die Sourceelektrode des Transistors Q>. Geeignete Muster 27a, 27b und 27c aus elektrisch leitendem Material werden durch Maskierung oder ähnliche bekannte Verfahren angebracht und bilden die Kontakte für die Drainelektrode des Transistors Q_V die Souree-Drain-Elektrodenverbindung der Transistoren Q2 und Q1 sowie die Sourceelektrode des Transistors Q1-, Eine Isolationsschicht , beispielsweise ein Oxid des Halbleitermaterials des Substrats, wird in einem ersten Gebiet 28a darauf aufgewachsen, um den Drainkontakt 27a des Transistors Q-
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- Λ2 -
abzudecken und erstreckt sich über die Substratoberfläche zu dem Drain-Source-Kontakt 27b der Transistoren Q2 bzw. Q1 (Ausgang); ein zweites Gebiet 28b überdeckt den Sourcekontakt 27c des Transistors Q1 sowie die Substratoberfläche zwischen den Kontakten 27c und 27b und einen Teil des Kontaktes 27b, wobei eine niedergeführte Öffnung bestehen bleibt, um den Anschluß an den Kontakt 27b zu ermöglichen. Auf der Oberfläche des isolierenden Gebietes 28a ist eine elektrisch leitende Beschichtung 29a angebracht,die die Gateelektrode des Transistors Q2 bildet; die Beschichtung 29a verläuft längs der Isolationsaberflache und ist mit dem Kontaktierungsgebiet 27b verbunden, wodurch die Gateelektrode und die Sorceelektrode des Transistors Q- miteinander und mit der Drainelektrode des Transistors Q1 verbunden sind. Auf der Oberfläche des isolierenden Gebietes 28b ist eine getrennte elektrisch leitende Beschichtung 29b vorgesehen, die die Gateelektrode des Transistors Q1 darstellt.
Beispielsweise durch Ionenimplantation oder ein entsprechendes Verfahren ist unter dem p-leitenden Gebiet 26b ein vergrabenes Gebiet 32 vom η -Halbleitertyp hergestellt, um den Avalanchedurchbruch zwischen den Gebieten 32 und 26b bei einer Avalanchespannung zu ermöglichen, die durch den Grad der n-Leitungsverunreinigungen in dem Gebiet 32, bezogen auf die p-Leitungsverunreinigungen, in dem Source-Drain-Gebiet 26b vorgegeben ist. Bei dem bevorzugten, oben beschriebenen P-MOS-Ausführungsbeispiel ist üblicherweise das p-leitende Source-Drain-Gebiet 26b degeneriert, beispielsweise hat es etwa 10 Verunreinigungen pro cm , während das η -Gebiet 32, da das Avalanchegebiet durch das Gebiet mit der niedrigsten Konzentration an Verunreinigungen bestimmt ist, beispielsweise durch Ionenimplantation mit Verunreinigungen bis zu einer Konzentration von etwa 10 bis 10 Verunreinigungen pro cm dotiert ist, wenn
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das Substrat 25 mit Verunreinigungen vom η-Typ bis zu
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einer Konzentration in der Größenordnung von 10 Verunreinigungen pro cm dotiert ist. Auf diese Weise ist die Avalanchediode in dem Bereich hergestellt, der den beiden Halbleiterbauelementen zugeordnet ist, die als aktiver Schalttransistor Q1 und als aktiver Stromquellentransistor Q2 verwendet sind, wodurch ein minimaler Halbleiterbereich erforderlich ist und eine verhältnismäßig hohe Dichte von Treiberschaltungen auf einem Chip mit verhältnismäßig geringer Fläche integriert werden können.
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L e e r s e i t e

Claims (10)

  1. Pdtenta.iAälte Dipl.-Ing. W. Scherrmann Dr.-Ing. R. Roger
    7300 Esslingen (Neckar), Webergasse 3, Postfach 31, Juli 1979 Stuttgart (0711) 35653Ϊ
    PA 169 baeh 35^s
    Telex 07 256610 smru
    Telegramme Patentschutz ~ £sslingenneckar
    Patentansprüche
    / 1. jlntegrierbare Treiberschaltung zur Ansteuerung von ^—yVerbrauchern, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine erste mit einem ersten elektrischen Potential (V1) verbundene Stromsammeischiene (14) aufweist, mit der eine erste Schaltungsbaugruppe (Q2, Q4) verbunden ist, die in einen zum Anschluß an den Verbraucher (11) geeigneten Ausgangsanschluß (20a, 2Ob) einen im wesentlichen konstanten Strom einspeist, daß sie eine zweite Schaltungsbaugruppe (Q1 , Q_) aufweist, die den Ausgangsanschluß (20a, 20b) mit einer zweiten an ein zweites elektrisches Potential (V2) angeschlossenen Stromsammeischiene (15) verbindet und die in Abhängigkeit von einem ersten Betriebszustand den im wesentlichen konstanten Strom auf die zweite Stromsammeischiene (15) ableitet und daß zwischen dem Ausgangsanschluß (20a, 2Ob) und die zweite Stromsammeischiene (15) eine Konstantspannungsschaltungsbaugruppe (D1, D2) geschaltet ist, die bei anderen Betriebszuständen der zweiten Schaltungsbaugruppe (Q1, Qt) als dem ersten Betriebszustand eine im wesentlichen konstante Spannung zwischen dem Ausgangsanschluß (20a, 20b) und der zweiten Stromsammeischiene (15) erhält.
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  2. 2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantspannungsschaltungsbaugruppe eine Avalanchediode (D1, D„) ist,
  3. 3. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schaltungsbaugruppe ein erstes Halbleiterbauelement (Q2, Q4) mit einer ersten an die erste Stromsammeischiene (14) angeschlossenen Elektrode (22c, 23c) und mit einer zweiten (22a, 23a) an eine dritte Elektrode (22b, 2 3b) sowie den Ausgangsanschluß (20a, 20b) angeschlossenen Elektrode aufweist und das Halbleiterbauelement (Q„, Q.) somit einen im wesentlichen konstanten Strom durch die erste Elektrode (22c, 23c) erzeugt.
  4. 4. TreiberachaItung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schaltungsbaugruppe ein zweites Halbleiterbauelement (Q1, Q_) mit einer ersten an den Ausgangsanschluß (20a, 20b) angeschlossenen Elektrode (18b, 19b), mit einer zweiten an die zweite Stromsammeischiene (15) angeschlossenen Elektrode (18a, 19a) und mit einer dritten Elektrode (18c, 19c)aufweist, dessen Impedanz zwischen der ersten sowie der zweiten Elektrode (18b, 18a, 19b, 19a) von der zwischen der zweiten und der dritten Elektrode (18a, 18c) anliegenden Spannung (0.., 02) abhängt, und daß die an der dritten Elektrode (18c, 19c) anliegende Spannung (01, 02) so hoch ist, daß die Impedanz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (18a, 18b, 19a, 19b) verringert ist und im wesentlichen der ganze Strom aus der ersten Schaltungsbaugruppe (Q-, Q4), abhängig von dem ersten Betriebszustand, durch die zweite Schaltungsbaugruppe (Q1, Q3) fließt.
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  5. 5. Ttreiuerschctltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Schaltungsbaugruppe CQ1r Q2r Q3 1 Q4) Transistoren sind.
  6. 6. Treiberschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (Q1, Q2, Q3, Q.) MOS-Transistoren sind,
  7. 7. Treiberschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (Q,, Q2, Q3, Q4) P-MOS-Transistoren sind.
  8. 8. Treiberschaltuny nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (Q2, Q4) der ersten Schaltungsbaugruppe vom Verarmungstyp ist und der Transistor (Q1/ Qo) der zweiten Schaltungsbaugruppe vom Anreicherungstyp ist.
  9. 9. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie zusammen mit einer Anzahl von gleichen Treiberschaltungen (10, 10') auf einem Halbleiterchip
    (25) hergestellt ist.
  10. 10. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie zusammen mit einer Anzahl gleicher Treiberschaltungen (10, 10'),die alle auf einem Halbleiterchip (25) angeordnet sind, eine Flüssigkristallanzeige C-11) mit einer Anzahl unabhängig voneinander anzusteuernder Elektroden (12a, 12b) beaufschlagen und jede Elektrode (12a, 12b) der Flüssigkristallanzeige (11) mit einem zugehörigen Ausgangsanschluß (20a, 20b) der Vielzahl der Steuerschaltungen (1O, 10') verbunden ist.
    03000870759
DE19792931392 1978-08-03 1979-08-02 Integrierbare treiberschaltung Withdrawn DE2931392A1 (de)

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