DE2927864A1 - Verfahren zur herstellung von polyamidsaeure zur verwendung bei der herstellung von halbleitern - Google Patents

Verfahren zur herstellung von polyamidsaeure zur verwendung bei der herstellung von halbleitern

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Description

HOFFMANN -EII1LE <& PARTNER
DR. ING. E. HOFFMANN (1930-1976Ϊ - DIPU-IN G. W. EITLE · DR. RER. NAT.K. HOFFMANN - O.I PL.-IN G. W. LEHN
DIPL.-JNG. K. FOCHSLE · DR. RER, NAT. B; HANSEN .
ARABEUASTRASSE 4 (STERNHAUS) > D-8000 MO NCHEN 81 . TELEFON (089) 9H087 . TELEX 05-29419 (PATHE)
32 33O o/fi
HITACHI CHEMICAL COMPANY,Ltd. Tokyo / Japan
Verfahren zur Herstellung von Polyamidsäure zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitern
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Polyamidsäure, die zur Herstellung" von Halbleitern verwendet wird, aus einem Diamin und Tetracarbonsäuredianhydrid, gegebenenfalls zusammen mit einer Diaminocarbonamidverbindung. Sie betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Polyämidsäure für die Verarbeitung zu Halbleitern, die in der Lage ist, in ein Polyimidharz überführt zu werden, welche Imidringe und/oder Benzoylenchinazolinringe aufweist, die als Isalierfilme bei Halbleitern, wie OberflächenSchutzfilmen von Halbleitern oder schichtisolierenden Filmen von Halbleitern mit vielschichtiger Konstruktion geeignet sind.
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Bisher wurden Siliziumdioxidfilme, die durch chemisches Gasphasenauf wachsen hergestellt wurden, hauptsächlich als Isolierfilme bei Halbleitern, wie Oberflächenschutzfilmen bei Halbleitern oder als Isolierungen zwischen den Schichten bei Drahtleitern mit mehrschichtigem Aufbau verwendet.
Siliziumdioxidfilme haben jedoch die Nachteile, daß sie bei einer Belastung des Filmes brechen, wenn sie dick sind, oder wenn sie als Schichtisolierfilme in Drahtleitern mit mehr als drei Schichten verwendet werden und sie neigen auch dazu, von den Drahtleitern abzublättern.
Diese Nachteile haben Verbesserungen hinsichtlich der Effizienz und dem Einbauen von Halbleitern verhindert.
Um diese Nachteile zu überwinden hat man bereits als Isolierfilme organische Stoffe, insbesondere Polyimidgruppenhaltige Harze mit Imidringen und/oder Benzoylenchinazolonringen, die durch Erhitzen und Dehydratisieren einer Polyamidsäure hergestellt worden waren-die aus einem Diamin und einem Tetracarbonsäuredianhydrid, gewünschtenfalls mit Diaminocarbonamid erhalten worden war, verwendet, wobei deren überlegene Wärmebeständigkeit besonders vorteilhaft war.
Bei Verwendung dieser Stoffe kann man die Nachteile von Siliziumdioxidfilmen für das Auftreten von Rissen lösen, und daher neue Halbleitervorrichtungen ausbilden, wie dies in den japanischen Patentveröffentlichungen 51-44871/1976 und 51-31185/1976 beschrieben wird.
Die vorerwähnten Isolierfilme aus einem Polyimidgruppenharz mit Imidringen und/oder Benzoylenchinazolonringen können hergestellt werden, indem man eine Polyamidsäure aus
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einem Diamin und einem Tetracarbonsäuredianhydrid, gewünschtenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid herstellt, die so erhaltene Polyamidsäure in einem inerten Lösungsmittel in Lösung bringt und die Lösung auf eine Platte mittels einer rotierenden Beschichtungsvorrichtung beschichtet und die beschichtete Platte dann erhitzt. --
Isolierfilme müssen gleichmäßig mit einer Dicke von weniger als 5 um und einer Schwankungsbreite von - 0,2. tun aufgetragen werden und dabei dürfen keine Nadellöcher durch Abstoßung und dergleichen des beschichteten Filmes auftreten, weil sonst die Eigenschaften des Halbleiters ungünstig verändert werden. Der Isolierfilm muß auch eine ausreichende Wärmebeständigkeit haben, um die während der Herstellung des Halbleiters einwirkende Hitze auszuhalten, wie sie beim Verbinden der Drähte und Aufbringen von Legierungen zwischen den Elektroden einwirken kann. Bei dem Versuch, Halbleiter herzustellen, unter Verwendung der vorerwähnten Pqlyamidsäure wurde festgestellt, daß man einen gleichmäßigen Film mit einer ausreichenden Dicke nicht bilden kann, daß sich Nadellöcher aufgrund von Abstoßung des beschichteten Filmes entwickeln und daß die gewünschte Wärmebeständigkeit auch nicht erzielt wird.
Deshalb ist es eine Aufgabe der Erfindung,- eine Polyamidsäure zur Verfügung zu stellen, die bei der Herstellung von Halbleitern verwendet werden kann und die in der Lage ist, in ein Polyimidharz mit Imidringen und/öder Benzoylenchinazolonringert überführt zu werden und dann als Isolierfilm für Halbleiter, wie Gberflächenschutzfilme von Halbleitern oder als Film für Isolierungen zwischen den Schichten von Halbleitern bei mehrschichtigen Konstruktionen verwendet werden und wobei die vorerwähnten Nachteile nicht vorliegen.
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Es wurde gefunden, daß man diese Ziele erreichen kann, wenn man bei der Herstellung der Polyamidsäure aus einem Diamin und einem Tetracarbonsäuredianhydrid, gewünschtenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid sowohl die Konzentration der Polyamidsäure in der Lösung als auch die Viskosität der Lösung in spezieller Weise kontrolliert.
Bisher war es möglich, Fotowiderstände aus zyklisiertem Kautschuk für die Herstellung von dünnen Filmen mit weniger als 5 um Dicke ohne Nadellöcher mit hoher Genauigkeit durch Rotationsbeschichtung auf Platten aufzutragen. Nunmehr ist es möglich geworden, gleichmäßige Harzfilme mit überlegener Wärmebeständigkeit durch Rotationsbeschichtung auf eine Platte aufzutragen, unter Verwendung der erfindungsgemäß hergestellten Polyamidsäure.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt in der ersten Stufe die Umsetzung eines Diamins und eines Tetracarbonsäuredianhydrids, gewünschtenfalls mit einem Diaminocarbonamid in einem inerten Lösungsmittel unterhalb 40°C während 30 Minuten bis 24 Stunden, bis die reduzierte Viskosität bei 300C mehr als 0,5 dl/g, vorzugsweise mehr als .0,7 dl/g beträgt, worauf man in der zweiten Stufe die reduzierte Viskosität auf mehr als 0,3 dl/g, vorzugsweise 0,35 bis 0,45 dl/g und die Viskosität bei 25°C der Lösung auf 500 bis 3000 cps, vorzugsweise 800 bis 1500 cps durch Erhitzen auf 50 bis 100°C während 30 Minuten bis 24 Stunden einstellt.
Die erfindungsgemäß erhaltene Polyamidsäure ist ein Copolymer der Formeln
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-NH-Ar1-NH-CO CO-
HOOi
-NH-Ar1-NHCO CO-
Ηοοσ Ν:οοΗ
-NH-Ar.
■ Hooe/
CONH,
\HOC
,co-
worin Ar^, Ar3^Ar5 und Ar4 jeweils einen aromatischen Rest und m,.η und k jeweils ganze Zahlen bedeuten, die dann durch Dehydration und Cyclisierung in ein Polyimidgruppenharz, enthaltend eine Gruppe der nachfolgenden Formeln:
C0
CO
Ar„ gegebenen£alls^> N-Ar
gg CO CO
CO-N
yc\
worin Ar1, Ar2, Ar3 und Ar. jeweils einen aromatischen Rest darstellen, überführt wird.
Geeignete erfindungsgemäß zu verwendende Diamine sind beispielsweise 4,4 · -Diaminodjphenyläther, 4,4'-Di aminodiphenylmethan, 4,4 * -Diaminodiphenylsulfon, 4,4' -Diaminod iphenylsulf id,
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Benzidin , m-Phenylendiamin, p-Phenylendiamin, 1,5-Naphthallndiamin und 2,6-Naphthalindiamin. Diese können allein oder in Kombination verwendet werden.
Geeignete Tetracarbonsäuredianhydride sind beispielsweise Pyromelitsäuredianhydrid, 3,3 ' , 4,4 '-Diphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, Cyclopentantetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,5,6-Naphthalentetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,6,7-Naphthalentetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,5,6-Pyridintetracarbonsäuredianhydrid, 1,4,5,8-Naphthalentetracarbonsäuredianhydrid, 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid und 4,4'-SuIfonyldiphthalsäuredianhydrid. Diese können allein oder in Kombination verwendet werden. Geeignete Diamjnocarbonamide sind beispielsweise 4,4 '-Diaminod:i?henyläther-3-carbonamid, 3 ,4 ·-Diaminodiphenyläther-4-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenyläther-3'-carbonamid, 3,3l-Diaminodiphenyläther-4-carbonamid, 4,4'-Diaminodiphenylmethan-3-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenylmethan-4-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenylmethan-3-carbonamid , 3,3"-Diaminodiphenylmethan-4-carbonamid, 4,4'-Diaminodiphenylsulfon-3-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenylsulfon-4-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenylsulfon-3·-carbonamid, 3,3'-Diaminodiphenylsulfon-4-carbonamid, 4,4*-Diaminodiphenylsulf id-3-carbonamid , 3,4'-Diaminodiphenylsulfid-4-carbonamid, 3,3'-Diaminodiphenylsulfid-4-carbonamid, 3,4'-Diaminodiphenylsulf id- 3 '-carbonamid und 1,4-Diamobenzen-2-carbonamid. Auch diese können allein oder in Kombination verwendet werden.
Zur Herstellung der Polyamidsäure aus den vorerwähnten Verbindungen wird ein inertes organisches Lösungsmittel verwendet. Bevorzugt werden solche, welche die gebildeten Polyamid-ähnlichen Zwischenprodukte lösen. Dazu gehören beispielsweise N-Methyl-2-pyrrolidon, N,N-Dimethylacetamid,
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N,N-Dimethy1formamid, Ν,Ν-Diäthylformamid, Dimethylsulfoxid, Hexamethylphosphoramid und Tetramethylensulfon. Diese können allein oder in Kombination verwendet werden.
Die erfindungsgemäße Herstellung der Polyamidsäure umfaßt zwei Stufen, nämlich die erste>Stufe, bei welcher eine Polyamidsäure mit hohem Molekulargewicht hergestellt wird und die zweite Stufe, in welcher das Molekulargewicht auf den gewünschten Grad und die Viskosität vermindert werden, indem man die erhaltene Polyamidsäure mit hohem Molekulargewicht erhitzt.
In der ersten Stufe ist es erforderlich, die Polyamidsäure soweit zu polymerisieren, bis eine reduzierte Viskosität bei 300C von mehr als 0,5 dl/g erreicht wird. Eine nicht ausreichende Polymerisation der Polyamidsäure kann eine ungenügende Wärmebeständigkeit des schließlich erhaltenen gehärteten Films, ein nicht ausreichendes Maß der zweiten Stufe (Wärmeverfahren) zur Verminderung des Molekulargewichtes zur Erzielung der gewünschten Viskosität oder ein Abblättern des beschichteten Filmes aufgrund der zu kurzen, für die zweite Stufe aufgewendeten Zeit verursachen.
Die zweite Stufe , das Erhitzungsverfahren, wird durchgeführt, um die Viskosität der in der ersten Stufe erhaltenen Polyamidsäurelösung mit einer hohen Viskosität soweit zu vermindern, daß die Lösung rotationsbeschichtet werden kann auf einer FotowiderStandsrotationsvorrichtung, und um das Weglaufen des Überzugsfilmes durch Einzeldispergieren der Molekulargewichtsverteilung der Polyamidsäure zu verhindern. In der zweiten Stufe wird die Polyamidsäurelösung so eingestellt, daß sie eine reduzierte Viskosität von mehr als 0,3 dl/g bei 30°C hat und die Polyamidsäurelösung eine Viskosität von 500 bis 3000 cps bei 25°C aufweist.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung müssen die vorerwähnten Zahlenwerte aufrechterhalten werden, weil der Film durch das Erhitzen nicht ausreichend polymerisiert werden könnte, und infolgedessen die Wärmebeständigkeit des gehärteten Filmes unzureichend wird, wenn das Molekulargewicht der Polyamidsäure so vermindert wird, daß die reduzierte1 Viskosität weniger als 0,3 dl/g beträgt. Die Viskosität der Polyamidsäurelösung bei 25°C muß auf 500 bis 3000 cps aufrechterhalten bleiben, weil man sonst einen Film von mehr als 1 um Dicke nicht durch Beschichten der Lösung auf einerUnterlage mit einer Fotowiderstandsrotationsbe-Schichtungsvorrichtung durchführen kann, falls die Viskosität unterhalb 500 cps liegt. Vielmehr wird die Dicke aufgrund der hohen Viskosität an den Randteilen größer als im zentralen Bereich und zwar auch bei einer hohen Rotationsgeschwindxgkeit der Fotowiderstandsrotationsbeschichtungsvorrichtung und deshalb wird die Ausbeute an Halbleiter gering, wenn die Viskosität oberhalb 3000 cps liegt.
Erfindungsgemäß wird bevorzugt, daß die Konzentration der Polyamidsäure im Bereich von 5 bis 30 Gew.-% liegt. Die Dicke des gehärteten Filmes kann die erwünschten Zahlenwerte nicht erreichen und die Gleichmäßigkeit des Überzugsfilmes kann nicht erzielt werden für die gewünschten Dicken durch eine Verminderung der Rotationsgeschwindxgkeit der Maschine, falls die Konzentration unterhalb 5 Gew.-% liegt. Dagegen wird die Rühreffizienz aufgrund der hohen Viskosität erniedrigt und die Synthese wird tatsächlich unmöglich, wenn die Konzentration der Polyamidsäure oberhalb 30 Gew.-% liegt und wenn die Polymerisation so durchgeführt wird, daß die reduzierte Viskosität oberhalb 0,5 dl/g liegt.
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Die Herstellung der PoIyamidsäure gemäß der Erfindung wird beispielsweise wie folgt vorgenommen.
In der ersten Stufe wird ein Diamin, gewünschtenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid in einem inerten Lösungsmittel gelöst und ein Tetracarbonsäuredianhydrid wird zugegeben. Die Mischung wird unterhalb 40°C, vorzugsweise bei etwa Raumtemperatur gerührt. Die Umsetzung verläuft schnell und die Viskosität des Reaktionssystems nimmt allmählich zu unter Bildung einer Polyamidsäure hohen Molekulargewichtes. Es wird bevorzugt, den Gehalt an freier Säure in Tetracarbonsäuredianhydrid möglichst klein zu halten, z.B. indem man das Anhydrid aus Essigsäure umkristallisiert, um eine Polyamidsäure mit einem solchen Molekulargewicht zu erhalten, daß die reduzierte Viskosität bei 30°C oberhalb 0,5 dl/g liegt.
Durch die Reinigung wird auch eine Entfernung von Metallionen bewirkt, welche auf die Polyamidsäure einen negativen elektrischen Einfluß hat, wenn diese als Isolierfilm auf einem Halbleiter verwendet wird. In gleicher Weise wird es bevorzugt, daß das Diamin und das Diaminocarbonamid in umkristallisierter Form verwendet werden, z.B. durch Umkristallisieren aus einem alkoholische Gruppen enthaltenden lösungsmittel, um Metällionen zu entfernen.
Weiterhin wird es bevorzugt, daß das verwendete inerte Lösungsmittel durch Destillation zur Entfernung von metallischen ionischen Verunreinigungen und Wasser gereinigt wird.
Die so erhaltene Polyamidsäure mit einer reduzierten Viskosität bei 30°C oberhalb 0,5 dl/g wird in der zweiten
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Stufe auf die vorerwähnte reduzierte Viskosität und Lösungsviskosität eingestellt,indem man das Reaktionssystem auf 50 bis 1OO°C erhitzt und die Polyamidsäure hohen Molekulargewichtes mit Spurenmengen an vorliegendem Wasser im Reaktionssystem hydrolysiert und dadurch das Molekulargewicht vermindert.
Bei der Herstellung von Polyamidsäure aus Diamin und Tetracarbonsäuredianhydrid, gegebenenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid wird es bevorzugt, daß annähernd äquimolare Mengen an Tetracarbonsäuredianhydrid und an Diaminmengen oder der Gesamtmenge an Diamin und Diaminocarbonamid verwendet werden, weil man dadurch die beste Wärmebeständigkeit erzielt.
Nachfolgend wird kurz die Messung der reduzierten Viskosität erläutert. Die Polyamidsäurelösung wird zu Eiswasser, Methanol oder dergleichen gegossen, wobei sie ausfällt, wird dann gründlich trituriert und durch Filtrieren abgetrennt und getrocknet. Das erhaltene Pulver wird in einem organischen Lösungsmittel gelöst, die Konzentration wird eingestellt und die Messung wird mit einem Ubbelohde-Viskosimeter durchgeführt.
Die Viskosität der Polyamidsäurelösung kann in üblicher Weise erfolgen, z.B. mit einem Brookfield-Viskosimeter.
Nachfolgend wird das Verfahren zur Herstellung eines dünnen Filmes durch Beschichten mit der Polyamidsäure, die erfindungsgemäß erhalten wurde, auf einen Halbleiter kurz erläutert. Eine Unterlage mit vielen Halbleitervorrichtungen wird auf eine FotowiderStandsrotationsmaschine gegeben und die Polyamidsäurelösung wird auf die Unterlage mit
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einer geeigneten Vorrichtung aufgetropft bzw. aufgespritzt. Die Unterlage wird dann gedreht, damit die Polyamidsäurelösung sich gleichmäßig auf die gesamte Oberfläche der Unterlage verteilt.
Die Anzahl der Drehungen wird vorzugsweise auf 3000 bis 6000 Umdrehungen pro Minute eingestellt. Die Unterlage wird dann oberhalb 300°C wärmebehandelt und zwar etwa eine Stunde unter Ausbildung eines gehärteten Filmes auf der Unterlage. Es wird bevorzugt, daß die Wärmebehandlung so durchgeführt wird, daß man stufenweise die Temperatur von einer niedrigen Temperatur, z.B. 1000C, erhöht, damit der beschichtete Film keine Nadellöcher oder Verzerrungen aufweist.
Anschließend wird ein Anwendungsbeispiel der erfindungsgemäß erhaltenen Polyamidsäure zur Herstellung eines schichtisolierenden Filmes auf einer integrierten Schaltung (IC) mit einer doppelschichtigen Verdrahtung beschrieben. Auf einem Substrat, auf dem die erste Verdrahtungsschicht gebildet wurde, wird die Polyamidsäurelösung rotationsbeschichtet und unter Ausbildung eines gehärteten Filmes erhitzt gemäß dem vorher beschriebenen Verfahren.
Dann wird der gehärtete Film selektiv mit einem Fotowiderstand geätzt, um durchgehende Löcher (Löcher, welche die Zwischenschichten verbinden) zu bilden. Auf das Substrat wird Aluminium als zweite Leitfähigkeitsmetallschicht im Vakuum aufgedampft und eine Verdrahtungsschicht wird durch Fotoätzen gebildet.
Eine andere Anwendung der erfindungsgemäß erhaltenen Polyamidsäure als Oberflächenschutz von Transistoren, um das
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Eindringen von Verunreinigungen zu verhindern, wird nachfolgend beschrieben. Ein gehärteter Film wird auf einem Transistorsubstrat mit einer Elektrode nach einem ähnlichen Verfahren, wie vorher beschrieben, hergestellt. Dann wird der gehärtete Film nur dort entfernt, wo eine Bindung erfolgte, so daß man einen Transistor mit einem Oberflächenüberzugsfilm erhält.
Die Erfindung wird in den nachfolgenden Beispielen weiter erläutert. Die in den Beispielen verwendeten gereinigten Materialien wurden wie folgt umkristallisiert.
CD Reinigung von 4,4·-Diaminodiphenyläther
In einen 5 1 Kolben, ausgerüstet mit einem Rückflußkühler wurden 220 g ungereinigter 4,4'-Diaminodiphenyläther und 2840 g n-Butanol vorgelegt. Unter Rückfluß wurde der 4,4'-Diaminodiphenyläther gelöst und dann wurden 60 g Aktivkohle zugegeben und die Mischung filtriert. Das Filtrat wurde 2 Tage bei Raumtemperatur stehengelassen und der Niederschlag wurde durch Filtrieren gesammelt. Der Niederschlag wurde unter vermindertem Druck bei 40 bis 50°C getrocknet, wobei man den gereinigten 4,4'-Diaminodiphenyläther erhielt.
(2) Reinigung von 4,4'-Diaminodiphenyläther-3-carbonamid
Die Reinigung wurde in gleicher Weise wie bei (1) durchgeführt unter Verwendung von 300 g des ungereinigten 4,4'- . Diaminodiphenyläther-3-carbonamid, 143Og Äthanol und 1800 g ionenausgetauschten Wassers als Lösungsmittel zum Umkristallisieren. Man erhielt dabei das gereinigte 4,4'-Diaminodiphenyläther-3-carbonamid.
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(3) Reinigung von p-Phenylendiamin
Die Reinigung wurde in gleicher Weise wie bei (1) durchgeführt unter Verwendung von 200 g des ungereinigten p-Phenylendiamins, 2560 g Äthanol und 1280 g Äthyläther als Lösungsmittel zum Umkristallisieren, wobei man das gereinigte p-Phenylendiamin erhielt.
(4) Reinigung von Pyromellitsäuredianhydrid und
3,3 ', 4,4 '-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid
In einen 5 1 Kolben, ausgerüstet mit einem Rückflußkühler, wurden 600 g des ungereinigten PyromeHitsäuredianhydrids und 3560 g Essigsäureanhydrid vorgelegt. Das Pyromelittsäuredianhydrid wurde unter Rückfluß gelöst und dann wurden 90 g Aktivkohle zugegeben und die Mischung wurde filtriert. Das Filtrat wurde 2 Tage bei Raumtemperatur stehengelassen und der Niederschlag wurde durch Filtrieren gesammelt und zwei Tage bei 150C getrocknet, wobei man das gereinigte Pyromellitsäuredianhydrid erhielt.
Unter den gleichen Bedingungen wurde auch 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid gereinigt, wobei man dann das gereinigte 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid erhielt.
Die Konzentration an freien Säuren in dem ungereinigten und gereinigten Pyromellitsäuredianhydrid und ungereinigtem und gereinigtem 3,3',4,4'-Benzophenontetracarborisäüredianhydrid betrug 24,57, 0,04, 0,86 bzw. 0,00 %.
BEISPIEL 1
In einen 300 ml Dreihalskolben , ausgerüstet mit einem Thermometer, einem Rührer und eine Calciumchloridrohr
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wurden 7,29 g (0,03 Mol) des,wie zuvor angegeben,gereinigten 4,4l-Diaminodiphenyläther-3-carbonamids, 6,0 g (0,03 Mol) des,wie zuvor angegeben, gereinigten 4,4'-Diaminodiphenyläthers und 149 g des, wie zuvor angegeben, gereinigten Ν,Ν-Dimethylacetamids vorgelegt und gründlich gerührt, wobei der Kolben in einem Eisbad gekühlt wurde.
Zu der Mischung wurden nach und nach 13,08 g (O,O6 Mol) des gereinigten Pyromellitsäuredianhydrids gegeben. Zwei Stunden nach Beendigung der Zugabe wurde das Eisbad entfernt und die gesamte Mischung wurde bei Raumtemperatur fünf Stunden gerührt, wobei die Umsetzung sich vervollständigte und die erste Stufe beendet war.
Ein Teil der Reaktionslösung wurde entnommen und die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskosität der Polyamidsäure wurden gemessen. Sie betrug 1,08 dl/g (0,1 g/100 cm Dimethylsulfoxidlösung bei 300C, Meßbedingungen wie nachfolgend angegeben), bzw. 45 100 cps (Brookfield-Viskosimeter bei 25 C, Messungsbedingungen wie" nachfolgend angegeben) .
Der Kolben wurde dann in einem Wasserbad unter Rühren bei einer Temperatur im Reaktionssystem von 85°C erhitzt, wobei die zweite Stufe (Erhitzungsverfahren) ablief. Während dieser Stufe verminderte sich die Viskosität der Lösung nach und nach.
1,5 Stunden, 4,5 Stunden und 7 Stunden, nachdem das Reaktionssystem 85°C erreicht hatte, wurden jeweils 300 cm aus der Reaktionslösung entnommen, so daß man drei Arten von Polyamidsäurelösungen erhielt, nämlich A (Erhitzungsverfahren, 1,5 Stunden), B (Erhitzungsverfahren, 4,5 Stunden) und C (Erhitzungsverfahren, 7 Stunden). Die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskosität bei den Proben A, B und C
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betrugen 0,74 dl/g, 2560 cps; 0,50 dl/g, 1040 cps; bzw. 0,41 dl/g und 760 cps.
BEISPIEL
In einen Kolben, der dem von Beispiel 1 entsprach, wurden 4,37 g (0,018 Mol) des gereinigten 4,4'-Diaminodiphenyläther-3-carbonamids, 4,54 g (0,042 Mol) des gereinigten p-Phenylendiamins und 254 g gereinigtes N-Methy1-2-pyrrolidon vorgelegt. Die Mischung wurde auf einem Wasserbad von 35 C unter Erhalt einer homogenen Lösung erhitzt. Das Wasserbad wurde entfernt und der Kolben wurde bei Raumtemperatur gehalten. Dann wurden nach und nach 6,54 g (0,03 Mol) Pyromellitsäuredianhydrid und 9,66 g (0,03 Mol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid zugegeben und die gesamte Mischung wurde 10 Stunden gerührt, wobei die erste Stufe ablief und beendet wurde. Ein Teil der Reaktionslösung wurde herausgenommen und die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskosität der Polyamidsäure wurden nach der im Beispiel 1 beschriebenen Methode'gemessen. Sie betrug 0,96 dl/g bzw. 5920 cps.
In der zweiten Stufe (Erhitzungsverfahren) wurde der Kolben auf einem Wasserbad unter Aufrechterhaltung einer Temperatur im Reakt ions system von 80°C gerührt. Die Viskosität der Reaktionslösung wurde während dieser Stufe nach und nach erniedrigt. Zwei Stunden bzw. sechs Stunden, nachdem das Reaktionssystem 8O°C erhalten hatte, wurden jeweils 30 cm der Reaktionslösung entnommen, so daß man zwei Arten von Polyamidlösungen D (Erhitzungsverfahren, zwei Stunden) und E (Erhitzungsverfahren, sechs Stunden) erhielt.
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2S27864
Die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskositäfc der Losungen D und E betrugen Q, 62 dl/g und 2160 cps, bzw. 0,46 dl/g und t48O cps.
VERGkEICHSVERSUCH 1
Die ReaJctions lösung von Beispiel 1, die 7 Stunden bei 85°C erhitzt worden war, wurde weitere 7 Stunden auf 85°C erhitzt, wobei man eine Polyamidlösung F (Erhitzungsverfahren, 14 Stunden} erhielt. Die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskosität betrug O,27 dl/g bzw. 45O cps.
VERGLEICHSVERSUCH
Anstelle des Pyromellitsäuredianhydrids von Beispiel 1 wurden 12,06 g gereinigtes Pyromellitsäuredianhydrid und 1,O2 g ungereinigtes Poyromellitsäuredianhydrid nach und nach zugegeben. Zwei Stunden nach der Zugebe wurde das Eisbad entfernt und das Reaktionsgemisch wurde weitere drei Stunden bei Raumtemperatur zur weiteren Durchführung der Reaktion gerührt, wobei man eine Polyamidsäurelösung G erhielt. Die reduzierte Viskosität und die Lösungsviskosität betrugen 0,32 dl/g bzw. 880 cps.
Der Grad des thermischen Gewichtsverlustes des gehärteten Filmes, die Filmdicke beim Beschichten eines Überzugs und die Eigenschaften des beschichteten Filmes der in den Beispielen und Vergleichsversuchen erhaltenen Polyamidsäuren wurden untersucht und die erzielten Ergebnisse werden in der folgenden Tabelle angegeben.
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TABELLE
Erste
Stufe		 Reduzierte Viskosität
(dl/g, 300C) 		Gewichtsverlustes
5 Stunden an der Luft),		 A Beispiel 1 C Beisp. Lei 2 Vergleichs-
.versuch 1		 Vergleichs
versuch 2
Lösungsviskosität
(cps, 25°C) . ..		 .. E. ■. ' '■ p '' G, ' '■ ■'.
Zweite
Stufe		 e (um) B D ....■ .1,08 0,32'
Reduzierte Viskosität
(dl/g, 30°C) '.■:./... 'Z...:.1.		 45 100 880
Lösungsviskosität
(cps, 25°C)		 aften des beschichteten 0,27
Harzkonzentration (Gew. -%) 0,74 ...!,Os:' 0,9< 450
Grad des
(45O°C,		 2560 45.100 : .0,41 ;592( 0,46 15,1 14,7
90 9 8 Filmdick 14,6 760 1480 35,43 91,02
GO
-Ρ»		 Eigensch
Filmes		 3,33 0,50. 0,62 0,99 1/11
1040 14,9 2160 8,8 gut Risse beob-^
achtet
CO 1,69 4,20 8,27
to gut 14,8 8,6
3,87 1,20 6,09 1,47
gut gut
i,32 1,62
gut gut
Die verschiedenen in der Tabelle angegebenen Eigenschaften wurden wie folgt gemessen:
Reduzierte Viskosität
1 g einer Polyamidsäurelösung wurde in Eiswasser gegossen und ausgefällt. Der Niederschlag wurde in einem Verflüssiger (liquidizer) pulverisiert, durch Filtrieren abgetrennt, gründlich mit destilliertem Wasser gewaschen und im Vakuum getrocknet. Das so erhaltene Pulver wurde in Dimethylsulfoxid zu einer 0,1 g/dl Lösung gelöst und deren Viskosität wurde mit einem Ubbelohde-Viskosimeter gemäß japanischem Industriestandard K 5400 gemessen.
Lösungsviskosität
Diese wurde mit einem Brookfield-Viskosimeter gemäß japanischem Industriestandard K 6901 gemessen.
Harzkonzentration
Diese wurde gemäß japanischem Industriestandard C 2103 gemessen. Gewicht der Probe: 1,5 g, das Erhitzen erfolgte zwei Stunden bei 200°C.
Grad des Gewichtsverlustes
Die Polyamidsäurelösung wurde auf eine Glasplatte gegossen und eine Stunde auf 100°C, dann eine Stunde auf 2000C und schließlich eine Stunde auf 35O°C unter Ausbildung eines Filmes erhitzt und dann wurde der Gewichtsverlust nach 5-stündigem Erhitzen an der Luft bei 45O°C gemessen.
Filmdicke
Auf ein 40 0 Silikonsubstrat auf einer Fotowiderstandsrotationsbeschichtungsvorrichtung wurden etwa 5 g Polyamidsäurelösung aufgetropft und rotationsbeschichtet während 30
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Sekunden mit 4ÖOO Umdrehungen pro Minute. Aus dem Substrat wurde ein gehärteter Film durch einstündiges Erhitzen auf jeweils 1OO°C, dann 2000C und dann 350°C gebildet. Die Filmdicke dieses Filmes wurde gemessen.
Eigenschaften des beschichteten Filmes
Die Eigenschaften des beschichteten Filmes auf dem Substrat wurden visuell durch ein Mikroskop festgestellt.
Wie aus den Beispielen hervorgeht, erhält man gleichmäßige Isolierfilme ohne Nadellöcher mit einer guten Wärmebeständigkeit, welche die bei der Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen auftretende Wärme vertragen und die Zuverlässigkeit von Halbleiter-Vorrichtungen kann erheblich verbessert werden, indem man eine Polyamidsäuren die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde, der Halbleiter-Vorrichtung zuführt.
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Claims (2)

PATENTANWÄLTE 2 9 *■/ö 0 H DR. ING. E. HOFFMANN (1930-197ί) · D tPL.-ING. W.EITLE · DR. RER. NAT. K. HOFFMANN · D iPL.-ING. W. LEHN Dl PL.-Γ NG. K. FDCH SLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 (STERNHAUSJ · D-8000 MDNCH EN 81 . ..TELEFON (089) Sl 1087 · TELEX 05-29ÄI9 (PATHE) 32 330 o/fi HITACHI CHEMICAL COMPANY, Ltd. Tokyo / Japan Verfahren zur Herstellung von Polyamidsäure zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitern Patentansprüche
1. Verfahren zur. Herstellung von Polyamidsäure zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitern, bei dem man ein Diamin und ein Tetracarbonsäureanhydrid, gegebenenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid in einem inerten_Lösungsmittel umsetzt, dadurchgekenn zeichnet, daß man -
(1) ein Diamin und ein Tetracarbonsäuredianhydrid, gegebenenfalls zusammen mit einem Diaminocarbonamid unterhalb 40 C umsetzt, bis die reduzierte Viskosität bei 30 C mehr als 0,5 dl/g beträgt, und
(2) die reduzierte Viskosität auf mehr als 0,3 dl/g bei 300C und die Lösungsviskosität auf 500 bis 3000 cps
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bei 25°C durch Erhitzen auf 50 bis 1000C einstellt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Polyamidsäurekonzentration 5 bis 30 Gew.-% beträgt.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5512131A (en) * 1978-07-11 1980-01-28 Hitachi Chem Co Ltd Preparation of polyamic acid for semiconductor treatment
JPH0138403Y2 (de) * 1981-04-14 1989-11-17
DE3411660A1 (de) * 1984-03-29 1985-10-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von polyimid- und polyisoindolochinazolindion-vorstufen
JPS61111359A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Ube Ind Ltd ポリイミド膜
US4551522A (en) * 1985-04-26 1985-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making photopolymerizable aromatic polyamic acid derivatives
DE3688726T2 (de) * 1985-10-14 1993-10-28 Hitachi Chemical Co Ltd Schicht zur Steuerung der Flüssigkristallorientierung und ihre Anwendung in einer Flüssigkristallvorrichtung.
US5115089A (en) * 1987-09-17 1992-05-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Processes for preparation of polyimide-isoindroquinazolinedione and precursor thereof
US5202411A (en) * 1990-04-06 1993-04-13 W. R. Grace & Co.-Conn. Tri-component polyimide composition and preparation thereof
US5420232A (en) * 1992-04-29 1995-05-30 International Business Machines Corporation Process for making polyamic esters
JP4039036B2 (ja) * 2001-11-06 2008-01-30 日立金属株式会社 アライメントマーク作製方法
KR101171217B1 (ko) * 2004-12-03 2012-08-07 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 이층형 반사방지막을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성방법
US9312177B2 (en) * 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
KR101999926B1 (ko) * 2018-10-11 2019-07-12 에스케이씨코오롱피아이 주식회사 접착력이 우수한 폴리이미드 수지를 제조하기 위한 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조된 폴리이미드 수지
CN116333312B (zh) * 2023-04-10 2023-12-22 黄山聚鑫新材料有限公司 一种防静电聚酰亚胺树脂的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3939109A (en) * 1974-12-19 1976-02-17 Gulf Research & Development Company Polyamic-acids prepared from 3,3,4,4-benzhydrol tetracarboxylic dianhydride

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3410826A (en) * 1967-04-10 1968-11-12 Du Pont Process for preparing shaped articles from polyamide acids before converting to insoluble polyimides
US3663492A (en) * 1970-01-31 1972-05-16 Dynamit Nobel Ag Process for the preparation of polyamidocarboxylic acids
JPS5144871B2 (de) * 1971-09-25 1976-12-01
US4017886A (en) * 1972-10-18 1977-04-12 Hitachi, Ltd. Discrete semiconductor device having polymer resin as insulator and method for making the same
DE2357297C3 (de) * 1973-11-16 1978-09-21 Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal Verfahren zur Herstellung von Polyamidcarbonsäuren
JPS5512131A (en) * 1978-07-11 1980-01-28 Hitachi Chem Co Ltd Preparation of polyamic acid for semiconductor treatment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3939109A (en) * 1974-12-19 1976-02-17 Gulf Research & Development Company Polyamic-acids prepared from 3,3,4,4-benzhydrol tetracarboxylic dianhydride

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Adrona et al.: "Polyimides" Irael Program for Scientific Translations, Jerusalem 1969, Seiten 4, 5 *
C.A. 1977, Vol. 87, Nr. 10, Ref. 68703h *
J. Polymer Sci. Part A, Vol. 1, Seiten 3135 bis 50 (1963) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE2927864C2 (de) 1983-03-31
US4447596A (en) 1984-05-08
JPS5650902B2 (de) 1981-12-02
JPS5512131A (en) 1980-01-28
US4485234A (en) 1984-11-27

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