DE2918535A1 - Verfahren und vorrichtung zur elektronenlithographie - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur elektronenlithographieInfo
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Description
8. Mai 1979 79-T-3535
ROCKWELL INTERNATIONAL CORPORATION, El Segundo, Kalifornien
90245, V.St.A.
Verfahren und Vorrichtung zur Elektronenlithographie
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Mikroschaltungen ganz allgemein
und speziell auf eine Elektronenstrahlvorrichtung zur Erzeugung von Mikroschaltungen mit hoher Dichte und Auflösung.
Die Erfindung bezieht sich auf die Transmissions- oder Durchlässigkeits-Elektronenlithographie.
In den vergangenen Jahren wurden verschiedene Verfahren sowie Techniken entwickelt, um Halbleitervorrichtungen
und miniaturisierte Schaltungen- herzustellen. Anfangs wurden die Schaltungen dadurch hergestellt, daß. man durch
Resist- oder Fotolack-Masken ätzte, und zwar unter Verwendung einer sogenannten "Naßätzung". Zudem wurden chemische
Dämpfe zur Durchführung des Ätzverfahrens benutzt. Kürzlich wurden Trocken-Ätzverfahren, wie beispielsweise
Ionen-Fräsen und Plasma-Fräsen, vorgeschlagen, um Halbleitervorrichtungen mit kleineren Abmessungen herzustellen.
Zudem wurden Verfahren wie das Ionenbombardement und dgl. benutzt, um Halbleitervorrichtungs-Gebiete zu
ändern.
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Da jedoch die Vorrichtungen, immer kleiner und kleiner werden,
ist eine Lithographie mit höherer Auflösung erforderlich. Zu diesem Zweck wird die Elektronenstrahllithographie und
die Röntgenstrahllithographie zur Replizierung von Mustern mit hoher Auflösung auf mit Resistmaterial überzogene Wafers untersucht.
Infolge der großen Informationsmenge, die durch ein hochdichtes Muster repräsentiert wird (beispielsweise bis zu
10 - 10 Bits/cm ),können unerwünscht·lange Belichtungszeiten
für ein Wafer oder eine Maske erforderlich sein, und zwar selbst bei Elektronenstrahlmikro-Herstellungsdatenraten von
bis zu 10 Hz. Darüber hinaus ist die Stabilisierung eines eine sehr hohe Intensität aufweisenden Strahls mit einer sehr
kleinen Punktgröße (weniger als 0,1 Mikron) bei diesen Dichten nicht ohne weiteres erreichbar. Zudem müssen die Schreibraten
häufig reduziert werden, um die Resistmaterialien niedriger
Empfindlichkeit, aber hoher Auflösung, angemessen zu belichten, und zwar insbesondere im Falle von Mustern mit sehr hoher
Dichte. Bei der Röntgenstrahlenlithographie sind Schwellenmit
sehr hoher Leistung für eine schnelle Belichtung erforderlich wegen des schlechten Wirkungsgrades der Röntgenstrahlenerzeugung
durch ein festes Target bombardierende Elektronen. Selbst wenn somit eine Flutbelichtung, an Stelle eines Abtastverfahrens,
verwendet wird, so kann eine sehr schnelle Belichtung nur dann erreicht werden, wenn empfindliche Resistmaterialien
sowie eine Mehrfach-Kilowatt-Punktquelle für Röntgenstrahlen verwendet wird. Die Schwierigkeiten und Gefahren
liegen dabei für den Fachmann auf der Hand.
Andererseits machen die derzeit zur Belichtung von mit Fotoresistmaterial
überzogenen Wafers während der Herstellung von Masken und Mikroschaltungen verwendeten Elektronenstrahlen
Stunden erforderlich, um eine Belichtung von hoher Intensität zu erzeugen. Darüber hinaus werden Elektronen derzeit
zur Belichtung von Mustern mit einer Auflösung von besser als 0,1 Mikron bei mit Resistmaterial überzogenen Substraten
verwendet. Die derzeit verwendeten Verfahren sind die folgenden: 1) Vektorabtastung; 2) Rasterabtastung; 3) Belichtungen
mit veränderbarer öffnung; 4) Kathodenprojektionsdrucken
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ORIGINAL INSPECTED
oder -kopieren und 5) Projektions-Reduktions-Drucken oder
-Kopieren mit Schablonenmasken. Die ersten drei oben genannten Verfahren machen einen beweglichen Elektronenstrahl zur
Belichtung der Muster unter Computersteuerung erforderlich. Das heißt die Musterdefinition wird durch ein Programm vorgesehen,
welches die Arbeitsweise des Computers steuert. Der Computer bewirkt die Ablenkung des Elektronenstrahls und
dessen Ein- und Ausschaltung, um Musterelemente auf ein mit Resistmaterial überzogenes Substrat aufzubelichten. Diese
Verfahren sind von Natur aus langsam. Das Verfahren mit veränderbarer Öffnung oder Apertur verspricht beträchtlich
schneller zu sein als die anderen Verfahren dann, wenn es in der Zukunft entsprechend entwickelt wird.
Beim Kathodenprojektionsdrucken werden die aus einer speziell hergestellten Maske durch eine Flut von UV-Strahlung angeregten
Fotoelektronen auf die Ebene des mit Resistmaterial überzogenen Wafers fokussiert. Dieses Verfahren macht außerordentliche
Schritte zur Verminderung der Musterverformungen erforderlich.
Beim Schablonenprojektions-Reduktionsdrucken wird die Elektronenstrahltransmission
oder -durchlässigkeit durch Perforationen oder Öffnungen in einem Metallblech oder einer anderen
Membran verwendet. Dieses Verfahren verwendet die Endvergrösserung des Elektronenstrahls zur Erreichung einer kleinen
Merkmalsgröße. Dieses Verfahren macht einen Schritt und Wiederholvorgang erforderlich und kann nicht ohne weiteres isolierte
Inseln reproduzieren, und zwar infolge der Schablone an sich. .Die Nähen-Schatten-Abbildung mit der Schablonenmaske in dichter
Nachbarschaft zu dem mit Resistmaterial überzogenen Wafer ist ein mögliches, damit in Beziehung stehendes Verfahren,
wurde aber noch nicht verwendet wegen der Schwierigkeit der Herstellung von Schablonenmasken vor Auflösung.
In der US-Patentanmeldung Nr. 810,469 von A.B. Jones mit dem Titel "High Resolution Mask and Method of Fabrication
Thereof", eingereicht am 27. Juni 1977, ist eine Maske be-
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schrieben, welche gestattet, daß Elektronen hindurchverlaufen
wegen einer extrem dünnen Membran, die aber auch eine Musterdefinition vorsieht durch das Aufbringen von Materialien, die
für den Elektronenstrahl undurchsichtig oder opak sind. Durch die Einführung dieser Maske wird die Transmissionsoder
Durchlässigkeits-Elektronenlithographie (TEL) möglich.
Zusammenfassung der Erfindung. Die Erfindung bezieht sich auf
ein Verfahren zur Herstellung von feinlinigen, eine hohe Auflösung aufweisenden Masken und Mikroschaltungen. Das erfindungsgemäße
Verfahren verwendet Elektronenstrahlen, die in einer Flutbelichtungsart aufgebracht werden, wobei Belichtungen
mit relativ hoher Geschwindigkeit erzeugt werden können.
Die Vorrichtung sieht Mittel vor, um den Elektronenstrahl auf
das mit Resistmaterial überzogene Wafer aufzubringen. Wenn
die Elektroden das mit Resistmaterial bedeckte Wafer belichten,
so wird die Natur des Resist geändert, so daß Teile des Resist ohne weiteres vom Wafer entsprechend üblichen Verfahren
entfernt werden können. Es können entweder positive oder negative Resistmaterialien verwendet werden.
Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten, der Erfindung ergeben
sich insbesondere aus den Ansprüchen sowie aus der Beschreibung
von Ausführungsbeispxelen anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:
Fig. .1 eine schematische Darstellung des Röntgenstrahlen verwendenden Belichtungssystems;
Fig. 2 eine schematische Darstellung des Belichtungs-
systems der Fig. 1 modifiziert, um als ein Durchgangs-Elektronenlithographiesystem zu
arbeiten;
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Fig. 3 eine schematische Darstellung eines breit
kollimierten. Quellenbelichtungssystems;
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines SEM
oder Abtastlinien-Quellen-Belichtungssystems;
Fig. 5 eine schematische Darstellung eines Projek
tionsdruck- oder -kopiersystems.
Es sei nunmehr ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung
eines Röntgenstrahlen-Belichtungssystems. Typischerweise ist ein Anodentarget oder -ziel aus geeignetem Material
vorgesehen. Der Strahl aus Elektronen (Ε-Strahl) wird gegen das Target oder die Anode durch eine geeignete E-Strahl-Versorgungsquelle
gerichtet. Wenn der Ε-Strahl auf die Anode auftrifft, so erzeugt er sowohl rückgestreute Elektronen als
auch sogenannte weiche Röntgenstrahlen. In dem bekannten Rontgenstrahlensystem werden die weichen Röntgenstrahlen durch
eine geeignete Maske in enger Nachbarschaft zu einem mit Resistmaterial überzogenen Wafer projiziert, um ein Muster
in dem Resistmaterial zu erzeugen, wie es durch die Maske definiert ist. Bei den bekannten Röntgenstrahlensystemen
sind die von der Anode rückgestreuten Elektronen unerwünscht. Infolgedessen ist ein Deflektor oder eine Ablenkvorrichtung
vorgesehen, um die- rückgestreuten Elektronen aus dem System zu entfernen. Die Ablenkvorrichtung weist schematisch ein
Paar von leitenden Platten auf, die zwischen entsprechende Potentialquellen geschaltet sind, um ein elektrostatisches
Feld zur Ablenkung der rückgestreuten Elektronen zu erzeugen. Die Ablenkvorrichtung kann durch elektrostatische, elektromagnetische
oder sogar permanentmagnetische Vorrichtungen gebildet sein, die verwendet werden, um zu verhindern, daß
die rückgestreuten Elektronen auf das Röntgenstrahlfenster oder die Maske auftreffen.
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Fig. 2 zeigt ein abgewandeltes Belichtungssystem, welches
dem Belichtungssystem der Fig. 1 insoferne ähnelt, als ein
Elektronenstrahl gegen die Anode gerichtet wird, um weiche Röntgenstrahlen und rückgestreute Elektronen zu erzeugen.
Beim Ausführungsbeispiel der Fig. 2 ist jedoch eine Maske vorgesehen, wie beispielsweise eine solche wie sie in der
obenerwähnten US-Patentanmeldung beschrieben ist. Diese Maske ist im wesentlichen transparent, für die rückgestreuten
Elektronen und auch die weichen Röntgenstrahlen (mit Ausnahme natürlich der das Muster definierenden undurchsichtigen
Zonen). In diesem Ausführungsbeispiel wird der Deflektor oder die Ablenkvorrichtung entweder entfernt oder mit Potentialquellen
derart verbunden, daß die Ablenkvorrichtung ineffektiv ist hinsichtlich der Entfernung rückgestreuter
Elektronen aus dem Belichtungsgebiet* Somit laufen sowohl die weichen Röntgenstrahlen als auch die rückgestreuten
Elektronen, durch die Maske und beeinflussen das mit Resistmaterial überzogene Wafer.
Es ist wohlbekannt, daß nur annähernd ein Elektron von
4
10 Elektronen,die auf das Target auftreffen, ein Röntgenstrahlphoton erzeugt. Bis zu 50% der auf das Target auftreffenden Elektronen erzeugen jedoch rückgestreute Elektronen mit wenig oder keinem Energieverlust. Somit ist eine beträchtlich größere Energiemenge in den rückgestreuten Elektronen verfügbar, als mit Röntgenstrahlen allein. Infolgedessen kann durch die· Verwendung eines Systems, welches die rückgestreuten Elektronen mit einer im wesentlichen dafür transparenten Maske verwendet, das Wafer in einem Bruchteil der für die übliche Rontgenstrahlenbelichtung erforderlichen Zeit belichtet werden. Als eine weitere Folge davon kann eine mit niedriger Leistung arbeitende Röntgenstrahlenquelle als eine Hochleistungs-Elektronenquelle für die Großflächen-Flutbelichtungs-Lithographie durch die Maske verwendet werden. Es wurde beispielsweise festgestellt, daß durch das erfindungsgemäße in Fig. 2 gezeigte Verfahren sowie die erfindungsgemäße Vorrichtung Belichtungszeiten von Sekunden erreicht werden, und nicht Belichtungszeiten
10 Elektronen,die auf das Target auftreffen, ein Röntgenstrahlphoton erzeugt. Bis zu 50% der auf das Target auftreffenden Elektronen erzeugen jedoch rückgestreute Elektronen mit wenig oder keinem Energieverlust. Somit ist eine beträchtlich größere Energiemenge in den rückgestreuten Elektronen verfügbar, als mit Röntgenstrahlen allein. Infolgedessen kann durch die· Verwendung eines Systems, welches die rückgestreuten Elektronen mit einer im wesentlichen dafür transparenten Maske verwendet, das Wafer in einem Bruchteil der für die übliche Rontgenstrahlenbelichtung erforderlichen Zeit belichtet werden. Als eine weitere Folge davon kann eine mit niedriger Leistung arbeitende Röntgenstrahlenquelle als eine Hochleistungs-Elektronenquelle für die Großflächen-Flutbelichtungs-Lithographie durch die Maske verwendet werden. Es wurde beispielsweise festgestellt, daß durch das erfindungsgemäße in Fig. 2 gezeigte Verfahren sowie die erfindungsgemäße Vorrichtung Belichtungszeiten von Sekunden erreicht werden, und nicht Belichtungszeiten
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von Stunden, die erforderlich sind bei der Verwendung als ein Röntgenstrahl-Lithographiesystem. Ein weiterer Vorteil des
erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß Elektronenenergien von 20 Kilovolt oder weniger und dünneres Muster
definierendes Absorbermaterial verwendet werden können als für die häufig gebrauchten Al K Röntgenstrahlen, auf welche
Weise die hohe Auflösefähigkeit der TEL erhöht wird.
Fig. 3 zeigt ein erweitertes Quellensystem. Beim System der Fig. 3 wird die beispielsweise oben beschriebene Maske in
enger Nachbarschaft zu einem r.esistüberzogenen Wafer angeordnet. Die Nähen-Positionierung wird gegenüber der Kontakt- oder
Berührungspositionierung bevorzugt, um so die Maskenlebensdauer zu erhöhen und die allmähliche Musterverschlechterung
zu verhindern.
Bei einer Breitquellenbelichtung wird ein kollimierter breiter Strahl vorgesehen und für eine Flutbelichtung verwendet.
Das heißt, der breite Belichtungs-E-Strahl belichtet
die gesamte Maske und den Wafer gleichzeitig. Wiederum macht das Durchgangselektronenlithographiesystem eine Maske erforderlich,
die für den Elektronenstrahl transparent ist. Dieser Vorgang ist deutlich schneller als das Röntgenstrahl- oder
andere Elektronenstrahl-Lithographieverfahren. Es muß natürlich darauf hingewiesen werden, daß der breite E-Strahl
in irgendeiner Weise kollimiert werden muß, um ein hohes Auflösungsmuster in dem Resistmaterial zu erzeugen. Eine
geeignete breite Strahlbelichtung kann erfolgen unter Verwendung eines TEM (Transmissions- oder Durchlässigkeits-Elektronenmikroskop)
.
In Fig. 4 ist die Quelle ein SEM (scanning electron microskope = abtastendes Elektronenmikroskop) oder eine fokussierte
Zeilenquelle. Bei einer SEM- oder Zeilenquellen-Belichtung wird ein defokussierter Ε-Strahl von einer Zeilen- oder Punktquelle
über das zu belichtende Gebiet gerastert. Dieser Strahl
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läuft durch die Maske und belichtet das resistüberzogene Wafer entsprechend dem durch die Maske definierten Muster. Der
Strahl wird über die Maske und das Wafer bewegt, um das Maskenmuster
auf das Wafer zu transmittieren oder zu übertragen. Wiederum ist die Maske in dichter Nähe zum Wafer zur Erhöhung
der Auflösung angeordnet.
Pig. 5 zeigt eine schematische Darstellung eines Projektionsdruckverfahrens. In diesem Beispiel ist ein fokussierter E-Strahl
durch eine geeignete Quelle vorgesehen. Der fokussierte Ε-Strahl läuft durch eine Maske der oben beschriebenen Art und
erzeugt ein Bild der Maske auf dem resistüberzogenen Wafer. Die Fokussierung des Ε-Strahls nach Durchgang durch die Maske
wird durch, geeignete elektronische Linsen erreicht. Durch geeignete
Anordnung der Fokussierung des Ε-Strahls und das Vorsehen
(Deposition) zwischen der Maske und dem Wafer kann ein Vergrößerungs-Entvergrößerungs(Verkleinerungs)- oder 1:1-Projektionsdruck
erfolgen.
Obwohl, die in den Figuren gezeigten Quellen als SEM1S, TEM's
oder andere Vorrichtungen bezeichnet wurden, so ist doch darauf hinzuweisen, daß eine Zeilen- oder Breitgebiet-Quelle ohne
weiteres vorgesehen sein kann. Demgemäß kann eine Zeilenquelle von der Natur eines linearen erhitzten Fadens vorgesehen sein.
Das Bild des Fadens kann über die Maske getastet werden, die sich in dichter Nachbarschaft (beispielsweise einige Mikron)
gegenüber dem resistüberzogenen Wafer befindet. Ein solcher heißer Faden oder Draht erzeugt eine gleichförmige Emissionscharakteristik, und es können entweder elektromagnetische
oder elektrostatische Ablenkvorrichtungen zur Erzeugung des Abtasteffekts verwendet werden.
Eine breitflächige Elektronenstrahlquelle kann hergestellt werden
durch Extrahieren von Elektronen aus einer breitflächigen
Glühentladung in einer Weise analog dem Verfahren zur Ionenextraktion
in Ionen-Rückstoßvorrichtungen oder aus einem gleichförmig beleuchteten Fotoemitter, wobei mit jeder dieser
Arten von Quellen eine große oder zweidimensionale Quelle er-
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halten und die Abtastung minimiert oder eliminiert werden kann.
Zur Aufrechterhaltung hoher Auflösung können die Abmessungen der Vorrichtung derart eingestellt werden, daß die Kollimation
des Elektronenstrahls als ein Ergebnis des Abstandes zwischen der Quelle und dem resistüberzogenen Wafer auftritt.
Wenn umgekehrt dichtere Anordnungen gewünscht sind, so kann ein Gitter oder eine ähnliche Vorrichtung zur Kollimierung
des Elektronenstrahls verwendet werden. Diese Anordnungen sind allgemein von den Breitquellen- oder TEM-Betriebsarten
umfaßt.
Die Erfindung zeigt somit eine Vorrichtung zur Erzeugung von Mustern in dem Resistmaterial, welches ein Wafer überzieht,
wobei die Muster von einer Feinlinientype mit hoher Auflösung sind. Diese Mustertype ist außerordentlich zweckmäßig
für die Mikroschaltungs-Herstellungsverfahren. Die Erfindung
sieht die Hochauflösungsmuster wesentlich schneller vor als irgendeines der bekannten Verfahren, wie beispielsweisen
Rontgenstrahlenlithographxe oder die bekannten Elektronenlithographieverfahren.
Abwandlungen des oben beschriebenen Systems liegen im Rahmen der Erfindung, wobei insbesondere auch auf die Ansprüche
allgemein verwiesen sei.
Zusammenfassend sieht die Erfindung kurz gesagt ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Erhalt einer Feinlinienlithographie
mit hoher Auflösung vor. Das erfindungsgemäße Verfahren sowie
die erfindungsgemäße Vorrichtung gestatten die Herstellung
von Mikroschaltungen hoher Dichte unter Verwendung von Elektronenstrahlbelichtungen
der Fluttype, wobei relativ kurze Belichtungszeiten erforderlich sind. Die Vorrichtung sieht Mittel
vor, um Elektronenstrahlquellen aufzubauen, welche die Belichtung der fotoresistüberzogenen Wafers während der Herstellung
der Masken und/oder Mikroschaltungen ausführen.
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Claims (14)
1.1 Verfahren zur Herstellung von eine hohe Auflösung aufweisenden
Feinlinien-lithographischen-Strukturen, gekennzeichnet' durch folgende Schritte:
Vorsehen einer Quelle energiereicher Elektronen, Vorsehen einer Maske, welche die energiereichen Elektronen,mit
der Ausnahme in vorgeschriebenen Mustergebieten, durchläßt, und Leitung der energiereichen Elektronen durch die Maske zur
Reproduzierung des Mustergebiets in einer Verwendungsvorrichtung
. -. . '
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den
Schritt .der
Leitung der energiereichen Elektronen von der Quelle zu einer Targetanode zur Erzeugung weicher Röntgenstrahlen und sekundärer
energiereicher Elektronenemission, und Leitung der sekundären energiereichen Elektronenemission und der weichen Röntgenstrahlen
durch die Maske.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Quelle der energiereichen Elektronen eine relativ große Fläche besitzt, um die gesamte Maske einer Flutbelichtung
zu unterwerfen.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-3,
insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle energiereicher Elektronen eine Linearkonfiguration
besitzt und einen linearen Elektronenstrahl erzeugt, und wobei die Quelle bewirkt, daß der lineare Elektronenstrahl über
die Maske rastergetastet wird. .
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüchen, insbesondere nach Anspruch 1,. gekennzeichnet durch den Schritt des Fokussierens der energiereichen Elektronen
auf die Anwendungsvorrichtung nach Durchgang durch die
Maske, um die Größe und die Bildvergrößerung des Mustergebiets
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ORIGINAL INSPECTED
ORIGINAL INSPECTED
-Z-
auf der Verwendungsvorrichtung zu steuern.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere naai Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Mustergebiete der Maske Abmessungen in der Grössenordnung
von einem Mikron oder weniger besitzen.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Mustergebiete der Maske ringartige Konfigurationen mit internen Öffnungen darinnen aufweisen.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Maske in enger Nachbarschaft zu, aber mit Abstand von der Benutzungsvorrichtung angeordnet ist.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem . oder mehreren der oben genannten Ansprüche, gekennzeichnet
durch eines oder mehrere der folgenden Merkmale: eine Quelle energiereicher Elektronen und eine die energiereichen
Elektronen, mit der Ausnahme in vorgeschriebenen Mustergebieten, durchlassende Maske, welche die energiereichen
Elektronen zur Reproduzierung des Mustergebiets in einer Verwendungsvorrichtung leitet.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die sekundäre, energiereiche Elektronenemission und die
weichen Röntgenstrahlen durch die Maske geleitet werden.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 und/oder 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Quelle der energiereichen Elektronen eine relativ große Fläche besitzt.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 9-11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle energiereicher Elektronen eine Linearkonfiguration besitzt und einen linearen Elektronenstrahl
über die Maske rastertastet.
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13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mustergebiete der Maske Abmessungen in der Größenordnung von einem Mikron
oder weniger besitzen.
14.- Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mustergebiete der Maske ringartige Konfigurationen mit internen Öffnungen
darinnen aufweisen.
1.5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske in enger Nachbarschaft zu, aber mit Abstand von der Benutzungsvorrichtung
angeordnet ist.
9 0984 6/085S
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
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FR2328281A1 (fr) * | 1975-10-17 | 1977-05-13 | Siemens Ag | Procede pour l'irradiation corpusculaire d'une preparation |
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Electronics, Vol.50, Mai 1977, S.89-98 * |
Solid State Technology, Vol.19, April 1976, S.62-67,78 * |
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