DE19922758A1 - Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung

Info

Publication number
DE19922758A1
DE19922758A1 DE19922758A DE19922758A DE19922758A1 DE 19922758 A1 DE19922758 A1 DE 19922758A1 DE 19922758 A DE19922758 A DE 19922758A DE 19922758 A DE19922758 A DE 19922758A DE 19922758 A1 DE19922758 A1 DE 19922758A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
charged particles
mask
particle beam
electron
lithographic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19922758A
Other languages
English (en)
Inventor
Boris Aronovic Gurovic
Dmitrij Iosifovic Dolgyj
Evgenij Pavlovic Velichov
Evgenia Anatol Evna Kulesova
Boris Aronovic Aronzon
Evgenij Zalmanovic Meilichov
Evgenij Petrovic Ryazancev
Vladimir Vasil Evic Rylkov
Kirill Evgen Evic Prichodko
Alexandr Grigor E Domantovskyj
Yaroslav Igorevic Strombach
Evgenij Dmitrievic Olsanskyj
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostju "labor
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of DE19922758A1 publication Critical patent/DE19922758A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/05Arrangements for energy or mass analysis
    • H01J2237/057Energy or mass filtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung besteht darin, daß im Teilchenstrahl solche geladenen Teilchen abgesondert werden, deren Energiedispersion im Bereich von 0,1 bis 5,0 eV liegt, und aus dem Teilchenstrahl solche geladenen Teilchen entfernt werden, deren Energiedispersion außerhalb des angegebenen Bereichs liegt. Dann wird die primäre Fokussierung des Teilchenstroms von geladenen Teilchen bis zum Erreichen seiner Divergenz von 5.10·-2· bis 10·-4· und eine Bestrahlung mit dem fokussierten Teilchenstrahl von geladenen Teilchen einer eine Zeichnungsschablone aufweisenden Maske durchgeführt. Danach wird eine sekundäre Fokussierung des beim Passieren durch die Maske modulierten Teilchenstrahls zur Herstellung auf der zu bearbeitenden strahlungsempfindlichen Schicht der lithographischen Zeichnung, welche der Zeichnungsschablone der Maske im verkleinerten Maßstab entspricht, durchgeführt.

Description

Vorliegende Erfindung betrifft Technologie zur Herstellung von komplizierten lythographischen Zeichnungen mit Hilfe von geladenen Teilchen. Vorliegende Erfindung kann in Mikroelektronik zur lythographischen Herstellung von integrierten Schaltkreisen, Speichereinrichtungen und optischen Elementen mit Abmessungen der Einzelelemente der leitenden Strukturen im Nanometerbereich Anwendung finden.
Bis heutiger Zeit wurde die Mikroelektronik auf dem Wege der sukzessiven Reduzierung der Abmessungen von Schaltungselementen von Mikrometer- bis Submikrometerbereich entwickelt. Nachdrückliche Forderung nach Elementen mit Nanometerabmessungen führt zur Suche nach neuen technologischen Methoden der lythographischen Herstellung der leitender Struktur, die eine hohe Auflösung erlauben. Unter der Auflösung wird in diesem Fall die minimale Abmessung von Elementen der zu schaffenden leitenden Struktur verstanden, die eine noch zulässige Elementendichte der leitender Struktur definiert, ohne daß sie sich auf Längen- oder Flächeneinheit berühren.
Bekannt ist ein Verfahren zur Herstellung einer Zeichnung durch lythographische Abbildung (US-Patent 5,376,505). Das Verfahren sieht eine Bestrahlung eines Substrats aus strahlungsempfindlichen Material durch eine Maske mit einem Strahl von geladenen Teilchen vor, wodurch das erwähnte Material umgewandelt und auf dem Substrat eine der Zeichnungsschablone der Maske entsprechende Zeichnung geformt wird. Die Teilchen werden bis zur Geschwindigkeit beschleunigt, welche De-Broglie-Wellenlänge entspricht, deren Maximalwert unter der vorgegebenen Projizierungsgenauigkeit liegt. Der Strahl wird durch Teilchen gebildet, welche sich innerhalb eines bestimmten Raumwinkels auf den unterschiedlichen Laufbahnen bewegen, wodurch die erwähnten Teilchen die Substratoberfläche auch unter verschiedenen Winkeln treffen. Zum Erreichen der vorgegebenen Genauigkeit der Ausbildung von lythographischen Zeichnung werden einzelne Abschnitte der Maske derart abgetastet, daß sich die Lage des Strahls beim Übergang von undurchlässigen zu durchlässigen Abschnitten (Zeichnungsschablone der Maske) und zurück ändert.
Die geladenen Teilchen im Strahl weisen eine bedeutende Streuung vom Mittelwert auf, mit anderen Worten liegt eine Energiedispersion der geladenen Teilchen vor. Da diese Teilchen die Maske unter verschiedenen Winkeln treffen, geschieht eine Verwaschung der Abbildung von durchlässigen Maskenabschnitten (Zeichnungsschablone der Maske) auf dem Substrat. Die angeführten Erscheinungen lassen keine hohe Auflösung zu, das heißt es lassen sich keine Abbildungselemente mit linearen Abmessungen in der Größenordnung von einigen Nanometer herstellen. Die in dem bekannten Verfahren vorgenommene Abtastung der Maske erschwert das Verfahren und vermindert seine Produktivität.
Bekannt ist auch ein Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung auf einer strahlungsempfindlichen Oberfläche (US-Patent 5,561,008). Das Verfahren besteht darin, daß eine einmalige Bestrahlung einer Zeichnungsschablone der Maske mit einem Strahl von geladenen Teilchen durchgeführt wird. Der Strahl von geladenen Teilchen wird nach Passieren der Maske auf die Oberfläche (das Substrat) mit darauf aufgetragenem strahlungsempfindlichen Material fokussiert, wodurch das erwähnte Material umgewandelt und auf dem Substrat eine der Zeichnungsschablone der Maske entsprechende Zeichnung geformt wird.
Jede Quelle der geladenen Teichen stellt bekanntlich keine ideale Quelle dar, da die Teilchen eine Energiedispersion aufweisen können und der Strahl selbst eine endliche Winkeldivergenz besitzen kann. Vorhandensein von Energiedispersion der geladenen Teilchen führt zu chromatischen Aberrationen in den die Abbildung formenden Systemen. Vorhandensein der Winkeldivergenz des Strahls von geladenen Teilchen führt zu sphärischen Aberrationen. Die erwähnten Aberrationen neben der den geladenen Teilchen entsprechenden De-Broglie-Wellenlänge begrenzen die in den Abbildung formenden Systemen erreichbare maximale Auflösung.
Ohne spezielle Begrenzung der Energiedispersion der geladenen Teilchen (chromatischen Aberration) und der Divergenz des auf die Maske fallenden Strahls ist eine in der Mikroelektronik bei Herstellung von integrierten Mikroschaltungen und ähnlichen Erzeugnissen erforderliche hohe Auflösung nicht zu erreichen.
Der Erfindung ist die Aufgabe zu Grunde gelegt, ein Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung zu entwickeln, bei dem durch Bildung eines Strahls von geladenen Teilchen mit einer bestimmten Winkeldivergenz und durch Gewährleistung einer bestimmtem Energiedispersion der geladenen Teilchen die Herstellung einer lithographischen Zeichnung erreichbar wäre, deren einzelne Elemente lineare Abmessungen in der Größenordnung von einigen Nanometer ausweisen.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung, welches eine Bildung des Strahls von geladenen Teilchen, eine primäre Fokussierung des gebildeten Strahls von geladenen Teilchen, eine Bestrahlung der Zeichnungsschablone der Maske mit dem fokussierten Strahl von geladenen Teilchen, eine sekundäre Fokussierung des beim Passieren der Maske modulierten Teilchenstrahls zur Herstellung auf der zu bearbeitenden strahlungsempfindlichen Schicht einer der Zeichnungsschablone der Maske entsprechenden lithographischen Zeichnung im verkleinerten Maßstab umfasst, erfindungsgemäß im Strahl solche geladene Teilchen ausgesondert werden, deren Energiedispersion im Bereich von 0,1 bis 5,0 eV liegt, und aus dem Teilchenstrahl solche geladenen Teilchen entfernt werden, deren Energiedispersion außerhalb des angegebenen Bereichs liegt, wobei die primäre Fokussierung des Teilchenstrahls von geladenen Teilchen bis zur Winkeldivergenz von 5.10-2 bis 10-4 Radiant durchgeführt wird.
Dadurch, daß im beanspruchten Verfahren Fokussierung des Teilchenstrahls von auf die Oberfläche der Maske auftretenden geladenen Teilchen bis zur Winkeldivergenz von 5.10-2 bis 10-4 Radiant vorgesehen ist, wird die sphärische Aberration bei Projizieren der Zeichnungsschablone der Maske auf die strahlungsempfindliche Schicht bedeutend vergrößert. Aussonderung der geladenen Teilchen mit Energiedispersion von 0,1 bis 5,0 eV im Unterschied zu den bekannten Verfahren läßt eine Verminderung der chromatischen Aberration zu.
Im Ganzen ist bei beanspruchtem Verfahren durch Verminderung der sphärischen und chromatischen Aberration die Erhöhung der Auflösung erreichbar, das heißt, es lassen sich Elemente der leitender Struktur mit linearen Abmessungen in der Größenordnung von einigen Nanometer herstellen.
Die weiteren Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung folgen aus der ausführlichen Beschreibung, den Ausführungsbeispielen und Zeichnung, welche schematisch ein Prinzipschaltbild der Anlage zeigt, in der das beanspruchte Verfahren durchgeführt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung besteht im folgenden. Mit Hilfe einer Quelle 1 der geladenen Teilchen wird ein Strahl von geladenen Teilchen - Elektronen oder Ionen - mit definierter Teilchenenergie und einer bestimmten Energiedispersion im Bereich zwischen 0,1 bis 5,0 eV gebildet. Dabei werden aus dem Teilchenstrahl solche geladenen Teilchen entfernt, deren Energiedispersion außerhalb des angegebenen Bereichs liegt.
Zur Zeit sind die Elektronenquellen vorhanden, welche die angeführte Energiedispersion der Elektronen gewährleisten. Bei Verwendung einer Ionenquelle (Thermoionen-, Gasentladungs-, Oberflächenplasma-, Photodesorbtionsquelle und andere) wird Ionenstrahl durch ein Wien-Filter durchgelassen, welches die erforderliche Energiedispersion der geladenen Teilchen sichert (nicht gezeigt).
Auf diese Weise gebildeter Teilchenstrahl von geladenen Teilchen wird durch ein Linsensystem 2 fokussiert und auf die Maske 3 gerichtet, welche eine Zeichnungsschablone aufweist.
Durch Linsensystem 2 aus zum Beispiel elektromagnetischen oder elektrostatischen Linsen wird die primäre Fokussierung des gebildeten Teilchenstrahls von geladenen Teilchen derart durchgeführt, daß die Winkeldivergenz des Teilchenstrahls von 5.10-2 bis 10-4 Radiant beträgt. Winkeldivergenz im angegebenen Bereich kann in den modernen Elektronenmikroskopen mit erforderlichen Aperturabmessungen, zum Beispiel in den Beleuchtungssystemen der Transmissionsmikroskopen GEM 4000 FX erreicht werden.
Der auf diese Weise gebildete Teilchenstrahl von geladenen Teilchen passiert die Maske 3 und erfährt dabei eine räumliche Intensitätsmodulation und trägt Information über Zeichnungsschablone der Maske 3. Danach wird mittels des Linsensystem 2 (aus Elektronen- oder Ionenlinsen) die sekundäre Fokussierung des Teilchenstrahls von geladenen Teilchen auf die strahlungsempfindliche Schicht 5 durchgeführt. Bestrahlung der einzelnen Abschnitte dieser Schicht 5 mit geladenen Teilchen führt zur Änderung der chemischen Zusammensetzung der Oberflächenschicht durch selektive Entfernung von Atomen einer bestimmten Sorte aus der Schicht 5. Das heißt, im Bestrahlungsprozess werden die Bedingungen zum Trennen des Materials der strahlungsempfindlichen Schicht 5 in leitende und nichtleitende Komponenten geschaffen; dabei driftet die nichtleitende Komponente in die Tiefe des Schichtmaterials und beeinflußt praktisch seine Eigenschaften nicht, und die leitende Komponente bleibt im Schichtmaterial unter Bildung einer Mehrzahl von Elementen der leitenden Struktur mit linearen Abmessungen in der Größenordnung von einigen Nanometer.
Auf diese Weise wird auf der strahlungsempfindlichen Schicht eine lithographische Zeichnung gebildet, welche der Zeichnungsschablone der Maske in dem verkleinerten Maßstab entspricht. Die strahlungsempfindliche Schicht kann die Oberfläche des Substrats sein, auf welches eine Schicht aus unter Strahlungseinwirkung umwandlungsfähigen Material aufgetragen ist. Als solches Material können Metalloxide, -hydride oder -nitride Verwendung finden. Als Metallhydrid ist vorteilhaft Lanthanhydrid oder Ytterbiumhydrid, als Metalloxid Urandioxid, als Metallnitrid Galliumnitrid zu verwenden: nichtsdestotrotz ist diese Aufzählung nicht dadurch begrenzt, und es ist Anwendung auch von anderen bekannten Stoffen möglich.
Die angegebenen Stoffe werden in den bekannten Verfahren recht selten verwendet, aber gerade solche Stoffe lassen bei Trennen in die leitende und nichtleitende Komponenten durch Bestrahlung eine Drift der nichtleitenden Komponente in Substratmaterial zu.
Durch Ausbildung eines Teilchenstrahls von geladenen Teilchen, welcher mit einer Winkeldivergenz von 5.10-2 bis 10-4 Radiant auf die Maske gerichtet wird, wird die sphärische Aberration bei Projizieren der Zeichnungsschablone der Maske auf bestrahlte Oberfläche wesentlich verringert. Dabei ist experimentell festgestellt, daß bei Winkeldivergenz größer als 5.10-2 Radiant die sphärische Aberration zu Verzerrung und Verwaschung der Zeichnung führt und es können keine Elemente der lithographischen Zeichnung mit Abmessungen von einigen Nanometer hergestellt werden. Reduzierung der Winkeldivergenz unterhalb 10-4 Radiant führt zur wesentlichen Abnahme der Teilchenstrahldichte, was seinerseits eine vergrößerte Belichtungszeit bei unbedeutender Zunahme der Auflösung erforderlich macht, was bei Serienfertigung ökonomisch nicht vertretbar ist.
Bildung des Teilchenstrahls von geladenen Teilchen mit Energiedispersion von 0,5 bis 5 eV führt, wie die durchgeführten Untersuchungen gezeigt haben, zur Verminderung der chromatischen Aberration bei Projizieren der Zeichnungsschablone der Maske auf die bestrahlte Oberfläche und damit zur Zunahme der Auflösung. Dabei ist die Verminderung der Energiedispersion unter 0,1 eV nicht gerechtfertigt wird, da keine weitere merkliche Zunahme der Auflösung geschieht. Falls die Energiedispersion 5 eV übersteigt, so verhindert die entstehende chromatische Aberration die Herstellung der Abbildung mit Abmessungen einzelner Elementen von einigen Nanometer.
Zur besseren Verständnis des beanspruchten Verfahrens und seiner Vorteile sind nachfolgend konkrete Ausführungsbeispiele beschrieben.
Beispiel 1
In einer Bestrahlungskammer der oben beschriebenen technologischen Anlage wird eine mit einer strahlungsempfindlichen Schicht versehene Platte mit Abmessungen 5 × 5 × 0,4 mm in einer Halterung angeordnet. In dieser Ausführung ist die Platte aus Siliziumoxid gebildet und auf ihre Oberfläche ein strahlungsempfindliches Material mit einer Dicke von 10 nm aufgetragen. Als dieses Material wird Lanthanhydrid verwendet. Vor der Platte wird eine Maske aus Silizium in Form einer Platte mit Abmessungen 50 × 50 × 0,4 mm mit einer darin ausgeführten Zeichnungsschablone in Form von Rundöffnungen mit einem Durchmesser von 100 nm und geraden Linien mit einer Breite von 100 nm und einer Länge von 3 mm beim Abstand zwischen Zeichnungselementen von 1000 nm angeordnet. In der Bestrahlungskammer wird zuerst mittels einer Vorvakuum- und Turbomolekularpumpe und dann einer Ionenpumpe ein Vakuum von 10-9 Torr geschaffen. Als Quelle der geladenen Teilchen wird eine Elektronenkanone mit einer Wolframthermokathode verwendet. Es wird der Betrieb der Elektronenkanone eingeregelt, welcher eine Energiedispersion der Elektronen von 0,1 bis 5,0 eV gewährleistet. Dafür wird vor der Maske im Strahlungsweg der Elektronen eine den Elektronenstrahl absorbierende Klappe aufgestellt. Nach Erreichen der Elektronenkanone der Betriebsparameter wird die Klappe geöffnet und eine einmalige Belichtung durchgeführt. Durch ein System von elektromagnetischen Linsen wird ein Elektronenstrahl mit einer Winkeldivergenz von 5.10-2 bis 10-4 Radiant gebildet. Als Resultat der Zusammenwirkung des modulierten Elektronenstrahls mit Lanthanhydrid erfolgt eine selektive Entfernung von Wasserstoffatomen aus der Schicht und Abbildung der lithographischen Zeichnung. Mittlere Elektronenenergie beträgt 300 keV und der Elektronenstrahlstrom 100 µA. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 2
Das Verfahren wird mit gleichen Parametern wie im Beispiel 1 durchgeführt, es wird jedoch als Quelle der geladenen Teilchen eine Protonenquelle verwendet, welche eine Generierung von Wasserstoffionen mit Energie in der Größenordnung von 1 keV gewährleistet. In diesem Fall wird als strahlungsempfindliches Material Ytterbiumhydrid mit einer Dicke von 10 nm verwendet. Mittlere Ionenenergie beträgt 1000 keV und der Ionenstrahlstrom 60 µA. Es wird eine Maske mit der gleichen Zeichnungsschablone wie im Beispiel 1 verwendet. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 angegeben.
Tabelle 1
Tabelle 2

Claims (1)

  1. Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung, umfassend eine Bildung eines Teilchenstrahls von geladenen Teilchen, eine primäre Fokussierung des Teilchenstrahls von geladenen Teilchen, eine Bestrahlung mit dem fokussierten Teilchenstrahl von geladenen Teilchen einer eine Zeichnungsschablone aufweisenden Maske, eine sekundäre Fokussierung des beim Passieren durch die Maske modulierten Teilchenstrahls zur Herstellung auf der zu bearbeitenden strahlungsempfindlichen Schicht der lithographischen Zeichnung, welche der Zeichnungsschablone der Maske im verkleinerten Maßstab entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß im Teilchenstrahl solche geladene Teilchen abgesondert werden, deren Energiedispersion im Bereich von 0,1 bis 5,0 eV liegt und aus dem Teilchenstrahl solche geladenen Teilchen entfernt werden, deren Energiedispersion außerhalb des angegebenen Bereichs liegt, wobei die primäre Fokussierung des Teilchenstrahls von geladenen Teilchen bis zum Erreichen seiner Divergenz von 5.10-2 bis 10-4 durchgeführt wird.
DE19922758A 1998-05-22 1999-05-18 Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung Withdrawn DE19922758A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98109497/28A RU2129294C1 (ru) 1998-05-22 1998-05-22 Способ получения рисунка

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19922758A1 true DE19922758A1 (de) 1999-11-25

Family

ID=20206193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19922758A Withdrawn DE19922758A1 (de) 1998-05-22 1999-05-18 Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6004726A (de)
KR (1) KR19990088482A (de)
DE (1) DE19922758A1 (de)
FR (1) FR2778990B1 (de)
GB (1) GB2338588B (de)
NL (1) NL1012118C2 (de)
RU (1) RU2129294C1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2526236C1 (ru) * 2013-03-22 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Способ формирования магнитной паттернированной структуры в немагнитной матрице
US10136027B2 (en) 2017-01-12 2018-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Image reading apparatus with reference surface to generate reference data for shading correction, and related image forming apparatus and method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58500826A (ja) * 1981-05-26 1983-05-19 ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− 集束されたイオンビ−ムを用いる精密微細加工用コラム
AT391771B (de) * 1987-03-05 1990-11-26 Ims Ionen Mikrofab Syst Einrichtung zur verkleinernden oder 1 : 1 ionenprojektionslithographie
US5362606A (en) * 1989-10-18 1994-11-08 Massachusetts Institute Of Technology Positive resist pattern formation through focused ion beam exposure and surface barrier silylation
US5130547A (en) * 1989-11-30 1992-07-14 Fujitsu Limited Charged-particle beam exposure method and apparatus
US5063296A (en) * 1990-05-31 1991-11-05 Shimadzu Corporation Electron-optical system for making a pseudoparallel micro electron-beam
EP0470299B1 (de) * 1990-08-08 1996-06-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Energiefilter für Ladungsträgervorrichtung
US5376505A (en) * 1992-03-16 1994-12-27 At&T Corp. Device fabrication entailing submicron imaging
US5279925A (en) * 1992-12-16 1994-01-18 At&T Bell Laboratories Projection electron lithographic procedure
US5468595A (en) * 1993-01-29 1995-11-21 Electron Vision Corporation Method for three-dimensional control of solubility properties of resist layers
US5561008A (en) * 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
TW302507B (de) * 1995-02-10 1997-04-11 Siemens Ag
US5789140A (en) * 1996-04-25 1998-08-04 Fujitsu Limited Method of forming a pattern or via structure utilizing supplemental electron beam exposure and development to remove image residue
JP3085206B2 (ja) * 1996-09-06 2000-09-04 日本電気株式会社 電子線露光装置及びその露光方法
JPH11283552A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Tadamoto Tamai イオン注入装置、イオン注入方法、イオンビーム源、及び可変スリット機構

Also Published As

Publication number Publication date
GB2338588A (en) 1999-12-22
GB2338588B (en) 2002-10-30
FR2778990A1 (fr) 1999-11-26
GB9911759D0 (en) 1999-07-21
FR2778990B1 (fr) 2002-06-14
NL1012118A1 (nl) 1999-11-24
KR19990088482A (ko) 1999-12-27
RU2129294C1 (ru) 1999-04-20
US6004726A (en) 1999-12-21
NL1012118C2 (nl) 2001-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19848070B4 (de) Niedrigenergie-Elektronenstrahllithographie
DE69023073T2 (de) Herstellung von Vorrichtungen mittels lithographischer Prozesse.
DE60128659T2 (de) Verfahren zur reparatur von lithographischen masken unter verwendung eines strahls geladener teilchen
EP0120834B1 (de) Optisch strukturiertes Filter und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69233067T2 (de) Integrierte Schaltungen
DE69327355T2 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE69906515T2 (de) Beschleunigungs- und analysevorrichtung für eine ionenimplantationsanlage
DE68923638T2 (de) Korrekturverfahren für Maske.
DE3884688T2 (de) Verfahren und Vorrichtung für die Korrektur von Fehlern in Röntgenstrahlmasken.
DE69315758T2 (de) Implantationsgerät mittels fokusierten Ionenstrahls
DE69123677T2 (de) Reflektionsmaske und eine solche Reflektionsmaske verwendendes geladenes Teilchenstrahl-Belichtungsgerät
DE2727733C2 (de) Elektronenstrahllithographieanordnung
DE60034559T2 (de) Vielstrahl-elektronenstrahl-lithographievorrichtung mit unterschiedlichen strahlblenden
DE69322890T2 (de) Verfahren zur Verringerung einer räumlichen energiedispersiven Streuung eines Elektronenstrahlenbündels und eine für den Einsatz eines solchen Verfahrens geeignete Elektronenstrahlvorrichtung
DE68922929T2 (de) Photokathoden-Bildprojektionsapparat für die Mustergestaltung auf einer Halbleitervorrichtung.
EP0216750B1 (de) Ionenstrahlgerät und Verfahren zur Ausführung von Änderungen, insbesondere Reparaturen an Substraten unter Verwendung eines Ionenstrahlgerätes
EP0739531B1 (de) Teilchenoptisches abbildungssystem
DE19638109A1 (de) Elektronenstrahl-Lithographie-System
DE602004007573T2 (de) Verfahren zur Vermeidung von Ablagerungen von Verunreinigungsteilchen auf die Oberfläche eines Mikrobauteils, Aufbewahrungsvorrichtung für ein Mikrobauteil und Vorrichtung zur Abscheidung von dünnen Schichten
DE19922758A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Zeichnung
DE2755399C2 (de)
DE19922759A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur
DE19934049C2 (de) Multikolonnen-Lithographiesystem mit geladenem Teilchenstrahl
DE102020216518A1 (de) Endpunktbestimmung mittels kontrastgas
AT393333B (de) Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: OBSCHESTVO S OGRANICHENNOI OTVETSTVENNOSTJU "LABOR

8181 Inventor (new situation)

Free format text: GUROVIC, BORIS ARONOVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU DOLGYJ, DMITRIJ IOSIFOVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU VELICHOV, EVGENIJ PAVLOVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU KULESOVA, EVGENIA ANATOL EVNA, MOSKAU/MOSKVA, RU ARONZON, BORIS ARONOVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU MEILICHOV, EVGENIJ ZALLMANOVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU RYAZANCEV, EVGENIJ PETROVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU RYLKOV, VLADIMIR VASIL EVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU PRICHODKO, KIRILL EVGEN EVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU DOMANTOVSKYJ, ALEXANDR GRIGOR EVIC, MOSKAU/MOSKVA, RU STROMBACH, YAROSLAV IGOREVIC

8139 Disposal/non-payment of the annual fee