DE2914506C2 - - Google Patents
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- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
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Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792914506 DE2914506A1 (de) | 1979-04-10 | 1979-04-10 | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur |
| US06/132,115 US4341589A (en) | 1979-04-10 | 1980-03-20 | Method for producing large surface plate or disc-shaped Si crystals with columnar structure |
| JP4553780A JPS55140791A (en) | 1979-04-10 | 1980-04-07 | Method and device for manufacturing large area silicon crystal plate having pillarrshaped texture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792914506 DE2914506A1 (de) | 1979-04-10 | 1979-04-10 | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2914506A1 DE2914506A1 (de) | 1980-10-16 |
| DE2914506C2 true DE2914506C2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 1988-03-10 |
Family
ID=6067988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792914506 Granted DE2914506A1 (de) | 1979-04-10 | 1979-04-10 | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4341589A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| JP (1) | JPS55140791A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| DE (1) | DE2914506A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107596A1 (de) * | 1981-02-27 | 1982-10-21 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | "verfahren zur herstellung von halbleiterscheiben" |
| DE3310827A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium |
| DE3427465A1 (de) * | 1984-07-25 | 1986-01-30 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren und vorrichtung zur taktweisen herstellung von siliciumformkoerpern |
| US5106763A (en) * | 1988-11-15 | 1992-04-21 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US5156978A (en) * | 1988-11-15 | 1992-10-20 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US6143633A (en) * | 1995-10-05 | 2000-11-07 | Ebara Solar, Inc. | In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon |
| CA2232857C (en) * | 1995-10-05 | 2003-05-13 | Jalal Salami | Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (salde) solar cell |
| JP3656821B2 (ja) | 1999-09-14 | 2005-06-08 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンシートの製造装置及び製造方法 |
| JP4111669B2 (ja) | 1999-11-30 | 2008-07-02 | シャープ株式会社 | シート製造方法、シートおよび太陽電池 |
| US7572334B2 (en) * | 2006-01-03 | 2009-08-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for fabricating large-surface area polycrystalline silicon sheets for solar cell application |
| US20110070724A1 (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Defect-free junction formation using octadecaborane self-amorphizing implants |
| JP7088322B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2022-06-21 | 村田機械株式会社 | 移載装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US762879A (en) * | 1903-10-26 | 1904-06-21 | Window Glass Machine Co | Method of drawing glass. |
| US3173765A (en) * | 1955-03-18 | 1965-03-16 | Itt | Method of making crystalline silicon semiconductor material |
| FR1341687A (fr) * | 1962-09-21 | 1963-11-02 | Glaces De Boussois | Perfectionnements à la fabrication continue du verre plat par étirage |
| US3294507A (en) * | 1963-03-13 | 1966-12-27 | Pittsburgh Plate Glass Co | Transverse heat absorption from a drawn glass sheet subsequent to roll forming |
| BE788026A (fr) * | 1971-08-26 | 1973-02-26 | Siemens Ag | Procede et dispositif d'introduction dirigee de matieres de dopage dansdes cristaux semiconducteurs lors d'une fusion par zones sans creuset |
| DE2508803C3 (de) | 1975-02-28 | 1982-07-08 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur |
| DE2633961C2 (de) * | 1975-07-28 | 1986-01-02 | Mitsubishi Kinzoku K.K. | Verfahren zum Ziehen eines dünnen Halbleiter-Einkristallbandes |
| JPS5261180A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Toyo Shirikon Kk | Horizontal growth of crystal ribbons |
-
1979
- 1979-04-10 DE DE19792914506 patent/DE2914506A1/de active Granted
-
1980
- 1980-03-20 US US06/132,115 patent/US4341589A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-04-07 JP JP4553780A patent/JPS55140791A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55140791A (en) | 1980-11-04 |
| US4341589A (en) | 1982-07-27 |
| JPS6343358B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 1988-08-30 |
| DE2914506A1 (de) | 1980-10-16 |
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