DE2906122A1 - Transistor mit einer in seinem emittergebiet integrierten widerstandszone - Google Patents

Transistor mit einer in seinem emittergebiet integrierten widerstandszone

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DE2906122A1
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Description

S.V. Philips' 6lc3]lcmp«3ri-:2b;;-j:-:cr.f Br.dhoven
1UJ1979 « PHF 78505
Transistor mit einer in seinem Emittergebiet integrierten ¥iderstandszone·
Die Erfindung bezieht sich.
auf einen Transistors, der in einer Halbleiterscheibe hergestellt ist und dessen Emittergebiet innerhalb des Basisgebietes liegt» wobei diese beiden Gebiete an eine Hauptfläehe der genannten Scheibe grenzen, auf der insbesondere zwei leitende Anschlussfahnen angebracht sind,, und zwar eine erste auf dem genannten Emittergebiet ruhende Fahne wad eine zweite auf dem genannten Basisgebiet ruhende Fahne, wobei der genannte Transistor in seinem Emittergebiet eine integrierte ¥iderstandszone enthält<, die gemäss einer kranzartigen Figur verläuft 9 die zu der genannten aktiven Fläche parallel ist»
Die Erfindung bezieht sich
insbesondere auf einen Leistungstransistor für Hochfrequenz betrieb, der zu diesem Zxireck mit einem in seinem Emittergebiet angebrachten Yidersband versehen ist ο
Es ist bekannt, dass die
Wirkung der Leistungstransistoren durch eine Erscheinung beeinträchtigt wird, die als"zweiter Durchschlag" bezeichnet wird» Diese Erscheinung steht„ kurz gesagt9 im Zusammenhang mit einer Konzentration der elektrischen Auswechselungen auf dem Pegel des Emitter«Basis-Übergangs eines Transistors in genau lokalisierten und eine verhältnismässig geringe Ausdehnung aufweisenden Gebieten dieses
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Übergangs; eine derartige Konzentration verursacht örtliche Erhitzungen, die selber Durchschläge herbeiführen, und kann zu der Zerstörung des genannten Über-. gangs führen.
Verschiedene Lösungen wurden
bereits vorgeschlagen, um den Wärmedurchgang zu vermeiden, der zum Durchschlag des Übergangs führt. Unter diesen Lösungen besteht die günstigste darin, dass eine Widerstandszone in dem Emitter-Basis-Stromweg des Transistors 10
entweder in dem Emittergebiet oder in dem Basisgebiet dieses Transistors angebracht wird; auch kann eine Widerstandszone in jedem der genannten Gebiete angebracht werden.
Ein interessantes Ausführungs-15
beispiel, bei dem eine Widerstandszone verwendet wird, die innerhalb des Emittergebietes eines Transistors liegt, ist in der deutschen Patentanmeldung 2.332.144 beschrieben.
Der in dieser Patentanmeldung
beschriebene Transistor enthält ein Emittergebiet mit 20
einer Tiefe vnn etwa 10 /Um, das in eine epitaktische Schicht eindiffundiert ist, die eine Dicke von 25 /um aufweist und das Basisgebiet bildet, wobei diese epitaktische Schicht ihrerseits auf einem massiven Substrat ruht, das das
"Kollektorgebiet des genannten Transistors bildet. Der 25
Emitter-Basis-Übergang grenzt an die Oberfläche der 'genannten epitaktischen Schicht und begrenzt en Emittergebiet, auf dessen mittlerem Teil eine leitende Anschlusskontaktfahne angebracht ist. Rings um diese leitende Fahne erstreckt sich eine Nut, die in dem Emittergebiet über eine
Tiefe in der Grössenordnung von 6 bis 7/um angebracht ist. Eine leitende Basisanschlusskontaktfahne ruht auf der Oberfläche der epitaktischen Schicht ausserhalb des Emittergebietes. Der grösste Teil des elektrischen Stromes, „ der zwischen den Emitter- und Basiskontakten des Transis-
tors fliesst, muss somit zwangsläufig unter der genannten Nut fliessen. Es handelt sich hier um eine tiefe Zone des Emittergebietes mit herabgesetzter Höhe (3 bis 4/um) in
1.1.1979 / PHF 78505
bezug auf die Höhe (lO /um) des verbleibenden Teiles des Emittergebietes, die in bezug auf den Oberflächenteil verhältnismässig niedrig dotiert ist, die die Nut überquert, und also einen ziemlich hohen Widerstand aufweist« Diese tiefe Zone bildet somit eine Widerstandszone, die in dem Emittergebiet integriert ist und sich, wie . erwünscht ist, in dem Emitter-Basis-Sizomweg des Transistors befindet.
Ein Transistor, der mit einer auf diese Weise hergestellten Emitterwiderstandszone versehen ist, wirkt bestimmt befriedigend in bezug auf die Beständigkeit gegen die Erscheinung zweiten Durchschlags. Die Herstellung eines Transistors dieses Typs wird leider dadurch erschwert, dass es erforderlich ist, eine Nut indem Emittergebiet anzubringen, um die Widerstandszone zu erhalten. Es handelt sich hier tatsächlich um eine genaue Bearbeitung, einerseits weil sie in einem sehr empfindlichen Gebiet mit geringem Volumen des Transistors stattfindet und andererseits und vor allem weil eine grpsse Präzision in bezug auf die Abmessungen erforderlich ist: Von der Breite und der Tiefe der angebrachten Nut hängen die Breite und Tiefe der von ihr erzeugten Widerstandszone und somit auch der Widerstandswert dieser Widerstandszone ab.
^5 Die Erfindung hat zur Aufgabe,
eine Transistor anzugeben, der eine Widerstandsζone enthält, die in seinem Emittergebiet integriert ist, wobei die Struktur dieses Transistors in bezug auf die bisher hergestellten analogen Transistoren verbessert ist, und wobei vor allem der Widerstandswert der genannten Widerstandszone in diesem Transistor mit grösserer Genauigkeit eingestellt wird.
Auch hat die Erfindung die Auf~
gäbe, eine Erleichterung der Herstellung eines derartigen Transistors zu schaffen, dadurch, dass insbesondere die Anwendung einer Bearbeitung, die nur dazu dient, die genannte Widerstandszone zu erzeugen, vermieden wird.
1.1.1979 X PHF 78505
Nach, der Erfindung wird insbesondere die Tatsache berücksichtigt, dass in einem Halbleitermaterial, das durch Diffusion einer Verunrei-
. nigung dotiert ist, die Konzentration der genannten 5
Verunreinigung regelmässig von der Diffusionsfläche her abnimmt, wodurch der spezifische Widerstand des genannten Materials·dementsprechend zunimmt.
Nach der Erfindung ist ein
Transistor, der in einer Halbleiterscheibe hergestellt 10
ist und dessen Emittergebiet innerhalb des Basisgebietes liegt, wobei diese beiden Gebiete an eine Hauptfläche der genannten Scheibe grenzen, auf der insbesondere zwei leitende Anschlussfahnen angebracht sind, und zwar eine
erste Fahne, die auf dem genannten Emittergebiet ruht, 15
und eine zweite Fahne, die auf dem genannten Basisgebiet ruht, wobei der genannte Transistor in seinem Emittergebiet eine integrierte Widerstandszone enthält, die gemäss einer kranzartigen Figur verläuft, die zu der genannten Hauptfläche parallel ist, dadurch gekennzeichnet, dass sich die genannte Widerstandszone in der Tiefe, d.h. in einer zu dir genannten Hauptfläche praktisch senkrechten Richtung, von der genannten Hauptfläche bis zu dem Basisgebiet erstreckt und auf diese Weise das genannte
Emittergebiet in zwei Teilgebiete unterteilt, wobei das 25
erste Teilgebiet innerhalb der genannten Figur liegt und wenigstens teilweise mit der genannten ersten leitenden Fahne bedeckt ist, wobei das zweite Teilgebiet ausserhalb der genannten Figur und in der Nähe der genannten zweiten leitenden Fahne liegt.
Der Transistor nach der
Erfindung ist vorzugsweise weiter dadurch gekennzeichnet, dass die genannten EmitterteöLgebiete und die genannte Widerstandszone aus demselben Halbleitermaterial vom gleiehern Leitungstyp bestehen, wobei die Widerstandszone ihren besonderen Charakter in bezug auf das Emittergebiet dadurch erhält, dass sie niedriger als das letztere Gebiet dotiert ist. Insbesondere sind die Konzentra-
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1.1.1979 if PHF 78505
tionen an Dotierungsverunreinigung(en), die den genannten Leitungstyp herbeiführt (herbeiführen), in zu der aktiven Fläche parallelen Ebenen für dieselbe
. Ebene in der Widerstandszone niedriger als in den 5
Emitterteilgebieten.
In einem Transistor nach der
Erfindung ist es also nicht erforderlich, eine Nut anzubringen, um eine Widerstandszone in dem Emitter zu erzeugen, was ein Vorteil in bezug auf den vorher beschriebenen 10
Transistortyp ist. Ausserdem beansprucht im letzteren Falle die Nut verhältnismässig viel Raum in dem Emittergebiet, wobei dieser Raum viel grosser als der von der Widerstandszone des Transistors nach der Erfindung beanspruchte
Raum ist"·; dabei bleiben die elektischen Eigenschaften 15
nahezu unverändert.
Nach einem bevorzugten Verfahren zum Erhalten einer Struktur wird das Emittergebiet durch Diffusion in das Basisgebiet durch zwei Öffnungen in
einer isolierenden die Hauptfläche der Halbleiterscheibe 20
bedeckenden Maske erzeugt. Eine der Öffnungen (die mittlere Öffnung) ist völlig von der anderen Öffnung (ümfangsöffnung) umgeben. Der Abstand zwischen ihren benachbarten Rändern ist gering und derart gewählt, dass durch latera- '
Ie Diffusion unter der Maske die über jede der Öffnungen 25
diffundierten Gebiete aneinander grenzen und einander durch Überlappung überdecken können. Die Überlappungszone taLdet dann eine Zone mit verhältnismässig geringen Verunreinigungskonzentrationen in bezug auf die der Gebiete, die
senkrecht auf den Öffnungen stehen und auf derselben Höhe 30
in der Struktur liegen und den günstigen Einfluss einer Diffusion in einer zu der Hauptfläche senkrechten Richtung erfahren haben; sie bildet eine Widerstandszone, die in dem durch das Ganze der in den beiden Öffnungen diffun-3_ dierten Volumina gebildeten Emittergebiet integriert ist, und unterteilt das genannte Emittergebiet in zwei Teil-'gebiete, von denen sich das eine innerhalb der geschlossenen Figur befindet, die es definiert, und das andere
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1.1.1979 ^ PHF 78505
·?· 29Q6122
ausserhalb dieser Figur liegt.
In dieser Ausführungsform
weist die Widerstandszone eine Dicke (Abmessung in einer zu der Hauptfläche parallelen Richtung) auf, die sich mit der betreffenden Tiefe in der Struktur ändert, die durchschnittlich von der Hauptfläche bis zu dem unterliegenden Basisgebiet abnimmt.
Es ist einleuchtend, dass
unter Berücksichtigung des Abstandes zwischen den benachbarten Rändern der zwei öffnungen unter vorgegebenen Diffus!onsbedingungj&n auch die Dicke und die Verunreinigungs konzentration der Widerstandszone geändert werden können. So kann der Widerstand dieser Widerstandszone viel flexibeler und über einen viel grösseren Wertebereich als
beim Anbringen einer Nut beeinflusst werden. Ausserdem wird beim Fehlen von Nuten eine Raumeinsparung in der Struktur erhalten. Die Erfindung ermöglicht also die erwünschte und immer fortschreitende Miniaturisierung der Halbleiteranordnungen und bietet dadurch einen Vorteil.
20
Es sei bemerkt, dass es bekannt
ist, Widerstände durch laterale Überlappung benachbarter Halbleitergebiete, die durch eine gleichzeitige Diffusion gebildet sind, zu erhalten. In der französischen
Patentanmeldung Nr. 2.064.191 wird insbesondere angegeben, 25
dass auf diese Weise Reihenwiderstandsketten erhalten werden können, die als passive Elemente integrierter Schaltungen anwendbar sind. Diese Ketten weisen jedoch eine Struktur auf, die wesentlich von der eines einen
geschlossenen Kreis aufweisenden Widerstandes verschieden 30
ist, der in dem Emitter eines Transistors nach der Erfindung gebildet ist.
Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im
folgenden näher beschrieben. Es zeigen schematisch: 35
Fig. 1 eine Draufsicht gemäss
der Hauptfläche eines Transistors auf das Emittergebiet und auf den benachbarten Teil des Basisgebietes dieses
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1.1.1979 ¥ PHF 78505
erfindungsgemässen Transistors, und
Fig. 2 einen Schnitt durch diesen Transistor längs einer Linie II—II der Fig. 1 in vergrösserten Form.
Es sei bemerkt, dass in den Figuren die geometrischen Verhältnisse zwischen den unterschiedlichen den Transistor bildenden Elementen nicht eingehalten sind; dies um die Deutlichkeit der Figuren zu fördern.
^ Der teilweise in den Figuren
und 2 dargestellte Transistor ist ein Leistungstransistor, z.B. vom npn-Typ". Er ist in einer Si Ii ζ ium scheibe 1 hergestellt, in deren Dickenrichtung sich von der unteren Fläche 1a zu der Hauptfläche oder aktiven Fläche 1b nacheinander ein η-leitendes stark dotiertes Substrat 10, eine erste epitaktische, ebenfalls η-leitende, aber schwach dotierte Schicht 11, und eine zweite p-leitende Schicht 12, die in ihrem tiefen Teil 12a schwach dotiert ist und eine relativ stärker dotierte Oberflächenschicht 12b
enthält, unterscheiden lassen.
Das Substrat 10 und die erste
epitaktische Schicht 11 bilden das Kollektorgebiet des Transistors; die epitaktische Schicht 12 bildet das Basisgebiet dieses Transistors.
Das Emittergebiet 13 des
. genannten Transistors vom η-Typ liegt innerhalb des Basisgebietes 12. Diese beiden Gebiete grenzen an die aktive Fläche 1b der Scheibe, wobei der übergang J, der sich an der Grenzfläche zwischen diesen zwei Gebieten be-
findet, sich bis zu der Hauptfläche erstreckt.
Es ist bekannt, dass in einem
Leistungstransistor der Perimeter des Emitter-Basis— Übergangs für eine gegebene Emitteroberfläche möglichst lang gemacht wird, wobei jedes der zwei Emitter- und
Basisgebiete dazu Umfangsverlängerungen oder Finger aufweist, die eng ineinander verschachtelt sind. Dies hat den Zweck, die Dickte des Emitter-Basisstroms pro Ober-
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1.1.1979 jf PHF 78505
flächeneinheit des Übergangs innerhalb geeigneter*■'3"**«' I-^ ^ Grenzen zu halten. In Fig. 1 sind nur drei Emitterfinger dargestellt, zwischen die zwei Basisfinger eingefügt • sind, was zum Verständnis der Erfindung genügend, jedoch für die Erfindung nicht beschränkend ist.
In dem Emittergebiet 13 des
Transisto.rs ist eine Widerstandszone 14 integriert, die in Fig. 2 die Form zweier nicht-schraffierter Flächen aufweist und sich in dem genannten Gebiet 13 in einiger Ent— fernung von dem Übergang J erstreckt und auf dieseWeise eine geschlossene kranzartige Figur definiert.
Nach der Erfindung erstreckt
sich die genannte Widerstandszone 14 in der Tiefenrichtung, d.h. 'in einer zu der aktiven Fläche 1b senkrechten ^5 Richtung, von dieser Fläche 1b bis zu dem Basisgebiet 12a-12b, das sich unter dem Emittergebiet 13 befindet, und unfeniteilt auf diese Weise das genannte Emittergebiet, 13 in zwei Teilgebiete, von denen das erste Teilgebiet 13a innerhalb der durch die Widerstandszone 14 definierten Figur liegt und mit einer leitenden Anschlussfahne 15 bedeckt ist und das zweite Teilgebiet 13b sich ausserhalb der genannten Figur und in der Nähe einer zweiten Anschlussfahne 16 befindet, die auf dem Basisgebiet 12a-r12b ruht.
Vorteilhafterweise erstreckt
sich die Widerstandszone 14, wie in den Figuren darge-. stellt ist, in einem regelmässigen Abstand von der Bahn des Übergangs J auf der Fläche 1h; dies ist jedoch nicht unbedingt notwendig.
Der Transistor nach der
Erfindung ist weiter dadurch gekennzeichnet, dass sein Emittergebiet 13 und die Wideostandszone 14 aus demselben Halbleitermaterial vom gleichen Leitungstyp (im vorliegenden Beispiel eines npn-Transistors vom η-Typ) bestehen, wobei die Zone |4 jedoch niedriger als das Gebiet 13 do-
tiert ist. Auf einer gleichen Tiefe in der Struktur ist die Konzentration an Dotierungsverunreinigungen, die den η-Typ herbeiführen, in der Zone 14 niedriger als in den
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Teilgebieten 13a und 13b des Emittergebietes.
Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Leistungstransistors der teilweise in den Figuren 1 und 2 dargestellten Art werden übliche auf dem Gebiet der Halbleiter bekannte Techniken verwendet. Ausgehend von einer Scheibe aus Silizium vom η -Typ das mit Antimon derart dotiert ist, dass ein spezifischer Widerstand in der Grössenordnung von 15 m JI .cm erhalten wird, wird eine erste epitaktische Schicht 11 vom ητΤνρ abgelagert,, die mit Arsen derart dotiert ist, dass ein
spezifischer Widerstand von czL 3 -Ω- »cm erhalten wird, und die eine Dicke von 12 /um aufweist. Dann wird eine zweite epitaktische Schicht 12 vom p-Typ abgelagert, die zum Erhalten eines spezifischen Widerstandes von
C^. 7SL »cm über eine Dicke von 15/um mit Bor «Sotiert ist, was dem tiefen Teil 12a der genannten Schicht 12 entspricht, während diese Schicht ebenfalls mit Bor über eine Dicke von 6 /um dotiert ist, aber nun um einen Schichtwiderstand von C^L 100-Ω- pro Quadrat für die
Oberflächenschicht 12b derselben Schicht 12 zu erhalten. Durch Photoätzen wird eine Maske 17 gebildet (siehe Fig. 2), deren Fenster 18a und 18b den Teilgebieten 13a bzw. 13b des zu erzeugenden Emittergebietes 13 entsprechen! Das Fenster 18a ist von dem Fenster 18b durch eine Insel
17a der Maske 17 getrennt (tatsächlich ist die Insel 17a der Fig. 2 ein langes schmales Band, das eine geschlossene Figur definiert), deren Grosse kleiner als das Zweifache der Tiefe des Gebietes 13 ist. Es wird eine Phosphordiffusion über die Fenster 18 durchgeführt, um eine Diffusions-
tiefe von 5/um zu erhalten (die Grosse des Oxidbandes 17a
wird dann z.B. gleich 8 /um gewählt), wobei eine Ober-
20
flächenkonzentration von 10 Atomen/cm erhalten wird. Die über die Fenster 18a und 18b diffundierten Massen
grenzen aneinander und überlappen sich lateral, wodurch 35
zugleich mit dem Emittergebiet 13» die Widerstandszone gebildet wird.
In dieser Zone 1k ist die Dotie-
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1.1.1979 $ PHF 78505
rung tatsächlich niedriger als in den benachbarten Teilgebieten 13a und 13b und der spezifische Widerstand ist dort somit höher. Der Widerstand dieser Zone 14 ist von mehreren Faktoren abhängig, u.a. von der Breite der bandförmigen Insel 17*3-, die für eine gegebene Tiefe des Emittergebietes die Tiefe und die Dicke der genannten Zone sowie ihre mittlere Verunreinigungskonzentration bestimmt. Es sei bemerkt, dass sich die Widerstandszone 14 in der Dickenrichtung bis etwas jenseits der Grenzen erstreckt, die durch die zwei nichtschraffierten Flächen in Fig. 2 dargestellt sind. Tatsächlich sind bei gleichen Tiefen in dem Emittergebiet die Konzentrationen an diffundierten Verunreinigungen unter der bandförmigen Insel 17a (wo die Diffusion lateral ist) niedriger als direkt den Fenstern 18 gegenüber. Die Dicke der Widerstandszone lh nimmt durchschnittlich mit der Tiefe ab.
Während der Phosphordiffusion
bildet sich an der Oberfläche der Fenster 18 eine dünne Siliziumoxidschicht 19» die auf dem Fenster 18b erhalten
*" bleibt, aber die von dem Fenster 18a entfernt wird, wobei zu gleicher Zeit die Öffnung 18c dem Basisgebiet 12 gegenüber angebracht wird. Die Anordnung wird dadurch fertiggestellt, dass eine Aluminiumschicht durch Aufdampfen im Vakuum abgelagert und diese Schicht geätzt wird, um daraus
^ die leitende Anschlussfahne 15 auf dem Teilgebiet 13a und .die leitende Anschlussfahne 16 auf dem Basisgebiet auszuschneiden. Eine leitende Anschlussfahne 20 ist auch auf der Fläche 1a der Scheibe 1 angebracht und bildet den Kollektorkontakt des Transistors.
on
. Der beispielsweise beschriebene
Transistor ist vom npn-Typ. Die Erfindung umfasst ohne besondere Abänderung auch einen pnp-Transistor. Ausserdem ist es einleuchtend, dass, obgleich es sich um eine Erfindung handelt, die sich insbesondere auf einen Leistungstransistor bezieht, die Erfindung auch, erforderlichenfalls, bei anderen Halbleiteranordnungen anwendbar ist.
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Claims (3)

1.1.1979 /-. · PHF 78505
PATENTANSPRUECHE :
1 .J Transistor, der in einer Halb
leiterscheibe hergestellt ist und dessen Emittergebiet innerhalb des Basisgebietes liegt, wobei diese beiden Gebiete an eine Hauptfläche der genannten Scheibe grenzen, auf der insbesondere zwei leitende Anschlussfahnen angebracht sind, und zwar eine erste Fahne, die auf dem genannten Emittergebiet ruht, und eine zweite Fahne, die auf dem genannten Basisgebiet ruht, wobei der genannte Transistor in seinem Emittergebiet eine integrierte Widerstandszone enthält, die die Form einer kranzartigen Figur aufweist, die zu der genannten Hauptfläche parallel ist, dadurch gekennzeichnet, dass sich die genannte Widerstandszone in der Tiefenrichtung, d.h. in einer zu der genannten Hauptfläche senkrechten Richtung, von der genannten Hauptfläche bis zu dem Basisgebiet erstreckt und auf diese Weise das genannte Emittergebiet in zwei Teilgebiete unterteilt, von denen ein erster Teilgebiet innerhalb der genannten Figur liegt und mindestens teilweise mit der genannten ersten leitenden Fahne bedeckt ist und das zweite Teilgebiet sich ausserhalb der genannten Figur in der Nähe der genannten zweiten leitenden Fahne befindet.
2. Transistor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die genannten Emitterteilgebiete und die genannte Widerstandszone aus demselben
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1.1.1979 Ϋ PHF 78505
Halbleitermaterial vom gleichen Leitungstyp bestehen, das in der genannten Widerstandszone schwächer als in den genannten Teil gebieten dotiert ist.
3. Transistor nach Anspruch 2,
dadurhh gekennzeichnet, dass die Konzentrationen an Dotißrungsverunreinigung(en), die den genannten Leitungstyp herbeiführt (herbeiführen), in zu der genannten Hauptflä ehe parallelen Ebenen für eine gleiche Ebene in der Widerstandszone niedriger afc in den Emitterteilgebieten
sind. ' j
k. Transistor nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke seiner Widerstandszone sich mit der betreffenden Tiefe in der Struktur ändert.
^ 5» Transistor nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, dass durchschnittlich die Dicke seiner Widerstandszone mit der Tiefe abnimmt. 6. Transistor nach einem der
Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass sich die Widerstandsζone in einem regelmässigen Abstand von der Bahn des Emitter-BasisUbergangs auf der genannten Hauptfläche erstreckt. = • 7· Transistor nach einem dar Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Emitterteilgebiet aus zwei diffundierten .Massen einer gleichen Dotierungsverunreinigung bestehen, die sich lateral überlappen wobei der gemeinsame Uberlappungsteil zwischen den genannten Massen wenigstens teilweise die genannte Widerstandszone bildet. :
DE19792906122 1978-02-21 1979-02-17 Transistor mit einer in seinem emittergebiet integrierten widerstandszone Withdrawn DE2906122A1 (de)

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