DE2902848C2 - Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen Mehrfachschichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen MehrfachschichtenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen Mehrfachschichten,
bei dem zum aufeinanderfolgenden Zerstäuben von verschiedenen Beschichtungsmaterialien im Vakuum,
das Beschichtungsmaterial als Aufprallmaterial mit einem Ionenstrahl in einer Vakuumkammer beaufschlagt
wird, wodurch Molekühle des Beschlchtungsmaterials infolge des Aufpralls zerstäubt werden, und sich
auf der zu beschichtenden Unterlage niederschlagen, bei dem die Atmosphäre innerhalb der Vakuumkammer
derart gesteuert wird, daß ausreichend Gas zur Aufrechterhalten^ des Ionenstrahls geliefert wird, und
daß die richtige Menge Sauerstoff vorhanden ist, um die richtige Stöchiometrie der dünnen Schichten zu
erreichen, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Solche Verfahren und zugehörige Vorrichtungen sind bereits bekannt (DE-OS 23 31 75 Y). Dort werden jeweils
eine Entladung zwischen einer das Beschichtungsmaterial tragenden Kathode und der zu beschichtenden
Unterlage als Anode erzeugt Das hat jedoch zur Folge, daß sich zum einen durch die Ladungen, die auf die
Anode auftreffen, die Temperatur der zu beschichtenden Unterlage in unkontrollierte' Weise ändert Zum
andern ändert sich aber auch bei einer unterschiedlichen Lage der zu beschichtenden Unterlage gegenüber der
Kathode das elektrische Feld und damit die gesamten Verhältnisse für die Zerstäubung des Beschichtungsmaterials.
Es ist in diesem Falle deshalb schwierig, die gleichen Beschichtungsverhältnisse für unterschiedliche
Beschichtungsmaterialien in den einzelnen optischen Schichten zu erhalten.
Bekanntlich werden dielektrische, dünnschichtige,
optische Beschichtungen bei Lambda-Viertel-Schichtanordnungen für Laserspiegel verwendet Bei Ring-Laser-Gyroskopen
besteht eine der zu überwindenden hauptsächlichen Schwierigkeiten in dem Phänomen der
Frequenzsynchronisation oder des Synchronwerdens zwischen den sich in entgegengesetzter Richtung
fortpflanzenden Laserwellen innerhalb des Ring-Laserhohlraums (»Laser-Applications«, Mote Ross, Academic
Press, New York, 1971, Seiten 148 bis 153, Kapitel
»Laser-Gyroskope«). Der wesentliche Grund für das
Synchronwerden ist das Phänomen der Rückstreuung, welches an den reflektierenden Oberflächen der
Lambda-Viertel-Schichlänördnungen der Spiegel in
dem Laserweg auftritt. Rückstreuung wird durch Anomalien und Oberflächenunebenheiten an den
reflektierenden Oberflächen der verschiedenen Schichten der Lambda-Viertel-Schichtanordnungen hervorgerufen.
Lambda-Vier'lel-Schichtanordnungen und ihre Konstruktion
sind im einzelnen in dem Handbuch für
militärische Normen mit dem Titel »Optical Design« MIL-HPBK-Hl, October 5, 1962 beschrieben. Demnach
hat jede Schicht oder jede dünne dielektrische Beschichtung in einer Lambda-Viertel-Schichtanordnung
eine Dicke von ungefähr einem Viertel einer Wellenlänge des Lichtes, welches reflektiert werden
soll. Die Anzahl der Schichten, welche die Lambda-Viertel-Schichtanordnung
aufweist, hängt von dem Grad des erwünschten Reflexionsvermögens und von den Unterschieden
der Brechungsindizes der Schichten ab. Um das Reflexionsvermögen zu vergrößern, kann die
Anzahl der Schichten und/oder die Unterschiede der Brechungsindizes vergrößert werden. Bei Spiegeln,
weiche in Ringlasern verwandt werden, besteht die Lambda-Viertel-Schichtanordnung im allgemeinen aus
17 bis 25 dünnen optischen Lambda-Viertel-Schichten,
die auf einer Unterlage angeordnet bzw. niedergeschlagen sind, !ede Schicht ist typischerweise zwischen 500
und 800 Ä dick. Die Schichten sind abwechselnd aus einem Material mit einem großen Brechungsindex und
aus einem Material mit einem kleinen Brechungsindex gebildet Typischerweise ist das Material mit großem
Brechungsindex Tantalpentoxid (TaaOs) oder Titandioxid
(TiO2) und das Material mit dem kleinen Brechungsindex ist Siliciumdioxid (SiO2, d. h. Quarz).
Um die Rückstreuung und Absorptionsverluste in der Lambda-Viertel-Schichtanordnung zu minimalisieren,
ist es wünschenswert, amorphe Schichten zu erhalten,
welche frei von Lücken sind und welche sich der Dichte und dem Brechungsindex des Grundmaterials nähern,
von dem die Beschichtungen erhalten werden. Das Ziel ist, einen moleküiweisen Niederschlag der Beschichtung
zu erhalten und eine kristalline Struktur zu vermeiden. Es ist auch erwünscht, die Bildung von Suboxiden zu
vermeiden, welche von einem, Mangel an ausreichendem Sauerstoff in der Kammer herrühren kann.
Es ist bereits bekannt, zum Niederschlagen von dünnen Schichten für Laserspiegel das Verfahren der
Hochfrequenzzerstäubung anzuwenden (»Physical Vapor Deposition«, Seiten 106 bis 108). Bei diesem
Verfahren werden üblicherweise zwei Platten verwandt, zwischen denen sich Argongas befindet. An einer Platte
ist eine zu beschichtende Unterlage und an der anderen das Aufprallmaterial befestigt Ein hochfrequentes
Hochspannungs-Wechselfeld zwischen den Platten ionisiert die Gasatome und bewirkt, daß sie sich hin- und
herbewegen, Wobei sie auf das Aufpraümaterial stoßen
und Moleküle herausschlagen, welche dann auf der Unterlage abgelagert werden.
Auf diese Weise hergestellte Beschichtungen neigen so dazu, eine kristalline Struktur sowie eine starke
Oberflächenrauheit aufzuweisen; außerdem ist es schwierig, die Temperatur der Untertage genau zu
steuern.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so
zu verbessern, daß sich optische Mehrfachschichten mit verbesserter Qualität und besserer Gleichmäßigkeit
herstellen lassen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Unterlage in einer Ebene mit &o
wählbarer Neigung gegenüber der Richtung der zerstäubten Moleküle gedreht wird, und daß mehrere
Schichten ans unterschiedlichen Beschichtungsmaterialien auf der Unterlage dadurch niedergeschlagen
werden, daß aufeinanderfolgend jeweils ein anderes Aufprallmaterial in ('en Ionenstrahl gebracht wird.
Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, völlig gleichmäßig dicke Schieben auf der zu beschichtenden
Unterlage zu erzielen und insbesondere verbesserte Lambda-Viertelwellen-Schichtanordnungen hoher
Güte für Laser-Spiegel herzustellen. Die so hergestellten
Spiegel weisen stark erhöhte Packungsdichten und verbesserte, amorphe Zustände bei den einzelnen
Schichten auf, während Verunreinigungen und Oberflächenstörungen oder Oberflächenabweichungen wesentlich
verringert sind.
Vorteile ergeben sich auch, wenn die Unterlage mit einem schräg auftreffenden Ionenstrahl beaufschlagt
wird, bevor die Aufprallmaterialien beaufschlagt werden,
wodurch die Unterlage gereinigt und Oberflächenanomalien entfernt werden. Auf diese Weise werden
auch Unebenheiten und Verunreinigungen entfernt, weiche sich sonst nachteilig für das Reflexionsvermögen
des Spiegels auswirken.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert Es
zeigt
Fig. 1 eins- Vorderansicht teilweise im Schnitt, wobei
das Innere einer Vakuumkammer mit 5<en verschiedenen
Vorrichtungen dargestellt ist, die notwendig ist, eine
Ionenstrahl-Zerstäubung zur Herstellung von optischen Mehrfachschichten durchzuführen,
Fig.2 eine Seitenansicht im Schnitt der in Fig. 1
dargestellten Vakuumkammer, in der besonders der Revolverkopf gezeigt ist, an dem die Aufprallmaterialien
befestigt sind, und
Fig.3 eine Schnittansicht der Vorrichtung, welche
verwandt wird, um die BefestigungsEläche für die
Unterlage innerhalb der Vakuumkammer mittels Steuereinrichtung von außerhalb der Kammer zu
handhaben und zu drehen.
F i g. 1 zeigt eine Schnittansicht einer Vorrichtung mit einer Vakuumkammer, welche zur Herstellung von
optischen Interferenzschiebten mittels Ionenstrahl-Zerstäubung
verwandt wird. Die Vakuumkammer 2 enthält Argon bei ungefähr 1,5 χ 10-* Torr. Argon tritt in die
Kammer durch die Röhre 3 ein, wobei das Argon in der
Kammer in den Bereich der Ionenstrahlkanone 4 ausströmt
Sauerstoff ist innerhalb der Kammer auch vorhanden, uia die richtige Stöchiometrie der bei den optischen
Spiegeln niedergeschlagenen Schichten sicherzustellen. Der Partialdruck des Sauerstoffs hängt davon au, ob das
Aufprallmaterial, mit dem beschichtet wird, einen großen oder kleinen Brechungsindex aufweist. Bei
Materialien mit einem großen Brechungsindex liegt der Partialdruck des Sauerstoffs bei ungefähr 5 χ 10~s Torr,
während er bei Materialien mit einem niederen Brechungsindex bei ungefähr 3 χ 10~6 Torr liegt.
Der Sauerstoff tritt in die Kammer durch die Röhre 36 ein. Da der Partialdruck des Sauerstoffs wesentlich
kleiner ah der Partialdruck des Argons in der Kammer
ist, ist eine besondere Vorrichtung vorgesehen, um nur
den Druck des Sauerstoffs zu messen. Ein Druckfühle* 7, an dem eine Ausgangsspannung erzeugt wird, mißt den
Druck in der Sauerstoffleitung 5. Der Ausgang des Druckfühlers wird einer Servo-Ventilsteuereinrichtung
9 zugeführt. Die Srrvo-Ventilsteuereinrichtung Öffnet
und schließt das Servo-Ventil 11, um den Sauerstoff in
der Leitung 5 bei einem vorbestimmten, konstanten Druck zu halten. Sauerstoff wird durch das Servo-Ventil
11 über die Röhre 13 zugeführt. Der Druckfühler 7 ist
ausreichend weit von der Kammer entfernt angeordnet, so daß er nur wirkungsvoll den Druck des Sauerstoffs
mißt, der der Kammer zugeführt ist, statt des Argons in der Kammer.
Eine andere Möglichkeit, um die Menge des Sauerstoffs zu steuern besieht darin, durch die Röhre 3
Gas zuzuführen, welches im richtigen Verhältnis gemischt ist.
Die Ionenstrahl-Kanone 4 ist eine Ionen aussendende Vorrichtung. Die Kathode 6 der Kanone ist ein
thermionischer Sender bzw. eine thermionische Quelle, d. h. Elektronen werden emittiert, wenn ein elektrischer
Strom durch sie hindurch fließt, welcher den Draht erwärmt. Die Kathode 6 sendet Elektronen aus, welche
in Richtung auf die Anode 8 beschleunigt werden. Die von der Kathode zu der Anode beschleunigten
Elektronen treffen auf Argonatome und lösen dabei Elektronen von dem Argon ab. Daraus ergeben sich
positiv geladene Argonionen, welche von der Anode fort und zu den Gittern 12 und 14 beschleunigt werden.
Permanente Stabmagnete 10, die an der Anode angeordnet sind, erzeugen ein Magnetfeld in dem
Bereich zwischen der Kathode und der Anode, welches bewirkt, daß die zu der Anode wandernden Elektronen
sich spiralförmig bewegen. Diese spiralförmige Bewegung erhöht wirkungsvoll die Strecke, welche die
Elektronen bis zum Erreichen der Anode durchlaufen, und erhöht dadurch die Anzahl der Stöße zwischen
Elektronen und Argonatome.
In dem Raum zwischen der Kathode 6 und der Anode 8 erzeugen die Elektronen und Argonionen ein
glühendes Plasma. Dieses Plasma hat ein hohes negatives Potential, wobei das untere Gitter 14 auf
ungefähr Massepotential liegt. Der Spannungsunterschied zwischen den zwei Gittern 12 und 14 liegt
zwischen 500 bis 1500 Volt, so daß die zwischen den zwei Gittern hindurchgehenden Argonionen auf eine
große Geschwindigkeit von dem Plasma weg und aus der Kanone heraus beschleunigt werden. Diese Ionen
bilden einen Ionenstrahl.
Metallene Behälter 16 enthalten elektrische Drähte, welche weißglühend gehalten werden, so daß sie
Elektronen aussenden. Diese ausgesandten Elektronen werden in dem Strahl durch Öffnungen 17 in den
Behältern eingeführt. Dies dient dazu, den Ladungsausgleich des Ionenstrahl aufrechtzuerhalten.
Die sich ergebende Strahlintensität beträgt ungefähr 100 mA und 1000 V. Die Strahlintensität hängt von dem
Kathodenstrom, der Spannung zwischen der Anode und der Kathode und den Partialdrücken der Gase innerhalb
der Kammer 2 ab. Gegenwärtig liegt der Kathodenstrom bei ungefähr 20 A, während die Spannung
zwischen der Anode und der Kathode im Bereich von 40 bis 60 V liegt. Der Partialdruck aes Argons beträgt so
1,5 χ IO-4 Torr. Ferner wird Sauerstoff in die Kammer
mit einem Partialdruck von ungefähr 4 χ 10~5 Torr oder
3 χ 10-6 Torr in Abhängigkeit davon eingeführt, ob Materialien mit einem großen Brechungsindex oder
Materialien mit einem geringen Brechungsindex auf einer Unterlage niedergeschlagen werden sollen.
Ein wassergekühlter Revolverkopf 18 für vier Aufprallmaterialien ist vorgesehen. Ein Aufprallmaterial
ist das Grundmaterialstück, auf welches der Ionenstrahl gerichtet wird, so daß Atome des Aufprallmaterials
freigesetzt und auf einer Unterlage niedergeschlagen werden. Die Aufprallmaterialien werden auf
Halteplatten gelötet, und die Oberflächen A, B, Cund D
des Revolverkopfes 18 sind zur Befestigung dieser Befestigungsplatten vorgesehen. Eine einzelne Befestigungspiatte
kann an jeder Oberfläche befestigt werden. Während des Zerstäubungsvorganges werden die
Aufprallmaterialien häufig zu heiß. Da das Maß der Zerstäubung von der Temperatur abhängt, nämlich
derart, daß je höher die Temperatur des Targets, desto größer ist die Niederschlagsmenge auf der zu
beschichtenden Unterlage. Deshalb, um die Temperatur des Aufprallmaterials zu steuern, ist es bei der
Zerstäubung üblich, Wasserleitungen innerhalb des Revolverkopfes 18 mit zirkulierendem Wasser vorzusehen,
um das Aufprallmaterial zu kühlen. Auf welche Weise der Revolverkopf betrieben wird und das Wasser
zirkuliert, ergibt sich näher bei einer Betrachtung der Fig. 2.
Bei der in F i r. I gezeigten Ausgestaltung wird der
von der Kanone 4 ausgesandte Ionenstrahl auf die Oberfläche A des Revolverkopfes gerichtet, wie es
durch die Pfeile angedeutet ist. Atome des Aufprallmaterials werden freigesetzt und schlagen sich auf den
Oberflächen innerhalb der Kammer 2 nieder. Eine keramische Unterlage 20 weist eine Basis auf, auf
welcher dielektrische Schichten niedergeschlagen werden sollen. Diese Unterlage ist an der Scheibe am Ende
der Welle 22 befestigt. Die Unterlage bildet die Basis für den Ringlaser-Spiegel und ist nächst dem Aufprallmaterial
innerhalb der Kammer so angeordnet, daß sie sich im Hauptstrahl bzw. Hauptstrom der von dem
Aufprallmaterial 18 freigesetzten Atome befindet. Die Welle 22 ist mit einer Verbindung 24 ausgebildet, so daß
der Winkel der Unterlage dadurch verändert werden kann, daß die Verbindungsstange 26 in die Kammer
hinein und aus ihr heraus bewegt wird. Die Verbindungsstange kann in und aus der Vakuumkammer
herausgeschoben werden, wobei eine hermetische Abdichtung vorgesehen ist, welche allgemein erhältlich
und auf diesem Gebiet der Technik wohlbekannt ist. Ferner kann dadurch, daß die Welle 22 weiter in die
Kammer hineingeschoben und die Verbindungsstange entsprechend eingestellt wird, die Unterlage 20 direkt in
dem Strom des Ionenstrahl angeordnet und so geneigt werden, daß der Strahl auf die Oberfläche der Unterlage
auftrifft. Diese Stellung ist durch unterbrochene Linienführung 28 dargestellt.
Eine Hülse 30 ist vorgesehen, um die Verbindungsstange 26 mit der Welle 22 zu verbinden. Diese Hülse
erlaubt, die Welle zu drehen, während sie von der Verbindungsstange 26 gehalten wird. Während des
Beschichtungsvorganges wird die Welle mit ungefähr 60 Umdrehungen pro Minute gedreht. Die Vorrichtung
zum Ändern der Lage der Welle und zu ihrem Drehen innerhalb der Kammer ist im einzelnen in Fig. 3
dargestellt.
Ein Quarzkristall-Monitor 32 ist innerhalb der Kammer nächst der Unterlage vorgesehen, «im die
Dicke einer Beschichtung auf der Unterlage zu überwachen. Der Monitor 32 mißt die Dicke dadurch,
daß die Zunahme der Masse an dem Quarz aufgrund der Beschichtung seiner Oberfläche gemessen wird. Der
Quarzkristall ist mit einem OsziHatorschaltkreis über Drähte 34 verbunden. Wenn die Masse der Beschichtung
zunimmt, nimmt die natürliche Frequenz der Oszillatorschaltung ab. Die Frequenz der Oszillatorschaltung
ist geeicht, um eine der Dicke der auf dem Quarz niedergeschlagenen Schicht entsprechende Ablesung
zu ergeben. Die Dicke der Schicht auf dem Quarz entspricht der Dicke der Schicht auf der Unterlage 20.
Solche Monitoren sind im Handel erhältlich und auf diesem Gebiet der Technik allgemein bekannt
In der Fi g. 2 ist είπε Seitenansicht der Vakuumkammer
2 gezeigt Wie dargestellt, wird der vier Seitenflächen aufweisende, wassergekühlte Revolver-
Kopf 18 auf einer Welle 38 gehalten und durch eine waagerechte Stange 40 abgestützt. Eine senkrechte
Stange 42 ist über Lager 44 an der Mitte des Revolverkopfe'., befestigt und ist mit der waagerechten
Stange 40 über Rollenlager 46 verbunden. Die dargestellte Anordnung ermöglicht, daß die waagerechte
Stange 40 eine Abstützung für den Revolkverkopf 18 sch-/·'», während die Welle 38 den Revolverkopf drehen
kann und in die Kammer hinein- und aus ihr herausgeschoben werden kann, während die Stange 40
den Revolverkopf abstützt. Flexible Leitungen 48 treten außerhalb der Kammer in die hohle Welle 38 ein und
liefern zirkulierendes Wasser für die Befestigungsoberflächen des Revolverkopfes. Die Metallröhre 50, welche
fest an der Seite der Kammer befestigt ist, schafft ein Gehäuse und eine Stütze für die hohle Welle 38. Eine
O-Ringdichtung 52 ist als eine Dichtung zwischen der
Gehäuseröhre 50 und der Welle 38 vorgesehen. Äußere Handhaben 54 sind fest mit der Welle 38 verbunden und
werden an einem Ende durch Kugellager 56 abgestützt. Die Lage dieser Handhaben relativ zu der Markierung
58 geben der Bedienungsperson eine Information in bezug auf die Winkelstellung des Revolverkopfes
innerhalb der Kammer.
Gemäß F i g. 3 ist eine Vorrichtung vorgesehen, durch die die an einem Ende der Welle 22 befestigte Unterlage
innerhalb der Vakuumkammer 2 gedreht werden kann. Kompensationsmagnete 60 und 62 sind zwischen einen
kreisförmigen Ring 62 und einer Rolle 60 geklemm«. Der Ring, die Kompensationsmagnete und die Rolle sind
ane;nander durch Bolzen 65 befestigt, um eine Kompensationsmagnetanordnung zu schaffen. Kugellager
68 und 70 verbinden die Kompensationsmagnetanordnung mit dem Stützrohrgehäuse 72. Dieses Gehäuse
72 ist fest an der Außenseite der Kammer befestigt Die Welle 22 wird innerhalb des Gehäuses 72 durch
Kugellager 74 und 76 gehalten. Die inneren Laufbahnen der Lager 74 und 76 sind mit der Welle 22 verbunden,
während die äußeren Laufbahnen mit Rollen 78 verbunden sind. Die Rollen 78 stützen die Welle derart
ab, daß sie nicht die Seiten des rohrförmigen Gehäuses 72 berührt, wenn die Welle 22 in die Kammer hinein und
aus ihr herausgeschoben wird. Lager 74 und 76 ermöglichen, die Welle 22 zu drehen, während die
Rollen und das rohrförmige Gehäuse ortsfest bleiben.
Wenn sich die Kompensationsmagnete und die Seilscheibe um das rohrförmige Gehäuse 72 drehen,
dreht sich das Magnetfeld der Magnete 60 und 72 und übt eine winkelmäßige Kraft auf einen Anker 80 aus,
welcher fest an der Welle 22 angeordnet ist Diese Art von Anker besteht aus einem Stück von Eisen mit hoher
Permeabilität und ist bekannt. Wenn sich der Kompensationsmagnet und die Seilscheibe drehen, dreht sich
auch die innerhalb der Kammer angeordnete Unterlage. Ein Elektromotor 82 ist mit der Seilscheibe über einen
Keilriemen 84 verbunden, um einen konstanten Antrieb für die Welle 22 zu liefern.
Die Welle 86 ist mit der inneren Laufbahn des Kugellagersatzes 88 verbunden, während die äußere
Laufbahn mit der äußeren Laufbahn des Kugellagersatzes 76 verbunden ist Diese Anordnung gestattet, die
Welle 22 frei zu drehen, während die Welle 86 ortsfest bleibt Jedoch, wenn die Welle 86 in das rohrförmige
Gehäuse 72 hinein und aus diesem herausgeschoben wird, ist die Welle 22 gezwungen, sich mitzubewegen.
Eine Gewindekappe 80 hält eine C-Ringdichtung 92
zwischen dem rohrförmigen Gehäuse 72 und der Welle 86 und dichtet die Vakuumkammer.
Bei dem beschriebenem Verfahren wird ein Aufprallmaterial mit Ionen bombardiert. Diese Ionen schlagen
auf das Aufprallmaterial mit einem großen Impuls auf und brechen einzelne Moleküle aus dem Aufprallmaterial
heraus. Die Moleküle des Aufprallmaterials werden dann auf der Unterlage niedergeschlagen, welche die
Basis für den Laser-Spiegel umfaßt. Diese Technik ergibt einen molekülweisen Niederschlag auf der
Unterlage mit einer verbesserten amorphen Beschichtung und einer erhöhten Packungsdichte. Ferner haften
die Moleküle wegen der größeren Molekülgeschwindigkeit, welche bei der lonenstrahlzerstäubung auftreten,
besser auf der Unterlage. Ein wesentlicher Gesichtspunkt besteht auch darin, daß es sich bei dem
beschriebenen Verfahren um ein kaltes Beschichtungsverfahren handelt, so daß die zu beschichtenden
Unterlagen nicht auf hohen Temperaturen gehalten werden müssen, um amorphe Zustände und annehmbare
Werte für die Packungsdichte zu erzielen. Ferner wird, da es sich um ein kaltes Verfahren handelt, bei dem
Ionen die Moleküle aus dem Aufprallmaterial herausbrechen, statt sie durch örtliche Anwendung von hoher
Energie abzudampfen, verhindert, daß Lufteinflüsse und Verunreinigungen in dem Aufprallmaterial kleine
Explosionen erzeugen, bei denen größere Materialbrokken fortgeschleudert werden, welche sich sodann auf
der Unterlage niederschlagen können. Dadurch werden wiederum in hohem Maße Verunreinigungen und
Anomalien innerhalb der Schichten der Lambda-Viertel-Schichtanordnung
verringert.
Bei dem beschriebenen Verfahren ist in der Vakuumkammer, in der die Unterlage beschichtet wird,
Sauerstoffatmosphäre vorhanden. Die Größe des zur Oxidation der Moleküle in den Schichten zur Verfügung
stehenden Sauersto'fflusses muß gut gesteuert werden,
um die Bildung von Suboxiden zu minimalisieren, welche sonst Absorptionsverunreinigungen in den
Schichten oder Beschichtungen bilden würden. Diese Steuerung vereinfacht in Verbindung mit den anderen
Merkmalen der beschriebenen Art in hohem Maße das Beschichten von Laser-Spiegeln und ermöglicht eine
wesentlich größere Voraussagbarkeit der Enddichten und Brechnungsindizes.
Mit dem beschriebenen Verfahren können auf
Mit dem beschriebenen Verfahren können auf
4"' reproduzierbare Weise Lambda-Viertel-Spiegelschichtanordnungen
für Laser hergestellt werden, deren Verluste in der Größenordnung von 0,01% liegen. Dies
bedeutet eine wesentliche Verbesserung der Technologie der Herstellung von dünnen Schichtniederschlägen,
·" wie sie insbesondere bei der Herstellung von Lambda-Viertel-Schichtanordnungen
für Laser-Spiegel verwandtwird.
Die in den F i g. 1 bis 3 beschriebene Vorrichtung ist für eine Ionenstrahl-Zerstäubung verschiedener Arten
geeignet Der hier beschriebene Vorgang dient zum Niederschlagen von dünnen Schichten auf keramischen
Unterlagen um eine Reihe oder eine Schichtanordnung von Lambda-Viertelwellen-Schichten zu bilden um
Laserstrahlen in Ringlaser-Gyroskopen zu reflektieren. Es wird erneut auf die F i g. 1 Bezug genommen. Eine
an dem Ende der Welle 22 befestigte, keramische Unterlage 20 ist in dem Ionenstrahl-Strom angeordnet
wie es durch unterbrochene Linien 28 gezeigt ist Der unter einem Winkel die Oberfläche der Unterlage
bombardierende Ionenstrahl reinigt diese, um Verunreinigungen, weiche sich auf der Oberfläche befinden, zu
entfernen und entfernt auch rauhe oder unebene Stellen. Dadurch wird eine sauberere und ebenere Oberfläche
geschaffen, so daß eine bessere Dünnschicht-Beschichtung erzielt werden kann. Die Unterlage wird dann in
die in F i g. 1 gezeigte Stellung zurückgezogen und das an der Befestigungsoberfläche A des Revolverkopfes 18
angeordnete Aufprallmaterial wird mit dem Ionenstrahl bombardiert. Atome, welche aus dem Aufprallmaterial
herausgelöst werden, schlagen sich auf die sich innerhalb der Kammer 2 befindenden, freien Oberflächen,
zu denen die Unterlage gehört, nieder.
Eine Glasabschirmung 102 ist innerhalb der Kammer vorgesehen. Diese Abschirmung wird in eine Stellung,
die in F i g. 1 gezeigt ist, durch eine Einrichtung 103 gedreht, welche außerhalb der Kammer angeordnet ist,
wobei die Vakuumkammer abgedichtet bleibt, während die Welle 104, welche mit der Abschirmung verbunden
ist, gedreht werden kann.
Aufprallmaterialien, welche der Atmosphäre ausgesetzt worden sind, können auf ihren Oberflächen
Schmutzstoffe aufweisen, welche von ihrer Handhabung oder Oxidation und anderen Korrosionen stammen.
Bevor eine dünne Schicht niedergeschlagen wird, werden die Aufprallmaterialien innerhalb der Kammer
dadurch gereinigt, daß sie mit dem Ionenstrahl bombardiert und die Oxidation und Verschmutzung
entfernt werden. Während dieser Reinigung werden die Verbindungsstangen 26 und die Welle 22 so gehandhabt,
d-iß die Unterlage 20 hinter die Glasabschirmung 102
; ebracht wird. Auf diese Weise wird verhindert, daß sich
\on den Aufprallmaterialien entfernte Schmutzstoffe
und Oxidation auf der Oberfläche der Unterlage niederschlagen.
Das Aufprallmaterial auf der Oberfläche A des Revolverkopfes 18 besteht aus einem Material mit
einem großen Brechungsindex, wie Titandioxid. Wie es in F i g. 1 dargestellt ist, trifft der Ionenstrahl auf das
Aufprallmaterial auf der Oberfläche A schräg auf und setzt Atome des Aufprallmaterials frei. Es wird darauf
hingewiesen, daß die Unterlage innerhalb der Kammer in dem Hauptweg der Aufprallmaterialmoleküle angeordnet
ist, welche durch den Ionenstrahl freigesetzt worden sind. Das Titandioxid-Aufprallmaterial wird mit
dem Ionenstrahl bombardiert, bis die niedergeschlagene Schicht eine optische Dicke von 1A der Wellenlänge
eines Laserstrahls hat. Da verschiedene Userstrahlen verschiedene Wellenlängen haben können, kann die
richtige Dicke der Lambda-Viertel-Wellenlängen-Schicht sich in Abhängigkeit von den besonderen
Konstruktionsparametern ändern. Die richtige Schichtdicke ergibt sich <A.us der Formel:
„ Wellenlänge des Laserstrahls
Schichtdicke = τ—Ξ—r—: — ·
: 4 x Brechungsindex der Schicht
Ein Aufprallmaterial mit einem kleinen Brechungsindex, wie z. B. Siliciumdioxid, ist an der Oberfläche C des
Revolverkopfes befestigt. Wenn eine Lambda-Viertel-
Wellenlängen-Schicht mit einem großen Brechungsindex hergestellt worden ist, wird der Revolverkopf um
180° gedreht und der Ionenstrahl trifft schräg auf das Aufprallmaterial auf der Oberfläche C auf, um eine
Lambda-Viertel-Wellenlängen-Schicht mit einem klei-
Η nen Brechungsindex niederzuschlagen. Typischerweise
ist eine Siliciumdioxid-Schicht ungefähr 1000 A dick. während eine Titandioxid-Schicht ungefähr 700 A die*
Dieses Verfahren wird wiederholt, bis eine Schichtan-Ordnung mit abwechselnden Schichten aus Materialien
mit großem und kleinem Brechungsindex niedergeschlagen ist. Die Anzahl der niedergeschlagenen Schichten
hängt von den Unterschieden der Brechungsindizes der Materialien und der Größe des erwünschten Reflexionsvermögen
ab. Geeignete Materialien mit einem großen Brechungsindex sind solche, deren Brechungsindex
größer als 2,0 ist. Materialien mit einem kleinen Brechungsindex haben normalerweise einen Brechungsindex
von weniger als 1,5. Die obengenannten
ίο Materialien Titandioxid und Siliciumdioxid haben
Brechungsindizes von ungefähr 2,4 bzw. 1,46.
Titandioxid-Siliciumdioxid-Spiegel haben typischerweise 21 abwechselnde Schichten, um ein maximales
Reflexionsvermögen zu erzielen. Dort, wo Spiegel
Ji benötigt werden, welche eine Durchlässigkeit von 0,05
bis 0,0t aufweisen, werden ungefähr 19 abwechselnde Schichten verwandt. Wenn der Unterschied der
Brechungsindizes zwischen den Schichtmaterialien kleiner ist, werden mehr Schichten benötigt, um das
gleiche Reflexionsvermögen zu erreichen.
Eine Unterlage für die Basis des Ringlaser-Spiegels besteht im allgemeinen aus einem keramisch Material
mit einer ultrakleinen Ausdehnung. Andere Materialien können für die Unterlage und für die abwechselnden
Schichten aus Materialien mit hohem und geringem Brechungsindex, die als Aufprallmaterialien verwandt
werden, vorgesehen werden.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen Mehrfachschichten, bei dem zum aufeinander- s
folgenden Zerstäuben von verschiedenen Beschichtungsmaterialien im Vakuum, das Beschichtungsmaterial
als Aufprallmaterial mit einem Ionenstrahl in einer Vakuumkammer beaufschlagt wird, wodurch
Moleküle des Beschjchtungsmaterials infolge des to Aufpralls zerstäubt werden, und sich auf der zu
beschichtenden Unterlage niederschlagen, bei dem die Atmosphäre innerhalb der Vakuumkammer
derart gesteuert wird, daß ausreichend Gas zur
Aufrechterhaltung des Ionenstrahls geliefert wird, is.
und daß die richtige Menge Sauerstoff vorhanden ist, um die richtige Stöchiometrie der dünnen Schichten
zu erreichen, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage in einer Ebene mit wählbarer
Neigung gegenüber der Richtung der zerstäubten Moleküle gedreht wird, und daß mehrere Schichten
aus unterschiedlichen Beschichtungsmaterialien auf der Unterlage dadurch niedergeschlagen werden,
daß aufeinanderfolgend jeweils ein anderes Aufprallmaterial in den Ionenstrahl gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Unterlage mit einem schrägauftreffenden Ionenstrahl beaufschlagt wird, bevor die
Aufprallmaterialien beaufschlagt werden, wodurch die Unterlage gereinigt und Oberflächenanomalien
entfernt wden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder/und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt des
Niederschiagens von Mehrfachschichten das Niederschlagen von Materia.ien, deren Brechungsindizes
größer als 2,0 und von Materialien umfaßt, deren Brechungsindizes kleiner als 1,5 sind, wobei
die optischen Schichten abgewechselt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die optischen Schichten mit Brechungsindizes
über 2,0Titandioxid aufweisen.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die optischen Schichten mit
Brechungsindizes kleiner als 1,5 Siliciumdioxid aufweisen.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die sich abwechselnden
Schichten Lambda-Viertelwellen-Schichten sind.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche t bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufprallmaterialien
gekühlt werden, um einen übermäßigen Wärmeaufbau zu verhindern, um die Zerstäubungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsmenge zu steuern.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis B,
dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage eine keramische Unterlage mit einem geringen Ausdehnungskoeffizienten
ist
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche Ϊ bis 8 mit einer
Einrichtung zur Erzeugung eines lonenstroms in einer Vakuumkammer, mit wenigstens einem Beschichtungsmaterial,
das in den lonenstrom einführbar ist, sowie mit einer zu beschichtenden Unterlage,
die im Abstand zu dem, durch den Ionenstrahl zerstäubten Beschichtungsmaterial angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß Rächen (A, B, C, D)
mit jeweils unterschiedlichen Beschichtungsm&terialien
an einer gemeinsamen Drehachse derart drehbar gehaltert sind, daß sie jeweils getrennt in
den lonenstrom einführbar sind, und daß die zu beschichtende Unterlage (20) auf einem Drehteller
gehaltert ist, dessen Drehachse in bezug auf die Richtung des lonenstroms änderbar ist
10, Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Aufdumpfdicke
mit Hilfe eines elektrisch erregten Schwingkristalls (32) überwachbar ist
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/896,133 US4142958A (en) | 1978-04-13 | 1978-04-13 | Method for fabricating multi-layer optical films |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2902848A1 DE2902848A1 (de) | 1979-10-18 |
| DE2902848C2 true DE2902848C2 (de) | 1983-02-17 |
Family
ID=25405682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2902848A Expired DE2902848C2 (de) | 1978-04-13 | 1979-01-25 | Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen Mehrfachschichten |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4142958A (de) |
| JP (1) | JPS5941511B2 (de) |
| CA (1) | CA1104093A (de) |
| DE (1) | DE2902848C2 (de) |
| FR (1) | FR2422729A1 (de) |
| GB (1) | GB2020701B (de) |
| IL (1) | IL56659A (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3413728A1 (de) * | 1983-04-21 | 1984-10-25 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc., Saint Paul, Minn. | Triggereinrichtung und verfahren zur lichtbogenzuendung fuer elektrische lichtbogen-bedampfungssysteme |
| DE3832693A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Leybold Ag | Vorrichtung zum aufbringen dielektrischer oder metallischer werkstoffe |
| DE3941796A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE19537267C1 (de) * | 1994-10-19 | 1996-07-04 | Grc Glass Refining Center Ges | Verfahren zum Aufbringen von dünnen farbigen Schichten auf Substrate mit gekrümmten Oberflächen, insbesondere auf rotationssymmetrische Substrate, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4248687A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of forming transparent heat mirrors on polymeric substrates |
| GB2101638B (en) * | 1981-07-16 | 1985-07-24 | Ampex | Moveable cathodes/targets for high rate sputtering system |
| GB2118210B (en) * | 1982-03-12 | 1985-10-16 | Marconi Co Ltd | Reflectors for passive display devices |
| JPS58185813U (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-10 | 日本電信電話株式会社 | 光フアイバ融着装置における観察鏡 |
| US4424103A (en) | 1983-04-04 | 1984-01-03 | Honeywell Inc. | Thin film deposition |
| CA1238988A (en) * | 1983-06-06 | 1988-07-05 | Stanford R. Ovshinsky | X-ray dispersive and reflective structures and method of making the structures |
| JPH0672298B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1994-09-14 | 京都大学 | 周期性を有する酸化物多層膜 |
| US5009761A (en) * | 1984-09-24 | 1991-04-23 | Spafax Holdings Plc., | Method of producing an optical component, and components formed thereby |
| US4817112A (en) * | 1985-05-10 | 1989-03-28 | Honeywell Inc. | Low cost ring laser angular rate sensor |
| US5084151A (en) * | 1985-11-26 | 1992-01-28 | Sorin Biomedica S.P.A. | Method and apparatus for forming prosthetic device having a biocompatible carbon film thereon |
| US4848909A (en) * | 1986-01-31 | 1989-07-18 | Honeywell Inc. | Ion beam sputtered mirrors for ring laser gyros |
| US4747922A (en) * | 1986-03-25 | 1988-05-31 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Confined ion beam sputtering device and method |
| JPS6362867A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-19 | Seikosha Co Ltd | 有色物品 |
| GB8629409D0 (en) * | 1986-12-09 | 1987-01-21 | Evans B L | Multilayered structures |
| US5133845A (en) * | 1986-12-12 | 1992-07-28 | Sorin Biomedica, S.P.A. | Method for making prosthesis of polymeric material coated with biocompatible carbon |
| US4793908A (en) * | 1986-12-29 | 1988-12-27 | Rockwell International Corporation | Multiple ion source method and apparatus for fabricating multilayer optical films |
| FR2619247A1 (fr) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Realisations Nucleaires Et | Implanteur d'ions metalliques |
| US5015353A (en) * | 1987-09-30 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions |
| US5225057A (en) * | 1988-02-08 | 1993-07-06 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Process for depositing optical films on both planar and non-planar substrates |
| US5618388A (en) * | 1988-02-08 | 1997-04-08 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus |
| US4851095A (en) * | 1988-02-08 | 1989-07-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Magnetron sputtering apparatus and process |
| US5798027A (en) * | 1988-02-08 | 1998-08-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates |
| DE3809734C1 (de) * | 1988-03-23 | 1989-05-03 | Helmut Prof. Dr. 7805 Boetzingen De Haberland | |
| US5080455A (en) * | 1988-05-17 | 1992-01-14 | William James King | Ion beam sputter processing |
| US4992298A (en) * | 1988-10-11 | 1991-02-12 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
| US5055318A (en) * | 1988-10-11 | 1991-10-08 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
| US4923585A (en) * | 1988-11-02 | 1990-05-08 | Arch Development Corporation | Sputter deposition for multi-component thin films |
| US5133849A (en) * | 1988-12-12 | 1992-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film forming apparatus |
| EP0390692A3 (de) * | 1989-03-29 | 1991-10-02 | Terumo Kabushiki Kaisha | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Dünnschicht und Sensor |
| US4985657A (en) * | 1989-04-11 | 1991-01-15 | Lk Technologies, Inc. | High flux ion gun apparatus and method for enhancing ion flux therefrom |
| US5170291A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Coating, composed of an optically effective layer system, for substrates, whereby the layer system has a high anti-reflective effect, and method for manufacturing the coating |
| DE3941797A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE4040856A1 (de) | 1990-12-20 | 1992-06-25 | Leybold Ag | Zerstaeubungsanlage |
| JP3048072B2 (ja) * | 1991-05-25 | 2000-06-05 | ローム株式会社 | 酸化膜の成膜方法及びその装置 |
| GB9225270D0 (en) * | 1992-12-03 | 1993-01-27 | Gec Ferranti Defence Syst | Depositing different materials on a substrate |
| US5408489A (en) * | 1993-03-19 | 1995-04-18 | Balzers Aktiengesellschaft | Optical layer for excimer laser |
| US5430574A (en) * | 1994-07-25 | 1995-07-04 | Litton Systems, Inc. | Rugged optical filter and switch for communication networks |
| US5529671A (en) * | 1994-07-27 | 1996-06-25 | Litton Systems, Inc. | Apparatus and method for ion beam polishing and for in-situ ellipsometric deposition of ion beam films |
| KR100186286B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-05-15 | 한갑수 | 주석산화물 박막을 이용한 메탄 가스 감지용 센서 및 프로판 가스 감지용 센서와 그 제조방법 |
| JPH09235669A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-09 | Read Rite S M I Kk | 酸化膜の形成方法および電子デバイス |
| US6190511B1 (en) | 1997-03-13 | 2001-02-20 | David T. Wei | Method and apparatus for ion beam sputter deposition of thin films |
| US6063436A (en) * | 1998-07-10 | 2000-05-16 | Litton Systems, Inc. | Use of multiple masks to control uniformity in coating deposition |
| GB9901093D0 (en) * | 1999-01-20 | 1999-03-10 | Marconi Electronic Syst Ltd | Method of making coatings |
| US6464891B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-10-15 | Veeco Instruments, Inc. | Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam |
| US6238582B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Veeco Instruments, Inc. | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method |
| US6224718B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-05-01 | Veeco Instruments, Inc. | Target assembly for ion beam sputter deposition with multiple paddles each having targets on both sides |
| US6669824B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-12-30 | Unaxis Usa, Inc. | Dual-scan thin film processing system |
| US6495010B2 (en) | 2000-07-10 | 2002-12-17 | Unaxis Usa, Inc. | Differentially-pumped material processing system |
| US6447653B1 (en) | 2000-10-11 | 2002-09-10 | Litton Systems Inc. | Method of shaping a flux mask and process of sputtering with the shaped flux mask |
| US6635155B2 (en) | 2000-10-20 | 2003-10-21 | Asahi Glass Company, Limited | Method for preparing an optical thin film |
| JP2002258037A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Alps Electric Co Ltd | 積層膜を有する光フィルタおよびその製造方法 |
| US6610179B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-08-26 | David Alan Baldwin | System and method for controlling deposition thickness using a mask with a shadow that varies with respect to a target |
| US6783637B2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | High throughput dual ion beam deposition apparatus |
| US7119960B1 (en) | 2003-05-06 | 2006-10-10 | Semrock, Inc. | Method of making high performance optical edge and laser-line filters and resulting products |
| US7068430B1 (en) | 2003-05-06 | 2006-06-27 | Semrock, Inc. | Method of making highly discriminating optical edge filters and resulting products |
| US7123416B1 (en) | 2003-05-06 | 2006-10-17 | Semrock, Inc. | Method of making high performance optical edge and notch filters and resulting products |
| US20080055584A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Atul Pradhan | Optical transmission filter with extended out-of-band blocking |
| US20090020415A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Michael Gutkin | "Iontron" ion beam deposition source and a method for sputter deposition of different layers using this source |
| DE102013221029A1 (de) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung uniformer Schichten auf bewegten Substraten und derart hergestellte Schichten |
| EP3127141B1 (de) * | 2014-04-01 | 2021-03-24 | EV Group E. Thallner GmbH | Verfahren zur oberflächenreinigung von substraten |
| EP3219832B1 (de) | 2016-03-16 | 2020-06-24 | Thorlabs Inc. | Verfahren zur herstellung von direkt verbundenen optischen beschichtungen |
| CN108866501A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-11-23 | 东莞市典雅五金制品有限公司 | 一种四靶双离子束溅射镀膜装置 |
| US12352987B2 (en) | 2018-09-11 | 2025-07-08 | Thorlabs, Inc. | Substrate-transferred stacked optical coatings |
| EP4239379B1 (de) | 2022-03-01 | 2025-08-27 | Thorlabs, Inc. | Substrattransferierte gestapelte optische beschichtungen |
| CN118422150A (zh) * | 2024-07-04 | 2024-08-02 | 成都中科卓尔智能科技集团有限公司 | 镀膜装置及镀膜产线 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB830391A (en) * | 1955-10-28 | 1960-03-16 | Edwards High Vacuum Ltd | Improvements in or relating to cathodic sputtering of metal and dielectric films |
| US3247392A (en) * | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
| DE1515318A1 (de) * | 1964-12-28 | 1969-07-31 | Hermsdorf Keramik Veb | Einrichtung zur Herstellung duenner Schichten auf einem Traeger mittels Ionenstrahl-Zerstaeubung |
| FR1451749A (fr) * | 1965-10-26 | 1966-01-07 | Hermsdorf Keramik Veb | Procédé et dispositif pour former des couches minces sur un support au moyen d'une pulvérisation à rayonnement ionique |
| FR2071512A5 (de) * | 1969-12-31 | 1971-09-17 | Radiotechnique Compelec | |
| FR2129996B1 (de) * | 1971-03-25 | 1975-01-17 | Centre Nat Etd Spatiales | |
| FR2218652B1 (de) * | 1973-02-20 | 1976-09-10 | Thomson Csf | |
| DE2331751C3 (de) * | 1973-06-22 | 1980-10-02 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Verfahren zur materialabhängigen Kontrastierung und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens für Lichtmikroskopie |
| CA1014889A (en) * | 1974-12-06 | 1977-08-02 | Bell-Northern Research Ltd. | Sputtered dielectric thin films |
| US4033843A (en) * | 1976-05-27 | 1977-07-05 | General Dynamics Corporation | Simple method of preparing structurally high quality PbSnTe films |
| US4093349A (en) * | 1976-10-27 | 1978-06-06 | Northrop Corporation | High reflectivity laser mirrors |
-
1978
- 1978-04-13 US US05/896,133 patent/US4142958A/en not_active Ceased
-
1979
- 1979-01-25 DE DE2902848A patent/DE2902848C2/de not_active Expired
- 1979-02-07 CA CA321,001A patent/CA1104093A/en not_active Expired
- 1979-02-13 IL IL56659A patent/IL56659A/xx unknown
- 1979-03-13 FR FR7906355A patent/FR2422729A1/fr active Granted
- 1979-03-13 GB GB7908729A patent/GB2020701B/en not_active Expired
- 1979-04-05 JP JP54040400A patent/JPS5941511B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3413728A1 (de) * | 1983-04-21 | 1984-10-25 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc., Saint Paul, Minn. | Triggereinrichtung und verfahren zur lichtbogenzuendung fuer elektrische lichtbogen-bedampfungssysteme |
| DE3832693A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Leybold Ag | Vorrichtung zum aufbringen dielektrischer oder metallischer werkstoffe |
| DE3941796A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE19537267C1 (de) * | 1994-10-19 | 1996-07-04 | Grc Glass Refining Center Ges | Verfahren zum Aufbringen von dünnen farbigen Schichten auf Substrate mit gekrümmten Oberflächen, insbesondere auf rotationssymmetrische Substrate, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4142958A (en) | 1979-03-06 |
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| GB2020701A (en) | 1979-11-21 |
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| CA1104093A (en) | 1981-06-30 |
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| JPS54138878A (en) | 1979-10-27 |
| IL56659A (en) | 1982-02-28 |
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