DE2854338A1 - Spannungserhoehungsschaltung - Google Patents
SpannungserhoehungsschaltungInfo
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Description
RCA 69,394
RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)
Spannungserhöhungsschaltung
Die Erfindung betrifft Spannungserhöhungsschaltungen, insbesondere
von der Art, bei welcher jede Stufe einen Inverter dazu verwendet, ein paar Boosterkondensatoren aufzuladen, um die Ausgangsspannung
zu erzeugen.
In der US-PS 3 016 476 ist eine Spannungserhöhungsstufe mit einem Inverter und vier Kondensatoren beschrieben. Zwei der Kondensatoren
werden wahlweise mit Hilfe entsprechender, anstelle von Dioden verwendeter Feldeffekttransistoren zwischen den Invertereingangsanschluß,
welchem ein Schaltsignal zugeführt wird, und einem Schaltungsausgangsanschluß, an welchem die erhöhte Ausgangsspannung
entsteht, gekoppelt. Zwei weitere Feldeffekttransistoren
sind zwischen die betreffenden Kondensatoren und jeweils eine
Versorgungsspannungsleitung geschaltet und werden durch das Inverterausgangssignal so gesteuert, daß sie anstelle von Dioden arbeiten und die Ladung auf jedem des ersten Paares Kondensatoren während jedes Arbeitszyklus erneuern.
sind zwischen die betreffenden Kondensatoren und jeweils eine
Versorgungsspannungsleitung geschaltet und werden durch das Inverterausgangssignal so gesteuert, daß sie anstelle von Dioden arbeiten und die Ladung auf jedem des ersten Paares Kondensatoren während jedes Arbeitszyklus erneuern.
Zur Zuführung der Steuerspannung zu den Gateelektroden der weiteren
Feldeffekttransistoren sind bei der bekannten Schaltung zwei
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weitere Kondensatoren zwischen den Inverterausgang und die Gateelektroden
jeweils eines der weiteren Transistoren geschaltet, so daß eine Knotenspannungsdifferenz zwischen den Gateelektroden
entsteht, welche so groß wie die Ausgangsspannung der Schaltung
an deren Ausgangsanschluß ist.
Die hier zu beschreibende Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung
der bekannten Spannungserhöhungsschaltung derart, daß mit
halb sovielen Kondensatoren die gleiche oder eine größere Ausgangsspannung (das Drei- oder Vierfache) erzeugt werden kann. Die
verbesserte Spannungserhöhungsschaltung läßt sich leicht in Kaskade
betreiben und ergibt dann eine Ausgangsspannung, die mit dem Quadrat der Stufenzahl ansteigt statt linear mit dieser wie im
Fall üblicher Kaskadenspannungsvervielfacherschaltungen.
Die erfindungsgemäße Spannungserhöhungsschaltung benutzt eine Inverterschaltung
zur Ansteuerung eines Belages eines jeden von zwei Kondensatoren im Gegentakt, während die anderen Beläge an geeignete
Ladungsauffüllungsquellen und an eine Ausgangsspannungskombinationsschaltung angeschlossen sind. Letztere enthält einen weiteren
Inverter, der aus der an den zweiten Belägen der Kondensatoren erzeugten Spannung betrieben wird und mit Hilfe des Eingangssignals des ersten Inverters synchronisiert ist.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein teilweise als Blockschaltbild ausgeführtes Schaltbild einer Spannungserhöhungsschaltung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ein Schaltbild einer typischen Inverterstufe gemäß dem Stande der Technik, wie sie in der Spannungserhöhungsschaltung
gemäß Fig. 1 verwendet werden kann;
Fig. 3 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Betriebsweise der Schaltung gemäß Fig. 1 und
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Fig. 4 bis 9 alternative Ausführungsformen der erfindungsgemäßen
Spannungserhöhungsschaltung.
Die in Fig. 1 dargestellte Spannungserhöhungsschaltung hat drei in Kaskade geschaltete Stufen 10, 20 und 30. Eine Primärspannungsquelle
2 festen Potentials +V und eine Schaltspannungsquelle 3, die eine um +V/2 oszillierende Schaltspannung VT„ liefert, sind
links in der Figur zu sehen. Die Schaltspannungsquelle 3 liefert, wie gezeigt, Spannungsimpulse, die zwischen Massepotential und
+V verlaufen, wie dies in dem Zeitdiagramm der Fig. 3 ersichtlich ist.
Jede der Spannungserhohungsstufen 10, 20 und 30 gemäß Fig. 1 enthält
einen entsprechenden Inverter 11, 21, 31, der gemäß Fig. 2 mit zwei komplementären Anreicherungs-Feldeffekttransistoren ausgebildet
sein kann, deren Gateelektroden an einem Eingangsanschluß IN und deren Drainelektroden an einem Ausgangsanschluß OUT zusammengeschaltet
sind und deren Sourceelektroden an einen positiven bzw. negativen Betriebsspannungsanschluß +VDD bzw. -VDD angeschlossen
sind. Jeder dieser Inverter 11, 21 und 31 ist mit seinem Eingang an die Quelle 3 angeschlossen und erhält das Eingangssignal
V . Die Ausgangsspannung jedes Inverters befindet sich auf ihrem
positiven Betriebsspannungspotential während der Zeit, wo Vn kleiner
als +V2 (also Masse) ist, und auf ihrem negativen Betriebsspannungspotential während der Zeiten, wo V1n größer als +V/2
(also +V) ist.
Gemäß Fig. 2 sind die positiven und negativen Betriebsspannungspotentiale
für den Inverter 11 immer +V bzw. Masse, so daß die Ausgangsspannung des Inverters 11, die als Spannung V12 dem Knoten
12 zugeführt wird, das Komplement von V ist, wie auch aus Fig.3
ersichtlich ist. Jede der Dioden 14, 17, 24, 27, 34 und 37 wird als Analogschalter betrieben und bildet nur bei Vorspannung in
Durchlaßrichtung eine Verbindung zwischen ihrer Anode und ihrer Kathode, wie noch im einzelnen erläutert wird.
Zu einem Zeitpunkt zwischen t~ und t., wenn νχΝ gleich +V ist,
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spannt die nach unten gerichtete Amplitude von V1~ = V , welche
über den Boosterkondensator 13 zur Kathode der Diode 14 gelangt, diese in Durchlaßrichtung vor. Dadurch wird der Schaltungspunkt
15, an welchem der Kondensator 13 mit der Kathode der Diode 14
verbunden ist, auf ein Potential geklemmt, das um die Offsetspannung
der leitenden Diode 14 niedriger als +V ist. Für die Beschreibung kann hier angenommen werden, daß die Größe der Offsetspannung
über der leitenden Diode als vernachlässigbar gegenüber +V angesehen werden kann, so daß die Spannung V15 am Knotenpunkt 15 praktisch
gleich +V angenommen werden kann, wie dies in Fig. 3 der Fall ist. Wenn der Knotenpunkt 15 dicht an +V geklemmt ist und
der Knotenpunkt 12 nach Masse gezogen wird, dann wird die Ladung auf dem Kondensator 13 aufgefüllt und ergibt eine Spannung, deren
Amplitude praktisch gleich +V ist, an seinen zwischen die Beläge
12 bzw. 13 geschalteten Belägen.
Kurz vor dem Zeitpunkt tQ, als V auf Massepotential und V12
praktisch gleich +V war, hatte die ansteigende Amplitude von V1-,
welche über den Boosterkondensator 16 zur Anode der Diode 17 gekoppelt wurde, diese in Durchlaßrichtung vorgespannt und den Schaltungsknoten
18 auf ein Potential geklemmt, welches sich vom Massepotential durch die Offsetspannung über der leitenden Diode 17
unterscheidet. Der Kondensator 16 ist auf ein Potential zwischen
seinen Belägen aufgeladen, das praktisch gleich +V ist. Zu einem Zeitpunkt zwischen tQ und t.., wenn die Spannung V gleich +V ist
und die Spannung V12 Massepotential angenommen hat, wird nun der
Knotenpunkt 18 um einen Betrag unter Massepotential gebracht, welcher im wesentlichen gleich V ist. Die Differenz zwischen den
Spannungen V18 und V1_ an den Knotenpunkten 18 bzw. 15 beträgt
zwischen den Zeiten tQ und t.. +2V.
Im nachfolgenden Halbzyklus zwischen t.. und t2, wenn V1n auf Massepotential
und V12 auf +V liegt, spannt die über den Kondensator
13 zur Kathode der Diode 14 gekoppelte obere Halbwelle von V12
die Diode 14 in Sperrichtung vor und macht sie nichtleitend, während das Potential V1 ~ am Knotenpunkt 15 im wesentlichen auf +2V
angehoben wird. Die über den Kondensator 16 zur Anode der Diode
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gekoppelte obere Halbwelle von V^2 spannt die Diode 17 in Durchlaßrichtung
vor, so daß der Knotenpunkt 18 dicht auf Masse geklemmt wird, wie zur Zeit kurz vor t„, und der Kondensator 16 zur Auffüllung
seiner Verluste in der Zeit zwischen tQ und t1 aufgefüllt
wird. Die Differenz zwischen den Spannung V18 und V15 hat noch
eine Amplitude von +2V.
Die Spannung zwischen den Knotenpunkten 18 und 15 hat kontinuierlich
einen Wert von praktisch gleich + 2V, also dem Doppelten der Amplitude der Spannung +V, welche von der Primärstromquelle 2 geliefert
wird, und zwar nicht nur über den Zyklus zwischen tQ und
t„, sondern auch über die nachfolgenden Zyklen. Diese verdoppelte
Spannung kann unmittelbar benutzt werden, jedoch ist die Art, in welcher die verdoppelte Spannung zur Verfügung gestellt wird, besonders
vorteilhaft, wenn man sie als Betriebsspannung für einen weiteren Inverter 21 benutzt, dessen Eingangsverbindung die Spannung
V1n zugeführt wird und der daraufhin eine Ausgangsspannung
Vp2 an seine Ausgangsverbindung an einen Knotenpunkt 22 liefert.
Zwischen den Zeiten t„ und t liefert der Inverter 21 aufgrund
der Eingangsspannung VTT, einen Wert von +V, so daß seine Ausgangsspannung
V„~ auf seine negative Betriebsspannung geklemmt wird,
die als Spannung V1R einen Wert hat, der in dieser Periode praktisch
gleich -V ist. Zwischen den Zeitpunkten t. und t2 reagiert
der Inverter 21 auf die Spannung VIN von Massepotential mit einer
Klemmung seiner Ausgangsspannung 22 auf seine positive Betriebsspannung,
die als Spannung V^c einen Wert von praktisch gleich
+2V während dieser Periode hat. So wechselt die Spannung V22
zwischen den Pegeln -V und +2V und bildet eine wechselnde Spannung einer Amplitude vom dreifachen Wert der Spannung V1n und der von
der PrimärSpannungsquelle 2 gelieferten Spannung +V. Diese verdreifachte
Spannung kann unter Verwendung eines Gleichrichters und Speicherkondensators zu einer Gleichspannung spitzengleichgerichtet
werden, die im wesentlichen dreimal so groß wie die von der Primärspannungsquelle gelieferte Spannung ist.
In Fig. 1 wird jedoch der Inverter 21 als Teil einer weiteren Spannungsverdopplungsstufe 20 benutzt. In der Zeit zwischen tQ
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und t spannt die über den Boosterkondensator 23 zur Kathode der
Diode 24 gekoppelte untere Amplitude von V„„ die Diode 24 in Durchlaßrichtung
vor. Dadurch wird der Knotenpunkt 25, die Verbindungsstelle zwischen Kondensator 23 mit der Kathode der Diode 24, auf
ein Potential geklemmt, das praktisch gleich +V2 ist, und die Ladung auf dem Kondensator 23 wird aufgefrischt, so daß zwischen
seinen mit den Knotenpunkten 22 bzw. 25 verbundenen Belägen eine Spannung entsteht, die praktisch gleich +3V ist. Kurz vor t-, wenn
VTN noch auf Massepotential und V„2 praktisch gleich +2V ist, hat
die über den Boosterkondensator 26 zur Anode der Diode 27 gekoppelte obere Amplitude von V„2 die Diode 27 in Durchlaßrichtung
vorgespannt, so daß der Knotenpunkt 28 eng auf Masse geklemmt wird und die Ladung des Kondensators 26 so eingestellt wird, daß zwischen
seinen Belägen eine Spannung von praktisch gleich +2V entsteht. Zu einer Zeit zwischen t_ und t.. , wenn V^n gleich +V ist
und V„2 den Wert -V angenommen hat, wird der Knotenpunkt 28 nun
um einen Betrag unter Masse gebracht, der im wesentlichen gleich 3V ist. Die Differenz zwischen den Spannungen V2g und V35 an den
Knotenpunkten 28 bzw. 25 hat eine Größe von+4V zwischen den Zeitpunkten t0 und t1.
Im nachfolgenden Halbzyklus zwischen t.. und t2 spannt die über
den Kondensator 23 zur Kathode der Diode 24 gelangende obere Amplitude von V22 die Diode 24 in Sperrichtung vor, so daß sie nichtleitend
wird, und erhöht das Potential V25 am Knotenpunkt 25 im
wesentlichen auf +4V. Die über den Kondensator 26 zur Anode der Diode 27 gekoppelte untere Halbwelle von V15 spannt die Diode 27
in Durchlaßrichtung vor und klemmt den Knotenpunkt 28 dicht auf Masse wie in der Zeit kurz vor tQ, so daß der Kondensator 26 in
der Zeit zwischen t„ und t.. zum Ausgleich seiner Verluste aufgeladen
wird. Die Differenz zwischen den Spannungen V2Q und V35
bleibt weiterhin +4V.
Die Spannung zwischen den Knotenpunkten 28 und 25 hat kontinuierlich
einen Wert von praktisch +4V, also der vierfachen Größe der Spannung der PrimärSpannungsquelle 2, und zwar nicht nur über die
Zyklen zwischen tQ und t2, sondern auch für die nachfolgenden
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-IQ«.-
Zyklen. Wird diese vierfache Spannung dem Inverter 31 als Betriebsspannung
zugeführt, dann liefert dieser eine Ausgangsspannung V32
am Knotenpunkt 32, welche zwischen -3V und +4V wechselt. Die Dioden 34 und 37 und die Boosterkondensatoren 33 und 36 liefern in
der dargestellten Schaltungsweise eine Spannung V3 c am Knotenpunkt
35, die zwischen +V und +8V wechselt, und eine Spannung V38 am
Knotenpunkt 38, die zwischen -7V und 0 wechselt. Die Differenz zwischen V3„ und V35 hat kontinuierlich den Wert +8V. Der Kaskadenschaltung
der Stufen 10, 20 und 3O können noch weitere Spannungserhöhungsschaltungen
zugefügt werden, um Spannungen zu erzeugen, die 2nV erreichen, wenn η die Zahl der in Kaskade geschalteten
Stufen ist.
Fig. 4 zeigt eine Abwandlung der Vorspannungsschaltung aus Fig. 1,
bei welcher die Anoden der Dioden 14, 24 und 34 so geschaltet sind, daß sie die Spannung VTN von der Spannungsquelle 3 anstatt der
Spannung +V von derPrimärSpannungsquelle 2 erhalten. Da die Spannung
ντΝ während der Zeiten zwischen t„ und t. und aufeinanderfolgender
Halbzyklen, wenn die Dioden 14, 24 und 34 in Durchlaßrichtung vorgespannt sind, einen Wert von +V hat, arbeitet die Schaltung
im wesentlichen in gleicher Weise wie die Schaltung gemäß Fig. 1.
Fig. 5 zeigt eine Abwandlung der Spannungserhöhungsschaltung gemäß
Fig.1 unter Verwendung von in Kaskade geschalteten Stufen 110,
120 und 130. Hierbei werden die Dioden jeweils aufeinanderfolgender Stufen (also beispielsweise die Dioden 24 und 27 in der Stufe
120) von der Ausgangsspannung der vorhergehenden Stufe vorgespannt.
Die Spannungserhöhungsschaltung gemäß Fig. 4 kann in ähnlicher Weise abgewandelt werden. Eine solche Abwandlung kann in bestimmten
integrierten Schaltungskonfigurationen vorteilhaft sein, da es hierbei nicht notwendig ist, lange Stromleitungen zur Verbindung
der einzelnen Stufen zu führen, sondern alle Verbindungen außer zum Eingangssignal VJN verlaufen von Stufe zu Stufe.
Die Offsetspannungen über den Dioden 14, 24, 34, 17, 27 und 3,7,
die in den Spannungserhöhungsschaltungen gemäß den Fig. 1, 4 und
5 als Analogschalter betrieben werden, neigen zur Verringerung ihrer Ausgangsspannungen unter den theoretischen Wert von 2nV.
Dies trifft insbesondere dann zu, wenn die Analogschalter wie in Fig. 5 hintereinandergeschaltet sind. Gemäß der US-PS 4 000 412
läßt sich dieses Problem vermeiden, indem man die Dioden in den Analogschaltern durch Feldeffekttransistoren ersetzt. Die Fig. 6
und 7 zeigen derartige Abwandlungen der Spannungserhöhungsschaltungen
gemäß den Fig. 1 und 5.
In den Fig. 6 und 7 dienen die Spannungen V15 und V18 als positive
bzw. negative Betriebsspannungen für den Inverter 221. Während der Zeit zwischen tQ und t1 und während jeder aufeinanderfolgenden
zweiten Halbwelle von V N, wenn diese den Wert +V hat, haben
diese relativ positiven und negativen Betriebsspannungen jeweils Werte von +V und -V. Vn ist beim Wert +V positiver als das Mittel,
Massepotential, dieser Betriebsspannungen während dieser Zeit; so schaltet der Ausgangsverbindungspunkt des Inverters 121 auf
sein negatives Betriebspotential· -V. Die Spannung V2IQ' welcne
der Inverter 221 dem Knotenpunkt 219 zuführt, an welchem die Gateelektroden
der Fel·deffekttransistorschal·ter 214 und 217 zusammengescha^et
sind, hat so einen Wert -V. Der Anreicherungs-p-Kanal-Feldeffekttransistor
214, dessen Sourceelektrode die Spannung +V von der Primärspannungsqueile 2 zugeführt wird, wird durch die
seiner Gateelektrode zugeführte Spannung V21Q gleich -V in den
Leitungszustand vorgespannt und klemmt seine mit dem Knotenpunkt
15 verbundene Drainelektrode auf das Potential· +V an seiner Sourceeiektrode. Der mit seiner Sourceeiektrode an Massepotential·
angeschossene Anreicherungs-n-Kanal·-Fel·deffekttransistor 217
ist durch die seiner Gateeiektrode zugeführte Spannung V319 gl·eich
V in Sperrichtung vorgespannt; und der mit seiner Draineiektrode
verbundene Knotenpunkt 18 ist frei und kann das über den Kondensator 16 zugeführte Potential· annehmen.
Die Spannungen V35 und V38 dienen dem Inverter 231 ais rel·ativ
positive bzw. negative Betriebsspannungen. Wenn V1n einen Wert
+V hat, dann haben die Spannungen V35 und V38 die Werte +V bzw.
-3V. Ihr Mitteiwert ist -V, der von V1n gieich +V überschritten
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wird, so daß der Ausgangsverbindungspunkt des Inverters 231 auf sein negatives Betriebspotential -3V geschaltet wird, welches als
Spannung V329 dem Knotenpunkt 229 zugeführt wird, mit welchem die
Gateelektroden der Anreicherungs-Feldeffekttransistoren 224 und 227 verbunden sind. Der p-Kanal-Feldeffekttransistor 224 ist mit
seiner Sourceelektrode an das Potential +V (gemäß Fig. 6) und an den Knoten 15 (gemäß Fig. 7) angeschlossen und erhält die Spannung
V.. 5 gleich +V; dadurch wird er in den Leitungszustand vorgespannt
und klemmt den mit seiner Drainelektrode verbundenen Knotenpunkt 25 auf das Potential +V an seiner Sourceelektrode. Der n-Kanal-Feldeffekttransistor
227, dessen Sourceelektrode gemäß Fig.6 mit Masse und gemäß Fig. 7 mit dem Knoten 18 verbunden ist und
die Spannung V-g gleich -V erhält, wird in Sperrichtung vorgespannt,
so daß seine Drainelektrode und der damit verbundene Knotenpunkt 28 frei bleibt und das über den Kondensator 26 zugeführte Potential
annehmen kann.
Dem Inverter 241 dienen die Potentiale an den Knotenpunkten 35 bzw. 38 als relativ positive bzw. negative Betriebsspannungen V35
bzw. V-Q. Ist VT„ = +V, dann ist Voc = +V und VOQ = -7V, und der
Jo IiN JJ jo
Mittelwert ist -3V, welcher von V überschritten wird. Daher ist
der Inverter 241 so geschaltet, daß er an den Knotenpunkt 239 eine Spannung V2^g liefert, die gleich dem negativen Betriebspotential
von -7V ist. Der Anreicherungs-p-Kanal-Feldeffekttransistor 234
ist mit seiner Sourceelektrode gemäß Fig. 6 an +V und gemäß Fig. 7 an V„j- gleich +V angeschlossen und wird durch die seiner Gateelektrode zugeführte Spannung V2ig = -7V leitend vorgespannt und
klemmt den mit seiner Drainelektrode verbundenen Knotenpunkt 35
auf das Potential +V an seiner Sourceelektrode. Der Anreicherungsn-Kanal-Feldeffekttransistor
237 ist mit seiner Sourceelektrode gemäß Fig. 6 mit Masse und gemäß Fig. 7 mit dem Knotenpunkt 28
verbunden und erhält die Spannung V38 = -3V, so daß er in Sperrrichtung
vorgespannt wird und seinen Kollektor sowie den damit verbundenen Knotenpunkt 38 frei läßt, so daß dieser das über den
Kondensator 36 zugeführte Potential annehmen kann.
Andererseits erhält man während der Zeit zwischen t. und t2 und
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in jedem aufeinanderfolgenden zweiten Halbzyklus von V / wenn
dieses Massepotential annimmt, die folgenden Zustände. V15 und V18
die relativ positiven und negativen Betriebspotentiale des Inverters 221, haben die Werte +2V bzw. Masse, wobei der Mittelwert +V
beträgt. VP 2j- un<3- V28' ^B relati-v positiven und negativen Betriebs
potentiale des Inverters 231, haben die Werte +4V bzw. Masse mit dem Mittelwert +2V. V-,,- und V-.„/ die relativ positiven und negativen
Betriebspotentiale des Inverters 241, haben die Werte +8V bzw. Masse mit dem Mittelwert +4V". VTN ist mit einem Wert von Masse
weniger positiv als jeder dieser Mittelwerte, so daß die Inverter 221, 231 und 241 jeweils so geschaltet werden, daß ihre Ausgangsverbindungspunkte
ein Potential haben, das praktisch gleich ihrem relativ positiven Betriebspotential ist. Demgemäß ist die
Spannung V319 am Knotenpunkt 219 während dieser Zeit gleich +2V,
die Spannung V_2g am Knotenpunkt 229 gleich +4V und die Spannung
V339 am Knotenpunkt 239 gleich +8V.
Wenn die Sourceelektroden der Feldeffekttransistoren 214 und 217
auf +V bzw. Masse liegen, wegen ihrer Verbindungen mit der Primärspannungsquelle
2, dann spannt die an den Gateelektroden liegende Spannung 219 = +2V den p-Kanal-Feldeffekttransistor 214 in Sperrrichtung
und den n-Kanal-Feldeffekttransistor 217 in den Leitungszustand
vor, so daß der Knotenpunkt 15 frei bleibt und das über den Kondensator 13 zugeführte Potential annimmt und der Knotenpunkt
18 auf Massepotential geklemmt wird. Wenn die Sourceelektrode des p-Kanal-Feldeffekttransistors 224 wegen ihrer Verbindung
mit der Primärspannungsquelle 2 gemäß Fig. 6 das Potential +V oder wegen ihrer Verbindung mit dem Knotenpunkt 15 unter Zuführung
der Spannung V15 gemäß Fig. 7 das Potential +2V annimmt, dann
sperrt ihn die an seiner Gateelektrode liegende Spannung V22Q
gleich +4V, so daß der Knotenpunkt 25 das über den Kondensator 23 zugeführte Potential annehmen kann. Da die Sourceelektrode des
n-Kanal-Feldeffekttransistors 227 gemäß Fig. 6 an Massepotential
und gemäß Fig. 7 über den Knotenpunkt 18 an Potential V^g (ebenfalls
Massepotential) liegt, spannt die seiner Gateelektrode zugeführte Spannung V„~g = +4V den Transistor 227 in den Leitungszustand,
so daß seine Drainelektrode und der damit verbundene
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Knoten 28 auf das Massepotential seiner Sourceelektrode geklemmt
wird. Hat die Sourceelektrode des p-Kanal-Feldeffekttransistors
234 wegen ihrer Verbindung mit der Primärspannungsquelle 2 gemäß Fig. 6 oder mit dem Knotenpunkt 25 zur Zuführung des Potentials
V^n gemäß Fig. 7 das Potential +V, dann sperrt die seiner Gateelektrode
zugeführte Spannung V239 = +8V den Feldeffekttransistor
234, so daß der Knotenpunkt 235 das über den Kondensator 33 zugeführte
Potential annehmen kann. Wenn die Sourceelektrode des n-Kanal-Transistors
237 wegen ihrer Verbindung mit der Primärspannungsquelle 2 gemäß Fig. 6 oder dem Knoten 28 zur Zuführung der
Spannung V„g gemäß Fig. 7 Massepotential hat, dann bringt die
seiner Gateelektrode zugeführte Spannung V~->q = +8V den Feldeffekttransistor
237 zum Leiten, so daß seine Drainelektrode und der damit verbundene Knotenpunkt 38 auf das Massepotential seiner
Sourceelektrode geklemmt wird.
Die Feldeffekttransistoren 214, 217, 224, 227, 234 und 237 werden zu ihren bestimmten Zeiten mit Hilfe genügend großer Source-Gate-Spannungen
in den Leitungszustand geschaltet, so daß ihre Kanalimpedanzen zwischen ihren Source- und Drainelektroden auf genügend
kleine Werte reduziert werden, um den Spannungsabfall über ihren leitenden Kanälen vernachlässigbar klein werden zu lassen.
Die Fig. 8 und 9 zeigen Abwandlungen der in den Fig. 6 und 7 dargestellten
Spannungserhöhungsschaltungen, wobei jede Spannungserhöhungsstufe einen bereits in einer nachfolgenden Stufe zur
Verfügung stehenden Spannungsinverter zum Steuern des Schaltens
seines Feldeffekttransistorschalters benutzt, mit Hilfe dessen sein Kondensator selektiv geklemmt wird. In den Stufen 410 und
420 der Schaltung gemäß Fig. 8 wird die durch die Inverter 221 und 231 gemäß Fig. 6 vorgenommene Inversion durch die Inverter
bzw. 31 in der nachfolgenden Stufe 420 bzw. 430 bewirkt. In den Stufen 510 und 520 gemäß Fig. 9 wird die durch die Inverter 221
und 231 in Fig. 7 bewirkte Inversion durch die Inverter 21 bzw. 31 in den nachfolgenden Stufen 520 bzw. 530 vorgenommen.
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Während für die Betriebsweise der in den Fig. 1, 4, 5, 6, 7, 8
und 9 dargestellten Schaltungen angenommen war, daß die Spannung VTN eine Rechteckwelle quadratischer Form ist, können die beschriebenen
Schaltungen innerhalb des Erfindungsgedankens auch mit einer Spannung VJN betrieben werden, die eine Rechteckschwingung
mit einem anderen Tastverhältnis als 1:1 ist.
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Claims (5)
- DR. DIETER V. BEZOLD DIPL. ING. PETER SCHÜTZ DIPL. ING. WOLFGANG HEUSLERPOSTFACH 800008D-8OOO MaBNCHEN 8βTBLKPON Οβθ/4ΤββΟβ ♦7β81·TBLKX S330IS TBLKGRAHM SOMBBSRCA 69,394/Sch/VuUSSN 861,4 52vom 16. Dezember 1977RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)Patentansprüche/ 1) JSpannungserhöhungsschaltung mit einem ersten und einem zwelien Anschluß zur Verbindung mit einer Versorgungsspannungsquelle, welche an diese Anschlüsse ein erstes bzw. zweites Betriebspotential anlegt, wobei diese Potentiale relativ zueinander positiv bzw. negativ sind, mit einem ersten Inverter (11), der über eine erste Stromzuführungsverbindung mit dem ersten Anschluß und über eine zweite Stromzuführungsverbindung mit dem zweiten Anschluß verbunden ist und der einen Eingangsanschluß zur Zuführung von Schaltsignalen (V. ) aufweist,'welche zwischen einem ersten und einem zweiten Potentialwert (+V bzw. O) abwechseln, und der ferner einen Ausgangsverbindungspunkt hat, an welchem ein Potentialwert (+V) erscheint, der im wesentlichen gleich dem seiner ersten Stromzuführungsverbindung ist, wenn das Schaltsignal an seinem Eingangsverbindungspunkt den zweiten Pegelwert (O) hat, und an dem ein Potentialwert (0) erscheint, der im wesentlichen gleich demjenigen an seiner zweiten Stromzuführungsverbindung ist,909825/088S original inspectedwenn das seinem EingangsVerbindungspunkt zugeführte Schaltsignal den ersten Pegelwert (+V) hat, ferner mit einem ersten und einem zweiten Schaltungsknotenpunkt (15 bzw. 18), zwischen denen eine Spannung zu erzeugen ist, welche zweimal so groß wie die Differenz zwischen der relativ negativen und der relativ positiven Betriebsspannung ist, mit einer ersten Boosterkapazität (13), welche zwischen den AusgangsVerbindungspunkt des ersten Inverters (11) und den ersten Schaltungsknotenpunkt (15) geschaltet ist, mit einer zweiten Boosterkapazität (16), welche zwischen den Ausgangsverbindungspunkt des ersten Inverters (11) und den zweiten Schaltungsknotenpunkt (18) geschaltet ist, mit einem ersten Analogschalter (14), der selektiv nur dann schließt, wenn das Schaltsignalpotential seinen ersten Pegelwert hat, um die erste Betriebsspannung an den ersten Schaltungsknotenpunkt zu legen, und mit einem zweiten Analogschalter (17), welcher selektiv im wesentlichen nur dann schließt, wenn das Schaltsignal seinen zweiten Pegelwert hat, um die zweite Betriebsspannung an den zweiten Schaltungsknoten zu legen, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Inverter (21) mit einer ersten Stromzuführungsverbindung an den ersten Schaltungsknotenpunkt (15) und mit einer zweiten Stromzuführungsverbindung an den zweiten Schaltungsknotenpunkt (18) angeschlossen ist und eine Eingangsverbindung zur Zuführung der Schaltsignalspannung (V. ) aufweist und von der Art ist, bei der ein Potentialwert, der im wesentlichen gleich dem an seiner ersten Stromzuführungsverbindung anliegenden Potentialwert ist, an seiner Ausgangsverbindung erscheint, wenn das Schaltsignal an seiner Eingangsverbindung den zweiten Pegelwert (Masse) hat, und ein Potential, welches im wesentlichen gleich dem an seiner zweiten Stromzuführungsverbindung anliegenden Potential ist, an seiner Ausgangsverbindung erscheint, wenn das Schaltsignal an seiner Eingangsverbindung den ersten Pegelwert (+V) hat, um an der Ausgangsverbindung des zweiten Inverters eine Spannung zu erzeugen, deren von Spitze zu Spitze gemessene Amplitude im wesentlichen dreimal so groß wie die Differenz zwischen der relativ negativen und der relativ positiven Betriebsspannung ist.909825/0885
- 2) Spannungserhohungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Analogschalter ein erstes nur einseitig leitendes Element (14) enthält, dessen Anode an den ersten Anschluß (+V) und dessen Kathode an den ersten Schaltungsknotenpunkt (15) angeschlossen ist, und daß der zweite Analogschalter ein zweites, nur einseitig leitendes Element (17) aufweist, dessen Anode an den zweiten Schaltungsknotenpunkt (18) und dessen Kathode an den zweiten Anschluß (Masse) angeschlossen ist.
- 3) Spannungserhöhungsschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet ferner durch einen dritten und einen vierten Schaltungsknotenpunkt (25 bzw. 28), zwischen denen eine Spannung zu erzeugen ist, welche im wesentlichen viermal so groß wie die Differenz zwischen der relativ negativen und der relativ positiven Betriebsspannung ist, einen dritten Analogschalter (24;224), welcher zwischen den ersten Anschluß und den dritten Schaltungsknotenpunkt (25) geschaltet ist, eine dritte Boosterkapazität (23), welche zwischen dem dritten Schaltungsknotenpunkt (25) und die Ausgangsverbindung des zweiten Inverters (21) geschaltet ist, einen vierten Analogschalter (27,227), welcher zwischen dem zweiten Anschluß (Masse) und den vierten Schaltungsknotenpunkt (28) geschaltet ist, und eine vierte Boosterkapazität (26), welche zwischen dem vierten Schaltungsknotenpunkt (28) und die Ausgangsverbindung des zweiten Inverters (21) geschaltet ist.
- 4) Spannungserhöhungsschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Analogschalter (24;224) zwischen dem ersten Schaltungsknotenpunkt (15) und dem dritten Schaltungsknotenpunkt (25) geschaltet ist und daß der vierte Analogschalter (27;227) zwischen dem zweiten Schaltungsknotenpunkt (18) und dem vierten Schaltungsknotenpunkt (28) geschaltet ist.
- 5) Spannungserhöhungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Analogschalter einen ersten, p-Kanal-Feldeffekttransistor (214) enthält, dessen Sourceelektrode an den ersten Anschluß, dessen Drainelektrode an den ersten Schal-909825/0885tungsknotenpunkt (15) und dessen Gateelektrode an die Ausgangsverbindung des zweiten Inverters (21) angeschlossen ist, und daß der zweite Analogschalter einen zweiten, n-Kanal-Feldeffekttransistor (217) enthält, dessen Sourceelektrode an den zweiten Anschluß, dessen Drainelektrode an den zweiten Schaltungsknotenpunkt (18) und dessen Gateelektrode an die Ausgangsverbindung des zweiten Inverters (21) angeschlossen ist.909825/0885
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE4107597A1 (de) * | 1991-03-09 | 1992-09-10 | Eurosil Electronic Gmbh | Selbsttaktende ladungspumpe |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4275437A (en) * | 1979-02-16 | 1981-06-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor circuit for voltage conversion |
US4302804A (en) * | 1979-09-04 | 1981-11-24 | Burroughs Corporation | DC Voltage multiplier using phase-sequenced CMOS switches |
US4804906A (en) * | 1987-02-05 | 1989-02-14 | Chevron Research Company | Method and apparatus for well casing inspection |
US4769753A (en) * | 1987-07-02 | 1988-09-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Compensated exponential voltage multiplier for electroluminescent displays |
US5185721A (en) * | 1988-10-31 | 1993-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Charge-retaining signal boosting circuit and method |
US5258662A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-02 | Linear Technology Corp. | Micropower gate charge pump for power MOSFETS |
US5526253A (en) * | 1993-09-22 | 1996-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low power voltage boost circuit with regulated output |
US5436587A (en) * | 1993-11-24 | 1995-07-25 | Sundisk Corporation | Charge pump circuit with exponetral multiplication |
US5798915A (en) * | 1997-01-29 | 1998-08-25 | Microchip Technology Incorporated | Progressive start-up charge pump and method therefor |
KR20000068537A (ko) * | 1997-07-10 | 2000-11-25 | 씨. 필립 채프맨 | 순차 스타트업 전하 펌프 및 그 제공 방법 |
US20040056704A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-03-25 | Aalami Dean D. | Apparatus for supplying high voltages with low power for solid state detectors and grids |
TW200514435A (en) * | 2003-08-29 | 2005-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Signal transmission circuit |
DE102005015769A1 (de) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Schaltungsanordnung sowie Verfahren zur Erzeugung eines Rechtecksignals |
US11569738B1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-01-31 | Globalfoundries U.S. Inc. | Multi-stage charge pump with clock-controlled initial stage and shifted clock-controlled additional stage |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1364618A (en) * | 1971-12-03 | 1974-08-21 | Seiko Instr & Electronics | Voltage boosters |
US4016476A (en) * | 1972-09-20 | 1977-04-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Booster circuits |
GB1504867A (en) * | 1974-06-05 | 1978-03-22 | Rca Corp | Voltage amplitude multiplying circuits |
CH1057575A4 (de) * | 1975-08-14 | 1977-03-15 |
-
1977
- 1977-12-16 US US05/861,452 patent/US4149232A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-12-14 GB GB7848596A patent/GB2010604B/en not_active Expired
- 1978-12-15 JP JP53155713A patent/JPS5811767B2/ja not_active Expired
- 1978-12-15 DE DE19782854338 patent/DE2854338A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4107597A1 (de) * | 1991-03-09 | 1992-09-10 | Eurosil Electronic Gmbh | Selbsttaktende ladungspumpe |
DE4107597C2 (de) * | 1991-03-09 | 2001-02-15 | Temic Semiconductor Gmbh | Selbsttaktende Ladungspumpe |
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GB2010604B (en) | 1982-04-21 |
JPS5811767B2 (ja) | 1983-03-04 |
US4149232A (en) | 1979-04-10 |
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