DE2824250C2 - Trägerelektrode eines Halbleiterbauelements - Google Patents
Trägerelektrode eines HalbleiterbauelementsInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Trägerelektrode der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 beschriebenen, aus der DE-OS 24 49 949 bekannten Art
Bei einem Halbleiterbauelement mit einem Substrat, das aus Silizium, Germanium, intermetallischen Verbindungen oder dgl. besteht, ist es sehr schwierig, auf
wirksame Weise die Wärme abzuführen, die in dem Bauelement während des Betriebs erzeugt wird. Bei
einer unzureichenden Wärmeabfuhr würde sich das Substrat des Halbleiterbauelements über eine zulässige
Temperatur hinaus erhitzen, und dies würde zu einer unerwünschten Vergrößerung des Leckstroms sowie zu
einer Senkung des Schaltspannungspegels führen; außerdem würde das Halbleiterbauelement unbefriedigend arbeiten. Um das genannte Problem zu lösen,
könnte man das Halbleitersubstrat auf einer Unterlage aus einem Metall mit hoher elektrischer und thermischer Leitfähigkeit anordnen, die z. B. aus Kupfer
besteht. Da jedoch zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats und demjenigen von Kupfer ein erheblicher Unterschied besteht,
weil der thermische Ausdehnungskoeffizient von Silizium etwa 3,5 ■ 10-6/°C und derjenige von Kupfer
etwa 16 · 10-6/°C beträgt, entstehen an den Berührungsflächen des Halbleitersubstrats und der metallischen Unterlage, die durch ein Lötmittel bekannter Art
miteinander verbunden sind, mechanische Spannungen, die möglicherweise zu einer Zerstörung des Halbleitersubstrats führen, das von Natur aus geringe mechanische Festigkeit besitzt. Im Hinblick hierauf ist es üblich.
eine Trägerelektrode zu verwenden, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient im wesentlichen gleich demjenigen des Halbleitersubstrats an derjenigen Fläche des
letzteren ist welche in Berührung mit der Unterlage aus Kupfer gebracht wird. In den meisten Fällen wird die
Trügerelektrode aus Molybdän und Wolfram hergestellt Da diese Elemente thermische Ausdehnungskoeffizienten haben, die sich nur geringfügig von denjenigen
von Silizium und Germanium unterscheiden, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient von Molybdän
etwa 5,5 · 10-6/°C und derjenige von Wolfram etwa 4,4 ■ 10-6/°C beträgt, und da diese Elemente außerdem
relativ hohe elektrische und thermische Leitfähigkeitswerte aufweisen, ist es mit Hilfe einer Trägerelektrode
aus Molybdän oder Wolfram möglich, in den meisten Anwendungsfällen eine ausreichende Abführung der in
dem Halbleitersubstrat erzeugten Wärme zu erzielen und hierdurch eine Zerstörung des Halbleitersubstrats
zu verhindern.
Natürlich stellen Molybdän und Wolfram nicht in jedem Fall die optimalen Materialien für die Trägerelektroden dar. Vielmehr ist es erwünscht besser
geeignete Materialien für die Trägerelektrode zur Verfügung zu haben, damit die praktischen Erfordernisse berücksichtigt werden können, insbesondere im
Hinblick darauf, daß zur Verwendung als Halbleitermaterialien bereits intermetallische Verbindungen entwickelt worden sind, und daß bereits erhebliche
Fortschritte bezüglich ihrer Verarbeitung erzielt wurden.
Angesichts des gegenwärtigen Standes der Technik auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente sind zwei
Probleme zu nennen, die bis jetzt nicht gelöst worden sind. Das erste Problem bezieht sich auf die Trägerelektrode. Um bei einem Halbleiterbauelement eine hohe
Leistung zu erzielen, ist es erforderlich, für eine wirksame Abführung der in dem Halbleitersubstrat
erzeugten Wärme zu sorgen. Eine Schwierigkeit die sich bei der Trägerelektrode ergibt, ist darauf
zurückzuführen, daß das Halbleiterbauelement während seiner Herstellung einer hohen Temperatur ausgesetzt
werden muß, um einen Lötvorgang oder dgl. durchzuführen. Außerdem wird das Halbleiterbauelement
einem thermischen Zyklus ausgesetzt bei dem in einem gewissen Ausmaß Wärme eine Rolle spielt die in dem
Bauelement während des Betriebs erzeugt wird. Bei einer solchen thermischen Wechselbeanspruchung
besteht die Gefahr, daß das Halbleiter- oder Siliziumsubstrat eine Durchbiegung erfährt, da sich das Material
des Substrats, z. E. Silizium, und das Material der Trägerelektrode, z. B. Molybdän oder Wolfram, bezüglich ihrer thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterscheiden, wobei dieser Unterschied allerdings klein sein
kann. Diese Gefahr erhält jedoch eine größere Bedeutung, wenn man Halbleiterbauelemente von
höherer Leistung herstellt bei denen es erforderlich ist ein Substrat aus Silizium o. dgl. mit einem größeren
Durchmesser zu verwenden
Das zweite Problem ergibt sich aus der Verwendung einer Unterlage für die Trägerelektrode aus Kupfer.
Bekanntlich beträgt der thermische Ausdehnungskoeffizient von Kupfer etwa 16 · 10-6/°C, und er unterscheidet sich erheblich von demjenigen von dem Molybdän
oder Wolfram, aus dem die Trägerelektrode besteht. Dieser Unterschied führt zu einer Verstärkung der
Durchbiegung des Halbleitersubstrats infolge des Unterschiedes zwischen diesem und der Trägerelektrode bezüglich des thermischen Ausdehnungskoeffizien-
ten bei der beschriebenen thermischen Wechselbeanspruchung. Dieser Neigung des Halbleiter- oder
Siliziumsubstrats, sich durchzubiegen, kann man dadurch entgegenwirken, daß man die Dicke der
Trägerelektrode vergrößert, wodurch jedoch die Wärmeabfuhr beeinträchtigt wird, und was im Gegensatz
zu der angestrebten Miniaturisierung und der Verringerung des Gewichtes des Halbleiterbauelements
steht Da ferner die Weichheit der Unterlage aus Kupfer zunimmt und sich ihre mechanische Festigkeit verschlechte«,
wenn sie beim Löten, Verschweißen o. dgL einer thermischen Wechselbeanspruchung ausgesetzt
wird, kann eine Durchbiegung und schließlich sogar eine Zerstörung der Unterlage aus Kupfer als Folge der
thermischen Beanspruchung eintreten, die auf die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
der Trägerelektrode und der Unterlage aus Kupfer zurückzuführen ist.
Teilweise gelöst sind die beschriebenen Probleme bereits durch die aus der DE-OS 24 49 949 bekannte
Trägerelektrode. Bei dieser sind die in das Grundmetall eingebetteten Fasern in einer Vorzugsrichiung parallel
zueinander angeordnet oder willkürlich im Grundmetall verteilt
Werden die Fasern im Grundmetall parallel zueinander in einer Richtung angeordnet, so kann der
Wärmedehnungskoeffizient in dieser Richtung entsprechend den Fasereigenschaften verhältnismäßig gering
sein. Da jedoch die Fasern die Wärmedehnung quer zu ihrer Längserstreckung nicht verhindern, ist der
Wärmedehnungskoeffizient in dieser Richtung der gleiche wie der des Grundmetalls. Wird daher an einem
derart ausgebildeten zusammengesetzten Körper ein empfindliches Halbleitersubstrat befestigt, so bricht
dieses wegen der großen Unterschiede zwischen den Zugfestigkeiten in den beiden Richtungen. Um Änderungen
des Wärmedehnungskoeffizienten abhängig von der Richtung auszuschließen, sind bei der bekannten
Trägerelektrode Netze aus Wolframfasern in leicht zueinander versetzter Beziehung geschichtet.
Würde man, wie aus der DE-OS 15 64 945 an sich
bekannt, in das Grundmetall einen Gitterrahmen einbetten, so müßte dieser möglichst nahe an der
Verbindungsfläche zwischen Trägerelektrode und Halbleitersubstrat, das heißt, möglichst nahe an einer
äußeren Oberfläche des zusammengesetzten Körpers angeordnet werden, was sich herstellungstechnisch
schwer bewerkstelligen läßt. Außerdem kann auf diese Weise der Wärmedehnungskoeffizient nur in zwei
Richtungen gering gehalten werden, während er in den anderen Richtungen größer bleibt. Abgesehen davon ist
bei der bekannten Anordnung der Wärmedehnungskoeffizient der Fasern nicht kleiner oder gleich, sondern
größer als der des Halbleitersubstrats.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Trägerelektrode, die im zusammengesetzten Körper
einen Wärmedehnungskoeffizienten aufweist, der möglichst in sämtlichen Richtungen parallel zur Verbindungsfläche
zwischen Trägerelektrode und Halbleitersubstrat gleich dem des Halbleitersubslrats ist, zu ω>
schaffen, bei der der Faseranteil möglichst gering ist.
Diese Aufgabe wird ausgehend von der gattungsgemäßen Trägerelektrode erfindungsgemäß durch die im
Kennzeichen des Patentanspruchs 1 genannten Maßnahmen gelöst. M
Da erfindungsgemäß die Fasern in Form mehrerer konzentrischer Kreise oder spiralförmig ausgebildet
sind, und das Metall des zusammengesetzten Körpers durch das zusätzliche metallische Element fest mit den
Fasern verbunden ist, ist der Wärmedehnungskoeffizient in sämtlichen Richtungen parallel zur Verbindungsfläche
zwischen Trägerelektrode und Halbleitersubstrat homogen, so daß praktisch keine Wärmespannungen
auftreten können.
Bevorzugte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Trägerelektrode sind Gegenstand der Patentansprüche
2 bis 5.
Die Fasern können im zusammengesetzten Körper einzeln verlegt zu einem Bündel vereinigt oder
miteinander verdrillt sein.
Der zusammengesetzte Körper kann nach einem der folgenden Verfahren hergestellt werden:
Bei einem ersten Verfahren wird ein Grundmetall durch Aufplattieren auf die Fasern aufgebracht die
dann ihre ringförmige Gestalt erhalten und danach durch einen Heißpreßvorgang miteinander verbunden
werden. Bei einem zweiten Verfahren wird ein metallisches Pulver einer Aufschlämmung beigemischt,
in welche die ringförmigen Fasern eingetaucht werden. Schließlich werden die jetzt mit der Aufschlämmung
überzogenen ringförmigen Fasern gepreßt.
Das zweite Verfahren ist für ein Grundmetall aus reinem Kupfer oder einer Legierung geeignet, wobei die
Aufschlämmung die entsprechenden Elemente enthält. Natürlich kann man das erste Verfahren mit dem
zweiten Verfahren so kombinieren, daß die mit einem Metall überzogenen Fasern in die Aufschlämmung
eingetaucht werden. Hierbei ist es vorteilhaft kurze Fasern beizumischen, um die Wärmedehnung zwischen
benachbarten Fasern zu verringern.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand schematischer Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigt
F i g. 1 die Draufsicht einer Ausführungsform eines zusammengesetzten Körpers einer Trägerelektrode für
ein Halbleiterbauelement,
Fig.2 einen Axialschnitt eines Halbleiterbauelements
und
Fig.3 graphische Darstellungen zur Veranschaulichung
der Beziehungen zwischen dem linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten bzw. der elektrischen
Leitfähigkeit und der Menge der Kohlenstoffasern, die in dem zusammengesetzten Körper enthalten sind.
Pulverisiertes Kupfer mit einer Teilchengröße von 2 Mikrometer und pulverisiertes Zirkon mit einer
Teilchengröße von 4 Mikrometer wurden gemischt und einer wäßrigen Lösung von 3 Gew.-% Methylcellulose
zugesetzt die dann gerührt wurde, um eine Aufschlämmung zu erzeugen. Ferner wurde eine Kohlenstoffaser
mit einem Durchmesser von 9 Mikrometer dadurch hergestellt, daß sie auf einen sich konisch verjüngenden
Dorn von rundem Querschnitt spiralförmig aufgewikkelt und in die Aufschlämmung eingetaucht wurde.
Hierauf wurde ein Heißpreßvorgang in einer Wasserstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 800° C unter
Aufbringen eines Drucks von 300 kg/mm2 durchgeführt, um den Dorn von der Kohlenstoffaser zu trennen, so
daß eine zusammengesetzte Konstruktion mit einer spiralförmigen Kohlenstoffaser zur Verfügung stand,
die 47 Vol.-% Kohlenstoff und 10Voi.-% Zirkon enthielt.
Der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient des zusammengesetzten Körpers betrug 2,6 · 10-b/°C.
wobei dieser Wert innerhalb eines Temperaturbereichs von Raumtemperatur bis 3000C gemessen wurde.
Es wurde ein zusammengesetzter Körper genau in der gleichen Weise hergestellt wie bei dem Beispiel 1,
wobei jedoch der Kohlenstoffgehalt 40 Vol.-% und der Zirkongehalt 10 Vol.-% betrug.
Um den so hergestellten zusammengesetzten Körper zu einem Bestandteil eines Halbleiterbauelements zu
machen, wurde die Fläche, welche die spiralförmige Faser enthielt, mit einem Halbleitersubstrat verbunden,
um einen Thyristor herzustellen. Fig.2 zeigt den fertigen Thyristor in einem Axialschnitt. Das Halbleitersubstrat
3 besteht aus Silizium und ist auf beiden Flachseiten mit Trägerelektroden 4 und 5 in Gestak von
zusammengesetzten Körpern der vorstehend beschriebenen Art versehen. Bei der Trägerelektrode 4 ist eine
Fläche mit dem Halbleitersubstrat 3 unter Verwendung von Aluminium verlötet, während die andere Fläche
unter Verwendung von Silber mit einer Unterlage 6 aus Kupfer verlötet ist. Die Lötmaterialschichten sind in
F i g. 2 mit 7 und 8 bezeichnet. Bei der anderen Trägerelektrode 5 ist eine Fläche lediglich in Berührung
mit dem Halbleitersubstrat 3 angeordnet, während ihre zweite Fläche durch eine Lotschicht 10 aus Silber mit
einem Element 9 aus Kupfer verbunden ist. Die Kupferelementc 6 und 9 sind an ihren Rändern mit
zugehörigen Bauteilen 11 und 12 aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung verschweißt, die ihrerseits mit einem
Glaskörper 13 verbunden sind. Die Bauteile 11 und 12 und das Glaselement 13 dienen dazu, die Umgebungsluft
von dem Halbleitersubstrat 3 fernzuhalten. Der von den Bauteilen 11,12 und 13 umschlossene Raum 14 ist nach
außen abgedichtet und mit Stickstoff gefüllt.
Bei dem vorstehend beschriebenen Thyristor ist zwischen dem Halbleitersubstrat und der Trägerelektrode
im wesentlichen kein Unterschied bezüglich der Wärmedehnung vorhanden, so daß weder eine Durchbiegung
noch eine Zerstörung des Halbleitersubstrats eintritt, obwohl das Substrat während der Herstellung
des Thyristors Temperaturen von erheblicher Höhe ausgesetzt wird.
Vergleichsbeispiel
Es wurden etwa 3000 Fasern aus Kohlenstoff mit einem Durchmesser von 9 Mikrometer, die mit Kupfer
in einer Stärke von 1 Mikrometer plattiert waren, zu einem Bündel vereinigt und in eine Aufschlämmung
eingetaucht, bei der es sich um eine wäßrige Lösung von Methylcellulose handelte, die pulverisiertes Kupfer mit
einer Teilchengröße von etwa 2 Mikrometer enthielt. Dann wurden die gebündelten Fasern aus Kohlenstoff
spiralförmig aufgewickelt und durch Trocknen bei Raumtemperatur zum Erstarren gebracht. Auf diese
Weise wurden zusammengesetzte Körper mit einem Durchmesser von etwa 29 mm hergestellt, die Fasern
aus Kohlenstoff jeweils in einer Menge von 10,20,30,40 bzw. 50 Vol.-% enthielten. Diese Erzeugnisse wurden
jeweils in einer Graphitform mit einem Durchmesser von 30 mm angeordnet und in einer Stickstoffatmosphäre
einer Heißpressung bei einer Temperatur von 9000C
unterzogen, wobei sie eine Stunde lang einem Druck von 250 bis 300 kg/mm2 ausgesetzt wurden, so daß
jeweils ein aus zusammengesetzten Körpern aufgebauter Block mit einem Durchmesser von 30 mm und einer
Länge von etwa 20 mm entstand.
Aus einem solchen Block, der etwa dieselben mechanischen und elektrischen Eigenschaften wie die
erfindungsgemäße Trägerelektrode aufweist, wurde ein Probestück von 25 mm Durchmesser und 4,6 mm Dicke
herausgeschnitten, um als Trägerelektrode verwendet zu werden; bei diesem Probestück wurden der
thermische Ausdehnungskoeffizient und die elektrische Leitfähigkeit in radialer Richtung gemessen. F i g. 3
zeigt jeweils in einer graphischen Darstellung für verschiedenen Gehalt an Kohlenstoffasem den linearen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten und die elektrisehe
Leitfähigkeit in radialer Richtung als Mittelwerte, die im Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur
und 25O0C gemessen wurden. Hierbei zeigte sich bezüglich des linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
keine Anisotropie. Aus F i g. 3 ist ersichtlich, daß man den Gehalt an Kohlenstoffasem vergrößern muß,
wenn eine Verringerung des linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten erreicht werden soll. Bei
einem im Bereich von 30 bis 40 Vol.-% liegenden Gehalt an Kohlenstoffasem läßt sich ein linearer thermischer
Ausdehnungskoeffizient erzielen, der gleich demjenigen
von Silizium ist Soll dagegen die elektrische Leitfähigkeit auf einem hohen Wert gehalten werden, muß man
die Menge der Kohlenstoffasem verringern. Somit ist es erforderlich, den Bereich des Gehalts an Kohlenstoffasern
so festzulegen, daß die Forderungen bezüglich einer hohen elektrischen Leitfähigkeit und eines
niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten erfüllt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Trägerelektrcde (5) eines Halbleiterbauelements, die mit einer Räche eines Halbleitersubstrats
(3) des Halbleiterbauelements verbunden und zumindest im Bereich der Verbindungsfläche als
zusammengesetzter Körper in Form einer Matrix aus in einem Grundmetall (1) in einer Ebene parallel
zur Verbindungsfläche liegend eingebetteten Fasern (2) ausgebildet ist, wobei das Grundmetall eine gute
elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweist und die Fasern aus einem Material bestehen, dessen
thermischer Ausdehnungskoeffizient gleich oder kleiner als der des Halbleitersubstrats ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Fasern (2) in
Form mehrerer konzentrischer Kreise oder spiralförmig angeordnet sind, und daß der zusammengesetzte Körper als weiteren Bestandteil m einer
festen Phase mindestens ein metallisches Element enthält, das eine chemische Verbindung mit dem
Material der Faser bildet.
2.
Trägerelektrode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Grundmetall (1) Kupfer und die Faser (2) eine Kohlenstoffaser ist
3. Trägerelektrode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Element ein
Karbid bildet
4. Trägerelektrode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Element Zirkon
ist.
5. Trägerelektrode nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil
der Fasern im zusammengesetzten Körper 20 bis 40 Vol.-% beträgt
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2824250A1 DE2824250A1 (de) | 1978-12-07 |
DE2824250C2 true DE2824250C2 (de) | 1982-11-04 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (5)
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5550646A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Hitachi Ltd | Integrated circuit device |
JPS5816616B2 (ja) * | 1978-12-01 | 1983-04-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPS55128554A (en) * | 1979-03-29 | 1980-10-04 | Hitachi Ltd | Fiber combined material and producing the same |
JPS55160437A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
DE2937049A1 (de) * | 1979-09-13 | 1981-04-02 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungs-halbleiterbauelement |
JPS56142645A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5759453U (de) * | 1980-09-24 | 1982-04-08 | ||
JPS5787139A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5921032A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
US4737217A (en) * | 1985-09-30 | 1988-04-12 | General Electric Company | Method of fabricating a substrate for a semiconductor chip package |
EP0224141A3 (de) * | 1985-11-21 | 1989-06-14 | General Electric Company | Leistungshalbleitervorrichtungen |
CA1316303C (en) * | 1988-12-23 | 1993-04-20 | Thijs Eerkes | Composite structure |
US5151777A (en) * | 1989-03-03 | 1992-09-29 | Delco Electronics Corporation | Interface device for thermally coupling an integrated circuit to a heat sink |
EP0638928B1 (de) * | 1993-08-09 | 1998-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
US5834374A (en) * | 1994-09-30 | 1998-11-10 | International Business Machines Corporation | Method for controlling tensile and compressive stresses and mechanical problems in thin films on substrates |
DE19605302A1 (de) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Kühlkörper mit einer Montagefläche für ein elektronisches Bauteil |
US5686676A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-11 | Brush Wellman Inc. | Process for making improved copper/tungsten composites |
US6016007A (en) * | 1998-10-16 | 2000-01-18 | Northrop Grumman Corp. | Power electronics cooling apparatus |
US6703707B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
EP1403923A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | Abb Research Ltd. | Leistungshalbleitermodul in Druckpackung |
DE102006043163B4 (de) | 2006-09-14 | 2016-03-31 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterschaltungsanordnungen |
EP2447988B1 (de) | 2010-11-02 | 2015-05-06 | GE Energy Power Conversion Technology Limited | Leistungselektronikvorrichtung mit Randpassivierung |
JP2014183256A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Denso Corp | 接合体およびこれを用いた半導体装置、ならびにそれらの製造方法 |
CN106783787A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 东莞市阿甘半导体有限公司 | 用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5116302B2 (de) * | 1973-10-22 | 1976-05-22 | ||
US3889286A (en) * | 1973-12-26 | 1975-06-10 | Gen Electric | Transparent multiple contact for semiconductor light conversion elements |
-
1977
- 1977-06-03 JP JP52064720A patent/JPS603776B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-05-31 US US05/911,078 patent/US4196442A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-05-31 GB GB25541/78A patent/GB1602478A/en not_active Expired
- 1978-06-01 NL NL7805992A patent/NL7805992A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-06-02 DE DE2824250A patent/DE2824250C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS603776B2 (ja) | 1985-01-30 |
US4196442A (en) | 1980-04-01 |
DE2824250A1 (de) | 1978-12-07 |
JPS54568A (en) | 1979-01-05 |
NL7805992A (nl) | 1978-12-05 |
GB1602478A (en) | 1981-11-11 |
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---|---|---|
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