DE3838968A1 - Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellungInfo
- Publication number
- DE3838968A1 DE3838968A1 DE19883838968 DE3838968A DE3838968A1 DE 3838968 A1 DE3838968 A1 DE 3838968A1 DE 19883838968 DE19883838968 DE 19883838968 DE 3838968 A DE3838968 A DE 3838968A DE 3838968 A1 DE3838968 A1 DE 3838968A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- matrix
- composite material
- active solder
- metallic matrix
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 26
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 26
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 7
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 claims 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- AHADSRNLHOHMQK-UHFFFAOYSA-N methylidenecopper Chemical compound [Cu].[C] AHADSRNLHOHMQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B30/00—Compositions for artificial stone, not containing binders
- C04B30/02—Compositions for artificial stone, not containing binders containing fibrous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C47/00—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C47/08—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments by contacting the fibres or filaments with molten metal, e.g. by infiltrating the fibres or filaments placed in a mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C49/00—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C49/14—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the fibres or filaments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4924—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
- H01L23/4928—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials the materials containing carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00905—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as preforms
- C04B2111/00913—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as preforms as ceramic preforms for the fabrication of metal matrix comp, e.g. cermets
- C04B2111/00931—Coated or infiltrated preforms, e.g. with molten metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/90—Electrical properties
- C04B2111/94—Electrically conducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
Description
Verbundwerkstoff auf der Basis von Kohlenstoff-Fasern als
Bewehrungsgerüst und einer metallischen Matrix als Füllstoff
und Verfahren zu dessen Herstellung.
Elektrisch und thermisch hoch beanspruchte Leistungshalb
leiter-Bauelemente auf der Basis von dotiertem Silizium.
Bei größeren Abmessungen stellt sich nach wie vor die Pro
blematik des Stromübergangs und der Wärmeabfuhr zwischen
dem eigentlichen Halbleiterbauelement und seinem Verbindungs
element, der Unterlage (Substrat), welche die Stromzufuhr
(Kontaktierung) bewerkstelligt.
Die Erfindung bezieht sich auf die Weiterentwicklung einer
geeigneten, ausdehnungsarmen Unterlage für ein Halbleiter
bauelement, das den physikalischen Eigenschaften des Sili
ziums Rechnung trägt und eine einwandfreie stoff- und kraft
schlüssige Verbindung mit diesem gestattet.
Insbesondere betrifft sie einen Verbundwerkstoff auf der
Basis von Kohlenstoff-Fasern als Bewehrungsgerüst und einer
metallischen Matrix als Füllstoff, mit einem Wärmeausdehnungs
koeffizienten von höchstens 4 · 10-6/°C, einer Wärmeleit
fähigkeit von mindestens 200 W/mK und einer elektrischen
Leitfähigkeit von mindestens 10 · 106 (Ωm) -1, sowie ein
Verfahren zu dessen Herstellung.
Am Stromübergang zwischen dem eigentlichen, aus dotiertem
Silizium bestehenden Halbleiterbauelement und seiner Unter
lage ergeben sich zahlreiche Probleme, welche vor allem
mit dem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Siliziums
zusammenhängen. Es müssen die Bedingungen guter elektrischer
Leitfähigkeit, guten Wärmeübergangs und geringer thermisch
bedingter Spannungen sowie Thermoschockunempfindlichkeit
(Wechseltestbeständigkeit) erfüllt werden. Dies führt zunächst
einmal zu der Forderung nach einem ausdehnungsarmen Substrat,
da der Wärmeausdehnungskoeffizient des Siliziums nur 2,5
· 10 -6/°C beträgt.
Zur Lösung der genannten Probleme sind eine Reihe von Verbund
werkstoffen vorgeschlagen worden. Zum Stand der Technik
können unter anderem die nachfolgenden Veröffentlichungen
herangezogen werden:
- - Prospektblatt von metalimphy, Paris 28. 2. 1983.
- - M. Weickhmann, G.E. Reppel, G. Hausch: Coppermolybdenum Based Powder Composite as Support-Material for Power Semi conductors and Integrated Circuits, Tagungsbericht, Quelle unbekannt.
- - K. Kuniya, H. Arakawa, T. Kanei and T. Yasuda: IEEE Trans. Comp., Hybr. and Manuf. Techn. Vol. CHMT-6 No. 4 Dez. 1983, 467: Development of Copper-Carbon Fiber Composite for Electrodes of Power Semiconductor Devices.
- - R.O. Carlson, H.H. Glascock II, H.F. Webster and C.A. Neu gebauer: Thermal Expansion Mismatch in Electronic Packaging.
Die vorgeschlagenen Lösungen befriedigen nicht und sind
für zahlreiche Anwendungsfälle, insbesondere bei großen
Kontaktflächen zwischen Halbleiterbauelement und Substrat
nicht zu gebrauchen. Der laminare Verbund Kupfer/Invar-Le
gierung hat eine zu niedrige transversale Wärmeleitfähigkeit,
so daß die Wärmeabfuhr nicht in genügendem Maß gewähr
leistet ist. Das aus Kupfer- und Molybdänkristallen bestehende
Gemenge hat einen zu hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten
(ca. das 4fache desjenigen von Silizium). Der durch heiß
isostatisches Pressen von zuvor verkupfterten Kohlenstoff-
Fasern erzeugte Verbundwerkstoff scheint sich nicht durch
gesetzt zu haben. Der Grund dürfte im teuren und schwierigen
Herstellungsverfahren und vor allem in der ungenügenden
Haftung zwischen Kupfer und Kohlenstoff liegen. Die
Benetzbarkeit von Kohlenstoff mit Kupfer ist erwiesenermaßen
sehr schlecht. Der Vorschlag, die Verbindung zwischen kom
paktem Halbleiterelement und kompakter Unterlage über eine
Vielzahl von parallelen Leitern kleinen Querschnitts, welche
sich individuell bewegen können (sog. "strukturierte Kupfer-
Matrix" aus parallelen Drähten), zu bewerkstelligen, ist
aufwendig und stellt technisch keine befriedigende Lösung
dar.
Es besteht daher ein großes Bedürfnis nach Weiterentwick
lung und Verbesserung von Unterlagen (Substraten) von hoch
belasteten Halbleiterbauelementen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verbund
werkstoff auf der Basis von Kohlenstoff-Fasern als Bewehrungs
gerüst und einer metallischen Matrix als Füllstoff sowie ein
Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, wobei der Verbund
werkstoff eine Wärmeleitfähigkeit von mindestens 200 W/mK
und eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 10 · 106
(Ωm) -1 sowie einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von höchstens
4 · 10 -6/°C aufweisen soll. Der Verbundwerkstoff soll sich
ferner durch ein kostengünstiges und einfaches Verfahren
herstellen lassen, das präzise und reproduzierbare Resultate
bezüglich der physikalischen Eigenschaften gewährleistet.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im eingangs erwähnten
Verbundwerkstoff die Matrix aus einem Aktivlot auf der Basis
von Cu und/oder Ag mit weiteren Zusätzen von Ti, Zr, Cr, V
besteht.
Die Aufgabe wird ferner dadurch gelöst, daß im eingangs
erwähnten Verfahren Kohlenstoff-Faserbündel von 20 bis 200
µm Durchmesser zu einem Aggregat verarbeitet werden und
daß letzteres mit einem Aktivlot auf der Basis von Au oder
Ni oder Cu und/oder Ag mit weiteren Zusätzen von Ti, Zr,
Cr, V getränkt und auf Raumtemperatur abgekühlt wird.
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden, durch Figuren
näher erläuterten Ausführungsbeispiele beschrieben.
Dabei zeigt
Fig. 1 ein Gewebe aus kreuzweise angeordneten Bändern paral
leler Kohlenstoff-Faserbündel,
Fig. 2 ein einfädiges Gewebe aus kreuzweise angeordneten
Kohlenstoff-Faserbündeln,
Fig. 3 ein scheibenförmiges Gewebe aus spiralförmig und
radial angeordneten Kohlenstoff-Faserbündeln.
In Fig. 1 ist ein Gewebe aus Kohlenstoff-Fasern dargestellt,
das aus Bändern aufgebaut ist, deren Faserbündel jeweils
parallel angeordnet sind. Die Bänder 1 sind kreuzweise angeord
net und gegenseitig ineinander verflochten. An den Kanten
des Gewebes ist keine Randbefestigung vorhanden.
Fig. 2 bezieht sich auf ein Gewebe kreuzweise angeordneter
Kohlenstoff-Faserbündel. Das Gewebe 2 ist einfädig und ähnlich
wie ein gewöhnliches Tuch ("Schuß" und "Kette") aufgebaut.
An den Webkanten ist allseitig eine Randbefestigung vorhanden.
In Fig. 3 ist ein scheibenförmiges Gewebe aus Kohlenstoff-
Faserbündeln dargestellt. 3 sind spiralförmig in einer Ebene
angeordnete Kohlenstoff-Faserbündel. Sie werden von den
radial angeordneten Bündeln 4 zusammengehalten. An der Außen
kante ist somit eine Randbefestigung vorhanden.
Als Bewehrungsgerüst wurde ein Stapel eines Gewebes aus
Kohlenstoff-Faserbündeln verwendet. Das Ausgangsmaterial
bestand aus einem Gewebe kreuzweise angeordneter Bänder
1 von ca. 0,2 mm Dicke und 3 mm Breite. Die Kohlenstoff-
Faserbündel hatten einen Durchmesser von 100 µm, die Einzel
fasern einen solchen von 2 µm. Der Stapel wurde aus zahlreichen
Gewebeschichten aufgebaut und war insgesamt 2 mm hoch, 40 mm
breit und 60 mm lang. Er wurde mit einem Aktivlot auf Cu-Basis
getränkt, das folgende Zusammensetzung hatte:
Cu | |
= 70 Gew.-% | |
Sn | = 20 Gew.-% |
Ti | = 10 Gew.-% |
Zu diesem Zweck wurde das bei ca. 900°C schmelzende Aktiv
lot im Vakuumofen auf 1000°C erhitzt und unter Vakuum ver
gossen. Dank der hohen Kohlenstoffaffinität des Titans wurde
eine gute durchdringende Benetzung und somit eine einwandfreie
Bindung zwischen Kohlenstoff-Fasern und metallischer Matrix
erzielt.
Nach der Abkühlung wurde das Werkstück allseitig mechanisch
glatt bearbeitet und seine physikalischen Eigenschaften
gemessen. Dabei konnten folgende Werte festgestellt werden:
Mittlere Wärmeleitfähigkeit | |
= 250 W/mK | |
Elektrische Leitfähigkeit | = 12 · 10⁶ (Ωm)-1 |
Mittlerer Wärmeausdehnungskoeffizient | = 3,5 · 10-6/°C |
Als Bewehrungsgerüst wurde ein Stapel eines Gewebes aus
Kohlenstoff-Faserbündeln verwendet. Das Ausgangsmaterial
bestand aus einem einfädigen Gewebe aus kreuzweise angeord
neten Kohlenstoff-Faserbündeln 2 von ca. 0,15 mm Durchmesser.
Die einzelnen Gewebeschichten waren quadratisch und hatten
eine Seitenlänge von 50 mm. Der gesamte Stapel wurde aus
zahlreichen Gewebeschichten aufgebaut und war insgesamt
1 mm hoch, 50 mm breit und 50 mm lang. Er wurde mit einem
Aktivlot auf Ag-Basis getränkt, das folgende Zusammensetzung
hatte:
Ag | |
= 70 Gew.-% | |
Cu | = 25 Gew.-% |
Ti | = 5 Gew.-% |
Das Aktivlot stellte eine nahezu eutektische Legierung mit
einem Schmelzpunkt von ca. 750°C dar. Es wurde im Vakuum
ofen auf 900°C erhitzt und unter Vakuum vergossen. Dank
der verhältnismäßig tiefen Schmelztemperatur und der ca.
150°C betragenden Überhitzung sowie der guten Benetzbar
keit des Aktivlotes floß letzteres einwandfrei um die Kohlen
stoff-Fasern. Es wurde eine innige Bindung zwischen Bewehrungs
gerüst und Metallmatrix erzielt.
Nach Abkühlung und allseitiger mechanischer Bearbeitung
des Werkstücks wurden seine physikalischen Eigenschaften
wie folgt gemessen:
Mittlere Wärmeleitfähigkeit | |
= 240 W/mK | |
Elektrische Leitfähigkeit | = 15 · 10⁶ (Ωm)-1 |
Mittlerer Wärmeausdehnungskoeffizient | = 3,8 · 10-6/°C |
Als Bewehrungsgerüst wurde ein Stapel zahlreicher Schichten
eines spiralförmig angeordneten Kohlenstoff-Faserbündels
verwendet. Das Ausgangsmaterial bestand aus Rondellen spiral
förmig angeordneter Kohlenstoff-Faserbündel 3, welche mit
radial angeordneten Faserbündeln 4 zusammengehalten und
verstärkt waren. Die Rondellen hatten eine Dicke von 0,25 mm
und einen Durchmesser von 60 mm. Die Kohlenstoff-Faserbündel
hatten einen Durchmesser von 125 µm, die Einzelfasern einen
solchen von 3 µm. Zwischen die Rondellen wurden 0,15 mm
dicke Folien aus dem Aktivlot gelegt, so daß der Stapel
2 mm hoch war und einen Durchmesser von 60 mm aufwies. Das
Aktivlot auf Au-Basis hatte folgende Zusammensetzung:
Au | |
= 70 Gew.-% | |
Ni | = 22 Gew.-% |
Zr | = 8 Gew.-% |
Das Aktivlot hatte einen Schmelzpunkt von ca. 980°C. Der
Stapel wurde im Schutzgasofen unter Argonatmosphäre und
unter einer Gewichtsbelastung von 10 kg auf 1100°C erhitzt.
Die Bindung mit dem Bewehrungsgerüst war ausgezeichnet.
Nach der Abkühlung wurde das Werkstück allseitig mechanisch
glatt bearbeitet. Die gemessenen physikalischen Eigenschaften
ergaben sich wie folgt:
Mittlere Wärmeleitfähigkeit | |
= 210 W/mK | |
Elektrische Leitfähigkeit | = 12 · 10⁶ (Ωm)-1 |
Mittlerer Wärmeausdehnungskoeffizient | = 2,5 · 10-6/°C |
Die Erfindung ist nicht auf die Ausführungsbeispiele be
schränkt. Der Verbundwerkstoff hat einen Wärmeausdehnungs
koeffizienten von höchstens 4 · 10 -6/°C, eine Wärmeleit
fähigkeit von mindestens 200 W/mK und eine elektrische Leit
fähigkeit von mindestens 10 · 106 (Ωm) -1.
Das die Matrix bildende Aktivlot ist auf der Basis von Cu
und/oder Ag aufgebaut und weist weitere Zusätze von Ti,
Zr, Cr, V auf. Der Volumenanteil der metallischen Matrix
beträgt 20 bis 70%. Die Wechselfestigkeit des Werkstoffs
beträgt mindestens 200 MPa. Der Anteil von Ti in der Matrix
(Cu und/oder Ag) beträgt vorteilhafterweise 1 bis 25 Gew.-%.
Die Matrix besteht vorzugsweise aus Cu, dem 5 bis 25 Gew.-%
Sn und 5 bis 15 Gew.-% Ti zulegiert sind.
Claims (8)
1. Verbundwerkstoff auf der Basis von Kohlenstoff-Fasern
als Bewehrungsgerüst und einer metallischen Matrix als
Füllstoff, mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von
höchstens 4 · 10 -6/°C, einer Wärmeleitfähigkeit von minde
stens 200 W/mK und einer elektrischen Leitfähigkeit von
mindestens 10 · 106 (Ωm) -1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Matrix aus einem Aktivlot auf der Basis von
Au oder Ni oder Cu und/oder Ag mit weiteren Zusätzen
von Ti, Zr, Cr, V besteht.
2. Verbundwerkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Volumenanteil der metallischen Matrix 20 bis
70% beträgt und daß deren Wechselfestigkeit mindestens
200 MPa ist.
3. Verbundwerkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Matrix ein Aktivlot auf der Basis von Cu und
Ag ist, welches 1 bis 25 Gew.-% Ti enthält.
4. Verbundwerkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Matrix ein Aktivlot auf der Basis von Cu ist,
welches 5 bis 25 Gew.-% Sn und 5 bis 15 Gew.-% Ti enthält.
5. Verbundwerkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Matrix ein Aktivlot auf der Basis von Au und/oder
Ni ist, welches 5 bis 15 Gew.-% Ti oder Zr enthält.
6. Verfahren zur Herstellung eines Verbundwerkstoffes mit
einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von höchstens 4 · 10 -6/°C,
einer Wärmeleitfähigkeit von mindestens 200 W/mK und
einer elektrischen Leitfähigkeit von mindestens 10 · 106
(Ωm) -1 auf der Basis von Kohlenstoff-Fasern als Bewehrungs
gerüst und einer metallischen Matrix als Füllstoff, dadurch
gekennzeichnet, daß Kohlenstoff-Faserbündel von 20 bis
200 µm Durchmesser zu einem Aggregat verarbeitet werden
und daß letzteres mit einem Aktivlot auf der Basis von
Cu und/oder Ag mit weiteren Zusätzen von Ti, Zr, Cr, V
getränkt und auf Raumtemperatur abgekühlt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das Aggregat von Kohlenstoff-Faserbündeln aus einem Stapel
planparalleler oder gekreuzter Schichten oder einem Gewebe
mit oder ohne Randbefestigung besteht.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das Aggregat von Kohlenstoff-Faserbündeln aus spiral
förmig gewickelten, mit Radialfaser verstärkten, schnecken
artig angeordneten Fasern besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH22988 | 1988-01-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3838968A1 true DE3838968A1 (de) | 1989-07-27 |
Family
ID=4182230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883838968 Withdrawn DE3838968A1 (de) | 1988-01-22 | 1988-11-18 | Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3838968A1 (de) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4021547A1 (de) * | 1990-07-06 | 1992-01-16 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Verfahren zum herstellen von faserverstaerkten bauteilen |
US5089356A (en) * | 1990-09-17 | 1992-02-18 | The Research Foundation Of State Univ. Of New York | Carbon fiber reinforced tin-lead alloy as a low thermal expansion solder preform |
EP0471552A1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen |
US5120495A (en) * | 1990-08-27 | 1992-06-09 | The Standard Oil Company | High thermal conductivity metal matrix composite |
EP0638928A1 (de) * | 1993-08-09 | 1995-02-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
DE19633486C1 (de) * | 1996-08-20 | 1998-01-15 | Heraeus Sensor Nite Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
EP1041056A2 (de) * | 1999-03-30 | 2000-10-04 | Railway Technical Research Institute | Titan und Kupfer enthaltender Kohlenstoff-Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10215101A1 (de) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Bayerische Motoren Werke Ag | Verbundkörper aus einem Leichtmetallgrundwerkstoff |
EP1403923A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | Abb Research Ltd. | Leistungshalbleitermodul in Druckpackung |
US6869007B2 (en) * | 2001-01-26 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Oxidation-resistant reactive solders and brazes |
US8243391B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-08-14 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Slider and suspension composite fiber solder joints |
-
1988
- 1988-11-18 DE DE19883838968 patent/DE3838968A1/de not_active Withdrawn
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4021547A1 (de) * | 1990-07-06 | 1992-01-16 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Verfahren zum herstellen von faserverstaerkten bauteilen |
EP0471552A1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen |
US5120495A (en) * | 1990-08-27 | 1992-06-09 | The Standard Oil Company | High thermal conductivity metal matrix composite |
US5089356A (en) * | 1990-09-17 | 1992-02-18 | The Research Foundation Of State Univ. Of New York | Carbon fiber reinforced tin-lead alloy as a low thermal expansion solder preform |
EP0638928A1 (de) * | 1993-08-09 | 1995-02-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
US5506452A (en) * | 1993-08-09 | 1996-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Power semiconductor component with pressure contact |
US6226864B1 (en) | 1996-08-20 | 2001-05-08 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Process for producing printed circuit boards with at least one metal layer, printed circuit board and use thereof |
DE19633486C1 (de) * | 1996-08-20 | 1998-01-15 | Heraeus Sensor Nite Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
US6469614B2 (en) | 1996-08-20 | 2002-10-22 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Printed circuit boards having at least one metal layer |
EP1041056A2 (de) * | 1999-03-30 | 2000-10-04 | Railway Technical Research Institute | Titan und Kupfer enthaltender Kohlenstoff-Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP1041056A3 (de) * | 1999-03-30 | 2001-10-10 | Railway Technical Research Institute | Titan und Kupfer enthaltender Kohlenstoff-Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6869007B2 (en) * | 2001-01-26 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Oxidation-resistant reactive solders and brazes |
DE10215101A1 (de) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Bayerische Motoren Werke Ag | Verbundkörper aus einem Leichtmetallgrundwerkstoff |
EP1403923A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | Abb Research Ltd. | Leistungshalbleitermodul in Druckpackung |
US7538436B2 (en) | 2002-09-27 | 2009-05-26 | Abb Research Ltd | Press pack power semiconductor module |
US8243391B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-08-14 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Slider and suspension composite fiber solder joints |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69031178T2 (de) | Oxidischer Supraleiter | |
DE3204231C2 (de) | Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung | |
DE3878981T2 (de) | Supraleitender koerper mit verbesserten eigenschaften. | |
DE3485930T2 (de) | Mehrschichtiges keramisches substrat und verfahren zum herstellen desselben. | |
EP0731986B1 (de) | Vorrichtung zur strombegrenzung | |
DE69737533T2 (de) | Verbesserte struktur für laminierte supraleitende keramische verbundleiter und herstellungsverfahren | |
DE2824250C2 (de) | Trägerelektrode eines Halbleiterbauelements | |
DE3221199C2 (de) | ||
DE68912932T2 (de) | Glas-Keramik-Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
DE3924225C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Metall-Verbundsubstrats sowie Keramik-Metall-Verbundsubstrat | |
DE2365935A1 (de) | Supraleitender verbunddraht und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2041497B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
DE3838968A1 (de) | Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellung | |
DE112018001697T5 (de) | Verbindungsstruktur | |
DE3650621T2 (de) | Supraleiter für Magnetfeldabschirmung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19634424C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter | |
DE2816249A1 (de) | Verbundwerkstoff-verbindungssystem mit einem verbundwerkstueck aus in einer kupfermatrix eingebetteten kohlenstofffasern | |
DE3837788A1 (de) | Verfahren zur unmittelbaren verbindung einer kupferfolie mit einem substrat aus elektrisch isolierendem material | |
DE2247159C3 (de) | Hochspannungs-Halbleitergleichrichter | |
DE112018005786T5 (de) | Plattiertes Material und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112016005097T5 (de) | Supraleitender Oxid-Dünnfilmdraht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4319249C2 (de) | Anschlußrahmenmaterial, das aus einer Kupferlegierung geformt ist, für mit Epoxyharz gekapselte Halbleitervorrichtungen | |
EP0170867A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundwerkstoffes | |
WO2017140574A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer substratplatte, substratplatte, verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls und halbleitermodul | |
DE2853951A1 (de) | Kontaktplatte fuer halbleiter-bauelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |