DE2821196A1

DE2821196A1 - Duennfilmwiderstand, seine herstellung und verwendung

Info

Publication number: DE2821196A1
Application number: DE19782821196
Authority: DE
Inventors: Takeo Kimura; Hidehiko Kobayashi; Kaoru Ohmura; Ichiro Shibazaki
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1977-05-16
Filing date: 1978-05-13
Publication date: 1978-12-14
Also published as: FR2391538B1; DE2821196C2; FR2391538A1; GB1597806A

Description

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Dünnfilmwiderstand, seine Herstellung und Verwendung

Die Erfindung betrifft einen Dünnfilmwiderstand und ein Verfahren zu seiner Herstellung, insbesondere einen Dünnfilmwiderstand, der integral in einen Träger, z.B. eine Isolierplatte oder Keramikplatte für gedruckte Schaltungen, eingebaut werden kann, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Der Dünnfilmwiderstand wird seit einiger Zeit für zahlreiche Anwendungen, z.B. als integrierte Dünnfilm-Hybridschaltung (nachstehend als Hybrid-IC bezeichnet) und als thermischer Tastkopf (thermal head), verwendet, so daß man sehr bestrebt ist, hochwertige Dünnfilmwiderstände mit großer Zuverlässigkeit, die ein feines Schaltbild aufweisen, zu erhalten und das Verfahren zur Herstellung dieser Widerstände zu vereinfachen.

Bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen mit Widerständen werden die Widerstände als gesonderte Bauelemente einzeln nacheinander auf den Isolierträger der Schaltung gepackt, indem die Zuleitungen der jeweiligen Widerstände angelötet werden. Dieser Prozeß erfordert jedoch sehr hohe Bestückungskosten, und die Qualität des erhaltenen Produkts ist derjenigen, die für die Verwendung in einer Mikroschaltung erforderlich ist, weit unterlegen. Beim bekannten Verfahren ist die Verkleinerung des Packungsvolumens bereits begrenzt.

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Ein weiterer Typ eines Dünnfilmwiderstandes mit Mikroschaltungsstruktur, der für die Herstellung von integrierten Dünnfilm-Hybridschaltungen verfügbar ist, wird nach einer der beiden folgenden Verfahren hergestellt: Eines dieser Verfahren wird als bildmäßige Abscheidung bezeichnet. Hierbei wird das Dünnfilmwiderstandmaterial auf einen Träger als gewünschtes Bild durch eine Maske aufgedampft.
Das andere Verfahren wird als Photoätzverfahren bezeichnet, bei dem das Dünnfilmwiderstandsmaterial, das mit einem Träger verbunden ist, mit einem lichtempfindlichen Harz (oder Photoresist) beschichtet wird, das dann durch eine Maske belichtet wird. Die Harzschicht wird dann gespült und selektiv entfernt, wobei das gewünschte Schaltbild erhalten wird. Das Ätzen erfolgt durch die Maske zur Entfernung unerwünschter Teile des Widerstandmaterials auf dem Isolierträger, während das gewünschte Schaltungsbild des Widerstandes zurückbleibt. Das Photoresistverfahren wird beispielsweise in der US-PS 3 977 840 beschrieben.

Diese Verfahren erfordern jedoch sehr komplizierte Arbeitsgänge zum Aufbringen eines gewünschten Widerstandes und sind mit dem Problem der Fehlausrichtung der Maske durch Strahlungswärme aus einer Verdampfungsquelle für die Abscheidung des Schaltungsbildes behaftet und erfordern daher genaueste Kontrolle. Der nach diesen Verfahren gebildete Widerstand wird mit Lasern oder durch Sandstrahlen getrimmt. Als Beispiel ist der in der US-PS 3 947 801 beschriebene lasergetrimmte Filmwiderstand zu nennen. Die Herstellungskosten sind demzufolge hoch. Da ferner die Photoätzmethode angewendet wird/ ist ein umständlicher Naßprozeß unvermeidlich. Es besteht somit ein Bedürfnis für einen äußerst zuverlässigen Dünnfilmwiderstand für Mikroschaltungen.

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Als Stand der Technik ist für die Erfindung die US-PS 3 614 423 anzusehen, die das Aufdampfen des Leitungsbildes, jedoch nicht das Verfahren zur Herstellung des Widerstandes, betrifft. Die US-PS 3 136 680 beschreibt ein Bindemittel für Laminate als Trägerplatte aus PoIytetrafluoräthylen und Kupfer für die gedruckte Schaltung, aus dem Leitungsbilder durch Ätzen gebildet werden.

Die Erfindung ist das Ergebnis von Bemühungen, die vorstehend beschriebenen Schwierigkeiten für die Hybrid-IC oder die gedruckte Schaltung zu überwinden.

Die Erfindung stellt sich somit die Aufgabe, einen Dünnfilmwiderstand und ein Verfahren zu seiner Herstellung verfügbar zu machen, das den Herstellungsprozeß erleichtert und die Erzeugung eines genauen Leitungsbildes ohne Trimmen in gesonderten Schaltungselementen oder Mikroschaltungen, z.B. Hybrid-IC, ermöglicht, auf eine übliche gedruckte Schaltung anwendbar ist, das Bestücken mit dem Widerstand ohne Löten gestattet und den Packungs- oder Bestückungsprozeß vereinfacht und die Kosten senkt.

Gegenstand der Erfindung sind demgemäß ein Dünnfilmwiderstand und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Der Dünnfilmwiderstand besteht aus einem dielektrischen Träger oder Isolierträger und einem auf den Träger als dünner Film aufgebrachten Widerstandsmaterial, das die Fähigkeit hat, sich durch Absorption von Strahlungsenergie zu zerteilen oder zu zerfallen und ein gewünschtes Bild aus Widerstandsbereichen im Trockenprozeß zu bilden, indem Strahlungsenergie oberhalb eines Schwellenwertes selektiv so zur Einwirkung gebracht wird, daß das aufgebrachte Widerstandsmaterial in den nicht gewünschten Teilen zerfällt oder zerteilt wird.

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Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben.

Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Dünnfilm-Widerstandes und veranschaulicht eine Ausführungsform der Erfindung.

Fig. 2A und Fig. 2B veranschaulichen schematisch ein Verfahren zur Herstellung des in Fig. 1 dargestellten Widerstandes.

Fig. 3 zeigt im Schnitt eine Ausführungsform eines Schaltungsträgers, auf dem ein Widerstand gemäß der Erfindung aufgebracht ist.

Fig. 4 zeigt eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Schaltungsträgers mit einem Widerstand gemäß der Erfindung.

Fig. 5A bis Fig. 5E veranschaulichen schematisch eine andere Ausführungsform eines Verfahrens zum Aufbringen des Dünnfilmwiderstandes gemäß der Erfindung auf einen Schaltungsträger.

Fig. 6A bis Fig. 6{? veranschaulichen schematisch eine andere Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des Dünnfilmwiderstandes gemäß der Erfindung.

Fig. 1 zeigt im Querschnitt den Grundaufbau eines Dünnschichtwiderstandes gemäß der Erfindung. Hierbei ist eine dünne Schicht 2 aus Widerstandsmaterial in einem gewünschten Bild auf einen Isolierträger 1 aufgebracht. Der Träger 1 kann aus einem beliebigen Werkstoff bestehen, der das Aufbringen des Dünnschichtwiderstandmaterials ermöglicht. Geeignet sind beispielsweise

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Keramikträger, z.B. aus Tonerde, Glasträger, monokristalline Saphirträger oder Träger aus Harz, die für Dünnschicht-Hybrid-IC verwendet werden. Von diesen Trägermaterialien haben Träger aus Harz gegenüber den anderen Trägern den besonderen Vorteil, daß sie eine niedrigere Dispersionsschwellenenergie für die später beschriebene Erzeugung des Widerstandsbildes benötigen und ein großes Substrat (Schaltungsträger) verfügbar ist. Bevorzugt als Harze für den Isolierträger werden PoIyimide, Polyamide, Epoxyharze, Polyester, Polyäthylen, Polystyrol, Polyparabansäure und Phenolharze. Ein Schaltungsträger in Form eines Laminats aus einem dieser Materialien wird zweckmäßig als Träger 1 verwendet.

Das Verfahrensschema in Fig. 2A und Fig. 2B veranschaulicht das Verfahren zur Herstellung des in Fig. 1 dargestellten Dünnfilmwiderstandes. Zur Erzeugung des Bildes des Dünnfilmwiderstandes aus der Schicht 2 wird ein Widerstandsmaterial 22, das die Fähigkeit hat, durch Absorption von Strahlungsenergie zu zerfallen, auf die gesamte Oberfläche einer Seite des Trägers 1 in einer bestimmten Dicke aufgebracht, wie in Fig. 2A dargestellt. Eine Maske 6 aus nichtrostendem Stahl oder Nickel oder eine Chrommaske 6 wird aufgebracht, wie in Fig. 2B dargestellt, worauf Energiestrahlung in der durch Pfeile angedeuteten Richtung aus einer (nicht dargestellten) Strahlungsenergiequelle, z.B. einer Xenon-Entladungslampe odejr einem YALG-Laser, zur Einwirkung gebracht wird. Wenn das aufgebrachte Wider-Standsmaterial 22 Strahlungsenergie oberhalb eines vorbestimmten Schwellenwerts oder bestimmten kritischen Werts aufnimmt, wird der bestrahlte Teil 7 des Widerstandsmaterials 22 dispergiert und von der Oberfläche des Trägers 1 entfernt. Dies hat zur Folge, daß die

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unbestrahlten Teile 2 des Widerstandsmaterials nicht entfernt werden und das Widerstandsbild darstellen. Der spezifische Widerstand der Trägeroberfläche an den Teilen, in denen das Widerstandsmaterial 22 durch die Strahlungsenergie zerteilt worden ist, entspricht im wesentlichen dem spezifischen Widerstand des Trägers.

Der Oberflächenwiderstand liegt in der Größenordnung

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von 10 Ohm.

Dieses Verfahren wird als Trockenprozeß der Bilderzeugung durch Energiestrahlung und Materialzerfall bezeichnet. Der hier gebrauchte Ausdruck "Zerfall" oder "Zerteilung" bezeichnet die folgende Erscheinung: Wenn das als dünner Film auf den dielektrischen Träger aufgebrachte Widerstandsmaterial die Strahlungsenergie erhält, absorbiert es die Energie und zerfällt durch die Oberflächenspannung, die den diskreten Zustand erzeugt, in feine Teilchen. In einem anderen Fall absorbiert das Dünnfilmwiderstandsmaterial bei Einwirkung der Energiestrahlung die Energie und zerfällt durch augenblickliche Wärmespannung in feine Fragmente unter Bildung des diskreten Zustandes. In jedem Fall werden die feinen Teilchen oder feinen Fragmente des bestrahlten Widerstandsmaterials von der Oberfläche des Trägers durch Zerstreuung entfernt, oder Teile der Fragmente bleiben auf der Oberfläche des Trägers zurück. Der Zerfall oder die Zerteilung des Widerstandsmaterials kann festgestellt werden, indem mit dem Mikroskop oder nach der Lichtdurchlässigkeitsitiethode untersucht wird, ob die Geschlossenheit des dünnen Films verlorengegangen ist oder nicht. Das Dünnfilmmaterial, das die vorstehend beschriebene Erscheinung aufweist, gilt als zerteilbar oder zerstreubar. Das Verfahren zur Erzeugung des Dünnfilmbildes unter Ausnutzung der vorstehend beschriebenen Fähigkeit der Zerstreuung wird als Ener-

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giestrahlungs-Zerstreuungsmethode (energy radiation responsive dispersion method) bezeichnet.

Die Schwelle (d.h. der kritische Wert) der erfindungsgemäß verwendeten Energie wird definiert als die Mindestenergie, die erforderlich ist, das Dünnschichtwiderstandsmaterial zu zerstreuen. Die Größe der Energie kann durch die auf eine Flächeneinheit des bestrahlten Körpers gestrahlte Energie ausgedrückt werden. Die Energiemenge wird im allgemeinen als elektrische Leistung ausgedrückt, die proportional der aufgenommenen Leistung der Energiestrahlungsvorrichtung ist, und der Schwellenwert der Energie kann einfach als Größe der elektrischen Leistung ausgedrückt werden.

Während die aufgenommene Leistung der Vorrichtung, die die Energie auf das Dünnfilmwiderstandsmaterial abstrahlt, allmählich von einem niedrigen Wert steigt, beginnt das Dünnfilmwiderstandsmaterial bei Erreichen einer vorbestimmten Leistungshöhe zu zerfallen, wobei die Geschlossenheit der dünnen Schicht verlorengeht. Mit weiterer Steigerung der Leistung zerfallen die bestrahlten Teile des Dünnschichtwiderstandsmaterials vollständig.

Die Energieschwelle wird hier durch die aufgenommene Leistung definiert, bei der das aufgebrachte Dünnfilmwiderstandsmaterial beginnt, sich zu zerteilen und die Geschlossenheit des dünnen Films verlorengeht. Die Energieschwelle oder der kritische Energiewert kann durch die aufgenommene Leistung oder durch die Strahlungsenergie pro Flächeneinheit ausgedrückt werden. Wie später beschrieben werden wird, wurde bei Verwendung einer Xenon-Entladungslampe des Typs "FX₇Il C-8" (Hersteller EG & G Corporation, USA) als Energiestrahlungsvorrichtung die Schwelle, die zur Zerstreuung des aus einer

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Ni-Cr-Legierung bestehenden und auf das Epoxyharzlaminat aufgedampften Dünnfilmwiderstandsmaterials als Leistungsaufnahme von 1200 W gemessen.

Als Dünnfilmwiderstandsmaterial, das im Rahmen der Erfindung verwendet wird, eignen sich alle Werkstoffe, die als elektrischer Widerstand wirken und die Fähigkeit haben, durch Energiestrahlung zerteilt und zerstreut zu werden. Bevorzugt als Widerstandsmaterialien werden Ni, Ru, Pt, Pd, W, Mo, Ta, Rutheniumoxid, Tantaloxid und Ni-Cr-, Co-P-, Ni-B-, Ni-P-, Cr-P-, Ce-P- und Cr-B-Legierungen. Von diesen Werkstoffen werden Ni, Ru, Pt, Pd, Ni-Cr-Legierungen und Rutheniumoxid besonders bevorzugt.

Das Widerstandsmaterial wird auf die Oberfläche des in Fig. 2A dargestellten Trägers nach bekannten Verfahren, z.B. durch Aufdampfen im Vakuum, Kathodenzerstäubung oder Ionenplattierung, oder nach ähnlichen Verfahren aufgebracht. Die Dicke des Widerstandsfilms hängt vom jeweils verwendeten Material ab, liegt jedoch vorzugsweise im Bereich von 5 nm bis 3 pm, insbesondere im Bereich von 10 nm bis 1 um.

Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung in der Anwendung auf einen Schaltungsträger, wobei ein Bild von Dünnfilmwiderständen 2 und ein Bild von Leitern (Leitungszügen) 3 auf dem dielektrischen Träger 1, der der Schaltungsträger ist,-erzeugt worden sind. Die Widerstände 2 und die Leitungszüge sind als überlappte Platten ausgebildet, die während des Fertigungsprozesses direkt miteinander verbunden werden, so daß kein Löten, d.h. keine Lötverbindung zum Verbinden der Widerstände 2 erforderlich ist. In Fig. 3 sind die Leitungszüge 3 vorher auf dem Schaltungsträger 1 gebildet

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worden, worauf die Dünnfilmwiderstände 2 aufgebracht worden sind. In Abhängigkeit von der Konstruktion und vom Bild ist es jedoch auch möglich, zunächst ein gewünschtes Bild des Dünnschichtwiderstandes 2 zu erzeugen und dann die Leitungsbahnen 3 der gedruckten Schaltung beispielsweise durch stromloses Plattieren so aufzubringen, daß Teile der Leitungsbahnen sich teilweise mit den Widerständen 2 überlappen, so daß Widerstände und Leiterbahnen übereinanderliegend ohne Lötung direkt verbunden werden.

Fig. 4 zeigt einen Schnitt durch eine gedruckte Schaltung gemäß einer anderen Ausführungsform, bei der die Dünnschichtwiderstände 2 bildmäßig auf einer Hauptseite des Isolierträgers 1 gebildet worden sind. Wie Fig. 4 zeigt, trägt der Schaltungsträger die durch den Trockenprozeß der Bilderzeugung unter Ausnutzung der Zerstreubarkeit des Widerstandsmaterials gebildeten Dünnschichtwiderstände 2 auf einer Hauptseite und die Leitungszüge 3 auf der anderen Hauptseite des Isolierträgers. Die Widerstandsbahnen und Leitungszüge auf beiden Seiten des Isolierträgers sind durch Durchgängslöcher, die sich durch den Isolierträger erstrecken und innen mit einer leitfähigen Schicht belegt sind, miteinander verbunden. Obwohl nicht dargestellt, kann bei der gedruckten Schaltung mit Durchgangslöcher für die elektrische Verbindung der beiden Seiten der Isolierplatte die Packungsdichte der elektronischen Elemente erhöht werden, wenn die Dünnschichtwiderstände 2 und die Leitungszüge 3 integral auf beiden Seiten der Isolierplatte gebildet worden sind.

Bei der gedruckten Schaltung, die vorteilhaft gemäß der Erfindung ausgebildet ist, kann das Leitermaterial für ein Schaltungsbild eines Leitungszuges aus Metall oder einer Legierung bestehen, die üblicherweise als Leiter verwendet wird. Bevorzugt als Leitermateria-

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lien werden bekannte Metalle wie Al, Au, Cu, Pt, Pd, Pb, Sn, Fe, Zn, In, Ni, Cr, Ag, Bi oder Ti und Legierungen dieser Metalle. Das Material kann in jeder beliebigen erforderlichen Form verwendet werden und wird vorzugsweise auf den Träger in Form eines dünnen Films oder einer Folie aufgebracht. Die Leitungszüge können nach bekannten Verfahren, die üblicherweise zur Bildung des dünnen Films angewendet werden, oder nach bekannten Verfahren, die zur Herstellung von gedruckten Schaltungen angewendet v/erden, gebildet werden.

Bevorzugt als Verfahren zur Bildung der Leitungszüge werden das Ätzen des auf dem Träger gebildeten dünnen leitenden Films oder der dünnen Folie zur Erzeugung des Leitungsbildes, ein Verfahren zum Aufdampfen der Leiterbahnen im Vakuum in Form eines Schaltungsbildes, das Verfahren der Kathodenzerstäubung in Form eines Schaltungsbildes, das Verfahren zum Aufbringen von Drähten und ein Verfahren zum Aufbringen des Leitungsbildes durch Plattieren.

Bei einem stärker bevorzugten Verfahren wird ein dünner Film aus dem aus Metall oder einer Legierung bestehenden Leitermaterial, das die Fähigkeit hat, durch Absorption von Strahlungsenergie zu zerfallen, auf dem Träger gebildet, worauf die Strahlungsenergie durch eine Maske aus nichtrostendem Stahl, Chrom od.dgl. zur Einwirkung gebracht wird, wobei ein Bild der Leitungsführung in Form eines dünnen Films und damit die Leitungszüge entstehen. Die Bildung der Leitungszüge erfordert somit nicht das Photoätzverfahren.

Fig. 5A bis Fig. 5E veranschaulichen das Verfahren gemäß der Erfindung zur Bildung der Dünnschichtwiderstände und der Leitungszüge auf einem Hybrid-Schaltungsträger.

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Wie Fig. 5A zeigt, wird die dünne Schicht 22 des Widerstandsmaterials zunächst auf dem Schaltungsträger gebildet. Eine harte Maske wird in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen direkt auf das Widerstandsmaterial gelegt oder in geeignetem Abstand dazu angeordnet, um die Widerstandsbereiche eines kombinierten Bildes (Fig. 5D) eines gewünschten Widerstandsbildes und eines gewünschten Bildes von Leitungszügen abzugrenzen. Dann wird Energie, die über dem Schwellenwert liegt, mit der Energiestrahlungsvorrichtung, z.B. der vorstehend beschriebenen Energiequelle, auf das aufgebrachte Widerstandsmaterial gestrahlt, um das in Fig. 5B dargestellte kombinierte Bild der Widerstandsbahnen 2 zu erzeugen. Dann wird eine Maske 9 als Schicht unter Verwendung eines Plattierungsresists aufgebracht und leitfähiges Metall nur als Bild der Leitungszüge auf die auf dem Träger zurückgebliebene Schicht 2 aus Widerstandsmaterial plattiert. Als Ergebnis werden hierbei die in Fig. 5 dargestellten Leitungszüge 5 auf die Dünnfilmwiderstandsmaterialschicht 22 aufgebracht. Die Bereiche 2, auf die kein leitfähiges Metall aufgebracht worden ist, sind als Widerstände wirksam.

Zur Bildung der Leitungszüge auf den Dünnschichtwiderständen wird als Widerstandsmaterial vorzugsweise Ni, Pt, Cr, Ru, Ta oder eine Legierung dieser Metalle verwendet. Als Plattierungsresist kann ein lichtempfindliches Epoxyharz verwendet werden, das den Vorteil hat, daß es nach dem Plattierungsprozeß nicht entfernt werden muß, sondern als Teil der gedruckten Schaltung sowie als Schutzschicht zum Schutz der gebildeten Widerstände gegen ihre Umgebung verwendet werden kann.

Wenn (siehe Fig. 4) die erfindungsgemäße gedruckte Schaltung mit Durchgangslöchern unter Verwendung eines doppelseitigen oder einseitigen kupferbelegten Laminats

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hergestellt wird, können die Durchgangslöcher durch Kupferplattierung, wie sie üblicherweise bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen angewendet wird, gebildet werden. Wenn ein keramisches Substrat als Träger verwendet wird, kann ein zur Herstellung der Hybrid-IC übliches Verfahren angewendet werden. Das Durchbohren kann vor oder nach der nach dem Trockenprozeß erfolgenden erfindungsgemäßen Erzeugung der Schaltungsbilder erfolgen. Die Innenwände der Durchgangslöcher können gleichzeitig mit dem Metallisierungsprozeß zum Aufbringen der Leitungsbahnen metallisiert werden.

Fig. 6A bis Fig. 6C veranschaulichen eine andere Ausführungsform des Fertigungsverfahrens gemäß der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform wird eine Polymerschicht 8 als Unterlage, d.h. als Grundierschicht für die Widerstandsschicht verwendet, um die Erzeugung des Bildes der Widerstandsbahnen nach dem oben beschriebenen Verfahren der Zerteilung des Widerstandsmaterials durch Energiestrahlung zu erleichtern, da hierdurch die Empfindlichkeit der Bilderzeugung erhöht und der Schwellenwert der Strahlungsenergie gesenkt wird.

Die Polymerschicht 8 beispielsweise aus einem Epoxyharz wird auf die Oberfläche des Trägers 1 aufgebracht (Fig. 6A). Die Dünnfilm-Widerstandsmaterialschicht wird dann auf die Polymerschicht 8 aufgebracht (Fig. 6B). Dann wird Strahlungsenergie 10, z.B. das Blitzlicht einer Xenon-Entladungslampe oder ein Laserstrahl oder ein Elektronenstrahl 10 auf die Oberfläche des Trägers von Fig. 6B durch eine Maske 6 aus einem dünnen Chromfilm, der auf einem Glasträger gebildet worden ist, oder durch eine harte Maske aus dünnem Metallblech beispielsweise aus nichtrostendem Stahl, in dem Öffnungen in einem gewünschten Muster gebildet worden sind,

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zur Einwirkung gebracht (Fig. 6C). Statt dessen kann der Elektronenstrahl oder der Laserstrahl ohne Verwendung der Maske 6 so geführt werden, daß er das gewünschte Energiestrahlungsbild unter Erzeugung eines Hauptbildes der Widerstandsbahnen aufbringt. Die Polymerschicht 8 wird durch die Energiestrahlung nicht beeinflußt.

Im Gegensatz zu der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind zur Erzeugung des Bildes der Dünnfilmwider- stände nach dem bekannten Photoätzverfahren die Stufen des Aufbringens des Resists, das Trocknen, Belichten, Entwickeln, Spülen, Trocknen und Ätzen erforderlich, während beim Verfahren gemäß der Erfindung lediglich die Belichtung notwendig ist, um den gewünschten Dünnfilmwiderstand zu bilden. Im Vergleich zu den komplizierten Maßnahmen des bekannten Verfahrens wird somit beim Verfahren gemäß der Erfindung die Zahl der erforderlichen Stufen wesentlich verringert und damit das Verfahren vereinfacht. Als Apparatur zur Fertigung ist lediglich die Belichtungsvorrichtung erforderlich. Da ferner keine Erfahrung und Geschicklichkeit zur Durchführung des Verfahrens erforderlich ist, kann ein sehr genauer Widerstand hergestellt werden. Das Verfahren gemäß der Erfindung ist somit für die verschiedensten Zwecke anwendbar, bei denen winzige Widerstände oder Miniaturwiderstände erforderlich sind, z.B. für die Bildung der Dünnfilmwiderstandsschaltung auf einem Schaltungsträger oder keramischem Dielektrikum oder zur Bildung des Widerstandes auf einem thermischen Tastkopf.

Das Verfahren gemäß der Erfindung ermöglicht die Fertigung von gedruckten Schaltungen mit einem Bild von feinen Widerständen sowie die Herstellung von Präzisionswiderständen. Im Gegensatz zum bekannten Verfahren

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ist das Verfahren gemäß der Erfindung frei von dem Problem der Alterung infolge Zurückbleibens des Ätzmittels oder der Notwendigkeit des Trimmens. Ferner ermöglicht der Widerstand gemäß der Erfindung eine hohe Packungsdichte und hohe Betriebssicherheit aufgrund des einfachen Fertigungsverfahrens·

Das Verfahren gemäß der Erfindung wird durch die folgenden Beispiele weiter erläutert.

Beispiel 1

Ein Resist wurde im Siebdruckverfahren auf ein kupferbelegtes Laminat aufgebracht, das aus glasfaserverstärktem Phenol-Epoxyharz bestand. Das Kupfer wurde mit einer Eisen(III)-chloridlösung so geätzt, daß eine gedruckte Schaltung mit Leitungsbahnen und zwölf Anschlußenden für Widerstände erhalten wurde. Nach Entfernung des Ätzresists wurde eine Ni-Cr-Legierung als dünner Film auf die gesamte Oberfläche der in dieser Weise gebildeten gedruckten Schaltung in einer Dicke von 50 nm im Vakuum aufgedampft. Dann wurde ein starkes Blitzlicht mit einer Dauer von 100 μ-Sekunden als Einzelschuß einer 1300 W-Xenon-Entladungslampe unter Verwendung eines optischen Systems auf das Leitungsbild und die Teile zwischen den jeweiligen Paaren der zwölf Anschlußenden durch eine Chrommaske, die das Widerstandsbild aufwies, bei Raumtemperatur und Normaldruck zur Einwirkung gebracht, wodurch der dünne Film aus der Ni-Cr-Legierung auf den bestrahlten Teilen zerstreut wurde. In dieser Weise wurden außer dem Bild der Widerstandsbahnen alle Teile des dünnen Films aus der Ni-Cr-Legierung entfernt und sechs Widerstände, nämlich ein Widerstand von 200 kOhm, zwei Widerstände von 1,5 kOhm, ein Widerstand von 3 kOhm, ein Widerstand Von 5 kOhm und ein Widerstand von 10 kOhm, auf der gedruckten Schaltung zwischen den jeweiligen

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Paaren der zwölf Anschlußenden gebildet. Die Widerstandswerte der Widerstände wurden gemessen, wobei festgestellt wurde, daß die Präzision sehr hoch war und +3 % betrug. Das Blitzlicht wurde gemäß der Fig. 2B dargestellten Anordnung zur Einwirkung gebracht und eine Chrommaske als Maske 6 verwendet.

Nachdem die Leitungszüge und die Widerstände auf dem Träger 1 gebildet worden waren, wurde ein Phenol-Epoxyharz der Handelsbezeichnung "XA-564-4" (Hersteller Bostik Japan Co.) in einer Dicke von 5 um aufgebracht, wobei die Anschlußenden, die an Bauelemente außerhalb der gedruckten Schaltung anzuschließen waren, freigelassen wurden. Die Harzschicht wurde dann eine Stunde bei 160⁰C gehärtet, um eine Schutzschicht zu bilden.

Der Träger 1 mit der Schutzschicht wurde dann in ein bei 200°C gehaltenes Lötbad getaucht, wobei Pb-Sn-Lötmittel mit einem Schmelzpunkt von 183°C auf die freiliegenden Anschlußenden aufgebracht wurde. In dieser Weise wurde die gedruckte Schaltung mit Dünnfilmwiderständen hergestellt.

Zur Bildung der Widerstände auf der gedruckten Schaltung genügt beim Verfahren gemäß der Erfindung das Vakuumbedampfen und die Belichtung mit Blitzlicht im Gegensatz zu dem bekannten Verfahren, bei dem die Widerstände durch löten mit den Leitungszügen verbunden werden müssen. Das Herstellungsverfahren ist daher einfach, und die Bestükkungskosten pro Widerstand werden um einen Faktor von etwa drei gesenkt. Da ferner die elektrischen Anschlußteile der Widerstände keine gelöteten Bereiche aufweisen, besteht keine Gefahr, daß Anschlußteile brechen.

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Beispiel 2

Dieser Versuch wurde nach dem durch Fig. 6A bis Fig. 6C veranschaulichten Verfahren durchgeführt. Ein Phenol-Epoxyharz wurde in einer Dicke von 5 pm auf einen quadratischen Aluminiumoxidträger mit einer Kantenlänge von 5 cm und einer Dicke von 0,5 mm aufgebracht. Auf die gesamte Oberfläche der Harzschicht wurde ein Platinfilm in einer Dicke von 30 nm aufgedampft. Hochintensives Laserlicht aus einem Nd.YALG-Laser (Neodym-Yttrium-Aluminium-Granat) mit einer Impulsdauer von 50 u-Sekunden und einer Ausgangsleistung von 50 mJ pro Impuls wurde unter Verwendung eines optischen Systems durch eine Chrommaske so zur Einwirkung gebracht, daß hundert Widerstände mit einem Widerstand von je 5 kOhm + 3,5 % auf dem Träger in quadratischen Bereichen mit einer Kantenlänge von je 4,5 mm gebildet wurden.

Kupferleitungen von 0,08 mm Durchmesser wurden an die gegenüberliegenden Enden der jeweiligen Widerstände gelötet. Das Ganze wurde mit einem Phenol-Epoxyharz in einer Dicke von 20 pm beschichtet, wobei ein Meßkopf für ein Platinwiderstandsthermometer erhalten wurde, der die Änderung des elektrischen Widerstandes mit der Temperatur ausnutzt. In dieser Weise wurde ein feines Widerstandsbild mit hundert Widerständen jeweils in quadratischen Bereichen von 4,5 χ 4,5 mm mit hoher Präzi- . sion hergestellt.

Beispiel 3

Eine Hybridschaltung wurde gemäß der Erfindung wie folgt hergestellt:

Als Widerstandsmaterial wurde eine Ni-Cr-Legierung im Vakuum in einer Dicke von 50 nm auf die gesamte Oberfläche eines keramischen Trägers aufgedampft, der die Leitungs-

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züge enthielt. Das aufgedampfte Widerstandsmaterial wurde durch eine harte Maske aus nichtrostendem Stahl, die mit dem gewünschten Bild versehen war, mit intensivem Blitzlicht aus einer 1500 W-Xenon-Entladungslampe mit einer Dauer von 100 p- Sekunden belichtet. In dieser Weise wurden zwei Widerstände von 100 Ohm, zwei Widerstände von 200 Ohm, zwei Widerstände von 1 kOhm und zwei Widerstände von 2 kOhm zwischen jeweiligen Paaren von Anschlußenden auf der gedruckten Schaltung gebildet. Ferner wurde eine Schaltung mit fünf Widerständen von 3 kOhm gebildet. Dann wurde eine Schutzschicht aus einem Epoxyharz auf den Träger mit Ausnahme der nach außen führenden Anschlußenden aufgebracht. Der überzug wurde thermisch behandelt, um die Schutzschicht vollständig auszuhärten. In dieser Weise wurde eine Dünnfilmschaltung unter Verwendung eines keramischen Trägers hergestellt.

Beispiel 4

Bei dem hier beschriebenen Versuch wurde der Träger vor dem Aufbringen des Widerstandsmaterials auf den in Beispiel 3 beschriebenen keramischen Träger einer Vorbehandlung unterworfen, um die Erzeugung des Bildes der Widerstandsbahnen durch die Energiestrahlung zu erleichtern und zu verbessern.

Eine gedruckte Schaltung mit Leitungszügen auf dem keramischen Träger, auf den ein Phenol-Epoxyharz in einer Dicke von 5 um aufgebracht worden war, wurde hergestellt. Auf die gesamte Oberfläche des Trägers wurde ein Widerstandsmaterial in Form einer Ni-Cr-Legierung in einer Dicke von 50 nm aufgedampft. Mit einem einzelnen Blitz aus einer Xenon-Entladungslampe mit einer Dauer von 100 p- Sekunden wurde der Träger durch eine Chrommaske belichtet, wobei drei 100 Ohm-Widerstände, ein 500 Ohm-

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Widerstand und ein 2 kOhm-Widerstand auf dem Träger gebildet wurden. Im vorliegenden Fall wurde aufgrund der Phenol-Epoxyharz-Unterschicht der Schwellenwert der Energie der Xenon-Entladungsblitzlampe so gesenkt, daß der Zerfall durch die Strahlung bei einer Ausgangsleistung von 1100 W stattfand und das der Chrommaske entsprechende Widerstandsbild gebildet wurde. Anschließend wurde eine Schutzschicht aus dem Epoxyharz auf die Oberfläche des Trägers mit Ausnahme der nach außen führenden Verbindungsteile aufgebracht, worauf das -Ganze erhitzt wurde, um die Schicht vollständig zu härten. In dieser Weise wurde die Dünnschichtschaltung unter Verwendung des keramischen Trägers fertiggestellt.

Beispiel 5

Dieses Beispiel veranschaulicht die Herstellung einer gedruckten Schaltung mit den in Fig. 4 dargestellten Dünnschichtwiderständen.

Ein Epoxyharz der Handelsbezeichnung "XA-564-4" (Hersteller Bostik Japan Co.) wurde auf beide Seiten einer Polyimidfolie in einer solchen Menge aufgetragen, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 15 pm hatte. Das Material wurde dann 30 Minuten auf 180⁰C erhitzt. Auf eine Seite der als Träger dienenden Polyimidfolie wurde Nickel in einer Dicke von 100 nm und auf die andere Seite Nickel-Chrom in einer Dicke von 100 nm aufgedampft , wobei ein Trägermaterial für eine gedruckte Schaltung erhalten wurde." In den unbestückten Schaltungsträger wurden Löcher gestanzt. Auf die Löcher wurde Kupfer schräg in einer Dicke von 4OO nm von der Seite der Nickel-Abscheidung der Polyimid-Trägerfolie aufgedampft.

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der anderen Seite des Laminats erzeugt wurden. Auf die Widerstandsseite des Laminats wurde das Epoxyharz "XA-564-4" in einer solchen Menge aufgebracht, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 10 um hatte. Das Leitungsbild und die Löcher wurden dann stromlos mit dem stromlosen Kupferplattierbad "CP-70" (Hersteller Shipley Co., USA) in einer Dicke von 5 pm plattiert. Die Plattierung wurde dann 60 Minuten bei 180°C gehalten. In dieser Weise wurde die gedruckte Schaltung mit den Widerständen auf einer Seite mit den Leitungszügen auf der anderen Seite durch die Löcher vervollständigt.

Beispiel 7

Der Versuch wurde auf die in Fig. 5A bis Fig. 5E dargestellte Weise durchgeführt.

Das Epoxyharz "XA-564-4" wurde auf die Polyimidfolie in einer solchen Menge aufgebracht, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 10 pm hatte. Die Schicht wurde dann 20 Minuten bei 180°C gehalten, worauf Nickel in einer Dicke von 100 nm aufgedampft wurde. Dann wurde Blitzlicht aus der 1500 W-Xenon-Entladungslampe für eine Dauer von 100 ju-Sekunden durch eine Maske mit dem gewünschten Schaltungsbild zur Einwirkung gebracht. Eine lichtempfindliche Masse auf Basis von Epoxyharz, bestehend aus 20 Gew.-Teilen Epoxyharz "AER-661" (hergestellt von der Anmelderin) (Bisphenol-A, Epoxyäquivalent 450 - 500), 2,06 Gew.-Teilen des Reaktionsprodukts von 1,73 Gew.-Teilen 4-Aminomethyl-1,8-diaminooctan und 1,06 Gew.-Teilen Acrylnitril, 6,22 Gew.-Teilen Tetrabromkohlenstoff und 40 Gew.-Teilen Chloroform, wurde auf das Nickelleitungsbild in einer solchen Menge aufgebracht, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 5 um hatte. Sie wurde dann mit einer 2 kW-Quecksilberdampflampe 2 Minuten durch eine Maske mit dem gewünschten Leitungsbild belichtet. Anschließend wurde die

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Blitzlicht aus einer 1500 W-Xenon-Entladungslampe wurde für eine Dauer von 100 p-Sekunden auf die Nickelleiterschicht und die Nickelchrom-Widerstandsschicht auf dem Träger durch Masken mit dem gewünschten Schaltungsbild zur Einwirkung gebracht. In dieser Weise wurden zwei 5 kOhm-Widerstände, fünf 10 kOhm-Widerstände und ein 80 kOhm-Widerstand auf einer Seite des Schaltungsträgers gebildet. Die Nickelleiterschicht auf der anderen Seite vervollständigte die gewünschte gedruckte Schaltung. Die Abweichung oder Präzision aller Dünnschichtwiderstände der gedruckten Schaltung betrug ;+5 %. Zum Widerstandsbild gehörte ein feines Muster von 20 Linien/mm.

Beispiel 6

Ein Epoxyharz "XA-564-4" (Hersteller Bostik Japan Co.) wurde auf beide Seiten eines glasfaserverstärkten Epoxyharzlaminats in einer solchen Menge aufgebracht, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 25 (am hatte. Die Epoxyharzschicht wurde 20 Minuten bei 180C erhitzt. Auf eine Seite des Laminats wurde Kupfer in einer Dicke von 10 nm aufgedampft. Auf das Kupfer wurde Nickel in einer. Dicke von 10 nm aufgedampft. Auf die andere Seite des Laminats wurde Nickel-Chrom in einer Dicke von 300 nm aufgedampft, wobei ein unbestückter Schaltungsträger erhalten wurde. In den Schaltungsträger wurden Löcher mit Hilfe eines bekannten numerischen Regelsystems gebohrt. Die Wände der Löcher wurden aktiviert, indem eine aus Zinhchlorid und Palladiumchlorid bestehende Aktivierungslösung in die Löcher getropft wurde. Anschließend wurde auf die in Beispiel 5 beschriebene Weise Blitzlicht aus der Xenon-Entladungslampe auf beide Seiten des Laminats durch Masken zur Einwirkung gebracht, wobei das Kupferleitungsbild auf einer Seite des Laminats und das Widerstandsbild auf

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Schaltung 20 Minuten auf 110°C erhitzt und dann mit Aceton entwickelt, wobei die Bereiche, die den Leitungszügen entsprachen, herausgewaschen wurden. Die Leitungszüge wurden dann mit Kupfer unter Verwendung des stromlosen Kupferplattierungsbades "CP-70" in einer Dicke von 5 um stromlos plattiert und dann bei 180 C wärmebehandelt, wobei die gedruckte Schaltung mit einem feinen Bild von Widerständen mit 10 Linien/mm, dem Bild der Leitungszüge, kupferplattierten Leitungszügen und nicht-plattierten Nickel-Dünnfilmwiderständen gebildet wurde.

Beispiel 8

Platin wurde durch Kathodenzerstäubung in einer Dicke von 30 ran auf eine als Schaltungsträger dienende PoIyimidfolie aufgebracht. Der Platinfilm wurde dann mit Blitzlicht aus der 1500 W-Xenon-Entladungslampe für eine Dauer von 100 u-Sekunden belichtet, wodurch das auf die Trägerfolie aufgebrachte Platin selektiv zerteilt und zerstreut wurde. Auf das Platinwiderstandsbild wurde eine lichtempfindliche Epoxyharzmasse aus 20 Gew.-Teilen Epoxyharz "AER-661", 1,9 Gew.-Teilen Diaminodiphenylmethan, 6,3 Gew.-Teilen Tetrabromkohlenstoff und 40 Gew.-Teilen Methyläthylketon in einer solchen Menge aufgebracht, daß die Schicht nach dem Trocknen eine Dicke von 5 pm hatte. Die Epoxyharzmasse wurde mit der 2 kW-Quecksilberdampflampe 2 Minuten durch eine Maske mit dem gewünschten Leitungsbild belichtet, dann 30 Minuten bei 130°C erhitzt und mit Aceton entwickelt, um die den Leitungszügen entsprechenden Teile herauszuwaschen. Dann wurden die Leitungszüge unter Verwendung des stromlosen Kupferplattierbades "CP-70" stromlos mit Kupfer in einer Dicke von 5 pm plattiert. Durch Erhitzen für 60 Minuten bei 180⁰C wurde die gedruckte

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Schaltung mit den als feines Muster angeordneten Platin-Dünnfilmwiderständen mit 10 Linien/mm und den kupferplattierten Leitungszügen in dxchtgepackter Bauweise erhalten.

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-at

L e e r s e i f e

Claims

VON KREISLER SCHONWALD MEYER EiSHOlD FUES VON KREISLER KELLER SELTING

PATENTANWÄLTE Dr.-Ing. von Kreisler ~f"1973

Dr.-Ing. K. Schönwald, Köln Dr.-Ing. Th. Meyer, Köln Dr.-Ing. K. W. Eishold, Bad Soden Dr. J. F. Fues, Köln Dipl.-Chem. Alek von Kreisler, Köln Dipi.-Chem. Carola Keller, Köln Dipl.-Ing. G. Selting, Köln

Ke/AX 5 KÖLN 1, 12. Mai 1978

DEICHMANNHAUS AM HAUPTBAHNHOF

ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA,

2-6, Dojima-hama 1-chome, Kita-ku, Osaka (Japan)

P atentansprüche

Dünnfilmwiderstand aus einem dielektrischen Träger und einer auf eine Seite des Trägers aufgebrachten Dünnfilmwiderstandsschicht, in der durch selektive Einwirkung von Strahlungsenergie im trockenen Zustand auf die geschlossene Dünnfilmwiderstandsschicht unter Zerteilung und Zerstreuung des Widerstandsmaterials an den bestrahlten Teilen ein Widerstandsbild erzeugt worden ist.

2. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger außerdem ein Leitungsbild erzeugt und direkt ohne Löten mit dem Widerstandsbild auf dem Träger verbunden worden ist.

3. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einem Polyimid, Polyamid, Epoxyharz, Polyester, Polystyrol, Polyäthylen, Polyparabonsäure oder einem Phenolharz oder einem Laminat aus diesen Harzen besteht.

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Telefon· (0221) 23 4541-4 · Telex: 8882307 dopa d Telegramm: Dompaient Köln

ORIGINAL INSPECTED

4. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht eine Dicke von 10 nm bis 1 um hat.

5. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsmaterial aus Ni, Ru, Pt, Pd, W, Mo, Ta, Rutheniumoxid und/oder Tantaloxid besteht.

6. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsmaterial hauptsächlich aus einer Ni-Cr-, Co-P-, Ni-B-, Ni-P-, Ni-Ce-, Cr-P-, Ce-P- und/oder Cr-B-Legierung besteht.

7. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnfilmwiderstandsschicht auf eine Seite des Trägers aufgebracht und durch Durchgangslöcher mit einem Leitungsbild auf der anderen Seite des Trägers verbunden ist.

8. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht und ein mit der Widerstandsschicht verbundenes Leitungsmuster auf jeder Seite des Trägers gebildet worden sind und die Leitungsbilder auf beiden Seiten durch Durchgangslöcher miteinander verbunden sind.

9. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitungsbild aus einer durch Plattieren gebildeten leitfähigen Schicht erzeugt worden ist.

10. Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf die gesamte Oberfläche des Trägers eine Polymerschicht aufgebracht und die Dünnfilmwiderstandsschicht auf die Polymerschicht aufgebracht ist.

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.Dünnfilmwiderstand nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus keramischem Werkstoff besteht·

12. Gedruckte Schaltung aus einem Isolierträger, einer auf den Isolierträger aufgebrachten Dünnfilmwiderstandsschicht und einer auf die Dünnfilmwiderstandsschicht aufgebrachten Leiterschicht, wobei die Dünnfilmwiderstandsschicht ein kombiniertes Bild aus einem Widerstandsbild, das die gewünschten Widerstandselemente festlegt und im Trockenprozeß nach dem Energiestrahlungs-Zerstreuungsverfahren gebildet worden ist, und ein Leitungsbild, das die gewünschten Leitungszüge festlegt, aufweist.

13. Gedruckte Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem eine Polymerschicht zwischen dem Isolierträger und der Dünnfilmwiderstandsschicht aufweist.

14. Gedruckte Schaltung nach Anspruch 12 oder 13, gekennzeichnet durch eine als Plattierresist dienende Schutzschicht, die auf die Oberfläche des Isolierträgers mit Ausnahme der Oberfläche des Leitungsbildes aufgebracht ist.

15. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmwiderstandes, dadurch gekennzeichnet, daß man eine geschlossene Dünnfilmwiderstandsschicht auf wenigstens eine Hauptseite eines dielektrischen Trägers aufbringt und die Dünnfilmwiderstandsschicht selektiv mit Energie oberhalb eines kritischen Wertes bestrahlt und hierdurch das Widerstandsmaterial an den bestrahlten Stellen zerteilt und zerstreut und hierdurch das gewünschte Bild von Widerständen erzeugt.

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16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem ein Bild von Leitungszügen auf der gegenüberliegenden Seite des dielektrischen Trägers erzeugt, Durchgangslöcher im dielektrischen Träger bildet und leitfähige Metallschichten auf die inneren Wandungen der Durchgangslöcher aufbringt und hierdurch das Widerstandsbild mit dem Leitungsbild elektrisch verbindet.

17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß man das Dünnfilmwiderstandsbild und ein Leitungsbild auf jeder Seite des dielektrischen Trägers erzeugt, Durchgangslöcher im Träger bildet, leitfähige Metallschichten auf die inneren Wandungen der Durchgangslöcher aufbringt und hierdurch die Widerstandsbilder und die Leitungsbilder auf beiden Seiten des Trägers elektrisch miteinander verbindet.

18. Verfahren nach Anspruch 15, 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß man das Widerstandsbild als kombiniertes Bild des gewünschten Widerstandsbildes und des gewünschten Leitungsbildes erzeugt und das Leitungsbild auf das Widerstandsbild aufbringt.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß man im Rahmen der Erzeugung des Leitungsbildes die Widerstandsmaterialschicht selektiv mit leitfähigem Metall durch ein Plattierresist plattiert.

20. Verfahren nach Anspruch 1.9, dadurch gekennzeichnet, daß man als Plattierresist ein lichtempfindliches Epoxyharz verwendet.

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21. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß man im Rahmen der Erzeugung des Leitungsbildes auf der gegenüberliegenden Seite des Trägers eine geschlossene Dünnfilmwiderstandsschicht auf die gegenüberliegende Seite des Trägers aufbringt, ein Widerstandsbild als Plattiergrundlage mit Hilfe der Energiestrahlungs-Zerstreuungsmethode erzeugt und die Plattiergrundlage mit leitfähigem Metall unter Erzeugung des Bildes von Leitungszügen plattiert.

22. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß man die Dünnfilmwiderstandsschicht auf die gesamte Oberfläche oder ausgewählte Teile des Trägers durch Aufdampfen im Vakuum, Kathodenzerstäubung oder Ionenplattierung aufbringt.

23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß man vor dem Aufbringen der Widerstandsschicht eine polymere Grundierschicht auf der Oberfläche des Trägers aufbringt.

24. Verfahren nach Anspruch 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß man die Dünnfilmwiderstandsschicht in einer Dicke von 10 nm bis 1 pm aufbringt.

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