DE69935780T2

DE69935780T2 - Metallischer integral-dünnschichtresistor mit verbesserter toleranz und vereinfachter verarbeitung

Info

Publication number: DE69935780T2
Application number: DE69935780T
Authority: DE
Inventors: Gregory J. Arlington Heights DUNN; Jovica Downers Grove SAVIC; Allyson Downers Grove BEUHLER
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1998-07-07
Filing date: 1999-06-29
Publication date: 2007-12-27
Anticipated expiration: 2019-06-30
Also published as: EP1053507A1; EP1053507A4; WO2000002088A1; JP2002520809A; EP1053507B1; DE69935780D1; ATE359539T1; US6232042B1; TW425579B

Description

Diese Erfindung wurde mit staatlicher Unterstützung unter der von DRAPPA getroffenden Vereinbarung Nr. F33615-96-2-1838 gemacht. Die Regierung besitzt gewisse Rechte an der Erfindung.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein elektrische Schaltkreise sowie deren Herstellung. Insbesondere betrifft diese Erfindung einen relativ unkomplizierten Prozess zur Herstellung von Dünnfilm- oder Dünnschicht-Metallwiderständen mit verbesserten Abmessungstoleranzen.
2. BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
Dünnfilm-Metallwiderstände wurden in elektronischen Hybridschaltkreisen im Allgemeinen durch Bedampfung im Vakuum auf kleine Substrate eingesetzt. Auf Nickel basierende Zusammensetzungen wie beispielsweise Nickelchrom werden ebenso wie andere Werkstoffe wie beispielsweise Chromsilizid und Tantalnitrid häufig verwendet. Dünnfilm-Widerstände aus Nickelphosphor wurden zudem zur Schichtung oder Laminierung großer Platten Ni-P-be schichteter oder verstärkter Kupferfolie in gedruckten Schaltungskonstruktionen hergestellt, wobei anschließend subtraktive Ätzschritte zur Abgrenzung der Widerstände durchgeführt wurden. Diese subtraktiven Ätzprozesse haben den Nachteil einer schwachen Abmessungssteuerung aufgrund der Unterätzungswirkungen von isotropem Nassätzen. Zur Sicherstellung einer linearen Beziehung zwischen dem Seitenverhältnis des Widerstands (L/W) und dem Widerstand wird oft eine einzige Breite des Widerstands für alle Seitenverhältnisse innerhalb eines Schaltkreises verwendet, wodurch dem Schaltkreis-Layout oder der Schaltkreiskonstruktion eine unerwünschte Einschränkung auferlegt wird. Ein zweiter Nachteil des subtraktiven Ätzens liegt darin, dass sich chemische Ätzflüssigkeiten für das Widerstandsmetall von den bei der Herstellung von Leiterplatten oder gedruckten Schaltungen für gewöhnlich eingesetzten Werkstoffen unterscheiden.
US 5,053,318 beschreibt die Verwendung einer plasmaresistenten oder -beständigen Metallmaske, welche als Sperre zum Schutz einer Photoresistbeschichtung während der Trockenentwicklung der Photoresistbeschichtung verwendet wird.
Dementsprechend wäre es wünschenswert, wenn ein Verfahren zur Verfügung stünde, welches die Komplexität der Bearbeitung metallhaltiger Widerstände reduziert, während zudem eine genaue Steuerung der Toleranzen des Widerstands gefördert würde.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer mikroelektronischen Anordnung bereitgestellt, welche einen Widerstand und insbesondere einen Metall-Widerstandsfilm aufweist, wobei gewünschte Bearbeitungs- und Abmessungseigenschaften erzielt werden. Das Verfahren ist allgemein mit der Aufbringung eines fotosensitiven oder lichtempfindlichen Dielektrikums auf einem Substrat zur Bildung einer dielektrischen Schicht verbunden. Die dielektrische Schicht wird fotobelichtet, so dass ein erster Abschnitt der dielektrischen Schicht auf einem ersten Bereich des Substrats löslich ist, während ein zweiter Abschnitt der dielektrischen Schicht auf einem zweiten Bereich des Substrats nicht löslich oder unlöslich ist. Eine elektrische Widerstandsschicht wird dann auf die dielektrische Schicht aufgebracht, und die dielektrische Schicht wird entwickelt, um gleichzeitig dessen ersten Abschnitt und einen Abschnitt der den ersten Abschnitt überlagernden Widerstandsschicht zu entfernen, so dass ein Abschnitt der Widerstandsschicht auf dem zweiten Abschnitt zur Bildung des Widerstands zurückbleibt. Eine alternative Prozessreihenfolge umfasst die Aufbringung der Widerstandsschicht, bevor die dielektrische Schicht einer Strahlung ausgesetzt wird und die dielektrische Schicht anschließend durch die Widerstandsschicht freigelegt wird. Dieses Verfahren erfordert, dass die Dicke sowie die elektromagnetischen Eigenschaften der Widerstandsschicht eine elektromagnetische Durchdringung der Schicht zulassen, damit eine Aktivierung der fotosensitiven oder lichtempfindlichen Eigenschaften des lichtempfindlichen Dielektrikums ermöglicht wird.
Erfindungsgemäß handelt es sich bei der Widerstandsschicht vorzugsweise um einen mehrschichtigen Film oder einen Überzug aus mehreren Schichten, welcher eine elektrisch widerstandsfähige Schicht wie beispielsweise NiP, NiCr oder eine andere nickelhaltige Legierung sowie eine Trägerschicht wie beispielsweise eine Kupferschicht aufweist. Nachdem die dielektrische Schicht auf die Kupferschicht aufgebracht oder laminiert worden ist, kann diese unter Verwendung herkömmlicher Ätzflüssigkeiten selektiv entfernt werden, damit die Widerstandsschicht auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht verbleibt. Alternativ kann der Widerstandsfilm durch stromlose Abscheidung oder durch Verdampfen oder Sputtern auf die dielektrische Schicht gebildet werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist zudem vorzugsweise mit der Aufbringung einer zweiten dielektrischen Schicht auf die erste dielektrische Schicht verbunden, nachdem die erste dielektrische Schicht entwickelt worden ist, wobei in der zweiten dielektrischen Schicht Öffnungen ausgebildet werden, um Abschnitte der restlichen elektrischen Widerstandsschicht freizulegen, und die exponierten oder freiliegenden Abschnitte der Widerstandsschicht anschließend zur Bildung von Anschlüssen für eine elektrische Verbindung mit der Schicht galvanisiert oder metallisiert werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung bringt das bevorzugte erfindungsgemäße Verfahren nur eine einzige Metallätzung unter Verwendung herkömmlicher Ätzflüssigkeiten mit sich, um den Träger oder die Unterlagschicht des Filmlaminats selektiv zu entfernen. Daher wird die vorliegende Erfindung nicht durch eine Vielzahl von Ätzschritten mit nicht standardmäßigen Ätzflüssigkeiten wie bei den Verfahren des Standes der Technik zur Bildung metallhaltiger Widerstände verkompliziert. Es ist zudem von Bedeutung, dass das vorliegende Verfahren darüber hinaus eine hervorragende Ätzbegrenzung des Widerstands während des Vorgangs des Entfernens des überschüssigen Abschnitts der Widerstandsschicht mit dem löslichen Abschnitt der dielektrischen Schicht erzielt. Als Ergebnis dieses Verfahrens kann die Breite des Widerstands genau ohne jegliche Unterätzung des Widerstands gesteuert werden. Schließlich erreicht das erfindungsgemäße Verfahren eine genaue oder präzise Anordnung der Anschlüsse für den Widerstand unter Verwendung der Abbildungsschärfe, wodurch eine genaue Bestimmung der elektrischen Länge des Widerstands erfolgt. Folglich sind die Abmessungs- und Widerstandstoleranzen eines metallhaltigen Widerstands, welcher durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugt wird, enger als diejenigen, welche bei den Verfahren des Standes der Technik möglich sind.
Andere Aufgaben und Vorteile dieser Erfindung ergeben sich deutlicher aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorstehend genannten und weitere Vorteile der Erfindung werden deutlicher aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den anliegenden Zeichnungen ersichtlich.
Es zeigen:
1 bis 3 Perspektivansichten und 4 einen Querschnitt, welche Prozessschritte zur Bildung eines metallhaltigen Widerstands gemäß einer ersten erfindungsgemaßen Ausführungsform zeigen;
5 bis 8 Perspektivansichten, welche Prozessschritte zur Bildung eines metallhaltigen Widerstands gemäß einer zweiten erfindungsgemaßen Ausführungsform zeigen; und
9 eine Perspektivansicht eines ringförmigen Widerstands, welcher durch die Prozessschritte von entweder 1 mit 4 oder 5 mit 8 gebildet wird.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
In den 1 bis 4 ist ein Abschnitt einer Leiterplatte oder gedruckten Schaltung 10 dargestellt, welche so bearbeitet wurde, dass sie einen erfindungsgemäßen metallhaltigen Widerstand aufweist. Wie es in 4 dargestellt ist, weist der Widerstand 12 eine Widerstandsschicht 14 sowie ein Paar Endstücke 16, welche die elektrische Länge des Widerstands 12 bestimmen. Wie nachfolgend mit Bezug auf die 1 mit 4 beschrieben wird, werden genaue physikalische Abmessungen für den Widerstand 12 mit dieser Erfindung erzielt, so dass der Widerstand 12 genau gesteuerte Widerstandstoleranzen aufweisen kann. Obwohl eine besondere Widerstands-Endstückkonfiguration in 4 gezeigt ist, ist es für Fachleute in der Technik offensichtlich, dass zahlreiche Abänderungen und Modifikationen möglich sind, einschließlich denen von 8 und 9, und dass derartige Abänderungen und Modifikationen innerhalb des Schutzumfangs dieser Erfindung liegen.
Mit Bezug auf 1 ist die Leiterplatte oder gedruckte Schaltung 10 derart gezeigt, dass sie ein Substrat 18 aufweist, auf welchem eine dielektrische Schicht 20 ausgebildet worden ist. Das Substrat 18 kann aus jedem geeigneten Werkstoff gebildet sein, wobei es eine gedruckte Verdrahtungsplatte, einen flexiblen Schaltkreis, ein Keramik- oder Siliziumsubstrat oder eine weitere dielektrische Schicht eines mehrschichtigen Schaltkreises aufweist, obwohl auch andere geeignete Substrate und Werkstoffe verwendet werden können. Die dielektrische Schicht 20 ist aus einem positiven oder negativen fotobelichtbaren Dickfilm-Polymer gebildet, so dass bekannte Fotobelichtungs- und Entwicklungsverfahren eingesetzt werden können, um die dielektrische Schicht 20 zu bemustern. Geeignete Dickfilm-Polymerzusammensetzungen umfassen für gewöhnlich Harz, fotosensitive Mittel und Härter. Bei dem Harzbestandteil kann es sich um jedes geeignete flüssige oder feste Harz handeln, so dass das Harzgemisch leicht auf die Oberfläche des Substrats 18 in flüssiger Form oder als Schichtstoff oder Laminat zur Bildung der dielektrischen Schicht 20 aufgebracht werden kann. Verwendbare Harze schließen thermoplastische Harze, aushärtende oder duroplastische Harze, Elastomere und Gemische davon ein, welche bei der Einbringung zusammen mit einem fotsensitiven Werkstoff eine fotobelichtbare Zusammensetzung ergeben. Erwünschte Eigenschaften für das Dickfilm-Polymer schließen physikalische Eigenschaften ein, welche während der Ablagerung und Fotobelichtung der dielektrischen Schicht 20 stabil bleiben. Erfindungsgemäß dient die dielektrische Schicht 20 als permanente dielektrische Schicht des Schaltkreisgefüges auf dem Substrat 18, so dass die dielektrischen Eigenschaften des Dünnfilm-Polymers ebenfalls vorzugsweise während der Ablagerungs- und Fotobelichtungsprozesse stabil bleiben. Aus den vorstehend genannten Gründen sind Epoxide besonders als das Harz für die dielektrische Schicht 20 geeignet, wobei bevorzugte Zusammensetzungen auf Epoxidbasis LMB 7081 und LMB 7082 sind, welche auf dem Markt von der Firma Ciba-Geigy erhältlich sind.
Aufgrund der Präsenz fotosensitiver Mittel, kann ein Aussetzen oder eine Exposition der elektrischen Schicht 20 einer geeigneten elektromagnetischen Strahlung durch eine Maske (nicht gezeigt) erfolgen, um die dielektrische Schicht 20 fotochemisch präzise zu bemustern. Die dielektrische Schicht 20 wird anschließend zur Entfernung von löslichen Abschnitten der Schicht 20 entwickelt, welche während der Fotobelichtung nicht polymerisiert wurden, während polymerisierte (unlösliche) Abschnitte der Schicht 20 an der Oberfläche des Substrats 18 haften bleiben. In 1 wurde ein erster Abschnitt 22 der dielektrischen Schicht 20 polymerisiert, während der verbleibende oder Restabschnitt 24 der dielektrischen Schicht 20, welcher den Abschnitt 22 umschließt, unpolymerisiert bleibt. Wie aus der nachfolgenden Erörterung deutlich hervorgeht, stellt der polymerisierte Abschnitt 22 die Breite und Länge der in 4 gezeigten Widerstandsschicht 14 her.
In 2 wurde eine Beschichtungsfolie 26 auf die Oberfläche der dielektrischen Schicht 20 vor der Entwicklung der dielektrischen Schicht 20 aufgebracht. Die Folie 26 weist eine Widerstandsschicht 28 sowie eine Opfer-Trägerschicht 30 auf, welche die Schichtaufbringung oder Laminierung der dünnen Widerstandsschicht 28 auf die dielektrische Schicht 20 vereinfacht. In einer bevorzugten Ausführungsform handelt es sich bei der Widerstandsschicht 28 um eine Legierung auf Nickelbasis, vorzugsweise eine Legierung aus Nickelphosphor oder Nickelchrom, während es sich bei der Trägerschicht 30 um Kupferfolie handelt. Eine bevorzugte Widerstandsschicht 28 ist aus einer Nickelphosphor-Legierung gebildet, welche ein Höchstmaß von fünfzig Gewichtsprozent Phosphor bei Ausgleichs- oder Balance-Nickel und unwesentlichen Verunreinigungen enthält. Eine bevorzugte Dicke oder Stärke der Widerstandsschicht 28 beträgt in etwa 0,01 bis in etwa 0,5 Mikrometer, um eine Eindringung der Entwicklerflüssigkeit in die Schicht 28 während der Entwicklung der dielektrischen Schicht 20 zu ermöglichen. Eine bevorzugte Dicke oder Stärke der Kupfer-Trägerschicht 30 beträgt in etwa vier bis in etwa 50 Mikrometer. Nach der Schichtaufbringung der Folie 26 auf die dielektrische Schicht 20 wird die Trägerschicht 30 entfernt, um die an der Oberfläche der dielektrischen Schicht 20 haftende Widerstandsschicht 28 freizulegen. Falls die Trägerschicht 30 aus Kupfer gebildet ist, kann diese auf einfache Art und Weise mit Hilfe bekannter Verfahren abgezogen oder abgestreift werden, beispielsweise mit herkömmlichen alkalischen ammoniakhaltigen Ätzflüssigkeiten.
Wie es in 3 gezeigt ist, wird anschließend die dielektrische Schicht 20 entwickelt, und dadurch wird der Abschnitt der Widerstandsschicht 28, welcher den unpolymerisierten Abschnitt 24 der dielektrischen Schicht 20 überlagert, ebenfalls mit Hilfe des auflösenden dielektrischen Werkstoffs entfernt. Der zurückbleibende Abschnitt der Widerstandsschicht 28 ist dann der Widerstandsfilm 14 des in 4 gezeigten Widerstands 12. Im Anschluss daran wird eine zweite fotostrukturierbare dielektrische Schicht 32 vorzugsweise auf die gedruckte Schaltung 10 aufgebracht, d.h. auf das Substrat 18 und den restlichen Widerstandsfilm 14. Diese dielektrische Schicht 32 wird zur Ausbildung von Öffnungen 34 fotobelichtet und entwickelt, durch welche die Endstücke 16 beispielsweise durch bekannte Metallisierungs- und Galvanisierungsverfahren gebildet werden. Als Ergebnis werden die Kanten des Endstücks 16 derart fotostrukturiert oder scharf abgebildet, dass die elektrische Länge des Widerstands 12 präzise bestimmt werden kann. In einer in den 5 mit 8 gezeigten alternativen Ausführungsform werden die Endstücke oder Begrenzungen 16 durch geeignetes Ätzen der Kupfer-Trägerschicht 30 anstelle des vollständigen Entfernens der Trägerschicht 30, wie es in den 1 mit 4 der Fall ist, gebildet. Ein Nachteil dieses alternativen Ansatzes ist eine verminderte Steuerung der Toleranzen und eine Unterätzung der Endstücke 16 als Ergebnis oder Folge des subtraktiven Ätzschrittes, welcher zur Bildung der Endstücke 16 aus der Kupfer-Trägerschicht 30 eingesetzt wird.
Aus der vorstehenden Beschreibung ist es für Fachleute in der Technik offensichtlich, dass der resultierende Widerstand 12 durch eine präzise Breite, welche der Breite des durch Fotobelichtung erzielten polymerisierten Abschnitts 22 der dielektrischen Schicht 20 entspricht, und durch eine präzise Länge, welche durch die fotobelichteten Öffnungen 34 in der zweiten die lektrischen Schicht 32 bestimmt wird, charakterisiert wird. Modifikationen des vorstehenden Prozesses sind vorhersehbar, während die gewünschte Genauigkeit, welche durch Fotobelichtung möglich wurde, beibehalten wird. Beispielsweise könnte bei ausreichend dünnen Widerstandsschichten 28 oder optisch transparenten Widerstandsschichten 28 wie beispielsweise Indiumzinnoxid, die dielektrische Schicht 20 durch die Widerstandsschicht 28 fotobelichtet werden, anstelle der Fotobelichtung der dielektrischen Schicht 20 vor der Schichtaufbringung oder Laminierung der Folie 26 auf die dielektrische Schicht 20 gemäß obiger Beschreibung. Wenn man so vorgeht, weist die Widerstandsschicht 28 zudem vorzugsweise elektromagnetische Eigenschaften auf, welche eine elektromagnetische Durchdringung der elektromagnetischen Strahlung mit einer vorher festgelegten Frequenz, Ausbreitungsrichtung und Intensität oder Stärke ermöglichen, welche ausreicht, um die fotosensitiven Eigenschaften der dielektrischen Schicht 20 zu aktivieren. Darüber hinaus könnte die Widerstandsschicht 28 durch Eindampfen, Sputtern oder stromloses Abscheiden oder Metallisieren einer Widerstandsschicht auf die dielektrische Schicht 20 gebildet werden.
Obwohl die Erfindung mit Bezug auf besondere Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist es offensichtlich, dass andere Ausführungsformen von einem Fachmann in der Technik herangezogen werden können. Beispielsweise kann die Konfiguration des Widerstands 12 erheblich von den in den 1 mit 8 gezeigten Konfiguration abweichen, wie es durch den in 9 gezeigten ringförmigen Widerstand 12 unter Beweis gestellt wird. Dementsprechend wird der Schutzumfang der Erfindung lediglich durch die nachfolgenden Ansprüche begrenzt.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer mikroelektronischen Anordnung mit einer Widerstandsstruktur (12) auf einem Substrat (18) mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Auftragen eines photosensitiven Dielektrikums auf das Substrat (18) zum Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (20), die den ersten Bereich und den zweiten Bereich abdeckt, wobei das photosensitive Dielektrikum imstande ist, einen löslichen Zustand und einen unlöslichen Zustand zu haben; Aussetzen der ersten dielektrischen Schicht (20) einer elektromagnetischen Strahlung zur Erzeugung des löslichen Zustands für einen ersten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht (20) auf dem ersten Bereich und des unlöslichen Zustands für einen zweiten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht (20) auf dem zweiten Bereich; Auftragen einer elektrischen Widerstandsschicht (28) auf der ersten dielektrischen Schicht (20); und Entwickeln der ersten dielektrischen Schicht (20) zum gleichzeitigen Entfernen des ersten Abschnitts davon und eines Abschnitts der elektrischen Widerstandsschicht (28), der über dem ersten Abschnitt vorhanden ist, so dass ein Restabschnitt der elektrischen Widerstandsschicht (28) auf dem zweiten Abschnitt zurückbleibt.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Auftragens der elektrischen Widerstandsschicht (28) das Laminieren der ersten dielektrischen Schicht (20) mit einem Überzug aus mehreren Schichten als der elektrischen Widerstands- Schicht (28) umfasst, wobei der Überzug aus mehreren Schichten eine Widerstandsschicht und eine Trägerschicht aufweist.
Verfahren nach Anspruch 2, welches des Weiteren den Schritt des Entfernens der Trägerschicht nach dem Laminieren aufweist, um die Widerstandsschicht freizulegen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Auftragens der elektrischen Widerstandsschicht (28) das Laminieren der ersten dielektrischen Schicht (20) mit einem Überzug aus mehreren Schichten, welcher eine Kupferschicht und eine Nickelphosphorschicht aufweist, umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, welches des Weiteren den Schritt der Herstellung der elektrischen Widerstandsschicht (28) als einen Überzug aus mehreren Schichten, welcher eine Widerstandsschicht und eine Trägerschicht umfasst, aufweist, wobei die Widerstandsschicht aus einem Widerstandswerkstoff besteht, der aus einer Gruppe ausgewählt wird, die eine Nickellegierung, Nickelphospor und Nickelchrom aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, welches des Weiteren den Schritt der Herstellung der elektrischen Widerstandsschicht (28) als einen Überzug aus mehreren Schichten, welcher eine Widerstandsschicht und eine Trägerschicht umfasst, aufweist, wobei die Widerstandsschicht aus einer Nickelphosporlegierung besteht und eine Dicke innerhalb eines Bereichs von ungefähr 0,01 Mikrometer bis ungefähr 0,5 Mikrometer aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Auftragens der elektrischen Widerstandsschicht (28) die stromlose Ablagerung der elektrischen Widerstandsschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Auftragens der elektrischen Widerstandsschicht (28) das Sputtern bzw. Zerstäuben der elektrischen Widerstandsschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des selektiven Freilegens der ersten dielektrischen Schicht (20) durch das selektive Freilegen der ersten dielektrischen Schicht (20) durch die elektrische Widerstandsschicht (28) erreicht wird, wobei das Verfahren des Weiteren den Schritt des Bildens der elektrischen Widerstandsschicht (28) mit einer Dicke und elektromagnetischen Eigenschaften umfasst, die ein elektromagnetisches Eindringen durch die elektrische Widerstandsschicht (28) ermöglichen, damit die elektromagnetische Strahlung einer vorher festgelegten Frequenz, eine vorher festgelegte Ausbreitungsrichtung und ein vorher festgelegtes Ausmaß ausreichend genug sind, um die photosensitiven Eigenschaften des photosensitiven Dielektrikums zu aktivieren, was den löslichen Bereich und den unlöslichen Bereich zur Folge hat.
Verfahren nach Anspruch 1, welches des Weiteren die folgenden Schritte umfasst: Auftragen einer zweiten dielektrischen Schicht (32) über der ersten dielektrischen Schicht (20) nach der Entwicklung der ersten dielektrischen Schicht (20); und Bilden von mindestens zwei Öffnungen in der zweiten dielektrischen Schicht (32) zum Freilegen von mindestens einem Teil des Restabschnitts der elektrischen Widerstandsschicht (28).