DE2809261A1 - Durch photonenbestrahlung vernetzbare zusammensetzungen und deren verwendung - Google Patents

Durch photonenbestrahlung vernetzbare zusammensetzungen und deren verwendung

Info

Publication number
DE2809261A1
DE2809261A1 DE19782809261 DE2809261A DE2809261A1 DE 2809261 A1 DE2809261 A1 DE 2809261A1 DE 19782809261 DE19782809261 DE 19782809261 DE 2809261 A DE2809261 A DE 2809261A DE 2809261 A1 DE2809261 A1 DE 2809261A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
irradiation
vinyl monomer
compositions according
copolymer
dipl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782809261
Other languages
English (en)
Other versions
DE2809261C2 (de
Inventor
Francoise Barre
Jean Claude Dubois
Armand Eranian
Maryse Gazard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2809261A1 publication Critical patent/DE2809261A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2809261C2 publication Critical patent/DE2809261C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • G03F7/021Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0212Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the diazo resins or the polymeric diazonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/38Esters containing sulfur
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/111Polymer of unsaturated acid or ester
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/115Cationic or anionic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Description

- 6 Patentanwälte
Dipl.-Ing Dipl.-Chem. Dipl -Ing / O U 3 / D !
E. Prinz - Dr. G. Hauser - G. Leiser
Ernsbergerstrasse 19
8 München 60
THOMSON - CSF 3. März 1978
173» Bd. Haussmann
75008 Paris / Frankreich
Unser Zeichen; T 3063
Durch Photonenbestrahlung vernetzbare Zusammensetzungen
und deren Verwendung
Die Erfindung betrifft durch Photonenbestrahlung vernetzbare Zusammensetzungen, sowie deren Verwendung. Es handelt sich um Photonenstrahlungen sowohl des sichtbaren als auch des unsichtbaren Bereichs, insbesondere um Ultraviolettstrahlung, Röntgenstrahlung oder Gammastrahlung.
Das Phänomen der Vernetzung von sogenannten negativen Harzen, die unter der Einwirkung von Photonenstrahlungen durch wBrücken"-Bildungen zwischen den verschiedenen Ketten von in ihnen enthaltenen Polymerisaten unter Ausbildung eines dreidimensionalen Gitters aushärten, ist bekannt. Das zeigt sich dann bezüglich der den Harzen innewohnenden Eigenschaften in einer Erhöhung ihres Molekulargewichts, das für ihre Unlöslichkeit in Entwicklerlösungen verantwortlich ist.
-7- 2809761
Die im Handel befindlichen vernetzbaren Harze bestehen aus:
- entweder einem sowohl eine vernetzbare als auch eine lichtempfindliche Gruppe enthaltenden Polymerisat;
- einem gleichzeitig ein Polymerisat mit einer vernetzbaren Einheit und einen Photoinitiator oder Photosensibillsator enthaltenden "System".
Nachstehend wird größenordnungsgemäßig die Empfindlichkeit von zwei bekannten vernetzbaren Zusammensetzungen angegeben:
- 4 mJ/cm (bei Photonenbestrahlung mit einer Wellenlänge von 404,7 nm) für das Harz KPR der Marke Kodak;
- 1,3 mJ/cm (bei Photonenbestrahlung mit einer Wellenlänge von 351,1 und 363,8 nm) für das Epoxydharz mit der Handelsbezeichnung "PSE-2"; eine solche Empfindlichkeit erfordert eine Belichtungszeit von etwa 10 Sekunden unter den in der Industrie üblichen Arbeitsbedingungen.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht die Erzielung von höheren Empfindlichkeiten als die der bisher bekannten besten Harze, und zwar in den günstigsten Fällen Empfind-
Henkelten in der Größenordnung eines zehntel mJ/cm .
Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen besitzen noch weitere Vorteile, die nachstehend näher erläutert werden.
- 8 - 7809761
Die durch Photonenbestrahlung vernetzbare erfindungsgemäße Zusammensetzung enthält mindestens einen Stoff, dessen chemische Formel einen Thiiranring (Äthylensulfidring)
zeigt, und sie kennzeichnet sich dadurch, daß dieser Stoff 2,3-Epithiopropylmethacrylat der Formel
R
C H2 -- i
Q-O-CHn-CH -
8 2
ist, worin R ein Wasserstoffatom oder ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist.
Gemäß einem anderen Merkmal der Erfindung enthält die Zusammensetzung mindestens ein Vinylmonomeres der Formel
CH2 = C
C-OR"
2809761
worin R1 entweder Wasserstoff oder eine Alkylgruppe C Hpn -, η = eine ganze Zahl· von 1 bis 10, und R" eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen ist.
Gemäß einem anderen Merkmal der Erfindung enthält die Zusammensetzung außerdem mindestens eines der beiden folgenden Salze:
ein Aryldiazoniumsalz der allgemeinen Formel:
e> "N =N)a (MXb+a)
η ^-
(D
ein Aryliodoniumsalz:
- (Y)n - T2
(2)
worin η * 0 oder 1.
In diesen Formeln bezeichnet:
- der Substituent Δ einen oder mehrere Reste, nämlich:
OH ; - NH2 ; - C H 0 ; - NO3 ; - 0 C II ; - 0 - N
- C H.
8098 36/03
-ίο- ?8Π9?61
- die Buchstaben a und b bezeichnen ganze Zahlen von 1 bis 5;
- das Element M ist ein Metall, nämlich Fe, Sn, Sb oder Bi, oder ein anderes Element, nämlich B, P, As;
- X ist ein Halogen, wie F oder Cl;
- T1 und T2 sind aromatische Reste (die identisch sein können) mit 4 bis 20 Kohlenstoffatomen (Phenyl, Thienyl, Furanyl, Pyrazolyl);
- Y ist ein Rest:
R, - "N (wobei R5 = H oder ein Alkyl, ein Acyl oder eine C-C-Bindung);
R^ -C-Rp (wobei R^ und Rp gleiche oder verschiedene Reste bedeuten, nämlich H oder eine Alkylgruppe mit
1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Alkenylgruppe mit
2 bis 4 Kohlenstoffatomen).
Das Mischpolymerisat aus 1,3-Epithiopropylmethacrylat und dem Vinylmonomeren kann auf folgende Weise erhalten werden:
Man geht von Glycidylmethacrylat der Formel:
809836/0859
?an9?6!
C H2 = C
C - O - C H0 - C H - C
a 2^
aus, das man bei Raumtemperatur in einem Gemisch aus Wasser und Äthanol mit Thioharnstoff der Formel:
N - C - N
reagieren läßt.
Die Reaktion ergibt 2,3-Epithiopropylmethacrylat der Formel:
CH2 = C
C-O-C H0 -CH-CH.
0 b
Dieser Stoff wird mit Äther extrahiert. Die Lösung wird über Natriumsulfat getrocknet. Der Äther wird unter Vakuum ausgetrieben und das verbleibende Produkt wird im Vakuum destilliert.
Das so erhaltene Epithiopropylmethacrylat wird in einem Lösungsmittel, z.B. Benzol, mit einer 20 bis 60 Gew.% entsprechenden Menge des Vinylmonomeren gemischt. Dazu gibt man Azobisisobutyronitril, welches als Copolymerisationskatalysator wirkt. Das Gemisch wird unter Stickstoff eine bis mehrere Stunden auf 800C erwärmt. Nach der Abkühlung erhält man das Mischpolymerisat durch Ausfällung mit Methanol und anschließende Vakuumtrocknung.
Das Vinylmonomere kann beispielsweise auch Butylmethacrylat oder Äthylacrylat sein.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Ausführungen und Beispiele besser verständlich, welche insbesondere auch die Anwendungen des Harzes beschreiben.
In der Formel des Diazoniumsalzes ist das Ion
ein komplexes halogeniertes Anion (X = F oder Cl) mit einem metallischen oder nichtmetallischen Element M (wie vorstehend definiert), wobei die Ladung dieses Anions a ist. Die Anzahl negativer Ladungen zeigt auch die Anzahl von halogenierten Ionen an, die mit der Lewis-Säure M X^ einen Komplex gebildet haben.
Eine analoge Situation besteht mit einer einzigen negativen Ladung an dem halogenierten Anion im Fall des Diaryliodoniumsalzes.
7809761
Diese Salze erzeugen durch Photolyse die Lewis-Säuren M X^, welche chemisch die Vernetzung durch einen kationischen Mechanismus einleiten. Dieser Mechanismus besteht in der Bildung einer Koordinationsbindung zwischen dem eine Elektronendublette liefernden Schwefelatom der Thiiiranringe und dem diese Elektronendublette aufnehmenden Element M.
Die Bildung eines Komplexes mit der Neigung zur Ionenbildung, was auf der stärkeren Polarisierung einer der Bindungen C-S der Thiiranringe beruht, regt die Öffnung der anderen Thiiranringe an, wobei eine kationische Vernetzungsreaktion abläuft.
Μ Xb + Λ " .CN ^> > - c\ <3)
χ" "' χ~ ~χ -> |mxw - S - C - C - S - C - C...
[■
- -14 - ? R Π 9 ? 6
Die Phase (3) ist die Initiierungsphase; die Phase (4) ist die Phase fortschreitender Vernetzung.
Da der Thiiranring durch radikalische Mittel nicht (oder nur wenig) beeinflußt wird, jedoch gegenüber einem Ionenangriff sehr empfindlich ist, ist die zur Vernetzung der "Thiiran"-Harze erforderliche Strahlungsmenge in Anwesenheit von Lewis-Säuren wesentlich geringer als bei Bestrahlung ohne diese.
Die Photovernetzung der erfindungsgemäßen Verbindungen ist eine "ausgelöste" Reaktion. Wenn nämlich einmal der Abbau der Photoinitiatoren (Aryldiazonium- oder Aryliodoniumsalze) eingesetzt hat, d.h. nach Bildung der Lewis-Säuren, kann die Bestrahlung gestoppt werden und die Vernetzungsreaktion kann dann in Abwesenheit einer Bestrahlung, wie jede durch Lewis-Säuren initiierte Polymerisationsreaktion, fortschreiten.
Während die erfindungsgemäßen Harze bei alleiniger Verwendung nur in einem engen Spektralbereich sensibilisiert werden können, ermöglicht der Zusatz der genannten Photoinitiatoren nicht nur eine Zunahme der Empfindlichkeit, sondern auch eine Verbreiterung des spektralen Empfindlichkeitsbereichs, der in bestimmten Fällen bis in den Bereich des sichtbaren Lichts ausgedehnt wird.
Wenn man auf den Substituenten der Arylgruppe im Fall der Aryldiazoniumsalze einwirkt, verschiebt man so den Absorptionsbereich nach dem Sichtbaren. Z.B. bewirkt man mit einem Substituenten wie einem Halogen oder einem Alkylrest eine leichte Verschiebung nach den größeren Wellenlängen hin (bis zu 273 nm für den Substituenten Cl).
- 15 - 78Π9761
Diese Verschiebung wird sehr ausgeprägt, wenn Gruppen mit nichtgebundenen Elektronen ersetzt werden, wie:
-OH;-NH2;-CHO;-NO2 ; - 0 C H3
Zur Erzielung einer Sensibilisierung im Bereich des sichtbaren Lichts muß man z.B. den vorstehend genannten Stoffen sogenannte "photooptische" Stoffe zusetzen, die zur Sensibilisierung der Photoinitiatoren dienen (z.B. der Aryldiazonium- und Aryliodoniumsalze). Im allgemeinen erfolgt die Sensibilisierung durch Übertragung der Energie aus dem "triplet"-Zustand des Sensibilisators (Donator) auf den "triplef-Zustand des Initiators (Akzeptor), wobei der Photoabbau unter der Wirkung dieser Energiezufuhr vor sich geht.
Je nach dem gewünschten spektralen Sensibilisierungsbereich können die "photooptischen" Stoffe zu verschiedenen Farbstoffgruppen gehören, vorausgesetzt, daß diese Farbstoffe nicht die in der Initiierungsphase gebildeten Lewis-Säuren zerstören, und daß ihre Energieniveaus an diejenigen der verwendeten Photoinitiatoren angepaßt sind, um eine wirksame Energieübertragung zu ermöglichen.
Als Beispiele seien genannt: die !Cumarine, die Xanthene, die Acridine, die Thiopyronine, die Safranine, die Thiazine, die Oxazine, die Cyanine (Carbocyanine, Oxacyanine, Thiacyanine), die gefärbten polycyclischen aromatischen Kohlenwasserstoffe, und schließlich Verbindungen mit parasubstituierten Aminostyrylgruppen.
Wie bereits vorstehend gesagt wurde, können die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen durch ionisierende Strahlungen, z.B. Röntgen- oder Gammastrahlung, vernetzt werden. Ihre Empfindlichkeiten gegenüber diesen Strahlungen sind um etwa zehnmal höher als diejenigen der entsprechenden "Epoxyd"-Harze, und betragen z.B. 80 j/cm anstelle von 7^0 J/cnr für eine Bestrahlung mit einer Wellenlänge von 8,34 Ä.
Im Fall einer Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen (Spektralbereich, in welchem die photoelektrische Absorption die Compton-Diffusion überwiegt), z.B. für Photonen mit einer Energie zwischen etwa 0,1 und 10 KeV, kann man außerdem die Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen Verbindungen gegenüber derjenigen der Epoxydharze dadurch verstärken, daß man ihren Absorptionskoeffizienten für Röntgenstrahlen durch Optimalisierung der Wellenlänge der Bestrahlung erhöht, wie dies nachstehend erläutert wird.
Es ist bekannt, daß die Empfindlichkeit eines Harzes für eine Strahlung von der Energie der einfallenden Photonen, die es absorbiert, abhängt. Sein sogenannter "X-photoelektrischer" Absorptionskoeffizient ist eine ausgewogene Summe der Absorptionskoeffizienten der verschiedenen Atomarten, aus denen das Harz besteht. Diese Koeffizienten nehmen mit der Wellenlänge der einfallenden Strahlung (proportional der dritten Potenz derselben) und mit der Atomzahl des absorbierenden Stoffs (proportional der vierten Potenz) zwischen den Quantensprüngen, welche die photoelektrische Absorption kennzeichnen, zu. Diese den Ionisierungspotentialen der verschiedenen Energieniveaus entsprechenden Sprünge sind für jede Atomart charakteristisch.
2809761
Um die Empfindlichkeit für weiche Röntgenstrahlen der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen zu erhöhen, wählt man z.B. die Wellenlänge der Röntgenstrahlen in dem jenseits einem Quantensprung von Sauerstoff und diesseits eines der folgenden Quantenspriinge von Schwefel gelegenen Spektralbereichs.
Zwischen der Wellenlänge von 76,05 Ä (Quantensprung L11 des Schwefels) und von 23,30 Ä (Quantensprung K von Sauerstoff) ist somit der Absorptionskoeffizient des Schwefels sieben- bis zwanzigmal größer als derjenige des Sauerstoffs, während diese beiden Koeffizienten für kürzere Wellenlängen etwa den gleichen Wert von 23 000 cm" bis 22,3 Ä besitzen; der Absorptionskoeffizient des Sauerstoffs wird bei höheren Wellenlängen (55 700 bzw. 24 900 cm"1 bis 109 S) größer als derjenige des Schwefels.
Die nachstehende Tabelle zeigt die Absorptionskoeffizienten der Atome Sauerstoff und Schwefel für bestimmte Wellenlängen (oder Photonenenergien) in dem für eine Erhöhung der Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen Verbindungen günstigen Bereich; die gewählten Wellenlängen sind diejenigen der Spektrallinien verschiedener, in dem betrachteten Bereich emittierender Atome.
809836/08 5 9
7ΒΠ9761
λ (Λ) E(KeV) Art der ausge
sandten Spek
trallinie
0(cm x) S(om x) 0
23,6
27,1J
31Jl
31,6
44,7
58, 4
64,4
67,6
72,2
0,525
0,452
0,395
0,392
0,277
0,212
0,193
0,183
0,172
0 - K
α
Ti - L Λ ο
al,2
Ti - L1
N-K
a
C-K
w - Vvii
B-K
a
Nb-M
1368
2002
2825
2881
6890
13247
I6587
188*14
21842
25931
37943
50798
51605
99236
1266OI
144465
153553
165145
19,7
18,95
18,0
17,9
14,4
9,6
8,7
8,15
7,6
In dem genannten Bereich ermöglicht die Verwendung von Photoinitiatoren wie den komplexen Aryldiazonium- und Diaryliodoniumsalzen die Erhöhung der Empfindlichkeit der Verbindungen mit Thiiranring, wobei die Röntgen- oder Gammaphotonen in gleicher Weise den Abbau dieser Salze zu Lewis-Säuren anregen.
Im übrigen ermöglicht im Bereich der weichen Röntgenstrahlen, wo die photoelektrische Absorption überwiegt, die Wahl des Photoinitiators, insbesondere die Wahl des Elements M in der allgemeinen Formel des komplexen Salzes, eine Erhöhung der Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen Verbindungen, wie dies nachstehend gezeigt wird.
?8Π9?61
Man -weiß nämlich, daß ganz allgemein der Mechanismus der Wechselwirkung zwischen Strahlung und empfindlichem Harz über eine Energieübertragung der chemischen Gruppe oder des absorbierenden Atoms des Harzes in Richtung auf seinen empfindlichen Teil verläuft. Die Wirksamkeit dieser Übertragung hängt von dem Abstand zwischen diesen beiden "Einheiten" ab.
Man kann daher aus dem geringen Abstand zwischen der absorbierenden Gruppe und der empfindlichen Gruppe im Fall der Verwendung der genannten komplexen Salze Nutzen ziehen, d.h. aus der engen Nachbarschaft zwischen dem Schwefelatom des Thiiranrings und dem Element M der Lewis-Säure. Dieses Element wird deshalb in Abhängigkeit von seinem Absorptionskoeffizienten für Röntgenphotonen gewählt.
Die nachstehende Tabelle nennt Absorptionskoeffizienten in cm"1 für fünf Elemente M in fünf Fällen, die durch die Emission verschiedener Atomspektrallinien gekennzeichnet sind.
8,31I A 13,3 A 23,6 A
Elemenx*""--^^ Linie K Λ o von Al
al, 2
Linie L . 2 von Cu Linie Ka von 1Ό
Fe 27071 84173 31504
Sn 24350 70344 I68788
Sb 23522 63625 22870
Bi 2658Ο 62137 123689
As 30942 14359 50453
44,7 A 72,2 A
Element ^^-~>^^ Linie K von C
α
Linie M von Nb
Fe 104724 221196
Sn 46287 47932
Sb 14167 44181
Bi 92918 32019
As 159867 268336
Verwendung der Zusammensetzungen und Anwendungsbeispiele;
Im folgenden werden die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen als "Thiiranharz" bezeichnet.
Man kann zwei grundsätzliche Verwendungen der Thiiranharze nennen.
Der erste Fall ist die Herstellung von Masken "in situ" während der Herstellung elektronischer Bauteile, wobei die Masken für die elektronische Maskierung bestimmt sind. Es ist dies die insbesondere zur Herstellung integrierter Schaltungen angewendete Mikrolithographie.
Der zweite Fall ist die Behandlung verschiedener Gegenstände mit dem Ziel, sie mit einer Schutzschicht zu versehen; es trifft dies für Umhüllungen elektrischer Kabel und Möbelstücke zu.
#09816/0359
In den beiden Fällen beginnt man mit der Herstellung einer Lösung des Thiiranharzes in einem Lösungsmittel, z.B. Butanon-2.
Im ersten Fall bringt man die Lösung auf ein mehrere in der Herstellung begriffene integrierte Schaltungen enthaltendes Substrat oder Plättchen auf, und zwar mittels einer Zentrifugiervorrichtung. Je nach der Rotationsgeschwindigkeit des Substrats erhält man eine Schicht mit unterschiedlicher Dicke von z.B. 200 bis 500 Nanometer.
Die Bestrahlung erfolgt dann mittels einer Quelle für aktinisches Licht (sichtbar oder ultraviolett) z.B. mittels einer Deuteriumlampe, einer Quecksilberdampflampe, einer Xenonlampe, einer Kohlebogenlampe, einer Lampe mit Wolframdraht oder einem Laser, z.B. einem Laser mit organischen Molekülen (z.B. organischer Scintillator oder Farbstoff).
Im zweiten Fall verfährt man entweder in gleicher Weise oder durch Tauchen oder durch Aufstäuben. Die Schicht wird in der Regel bei Anwendung dieser beiden letzteren Verfahren dicker, was zur Erzielung eines wirksamen Schutzes günstig ist.
Die Bestrahlung soll in diesem zweiten Fall in die Tiefe wirken, weshalb man zweckmäßig eine eindringende Strahlung, z.B. weiche Röntgenstrahlen, verwendet. Man verwendet zu diesem Zweck entweder ein Synchrotron oder eine Vorrichtung mit einer Elektronenkanone und einer in Abhängigkeit von der gewünschten Wellenlänge gewählten Antikatode: Rhodium (Linie im Spektrum bei 4,6 £), Molybdän (Linie
98 38/0859
bei 5,41 Ä), Aluminium (Linie bei 8,34 S), Kupfer (Linie bei 13,3 Ä), Kohlenstoff (Linie bei 44,7 S). Schließlich kann man auch die von einer klassischen Cäsium- oder Kobaltquelle stammenden Gammastrahlen verwenden.
Beispiel 1;
Dieses Beispiel betrifft die Photovernetzung eines allein verwendeten Thiiranharzes für seine Verwendung in der Mikrolithographie.
1,5 g eines Copolymerisate aus Epithio-2,3-propylmethacrylat und Methylacrylat (im Verhältnis 1:1) werden in Butanon-2 unter Erzielung einer 1Oxigen Lösung gelöst.
Ein Substrat aus oxidiertem Silicium (500 bis 100 S Siliciumoxid) wird dann durch Zentrifugation mit diesem Harz beschichtet.
Das so behandelte Substrat wird dann mit einer Hochdruck-Quecksilberdampflampe, z.B. einer 125 Watt-Lampe der Bezeichnung HPR 125 von Philips, belichtet. Der Abstand Lichtquelle-Probe beträgt 12 cm. Die von der Probe aufgenommene Strahlungsmenge beträgt 4,33 mW/cm bei 365 nm. Die Bestrahlungsdauer wird empirisch zur Erzielung einer Vernetzung in 70 % der Dicke der Harzschicht geregelt.
609816/0859
. 23 _ 7809761
Die Entwicklung erfolgt durch Aufsprühen einer Mischung von Butanon-2 und Äthanol in einem Verhältnis von 5 : 1,8 während 30 Sekunden, gefolgt von einer Aufsprühung von Isopropanol während etwa der gleichen Dauer.
Beispiel 2;
Dieses Beispiel betrifft ebenfalls die Anwendung für die Mikrolithographie, jedoch unter Verwendung eines mit einem Photoinitiator gemischten Harzes, das bei Bestrahlung Lewis-Säuren bildet, welche die Vernetzung auslösen.
Der verwendete Photoinitiator ist ein Komplexsalz von Aryldiazonium, nämlich Hexafluorantimonat von p-Diazo-Ν,Ν-diäthylanilin, das eine Absorption im Ultraviolett bei 375 nm zeigt. Dieses Salz wird aus einer wäßrigen Lösung des Fluoborats von p-Diazo-N,N-diäthylanilin durch Zugabe von Natriumhexafluorantimonat ausgefällt.
3,19 g des augefällten Fluoborats (d.h. 1,21 χ 10~2 Mol), gelöst in 90 ecm zweifach destilliertem Wasser, versetzt man mit einer frisch hergestellten wäßrigen Lösung von Na Sb Fg, die 3,14 g dieser Verbindung in 2,5 cm zweifach destilliertem Wasser enthält. Der Niederschlag wird abfiltriert und dann unter Vakuum getrocknet. Die Ausbeute beträgt 55,4 %.
Unter Ausschluß jeglicher aktinischer Strahlung löst man 0,0375 g des so erhaltenen Photoinitiators in einer derjenigen des ersten Beispiels analogen Lösung von Thiiranharz. Die Menge an Photoinitiator wird so berechnet, daß man 5 Gew.%, bezogen auf das Harzgewicht, erhält.
609836/0859
- 24 - ?8Π9?6 1
Ein unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 mit dem Harz beschichtetes Substrat aus oxidiertem Silicium wird in gleicher Weise, jedoch während einer anderen Zeitdauer belichtet, bis 70 % der Dicke der Harzschicht vernetzt sind.
Beispiel 3:
Dieses Beispiel entspricht dem ersten, jedoch wird mit weichen Röntgenstrahlen bestrahlt.
2 g des Copolymerisate von Epithio-2,3-propylmethacrylat und Methylmethacrylat (in einem Verhältnis von 1 : 2) werden in 22,3 cm Butanon-2 unter Erhalt einer 1Obigen Lösung gelöst. Eine Abscheidung dieses Harzes durch Zentrifugieren (mit 8000 U/Min.) auf einem Substrat aus oxidiertem Silicium ermöglicht die Erzielung einer 5200 S dicken Harzschicht.
Die Röntgenbestrahlung erfolgt durch Elektronenbeschuß einer Antikatode aus Aluminium mittels einer Kanone mit einer Leistung von 300 W (Intensität von 50 mA und eine Beschleunigungsspannung von 6 kV). Die beobachtete Emission ist die der K λ ~ Linie von Aluminium, d.h. eine Wellenlänge von 8,34 Ä. Die Röntgenstrahlung nach Filtration durch eine 2 um dicke Aluminiumfolie (zur Ausschaltung der energieärmsten Komponente der Bremsstrahlung) wird zu 398,5 mW pro cm berechnet. Die Bestrahlungsdauer beträgt 1 Minute und 45 Sekunden, entsprechend einer absorbierten Menge von 80 J/cm^ zur Vernetzung von 70 % der Dicke der Harzschicht nach Entwicklung mit dem gleichen Gemisch wie in dem ersten Beispiel und unter den gleichen Bedingungen wie dort.
Beispiel 4;
Dieses Beispiel ist analog dem zweiten, jedoch erfolgt die Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen.
Eine Lösung von Thiiranharz (Copolymerisat von Epithio-2,3-propylmethacrylat und Methylmethacrylat) wird unter den gleichen Bedingungen wie im Fall der vorhergehenden drei Beispiele hergestellt. Der Photoinitiator des zweiten Beispiels wird der Lösung in einer Menge von 5 Gew.#, bezogen auf das Gewicht des Harzes, zugesetzt.
Die Röntgenbestrahlung erfolgt unter den gleichen Bedingungen wie im dritten Beispiel. Die Dauer der Bestrahlung wird empirisch so geregelt, daß man eine Vernetzung von 70 % der Dicke der Harzschicht erzielt.
809836/0859

Claims (13)

Patentanwälte Dipl.-Ing. Dipl.-Chem. Dipl.-Ing. 2 8 O 9 2. O 1 E. Prinz - Dr. G. Hauser - G. Leiser Ernsbergerstrasse 19 8 München 60 THOMSON - CSF 3. März 1978 173, Bd. Haussmann Paris / Frankreich Unser Zeichen: T 3063 P atentansprüche
1. Durch Phontonenbestrahlung vernetzbare Zusammensetzung, die mindestens ein Copolymerisat mit einem Thiiranring
C-C S ^
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymerisat mindestens ein aus 2,3-Epithiopropylmethacrylat der Formel
C - 0 - C H2 - C H - CIi2 0 ^S
bestehendes Monomeres enthält.
809836/0859
ORIGINAL INSPECTED
-2- 2809761
2. Zusammensetzungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymerisat noch ein Vinylmonomeres der Formel
-OR1
enthält, worin R entweder Wasserstoff oder eine Alkylgruppe Cn H2n+1, worin η eine ganze Zahl von 1 bis ist, und R1 eine Alkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen bedeutet.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie noch ein Aryldiazoniumsalz der allgemeinen Formel
enthält, in welcher a und b ganze Zahlen von 1 bis bedeuten und Δ ein oder mehrere Reste der folgenden Gruppe
-OHj-NH2;-CHO;-OCH3;-NO2; - © - N O2; und - 0 - C H3
darstellt, und worin M ein Element, und zwar Fe, Sn, Sb, Bi, B, P, As bedeutet, und X ein Halogen ist.
Ziasaatmeanseitsaaaag:
si©
li Ii5
fleir
w©2"laa aa iD ©äeat" 11 fe
unit 4 Ms 20 E©M.«üist©ifatiainEm simfl;
Wasserstoff «sflea* siaa jjillryl— ©äer eiiae € - C - Biaflaasag isifc;
$L· — G — Β!«, ■Märiaa 3L· tiaaaä.
Beste, z.B. H ofler eiaa MJtylrest st©f f atojmeaa. ®&<&τ ein JOJkea^lrsst;
'alls
mil; 1 bis 4 E©MLoa 2 Isis
4 K©MJLei32
= Fe, Sm? Eh9 Bis B9 P3 As;
= ein iSalogeia
= eine gaaaze Z©3al -von 1 Bis 5-
8 β 1S / O S K 9
5. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie noch einen Farbstoff enthält.
6. Zusammensetzung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Farbstoff zu einer der folgenden Familien gehört: Kumarine, Xanthene, Acridine, Thiopyronine, Safranine, Thiazine, Oxazine,(Carbocyanine, Oxacyanine, Thiacyanine), polycyclische aromatische Kohlenwasserstoffe, mindestens eine parasubstituierte Aminostyrylgruppe enthaltende Verbindungen.
7. Zusammensetzungen nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vinylmonomere Äthylmethacrylat ist.
8. Zusammensetzungen nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vinylmonomere Butylmethacrylat ist.
9. Zusammensetzungen nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vinylmonomere Äthylacrylat ist.
10. Verfahren zur Verwendung einer Verbindung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche zur Bildung einer Maske für die Herstellung elektronischer Bauteile, gekennzeichnet durch mindestens die folgenden Verfahrensstufen:
a) Lösung der Zusammensetzung in einer bestimmten Lösungsmittelmenge ;
b) Aufbringung der erhaltenen Flüssigkeit als dünne Schicht auf einen vorherbestimmten Teil eines zu einem elektronischen Bauteil gehörenden Substrats;
c) Bestrahlung vorherbestimmter Teile des Substrats.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß in der Stufe a) das Lösungsmittel Butanon-2 ist, daß in der Stufe b) die Aufbringung durch Zentrifugieren erfolgt, und daß in Stufe c) die Bestrahlung mit aktinischem Licht oder einer ionisierenden Strahlung erfolgt.
12. Verfahren zur Verwendung einer Zusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 für die Herstellung einer Schutzschicht gegen atmosphärische Einflüsse auf einem gewerblichen Gegenstand, gekennzeichnet durch mindestens die folgenden Verfahrensstufen:
a) Lösung der Verbindung in einer vorherbestimmten Lösungsmittelmenge;
b) Aufbringung der erhaltenen Flüssigkeit als dünne Schicht auf den zu schützenden Gegenstand durch Tauchen oder Aufstäuben;
c) Photonenbestrahlung der dünnen Schicht.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen oder Gammastrahlen erfolgt.
809835/0853
DE19782809261 1977-03-04 1978-03-03 Durch photonenbestrahlung vernetzbare zusammensetzungen und deren verwendung Granted DE2809261A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7706441A FR2382709A1 (fr) 1977-03-04 1977-03-04 Famille de composes comportant un cycle thiirane, reticulables par irradiation photonique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2809261A1 true DE2809261A1 (de) 1978-09-07
DE2809261C2 DE2809261C2 (de) 1987-04-30

Family

ID=9187592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782809261 Granted DE2809261A1 (de) 1977-03-04 1978-03-03 Durch photonenbestrahlung vernetzbare zusammensetzungen und deren verwendung

Country Status (5)

Country Link
US (3) US4259162A (de)
JP (1) JPS5914499B2 (de)
DE (1) DE2809261A1 (de)
FR (1) FR2382709A1 (de)
GB (1) GB1580302A (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2472768A1 (fr) * 1979-12-27 1981-07-03 Thomson Csf Composition photopolymerisable comportant un cycle thiirane, procede de revetement d'une fibre optique utilisant une telle composition, et fibre ainsi revetue
JPS5759920A (en) * 1980-09-29 1982-04-10 Hiroaki Egawa Photocrosslinkable resin composition
JPS57158253A (en) * 1981-03-26 1982-09-30 Hiroaki Egawa Photo-crosslinkable resin composition
JPS59180543A (ja) * 1983-03-31 1984-10-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性組成物
US4550059A (en) * 1983-08-04 1985-10-29 Gentex Corporation Method of forming a tintable abrasion-resistant coating on a substrate and article produced thereby
GB2163435B (en) * 1984-07-11 1987-07-22 Asahi Chemical Ind Image-forming materials sensitive to high-energy beam
JPH0785168B2 (ja) * 1986-04-26 1995-09-13 日本合成ゴム株式会社 放射線感応性重合体組成物
FR2630744B1 (fr) * 1988-04-29 1992-04-17 Thomson Csf Procede d'obtention d'un materiau polymere utilisable en optique non lineaire et materiau polymere obtenu
GB2327892B (en) 1997-07-31 2001-11-14 Perstorp Ltd Improvements in or relating to curable coating
AU1245401A (en) * 1999-10-29 2001-05-14 Avery Dennison Corporation An apparatus for high-throughput production of coat material arrays, and analytical methods using such arrays
US7448258B2 (en) * 1999-10-29 2008-11-11 Avery Dennison Corporation High throughput screening for moisture barrier characteristics of materials
TWI482814B (zh) * 2007-03-16 2015-05-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 光學材料用樹脂組成物及由該組成物得到之光學材料
JP4930405B2 (ja) * 2007-03-16 2012-05-16 三菱瓦斯化学株式会社 光学材料
US9051426B2 (en) * 2011-09-08 2015-06-09 Ppg Industries Ohio, Inc. Polymerizable compositions containing ethylenically unsaturated monomers having episulfide functional groups and related methods
CN106886128B (zh) * 2017-03-28 2021-02-19 深圳市道尔顿电子材料有限公司 一种负性光刻胶

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA888111A (en) 1971-12-14 W. H. Howson Limited Lithographic printing plates
US3364184A (en) * 1959-12-04 1968-01-16 Shell Oil Co Oil - soluble polymeric glycidyl compounds and functional organic compositions containing them
US3404158A (en) * 1964-05-18 1968-10-01 Thiokol Chemical Corp Thioglycidyl compounds
GB1235281A (en) 1967-02-18 1971-06-09 Howson Algraphy Ltd Improvements in or relating to lithographic printing plates
FR1534152A (fr) 1967-08-10 1968-07-26 Basf Ag Procédé de fabrication de copolymères réticulables
US3708296A (en) * 1968-08-20 1973-01-02 American Can Co Photopolymerization of epoxy monomers
US4058400A (en) * 1974-05-02 1977-11-15 General Electric Company Cationically polymerizable compositions containing group VIa onium salts
US3997344A (en) * 1974-07-05 1976-12-14 American Can Company Dry positive photopolymer imaging process involving heating and application of toner
FR2352007A1 (fr) * 1976-05-21 1977-12-16 Thomson Csf Resine sensible aux electrons et procede de fabrication de ladite resine
US4130424A (en) * 1976-08-06 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process using radiation curable epoxy containing resist and resultant product
FR2441634A1 (fr) * 1978-11-14 1980-06-13 Thomson Csf Resine a cycle thietane reticulable par irradiation electronique ou photonique et son utilisation pour la fabrication de composants electroniques et de couches de protection

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of Polymer Science, Vol. A3, Issue Nr. 7, S. 2701-2703 *

Also Published As

Publication number Publication date
US4259162A (en) 1981-03-31
GB1580302A (en) 1980-12-03
FR2382709B1 (de) 1981-06-19
DE2809261C2 (de) 1987-04-30
FR2382709A1 (fr) 1978-09-29
JPS53109550A (en) 1978-09-25
JPS5914499B2 (ja) 1984-04-04
US4414081A (en) 1983-11-08
US4285788A (en) 1981-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2809261A1 (de) Durch photonenbestrahlung vernetzbare zusammensetzungen und deren verwendung
EP0006626B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
DE2159908A1 (de) Lichtempfindliche Masse, insbesondere fur lhogrhisce Zwecke
DE2035890B2 (de) Verfahren zur polymerisation von monomeren epoxyden
DE19956531A1 (de) Vernetzer für ein Photoresist und diesen enthaltende Photoresistzusammensetzung
DE3337024A1 (de) Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
DE2356476A1 (de) Verfahren zur herstellung von bildschirmen fuer kathodenstrahlroehren
DE3135399A1 (de) Photoinitiator fuer die photopolymerisation von eineradditionspolymerisation zugaenglichen verbindungen
DE2655455A1 (de) Strahlungsempfindliche lackstruktur und ihre verwendung
DE3730783A1 (de) Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4400975A1 (de) Verfahren zum Ausbilden von Mustern
DE3817306A1 (de) Polysilanverbindung und diese enthaltende lichtempfindliche beschichtungsmasse
DE3219438A1 (de) Lichtempfindlicher koerper
DE2743763A1 (de) Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske
DE19956532A1 (de) Vernetzer für ein Photoresist und diesen enthaltende Photoresistzusammensetzung
EP0510443A1 (de) Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE2125457A1 (de) Photopolymerisierbare Kunststoffmasse
DE2911286C2 (de) Photodepolymerisierbares Gemisch
DE2826894B2 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Filmschichtträgers
DE2058345A1 (de) Lichtempfindliches polymeres azidgruppenhaltiges Material
DE2806928C3 (de) Strahlungsempfindliches Material und seine Verwendung als Resistmaterial
DE2722951A1 (de) Gegenueber elektronen empfindliches harz und verfahren zu seiner herstellung
DE2361141A1 (de) Photopolymerisierbare materialien und verfahren zur photopolymerisation
DE2946205C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters
EP0762206A2 (de) Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: C08F220/38

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: PRINZ, E., DIPL.-ING. LEISER, G., DIPL.-ING., PAT.

8125 Change of the main classification

Ipc: C08L 33/10

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee