DE2806162C2 - - Google Patents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D59/00—Separation of different isotopes of the same chemical element
- B01D59/34—Separation by photochemical methods
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Trennen
von Uranisotopverbindungen mit Hilfe eines Infrarotlasers.
Die Isotopentrennung mit Lasern hat den Vorteil, daß der Trennungskoeffizient
im allgemeinen sehr hoch ist und die Trennkosten daher
gesenkt werden können. Die Laser-Isotopentrennung eignet sich
insbesondere für solche Fälle, bei denen Isotopen mit einem sehr
kleinen Molekulargewichtsverhältnis getrennt werden sollen. Dies
trifft z. B. für die Trennung von Uranisotopen mit dem Ziel der
Anreicherung von ²³⁵U zu.
Bekanntlich liegt das Molekulargewicht der Uranisotopen sehr nahe,
so daß bisher mehrstufige Verfahren angewandt wurden, z. B.
das Diffusions- oder Zentrifugenverfahren, die einen beträchtlich
höheren Kostenaufwand erfordern.
Die photochemische Isotopentrennung kann je nach der verwendeten
Wellenlänge, d. h. sichtbares Licht oder Infrarotlicht, unterteilt
werden. Es ist auch bekannt, daß sich Laser aufgrund ihrer
monochromatischen Strahlung und hohen Intensität als Lichtquellen
eignen. Erfolgt die Trennung mit einem Laserstrahl im sichtbaren
Bereich, so beträgt die Isotopenverschiebung der zu absorbierenden
Wellenlänge, d. h. die Wellenlängendifferenz zwischen den
Absorptionen der jeweiligen Uranisotopen im Metalldampf, nur
0,08 Å bei 5915,4 Å und die Ausgangsleistung der verfügbaren
Laser ist nur sehr klein. Außerdem ist die Energieübertragung
von der selektiv angeregten Isotopverbindung zu der anderen
Isotopverbindung relativ groß, da das angeregte Energieniveau
der Isotopverbindung relativ hoch liegt.
Wenn andererseits gasförmiges Uranhexafluorid mit einem Infrarot-
Laserstrahl selektiv angeregt wird, beträgt die Isotopverschiebung
z. B. für den ν₃-Schwingungszustand 0,65 cm-1 bei
625,5 cm-1. Dies ist etwa das 100-fache des mit sichtbarem Licht
erzielbaren Wertes, so daß die Uranisotopverbindungen relativ
einfach voneinander getrennt werden können. Darüberhinaus kann
ein Laser mit großer Ausgangsleistung verwendet werden. Da die
Lichtenergie der Infrarotstrahlung im allgemeinen einige
Kilo-Kalorien/Mol beträgt, was im Vergleich zu den für gewöhnliche
chemische Reaktionen erforderlichen einigen zehn Kilo-Kalorien/Mol
sehr wenig ist, muß jedoch die Reaktion, über die die Trennung
der selektiv angeregten Moleküle von den anderen erfolgen soll,
sorgfältig ausgewählt werden.
Bisher wurden die gasförmigen Isotopmoleküle üblicherweise mit
einem Gas vermischt, das mit ihnen reagierte. In diesem Fall
ist es jedoch unmöglich, eine direkte und/oder indirekte Energieübertragung
von den angeregten auf die nicht angeregten Moleküle
aufgrund der Zusammenstöße der Gasmoleküle zu vermeiden. Es
kommt daher zu einem Abbau der Anregungsenergie der selektiv
angeregten Moleküle. Um daher eine Energieableitung von den
selektiv angeregten Molekülen auf nicht angeregte Moleküle zu
vermeiden, erfolgt die Trennung der selektiv angeregten Moleküle
von den anderen vorzugsweise mit relativ niedriger Energie.
Das Gasphasen-Infrarotspektrum von Uranhexafluorid zeigt aufgrund
der relativ hohen Temperatur und der Molekülrotation eine breite
Absorptionsbande, die eine klare Unterscheidung der Isotopen
erschwert. Um dieses Problem zu vermeiden, wird die Probe vorzugsweise
abgekühlt und verfestigt, so daß das Isotopenmolekül im
Grundzustand vorliegt. Hierdurch gelingt es außerdem, die Spektralintensität
der Infrarotabsorption zu erhöhen und die direkte
Energieübertragung von den angeregten auf die nicht angeregten
Moleküle zu verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung
zum vorzugsweise kontinuierlichen Trennen von Uranisotopen
unter Verwendung von Infrarotstrahlung bereitzustellen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Trennen von Uranisotopverbindungen,
bei dem man
ein Gemisch aus Uranisotopverbindungen mit einem inerten, für
Infrarotstrahlung durchlässigen Gas verdünnt, das verdünnte
Gemisch auf einer gekühlten Platte verfestigt, die bei ausreichend
niedriger Temperatur gehalten wird, um zumindest das
Inertgas zu verfestigen und die Isotopenmoleküle einzufangen,
das verfestigte Gemisch mit einem Infrarot-Laserstrahl bestrahlt
und schließlich die gekühlte Platte erwärmt.
Im einzelnen wird ein gasförmiges Gemisch, das die anzureichernde
Isotopverbindung enthält, mit einem Inertgas verdünnt. Das
verdünnte Gasgemisch wird dann in eine unter vermindertem Druck
stehende Kammer geleitet und gegen eine gekühlte Platte geblasen.
Die Moleküle der Uranisotopverbindungen werden hierbei
auf der Platte in einer Matrix aus Inertgasmolekülen eingeschlossen
und mit Infrarotstrahlung bestrahlt, die einen Wellenlängenanteil
enthält, der von der gewünschten Uranisotopverbindung absobiert
wird. Durch die Bestrahlung werden die Moleküle der
gewünschten Uranisotopverbindung in der Matrix auf der gekühlten
Platte selektiv angeregt und wandern aufgrund der laserinduzierten
Photomigration, die durch den in der Matrix herrschenden
Temperaturgradienten etc. verursacht wird, in Richtung des Laserstrahles
auf die Seite der gekühlten Platte. Nahe der Oberfläche
der gekühlten Platte ist daher die Konzentration der
selektiv angeregten Moleküle höher als in anderen Bereichen
der Matrix, so daß sich eine Kristallschicht von angeregten
Molekülen an der Oberfläche der gekühlten Platte ausbildet.
Die gekühlte Platte wird verwendet, weil sich die Uranisotopverbindungen
in der auf der Platte gebildeten kondensierten
Matrix voneinander trennen und durch die verfestigten Gasmoleküle
des Verdünnungsmittels homogen verteilt und fixiert
werden. Eine direkte Energieübertragung von einer Isotopverbindung
zur anderen wird daher vermieden, so daß eine
selektive Anregung erfolgen kann. Da es zu keinen Wechselwirkungen
zwischen den Isotopverbindungen kommt, ist außerdem
die Infrarot-Absorptionsbande schärfer, so daß die Unterschiede
leichter erkennbar und der Absorptionsgrad höher sind.
Die Moleküle des Verdünnungsgases und andere Moleküle mit Ausnahme
der angeregten Moleküle können von der gekühlten Platte
durch Sublimation unter geeigneten Bedingungen
in die Kammer freigesetzt werden.
Die auf der gekühlten Platte kondensierten
Moleküle lassen sich auffangen, indem man das Kühlen der
Platte unterbricht oder die Platte erwärmt, wobei zunächst
das kondensierte Inertgas und nicht angeregte Isotopmoleküle
und dann die angeregten Isotopmoleküle freigesetzt werden, die
man auf geeignete Weise selektiv auffängt.
In einer alternativen Verfahrensweise, bei der die verwendete
Laserstrahlung von der nicht anzureichernden Uranisotopverbindung
absorbiert wird, kann man das anzureichernde Isotop
dadurch gewinnen, daß man die bei der Sublimation von der
gekühlten Platte in die Kammer zuerst freigesetzten Moleküle
auffängt.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezug auf die Zeichnung
anhand der Trennung von Uranhexafluorid, das leicht in den
gasförmigen Zustand überführt werden kann, mit dem Ziel der
Anreicherung von ²³⁵U näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
im Chargenbetrieb, und
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
in einem Strömungssystem.
In Fig. 1 ist eine Kammer 10 von einer Wandlung 11, z. B. aus Edelstahl,
umschlossen. In der Kammer 10 ist eine gekühlte Platte
12 in geeigneter Weise angeordnet. Die Platte 12 besteht aus
einem Metall, z. B. Aluminium, Kupfer, Nickel oder Edelstahl,
oder einem ionischen Kristall, z. B. Natriumfluorid oder Cäsiumjodid,
und wird auf eine geeignete Weise auf niedrige Temperatur,
z. B. -196°C oder darunter abgekühlt. Hinter der Platte 12 kann
eine Heizeinrichtung 13 angeordnet sein. Die Kammer 10 weist
eine Materialeinlaßöffnung 17 auf, durch die eine Düse 18 auf die
Oberfläche der Platte 12 gerichtet ist. Ferner ist eine Materialauslaßöffnung
14 vorgesehen, die über eine Leitung 25 und ein
Ventil 26 mit einer nicht gezeigten Vakuumpumpe verbunden ist.
Die Leitung 25 weist eine Abzweigung 27 auf, die über ein Ventil
28 mit einer Kühlfalle 29 verbunden ist, welche mit einem Kühlmittel
30 gekühlt wird.
Die Kammer 10 weist ferner eine Lasereinlaßöffnung 15 auf,
die mit einem geeigneten, für Laserlicht aus einem Laser 31
durchlässigen Material unter Bildung eines Fensters 16 dicht
verschlossen ist. Die Stellung und Anordnung der gekühlten Platte
12 in der Kammer 10 wird so gewählt, daß die Plattenoberfläche
der Düse 18 und der Laserstrahlung durch das Fenster 16 zugewandt
ist.
Die Düse 18 ist über ein Ventil 19 mit einer Quelle 22 für
das Inertgas-Verdünnungsmittel und einer Quelle 23 für die
Uranisotopverbindungen verbunden. Die Strömungsgeschwindigkeit
des Inertgases bzw. der Isotopverbindungen wird durch die
Ventile 20 und 21 so geregelt, daß die Isotopverbindungen
um das 50- bis 1000-fache mit dem Inertgas verdünnt werden.
Im Betrieb wird die Kammer 10 durch Öffnen des Ventils 26,
das mit der Vakuumpumpe verbunden ist, evakuiert und die
Platte 12 wird bei einer Temperatur von -196°C oder darunter
gehalten. Hierauf strömt man das Gemisch aus dem Inertgas
und den Isotopverbindungen durch die Düse 18 gegen die gekühlte
Platte 12, wobei eine feste Schicht 32 entsteht, die die
Isotopverbindungen in einer Matrix aus Verdünnungsgasmolekülen
enthält. Anschließend wird das Lasergerät 31 in Betrieb
gesetzt.
Als Laser 31 für die selektive Anregung von ²³⁸UF₆ eignen
sich Geräte, die Infrarotstrahlung erzeugen, deren spezifische
Wellenzahl von der Art des als Verdünnungsmittel verwendeten
Inertgases abhängt. Diese spezifische Wellenzahl beträgt
619,3 cm-1 im Fall von Argon, 617,0 cm-1 im Fall von Xenon und
618,4 cm-1 im Fall von Kohlenmonoxid, wobei die Spektralbreite
der Wellenzahl der Strahlung gleich oder kleiner als die
Isotopenverschiebung sein soll. Die durch den Laser auf ²³⁸UF₆
übertragene Strahlungsenergie sollte etwa ein Drittel der latenten
Wärme des anzuregenden Moleküls entsprechen und in diesem
Fall sollte die Ausgangsleistung des Lasers ausreichen,
Schwindungszustände des Uranhexafluorids anzuregen. Vorzugsweise
wird die Uranisotopverbindung mit Xenon oder Argon auf das
100- bis 1000-fache verdünnt und gegen eine Platte aus Aluminium
oder Kupfer geblasen, die bei -230°C oder niedriger Temperatur
gehalten wird. Die entstehende feste Schicht wird mit Infrarot-
Laserstrahlung von 617,0 cm-1 im Falle von Xenon bzw. 619,3 cm-1
im Falle von Argon bestrahlt. Die Wellenzahlbreite der Laserstrahlung
beträgt 0,65 cm-1 oder weniger. Diese spezifischen Wellenzahlen
der Infrarotstrahlung entsprechen der ν₃-Schwingungs
absorptionsbande von ²³⁸UF₆ in den jeweiligen Inertgasmatrices.
Das UF₆-Molekül hat bekanntlich vier Grundschwingungszustände,
wobei der Isotopeneffekt in den Zuständen ν₃ und ν₄ beobachtet
wird. Der Zustand ν₃ ergibt aufgrund der Massendifferenz
zwischen den Isotopen eine größere Isotopenverschiebung der
Infrarotabsorptionsbande als der Zustand ν₄. Vorzugsweise verwendet
man daher einen Laser, der Infrarotstrahlung mit einer
Frequenz erzeugt, die der ν₃-Bande des gewünschten Isotops entspricht.
Gegebenenfalls kann man jedoch auch andere Kombinationsbanden
verwenden, die die ν₃-Bande einschließen. Beispiele
für derartige Kombinationsbanden sind ν₃ + ν₅ + , n₂ + ν₃ und
ν₁ + ν₃, deren Absorptionskoeffizienten jedoch niedriger
sind als die der ν₃-Bande.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird das zu
trennende gasförmige UF₆ aus der Quelle 23 mit Argon aus der
Quelle 22 auf das 1000-fache verdünnt, worauf man das verdünnte
Gemisch über das Ventil 19 und die Düse 18 gegen die gekühlte
Platte 12 strömt. Die Platte 12 besteht aus Kupfer und wird
bei -250°C oder darunter gehalten. Es bildet sich eine feste
Schicht 32, die ²³⁵UF₆- und ²³⁸UF₆-Moleküle in einer Matrix
aus Inertgasmolekülen enthält. Die feste Schicht wird mit
einem Laserstrahl aus einem Laser 31 durch das Fenster 16 bestrahlt.
Die Wellenzahl und die Wellenzahlbreite betragen 619,3
bzw. 0,5 cm-1.
Bei der Bestrahlung mit Infrarot-Laserlicht nehmen die ²³⁸UF₆-
Moleküle in der Matrix ausreichende Energie auf, um die
Barriere der Argongasmoleküle, die die ²³⁸UF₆-Moleküle umgeben,
zu überwinden. Da in der Matrix ein Temperaturgradient vom
niedrigsten Wert auf der Seite, die mit der gekühlten Platte
12 in Berührung ist, zum höchsten Wert auf der Oberfläche der
festen Schicht 32 vorliegt, wandern die ²³⁸UF₆-Moleküle aufgrund
des von der Infrarotstrahlung übertragenen Photonenmoments auf
die Seite der gekühlten Platte und bilden schließlich eine
Molekülkristallschicht 33 aus ²³⁸UF₆ auf der Oberfläche der
Platte 12.
Andererseits können Argongasmoleküle von der Oberfläche der
festen Schicht 32 unter einem Dampfdruck, der der Schichttemperatur
entspricht, absublimieren, so daß nicht angeregte ²³⁵UF₆-
Moleküle, die von der umgebenden Argongasmolekülen eingeschlossen
sind, ebenfalls aus der Schicht 32 in die Kammer 10 freigesetzt
werden. Da die Verteilungskonzentration der nicht angeregten
Isotopverbindung in der auf der gekühlten Platte 12
kondensierten Schicht 32 konstant bleibt, während die Konzentration
der angeregten Isotopverbindung an der Oberfläche der
Schicht 32 abnimmt, ist die Menge des durch Sublimation der
Argongasmoleküle aus der Schicht 32 freigesetzten ²³⁸UF₆ sehr
klein.
Die sublimierten Substanzen können durch das Ventil 26 auf
geeignete Weise aufgefangen werden. Sie können aber auch in
einer Kühlfalle 29′ abgefangen werden, die über ein Ventil 28′
mit der Leitung 25 verbunden ist, vgl. die gepunkteten Linien
in Fig. 1.
Nachdem die Sublimation beendet ist, bleibt auf der gekühlten
Platte 12 eine Molekülkristallschicht 33 aus ²³⁸UF₆ zurück.
Die Platte wird dann erwärmt, indem man das Kühlen unterbricht
oder direkt mit einer Heizeinrichtung 13 erwärmt. Beim Erwärmen
der Platte 12 bzw. beim Unterbrechen der Kühlung werden die
Molekülkristalle aus ²³⁸UF₆ in die Kammer 10 freigesetzt.
Das freigesetzte ²³⁸UF₆ kann in einer Kühlfalle 29 abgefangen
werden, die über ein Ventil 28 mit der Leitung 25 verbunden ist.
Während in Fig. 1 ein Beispiel für eine Vorrichtung zur diskontinuierlichen
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
dargestellt ist, zeigt Fig. 2 ein Beispiel für eine Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in einem
Strömungssystem, wobei ähnliche Teile gleiche Bezugszeichen
haben.
In Fig. 2 hat die gekühlte Platte die Form eines Dornes bzw. einer Trommel
12′, der bzw. die in einer von einer Wandung 11 umschlossenen Vakuumkammer
drehbar gelagert ist. Die Trommel 12′ weist eine Düse 40 auf,
die mit einer in der Trommel 12′ axial angeordneten Leitung 39
verbunden ist.
Im unteren Teil der Vakuumkammer ist ein Gemischzufuhr-Hohlraum
10 a ausgebildet. Der Gemischzufuhr-Hohlraum 10 a weist eine
Düse 18 auf, die über ein Ventil 19 mit einer Quelle 22 für
das Inertgas-Verdünnungsmittel und einer Quelle 23 für die
Isotopverbindung verbunden ist. Neben dem Gemischzufuhr-
Hohlraum 10 a befindet sich in Strömungsrichtung innerhalb der
Vakuumkammer ein Bestrahlungshohlraum 10 b. Der Hohlraum 10 b
ist mit einem für Infrarotstrahlung durchlässigen Fenster 16
dicht verschlossen. Neben dem Bestrahlungshohlraum 10 b ist
in Strömungsrichtung ferner ein Hohlraum 10 c angeordnet, der
eine Heizeinrichtung 15 aufweist und über eine Leitung 25′
mit einer Kühlfalle 29′ verbunden ist. Über der Trommel 12′
befindet sich ein weiterer Hohlraum 10 d, der über eine Leitung
25 mit der Kühlfalle 29 verbunden ist. Auch der Hohlraum 10 d
weist eine geeignete Heizeinrichtung auf, die in Fig. 2 als
ein Paar von Heizeinrichtungen 13 dargestellt ist.
Entlang einer Achse der Trommel 12′ erstreckt sich eine Zentralleitung
39, die mit einer Düse 40 verbunden ist. Die Düse 40
ist der der Strömungsrichtung entgegengesetzten Seite des Hohlraumes
10 a zugewandt und spritzt ein Kühlmittel, z. B. flüssiges
Helium, auf die Innenwand der Trommel 12′, um diese abzukühlen.
Der untere Teil der Trommel 12′ kann als Reservoir für das
Kühlmittel dienen (41 in Fig. 2), wodurch der untere Teil der
Trommel 12′ besonders wirksam gekühlt wird.
Zum Betreiben der Vorrichtung von Fig. 2 evakuiert man die Kammer
wie bei der Vorrichtung von Fig. 1 und dreht die Trommel 12′
in der durch den Pfeil angezeigten Richtung, während das Kühlmittel
auf die Innenoberfläche der Trommel 12′ gespritzt wird.
Hierauf öffnet man die Ventile 19, 20 und 21, so daß UF₆ aus
der Quelle 2, das mit dem Inertgas aus der Quelle 22 auf das
100- bis 1000-fache verdünnt ist, durch die in dem Hohlraum
10 a geöffnete Düse 18 auf die Außenoberfläche der Trommel 12′
strömt. Wie in der ersten Ausführungsform kondensiert das
Gemisch auf der Außenoberfläche der Trommel 12′ als feste
Schicht 32.
Die Schicht 32 wird auf der Oberfläche der Trommel 12′ durch
die Drehung der Trommel in den Bestrahlungshohlraum 10 b bewegt,
wo sie mit Infrarot-Laserstrahlung, die von einem Laser
31 durch das Fenster 16 emittiert wird, bestrahlt wird. Je
nach der verwendeten spezifischen Laserstrahlung werden hierbei
²³⁵UF₆ oder ²³⁸UF₆ selektiv angeregt. Durch die Bestrahlung
bewegen sich die angeregten Moleküle radial nach innen und
bilden eine Molekülkristallschicht 33.
Die kondensierte Schicht, einschließlich der Molekülkristallschicht
33, wird dann durch die Drehung der Trommel 12′ in den
Hohlraum 10 c bewegt, in der die Schicht 32 mit Ausnahme der
Molekülkristallschicht 33 unter dem Einfluß der Heizeinrichtung
15 absublimiert und in einer Kühlfalle 29′ aufgefangen wird.
Die Molekülkristallschicht 33 wird dann in den Hohlraum 10 d
bewegt, der durch die Heizeinrichtungen 13 etwas erwärmt wird.
Hierdurch werden die Moleküle der Molekülkristallschicht 33
in den Hohlraum 10 d freigesetzt und können in der Kühlfalle
29 aufgefangen werden.
Das geschilderte Verfahren wird wiederholt, so daß eine kontinuierliche
Trennung von ²³⁵UF₆ und ²³⁸UF₆ erfolgt.
In dieser Ausführungsform kann natürlich ein Laser verwendet
werden, der Strahlung mit einer Wellenzahl von 619,9 cm-1 im
Fall einer Argonmatrix bzw. 617,6 cm-1 im Fall einer Xenonmatrix
mit einer Wellenzahlbreite von 0,5 cm-1 oder weniger erzeugt. In
diesem Fall bildet sich eine Molekülkristallschicht aus ²³⁵UF₆
auf der gekühlten Platte.
Da Natururan weit weniger ²³⁵U als ²³⁸U enthält, kann es von
Vorteil sein, die Heizeinrichtungen intermittierend zu betreiben.
Die Zeitabstände zwischen dem jeweiligen Betreiben der Heizeinrichtungen
können entsprechend der Zeit gewählt werden, die
für mehrere Umdrehungen der Trommel erforderlich ist, wobei
die Umdrehungszahl so gewählt wird, das eine genügend dicke
Kristallschicht entsteht, um das Auffangen zu erleichtern.
Die Steuerung der Heizeinrichtungen kann mit Hilfe einer Energiequelle
und Steuerung 100 erfolgen, die mit den Heizeinrichtungen
verbunden ist. Mit Hilfe dieser Anordnung verläuft
die Anreicherung von ²³⁵UF₆ leichter und wirksamer.
Bei der erfindungsgemäßen Isotopentrennung bleiben die Isotopverbindungen
während des Trennprozesses chemisch unverändert
und es entstehen keine chemisch aktiven Substanzen. Dies wirkt
sich vorteilhaft auf die Standzeit der Apparatur aus. Bei der
Trennung von Uranisotopen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren,
die vorstehend als eine mögliche Ausführungsform beschrieben
wurde, kann Uranhexafluorid verwendet werden, das leicht in
die Gasphase überführt werden kann und leicht handhabbar ist.
Claims (15)
1. Verfahren zur Trennung von Uranisotopverbindungen
mit Hilfe eines Infrarotlasers durch Verdünnen eines Gemisches
von Uranisotopverbindungen mit einem Inertgas auf
das 50- bis 1000-fache, Bestrahlen des verdünnten Gemisches
mit einem Infrarotlaserstrahl, der mindestens eine Infrarotstrahlung
mit einer spezifischen Wellenzahl enthält, die
von einer der Isotopverbindungen unter selektiver Anregung
absorbiert wird, dadurch gekennzeichnet,
daß man das verdünnte Gemisch gegen eine gekühlte Platte
leitet, die bei ausreichend niedriger Temperatur gehalten
wird, um das verdünnte Gemisch darauf als feste Schicht
zu verfestigen, die feste Schicht von der der Platte abgewandten
Seite mit dem Laserstrahl bestrahlt, die feste
Schicht sublimieren läßt und die sublimierte Substanz,
welche die nicht-angeregte Isotopverbindung enthält, auffängt,
hierauf den restlichen Anteil der Schicht auf der
Platte freisetzt, indem man die Temperatur der Platte erhöht,
und die freigesetzte Substanz, welche die angeregte
Isotopverbindung enthält, auffängt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man als Uranisotopverbindung Uranhexafluorid
verwendet, die Platte auf eine Temperatur von
-230°C oder weniger kühlt, als Inertgas Argon verwendet und
die Infrarotbestrahlung mit Infrarotlaserlicht durchführt,
das Frequenzanteile aufweist, die der ν₃-Schwingung einer der
Isotopverbindungen entsprechen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man als Uranisotopverbindungen Uranhexafluorid
verwendet, die Platte auf eine Temperatur von
-196°C oder weniger kühlt, als Inertgas Xenon verwendet und
die Infrarotbestrahlung mit Infrarotlaserlicht durchführt,
das Frequenzanteile aufweist, die der ν₃-Schwingung einer der
Isotopverbindungen entsprechen.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die selektiv anzuregende Uranisotopverbindung
²³⁸UF₆ ist und die Infrarotstrahlung eine Wellenzahl
von 619,3 cm-1 hat.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die selektiv anzuregende Uranisotopverbindung
²³⁵UF₆ ist und die Infrarotstrahlung eine Wellenzahl
von 619,9 cm-1 hat.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die selektiv anzuregende Uranisotopverbindung
²³⁸UF₆ ist und die Infrarotstrahlung eine Wellenzahl
von 617,0 cm-1 hat.
7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die selektiv anzuregende Uranisotopverbindung
²³⁵UF₆ ist und die Infrarotstrahlung eine Wellenzahl
von 617,6 cm-1 hat.
8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Infrarotstrahlung eine Wellenzahlbreite
von 0,65 cm-1 oder weniger hat.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Infrarotstrahlung eine Wellenzahlbreite
von 0,65 cm-1 oder weniger hat.
10. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Temperatur der gekühlten Platte
-250°C oder weniger und die Wellenzahlbreite 0,5 cm-1 betragen.
11. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach
Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Vakuumkammer (10), die
mit einer Probeneinlaßöffnung (17), einer Auffangöffnung (14)
zum getrennten Ausschleusen der Uranisotopverbindungen aus der
Kammer und einem Laserstrahlungsfenster (16) versehen ist, eine
gekühlte Platte (12), die in der Vakuumkammer (10) so angeordnet
ist, daß eine Oberfläche der Probeneinlaßöffnung (17)
und dem Laserstrahlungsfenster (16) zugewandt ist, eine Quelle
(23) für die Uranisotopverbindungen, eine Quelle (22) für ein
Inertgas-Verdünnungsmittel, eine Leitung, die die Quellen (22)
und (23) mit der Probeneinlaßöffnung (17) verbindet, wobei die
Uranisotopverbindungen auf das 50-1000-fache verdünnt
werden, mindestens eine Kühlfalle (29), die mit der Auffangöffnung
(14) verbunden ist und die getrennten Uranisotopverbindungen
abfängt, einen Infrarotlaser (31), der außerhalb des
Laserstrahlungsfensters (16) so angeordnet ist, daß die Infrarotstrahlung
durch das Fenster (16) auf die gekühlte Platte
(12) trifft, und eine Kühleinrichtung zum selektiven Kühlen der
Platte (12) auf genügend niedrige Temperatur, um die verdünnten
Uranisotopverbindungen auf der Platte (12) zu verfestigen.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die gekühlte Platte die Form eines
Dornes oder einer Trommel (12′) hat, der bzw. die in einer
Richtung um eine Achse in der Vakuumkammer drehbar ist, die
Kühleinrichtung (39, 40) in dem Dorn bzw. der Trommel (12′)
angeordnet ist und ein Kühlmedium zuführt, um den unteren
Teil des Dornes bzw. der Trommel zu kühlen, die Probeneinlaßöffnung
(18), das Laserstrahlungsfenster (16) und die
Auffangöffnung in dieser Reihenfolge um den unteren Teil
des Dornes bzw. der Trommel (12′) in Drehrichtung des Dornes
bzw. der Trommel (12′) angeordnet sind und im oberen Teil der
Vakuumkammer eine zweite Auffangöffnung vorgesehen ist, die
mit einer zweiten Kühlfalle (29) verbunden ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Heizeinrichtung (13) zum
selektiven Erwärmen der Platte (12) aufweist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß sie Heizeinrichtungen (13, 15) aufweist,
die einen Oberflächenbereich des Dornes bzw. der Trommel
(12′) erwärmen, wenn der Oberflächenbereich in der Nähe der Auffangöffnung
ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Steuereinrichtung (100)
für den intermittierenden Betrieb der Heizeinrichtungen (13, 15)
aufweist.
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