DE2755824C3

DE2755824C3 - Verfahren zum Reinigen von Silan

Info

Publication number: DE2755824C3
Application number: DE2755824A
Authority: DE
Inventors: Gregorio Woodbridge N.J. Tarancon (V.St.A.)
Original assignee: Union Carbide Corp
Current assignee: Union Carbide Corp
Priority date: 1976-12-16
Filing date: 1977-12-15
Publication date: 1980-07-10
Also published as: DE2755824B2; ES465108A1; JPS5376200A; FR2374264B1; US4099936A; BR7708331A; FR2374264A1; DE2755824A1; JPS613284B2; CA1085587A; BE861897A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren /um Reinigen von Silan. bei dem ein Gemisch von Silan und Verunreinigungen innerhalb eines geschlossenen Systems durch eine Folge von in Reihe geschalteten Zonen hindurchgeleitet wird.

Silan (SiIh) oder Siliciumwasserstoff stellt eine hervorragende Aiisgangsqucllc für in der elektronischen Industrie verwendbares Silicium (in folgenden kurz elektronisch reines Silicium bezeichnet) dar. Mine Vorbedingung dafür ist aber eine sehr hohe Reinheit des Silans.

Fs sind verschiedene Maßnahmen bekannt, um 'lie Verunreinigungen von Silan /u minimieren. Da/u gehören unter anderem die Verwendung von hochgradig reinen Rcaktionstcilnehmern bei der Silanherstellung. Systeme, bei denen Luft und Wasserdampf ausgeschlossen werden, sowie Abscheider und Destillationscinrichtungcn von unterschiedlicher Diffcrenziertheit und Kompliziertheil. So ist es bekannt (DF-AS 65 398). Silan zur Reinigung nacheinander durch zwei Adsorptionsgefäße mit Aktivkohle /u leiten, von denen das eine auf -68⁰C bis -88°C gekühlt ist, während das andere eine Temperatur von 0⁰C bis 30" C hat. Es ist ferner bekannt (DE-AS IO 73 460), Silan zum Reinigen gasförmig über ein Adsorbens zu leiten, das zur Bildung

ί von nichtflüchtigen Additionsverbindungen des in dem Silan enthaltenen Borans und/oder der in dem Silan enthaltenen chlorierten Borane mit organischen oder anorganischen festen oder flüssigen Stoffen beladen ist, deren Molekel ein Stickstoff-, Phosphor-, Sauerstoff-,

ίο Chlor- oder Fluoratom mit einsamen Elektronenpaar enthalten. Des weiteren ist ein Fraktionierdestillationsverfahren zur Reinigung von Monosilan bekannt (DE-AS 11 15 226), bei dem als Kühlmittel für den Kondensor reines Monosilan verwendet wird, um

ι". Verunreinigungen durch austretendes Kühlmittel zu vermeiden.

Obwohl die bekannten Verfahren mit Erfolg praktiziert wurden, wird ständig nach einer den industriellen Anforderungen gerecht werdenden Optimierung ge-

jii sucht, auch wenn diese nur zur Beseitigung einiger weniger weiterer ppm an Verunreinigungen führt.

Der Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Reinigen von Silan zu schaffen, das in der Lage ist. die höchsten Rcinheitsan-

j-i forderungen der Elektronikindustrie auf relativ einfache Weise zu erfüllen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst. daß man das gasförmige Gemisch bei einer Temperatur zwischen -40°Cund -80°C

(a) zunächst durch poröse, granuläre Holzkohle und darauf

(b) durch poröses.granuläres Magnesiumsilicat leitet.

(c) sodann das erhaltene teilgereinigtc Gemisch in eine Destillationszone derart einführt, daß weitere Verunreinigungen über Kopf in Gasform beseitigt und mindestens 95 Gew.-% des Silans in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden, und schließlich

(d) das Sumpfprodukt zurückgewinnt.

Das Verfahren zeichnet sich durch große Einfachheit aus. Die Invcstitions- und Betriebskosten sind vergleichsweise gering. Gleichwohl werden Reinheitsgrade von beispielsweise 99,99% erzielt.

ι· Das Verfahren arbeitet mit drei bis sechs in Reihe geschalteten Zonen: vorzugsweise werden sechs Zonen vorgesehen. Das Verfahren kann diskontinuierlich, halbkontinuicrlich oder kontinuierlich durchgeführt werden. Die Vorrichtungen und ander" im Rahmen des

■Μ Verfahrens benutzten Werkstoffe können aus einer Rnihc von unterschiedlichen Werkstoffen ausgewählt werden, die gegenüber Silan und dessen Verunreinigungen inert sind und die den Temperaturen und Drücken widerstehen, denen die verschiedenen Zonen ausgesetzt

., sind. Die Werkstoffe sollen ferner so beschaffen sein. daß sie keine Verunreinigungen in das System freisetzen. Beispiele geeigneter Werkstoffe sind rost freie Stähle sowie Legierungen, die einen größeren Anteil an Nickel und einen kleineren Anteil an Kupfer enthalten. Im übrigen werden die Werkstoffe und die Dimcnsionicrungcn in konventioneller Weise gewühlt, wobei die Kapazitäten.die Lebensdauer, die Wirtschaftlichkeit und die Verfügbarkeit berücksichtigt werden.

Typische Silane, wie sie zwecks Reinigung dem vorliegenden Verfahren unterzogen werden, enthalten ungefähr 97 bis 98 Gcw.-% Silan. während der Rest aus Verunreinigungen besteht. Die Verunreinigungen, die mittels des vorliegenden Verfahrens besonders wir

kungsvoll beseitigt werden können, sind Wasserstoff, Chlorsilane und Siliciumtetrachlorid, die bezogen auf das Gesamtgewicht des Gemisches aus Silan und Verunreinigungen in einer Menge von ungefähr 1,5 bis 2,5 Gew.-% vorliegen, sowie weitere Vei unreinigungen, die gleichfalls auf das Gesamtgewicht des Gemisches aus Silan und Verunreinigungen in einer Menge von nicht mehr als ungefähr 0,5 Gew.-% vorhanden sind. Die Verunreinigungen der letztgenannten Gruppe werden einzeln in Teile pro Million (ppm) angegeben. Es handelt sich dabei insbesondere um

(i) Helium;

(ii) Silicone oder Siloxane von unbestimmtem Molekulargewicht;

(iii) Disilan (HjSi — SiHj) und andere Kombinationen aus Silicium und Wasserstoff, die unter den allgemeinen Oberbegriff der Silane (mit Ausnahme von SiH₄) fallen;

(iv) Arsenwasse«itoff(AsH3);

(v) Phosphorwasserstoff(PH-);

(vi) Diboran (B₃Hb).

Das Verfahren wird in einem geschlossenen System ausgeführt, d. h, das System ist luftdicht, so daß im wesentlichen keine Luft und kein Wasserdampf in das System eindringen und das Produkt verunreinigen können. Für ein solches geschlossenes System wird durch Verwendung von konventionellen Abdichtverfahren gesorgt. Durch die Verwendung eines Einsatzsilans mit minimalen Verunreinigungen in Verbindung mit dein geschlossenen System wird die Belastung der Reinigungsanlage vermindert; die Effektivität hinsichtlich der Beseitigung von Spurenrnengen an Verunreinigungen wird verbessert.

Die Reinigungsanlage kann unmittelbar mit dem Ausgang eines Silanherstellungssystcms oder mit einem Silanspeicher verbunden sein; das Silangemisch (Silan plus Verunreinigungen) wird in Gasform in den unteren Teil oder im wesentlichen am Boden einer Destillationszone eingeführt; das Gemisch durchläuft die Zone nach oben. Bei dieser ersten Zone kann es sich um einen Rücklaufkondcnsator handeln, der eine Füllkörpcrkolonnc umgibt, wobei ein Behälter oder ein anderes Aufnahmegefäß am unteren Ende der Kolonne vorgesehen ist. Die erste Zone wird bei einer Temperatur von ungefähr — 10°C bis ungefähr —70°C und vorzugsweise bei einer Temperatur von ungefähr -JO'C bis ungefähr -65"C betrieben. Es wird mit einem Überdruck von ungefähr 0 bis ungefähr 1.38 bar und vorzugsweise zwischen ungefähr 0.27 bar und ungefähr 0,69 bar gearbeitet. Das Siliciumictrachlorid und ein Teil des Chlorsilans werden hier abgetrennt und gelangen nach unten als Sumpfflüssigkcit oder hochsiedende Komponente in flüssiger Form in den Behälter. Die Fiillkörperfiillung der Kolonne entspricht ungefähr 20 bis ungefähr 30 theoretischen Böden. Als Füllkörper können beispielsweise Mciallchips mit eingestanzten Löchern verwendet werden, wobei jeder Chip ähnlich einem kleinen Sieb ist. Weitere Beispiele für zweckmäßige Füllkörper sind rostfreie Stahlwolle und ausgebauchte Teile aus rostfreiem Stahl. Die Temperatur und der Druck in der ersten Zone sind derart gewählt, daß Silan nicht kondensier! wird. Dies gilt auch für die /weite, dritte und sechste Zone, wo das Silan in Gasform vorliegt. Das Silan und die verbleibenden Verunreinigungen werden über Kopf abgezogen und dem unteren Teil der zweiten Zone zugeleitet.

Zweckmäßig ist es, ein Rohr vorzusehen, das von der ersten Zone kommend in die zweite Zone an deren Oberseite eintritt, duren die zweite Zone nach unten hindurchläuft und einen Auslaß hat, der innerhalb und am Boden der zweiten Zone liegt. Bei der zweiten Zone handelt es sich um einen Abscheider, für gewöhnlich eine Kolonne, der granuläre, poröse Holzkohle von großer Oberfläche enthält. Die zweite Zone wird bei einer Temperatur von ungefähr —40⁰C bis ungefähr

— 80°C und vorzugsweise ungefähr — 60° C bis ungefähr

— 75°C, betrieben. Es wird in der Regel mit einem Überdruck von ungefähr 0 bis ungefähr 0,69 bar gearbeitet. Bei der Holzkohle kann es sich, falls erwünscht, um Aktivkohle handeln. Die Holzkehlekörncr haben eine Teilchengröße von ungefähr 0,4 mm bis ungefähr 4,8 mm und vorzugsweise von ungefähr 1,4 mm bis ungefähr 2,4 mm; sie entsprechen den typischerweise für Adsorptionszwecke verwendeten Holzkohleteilchen. Der Rest (im wesentlichen alle) der Chlorsilane, im wesentlichen alle Siloxane und die meisten Silicone werden von der Holzkohle adsorbiert und aus dem Gemisch abgeschieden. Das Silan und die verbleibenden Verunreinigungen gehen dann in Gasform über Kopf ab zu der dritten Zone, und zwar im wesentlichen in der gleichen Weise wie das Kopfprodukt der ersten Zone zu der zweiten Zone gelangt.

Die dritte Zone wird bei einer Temperatur von ungefähr —40°C bis ungefähr —80°C und vorzugsweise ungefähr -60"C bis ungefähr -75°C betrieben. Es wird mit einem Überdruck im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 1,38 bar und vorzugsweise von ungefähr 0,27 bar bis ungefähr 0,69 bar gearbeitet. Auch bei der dritten Zone handelt es sich um einen Abscheider, für gewöhnlich in Form einer Kolonne, der als Adsorptionsmittel granuläres, poröses Magnesiumsilikat (MgSiO₄) enthält. Ein vorzugsweise verwendetes Magncsiumsilikat ist in der US-PS 23 93 625 im einzelnen erläutert. Die Körner haben eine große Oberfläche; die Teilchengröße liegt zwischen ungeihr 0.6 mm und 4,8 mm und vorzugsweise zwischen ungefähr 1,4 mm und ungefähr 2.4 mm. In der dritten Zone werden im wesentlichen der gesamte Arsenwassersioff und Phosphorwasserstoff sowie der Rest (in¹ wesentlichen alle) der Silicone abgeschieden. Das Silan und die vcrblcibenden Verunreinigungen gehen dann in Gasform über Kopf an einen Verdichter.

Die als Adsorptionsmittel in der zweiten, dritten und sechsten Zone verwendeten granulären Stoffe können in der granulären Form als solcher benutzt oder mit konventionellen Füllkörpcrn kombiniert werden, um für eine bessere Zirkulation des gasförmigen Gemisches in der Zone zu sorgen.

Bei dem Verdichter handelt es sich um einen konventionellen Gcriiteteil, der eine doppelte Funktion hat. Er zieht Gas durch Saugwirkung von der dritten Zone aus ein. wobei mit einem Überdruck im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 1,03 bar und vorzugsweise ungefähr 0,27 bar bis ungefähr 0,69 bar gearbeitet wird. Der Verdichter komprimiert ferner das gasförmige Gemisch aus Silan plus verbleibenden Verunreinigungen. Dabei wird ein fiberdruck von ungefähr i,4 bar bis ungefähr 10.5 bar und vorzugsweise von ungefähr 2,8 bar bis ungefähr 8.3 bar vorgesehen. Das Gemisch gelangt dann zu der vierten Zone, einer Deslillationszonc, wo der hohe Druck beispielsweise mit Hilfe eines Rückdruckrcglers aufrechterhalten wird. Der hohe Druck sorgt zusammen mit den in der vierten Zone herrschenden Bedingungen dafür, daß die niedrigsie-

denden Komponenten in Gasform über Kopf abgehen, während mindestens ungefähr 95 Gew.-% in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden. Die vierte Zone kann ähnlich aufgebaut sein wie die erste Zone, d..h., es kann sich um einen Rücklaufkondensator handeln,'der eine Füllkörperkolonne umgibt, wobei ein Behälter oder ein anderes Gefäß am unteren Ende der Kolonne vorgesehen ist Die Füllkörperfüllung entspricht ungefähr 20 bis ungefähr 36 theoretischen Böden und vorzugsweise ungefähr 24 bis ungefähr 30 theoretischen ι ο Böden. In dieser vierten Zone kann ebenso wie in der ersten Zone mit anderen äquivalenten Formen von Destillationseinrichtungen gearbeitet werden. Die vierte Zone wird anfänglich im Bereich von ungefähr —50° C bis ungefähr — 90° C und vorzugsweise ungefähr -70° C bis ungefähr -80° C betrieben. Der Überdruck liegt anfänglich im Bereich von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,5 bar und vorzugsweise ungefähr 2,8 bar bis ungefähr 8,3 bar. Das Gemisch wird zweckmäßig in die untere Hälfte der Füllkörperkolonne, vorzugsweise bei ungefähr dem zehnten theoretischen Boden, eingeleitet. Die niedrigsiedenden Komponenten, Y/asserstoff und Helium sowie andere niehtkondensierbare Verunreinigungen werden als Kopfgase abdestilliert. Eine kleine Silanmenge geht mit diesen niedrigsiedenden Komponenten ab; es handelt sich dabei um ungefähr 0,5 bis ungefähr 5 Gew.-% der in die Zone eintretenden Silangesamtmenge.

Das Gemisch aus den niedrigsiedenden Komponenten, nichtkondensierbaren Stoffen und der kleinen so Silanmenge gelangt über Kopf in Gasform von der vierten Zone zur fünften Zone, bei der es sich um eine leere Kolonne handeln kann; es wird bei einer Temperatur von ungefähr — 150⁰C bis ungefähr

— 200⁰C und vorzugsweise ungefähr — 185°C bis r> ungefähr -195°C gehallen. Der Überdruck liegt im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 0,34 bar und vorzugsweise ungefähr 0,07 bar bis ungefähr 0,14 bar. Die Temperatur reicht aus, um das Silan auszufrieren, während die niedrigsiedenden Komponenten und nichtkondensierbaren Stoffe in gasförmigem Zustand verbleiben und in dieser Form das System verlassen.

Nachdem die niedrigsiedenden Komponenten und die nichtkondensierbaren Stoffe aus der vierten Zone abgeleitet sind, wird das Ventil, das Gase von der vierten Zonw zu der fünften Zone strö.nen läßt, geschlossen (bis der Arbeitsvorgang in der fünften Zone beendet ist); die Temperatur wird erhöht, um das flüssige Silan in Gas umzuwandeln.

Nachdem die nk drigsiedenden Komponenten aus der fünften Zone abgetrennt sind, wird das gefrorene Silan in dir gleichen Weise wie das flüssige Silan in der vierten Zone in Gas umgewandelt. Das Silangas zieht über Kopf ab und wird vorzugsweise über die gleiche Strecke geschickt wie das Silangas aus der vierten Zone, wobei das gemeinsame Ventil dann geöffnet wird.

Das Silan gelangt zusammen mit gegebenenfalls noch vorhandenen restlichen Verunreinigungen in Gasform von der vierten und der fünften Zone auf die gleiche Weise zu der sechsten Zone, wie das Gemisch von der t>o ersten in die zweite Zone sowie von der zweiten in die dritte Zone übergeht. Die sechste Zone ist ähnlich wie die zweite und dritte Zone aufgebaut und hat eine ähnliche Adsorptionsmittelfüllung wie die zweite Zone. Sie wird bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr

- 10⁰C bis ungefähr +50°C und vorzugsweise ungefähr + 10°C bis ungefähr +30⁰C betrieben. Der Überdruck in der sechsten Zone liegt im Bereich von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,4 bar, vorzugsweise zwischen ungefähr 2,8 bar und ungefähr 8,3 bar. Im wesentlichen das gesamte Diboran und sämtliche Silane mit Ausnahme von S1H4 werden in dieser Zone abgetrennt.

Das gasförmige Silan, das im wesentlichen rein ist und Reinheitsgrade von ungefähr 99,9+ Gew.-% haben kann, strömt dann über Kopf von der sechsten Zone 7u einem Verdichter, der gleich oder ähnlich wie der vorstehend erläuterte Verdichter aufgebaut ist. Das Siian wird in den Verdichter durch Saugwirkung bei einem Überdruck von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,4 bar und vorzugsweise ungefähr 2,8 bar bis ungefähr 83 bar eingezogen. Das Silangas wird dann komprimiert Der Abgabeüberdruck beträgt ungefähr 69 bis ungefähr 138 bar und vorzugsweise ungefähr 96 bar bis ungefähr 124 bar. In diesem Zustand wird das Silan zwecks Verteilung an die Elektronikindustrie abgefüllt.

Die Saugwirkung verbessert auf vorteilhafte Weise die Leistungsfähigkeit des Prozesses, wenn sie nach der dritten und sechsten Zone vorgehen wird. Es können jedoch auch andere konyent'oneüe Mitte! benutzt werden, um das Gas durch das System hindurchzutreiben.

Obwohl das zuvor erläuterte System mit sechs Zonen bevorzugt vorgesehen wird, weil es die höchsten keinheitsgrade liefert, kann das Verfahren auch mit drei Zonen, und zwar der zweiten, dritten und vierten Zone, durchgeführt werden; zusätzlich zu diesen drei Zonen können die erste oder die sechste Zone benutzt werden, um ein Vierzonensystem zu erhalten.

Es versteht sich, daß die zweite und die dritte Zone vorzugsweise als physikalische Einheit betrieben werden; ihre gesonderten Funktionen müssen jedoch beibehalten bleiben, wie dies für die beiden Zonen beschrieben ist. In gleicher Weise kann auch bezüglich der vierten und fünften Zone vorgegangen werden.

Die bevorzugte Reihenfolge, in der die Zonen innerhalb des Systems durchlaufen werden, entspricht der numerischen Zahlenfolge; d. h„ das Gemisch durchläuft nacheinander die Zonen 1 bis 4; ein Teil des Gemisches in der Zone 4 geht zur Zone 5: die kombinierten Gemische der Zonen 4 und 5 gehen dann an die sechste Zone. Diese Reihenfolge kann geändert werden, so daß das Gemisch nacheinander die Zonen 1. 2,3,6 und 4 durchläuft, worauf ein Teil des Gemisches in der Zone 4 zur Zone 5 geht und die kombinierten Gemische der Zonen 4 und 5 dem Verdichter zwecks Abfüllen in Gasflaschen zugeführt werden. Die Temperatur der sechsten Zone muß jedoch um ungefähr 20 bis 50°C abgesenkt werden. Die Temperaturen innerhalb der Zonen lassen sich auf konventionelle Weise einstellen; vorzugsweise wird kombiniert mit flüssigem Stickstoff und entsprechend geregelten Heizgeräten gearbeitet.

Das beschriebene Silanreinigungsverfahren ist generell anwendbar; es eignet sich jedoch insbesondere für ein Silan mit den obengenannten Verunreinigungen.

Zur näheren Erläuterung dient das folgende Beispiel.

Beispiel

Ein Gemisch aus Silan plus Verunreinigungen wird durch die in Reihe geschaltete Folge von sechs Zonen geleitet, wie .»ς vorstehend erläutert sind; dabei wird mit den ebenfalls angegebenen bevorzugten Arbeitsbedingungen gearbeitet. Das System ist geschlossen.

Das Gemisch enthält;

Komponente	Ciew.-'n des
	Crcsamtgcmisches
Silan	98.0
Wasserstoff, Chlorsilanc.	1.'»
Siliciumtetrachlorid
Weitere Verunreinigungen
wie folgt:
Helium
Silicone
Siloxane
Silane nut Ausnahme \on SiIIi
ArsenwasserstolT
l'hosphorwasserslolT
Diboran	0.1
Insgesamt	KXUI

Bei der Hol/kohle handelt es sieh um Aktivkohle. l),is Magnesiumsilikat liegt gleichfalls in aktiviertem Zustand vor; die Körner haben eine Teilchengröße von ungefähr 1.4 mm bis ungefähr 2,4 mm.

Die in jeder Zone aufrechterhaltenen Temperaturen und Drücke sind wie folgt:

I lierdnak (har)

1-rste	6(1
Zueile	■■>(!
Dritte	■Ίι
\ ierie	- 75
Fünfte	--ID5
Sechste	•20

0.55 0.4S 0.41 6.S9 0.14 h.X» Körner werden nur in der zweiten, dritten und sechsten Zone vorgesehen. Die Füllung in der ersten und fünften Zone besteht aus 6,1 mm großen ausgewölbten Füllkörpern aus rostfreiem Stahl. Die Anzahl der theoretischen Böden in der ersten und vierten Zone beträgt 24. Alle Anlagenteile, mit denen das Gemisch aus Silan und Verunreinigungen in Berührung kommt, sind aus rostfreiem Stahl gefertigt. Bei der ersten und der vierten Zone handelt es sich um Rücklaufkondensatoren, die eine Füllkörperkolonne umgeben, an deren unterem linde ein Behälter vorgesehen ist. Die /weite, dritte und sechste Zone sind Kolonnen mit Adsorptionsmiitelkörnern. Bei der fünften Zone handelt es sich um eine leere Kolonne. Alle Zonen sind derart aufgebaut und ausgerüstet, daß die erforderlichen Temperaturen und Drücke eingestellt und aufrechterhalten werden können.

Die Temperaturen in der ersten, /weiten, dritten und vierten Zone werden mit Hilfe von flüssigem Sticksinll aufrechterhalten, wobei eine Temperaturregelung mit Hilfe von llci/bändern oder anderen Heizelementen erfolgt. In der sechsten Zone ist ein Hei/band vorgesehen. Die Temperatureinstcllung in der fünften Zone erfolgt mit Hilfe von flüssigem Stickstoff. Ks sind zwei Verdichter vorgesehen.

Bei der, Verdichtern wird mit folgenden Überdrücken gearbeitet:

(a) Ansaugen von der drillen Zone — 0.34 bar

(b) Abgabe an die vierte Zone — b,89 bar

(c) Ansaugen aus der sechsten Zone — b.89 bar

(d) Abgabe/weeks Abfüllung - 103.42 bar

Finc AnaKse ties abgefüllten Gases durch Gaschromatographie und Mnssenspektroskopie zeigte, daß da¹· Silan eine Reinheit von 99.94 Cieu.-°/o hat.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Reinigen von Silan bei dem ein Gemisch von Silan und Verunreinigungen innerhalb eines geschlossenen Systems durch eine Folge von in Reihe geschalteten Zonen hindurchgeleitet wird, dadurch gekennzeichnet, daß man das gasförmige Gemisch bei einer Temperatur zwischen -40°Cund -80⁰C

(a) zunächst durch poröse, granuläre Holzkohle und darauf

(b) durch poröses, granuläres Magnesiumsilikat leitet,

(c) sodann das erhaltene teilgereinigte Gemisch in eine Destillationszone derart einführt, daß weitere Verunreinigungen über Kopf in Gasform beseitigt und mindestens 95 Gew.-% des Silans in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden;und schließlich

(d) das Sumpfprodukt zurückgewinnt.

2. Verfahrer: nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Gemisch vor dem Einleiten in die Verfahrensstufc (a) bei einer Temperatur von -10'C bis -70° C destilliert.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß man das Sumpfprodukt der Verfahrenssiufe (c) durch poröse, granuläre Holzkohle bei einer Temperatur von —WC bis +5O'^JC leitet.

4. Verfahren nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß man aus dem in der Verfahrer.sstufe (c) Deseitigten. gasförmigen silanhaltigen Verunreinigungsgemisch in einer Zone ausreichend niedriger Temperatur das Silan ausfriert und gewinnt.

5. Verfahren nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß man die Temperatur in den Verfahrensstufen (a) und (b) /wischen -60 C und 75 C halt.