DE2755824B2 - Verfahren zum Reinigen von Silan - Google Patents
Verfahren zum Reinigen von SilanInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von Silan, bei dem ein Gemisch von Silan und
Verunreinigungen innerhalb eines geschlossenen Systems durch eine Folge von in Reihe geschalteten Zonen
hindurchgeleitet wird.
Silan (SiH.t) oder Siliciumwasserstoff stellt eine
hervorragende Ausgangsquelle für in der elektronischen Industrie verwendbares Silicium (in folgenden
kurz elektronisch reines Silicium bezeichnet) dar. Eine Vorbedingung dafür ist aber eine sehr hohe Reinheit des
Silans.
Es sind verschiedene Maßnahmen bekannt, um die Verunreinigungen von Silan zu minimieren. Dazu
gehören unter anderem die Verwendung von hochgradig reinen Reaktionsteilnehmern bei der Silanherstellung,
Systeme, bei denen Luft und Wasserdampf ausgeschlossen werden, sowie Abscheider und Destillationseinrichtungen
von unterschiedlicher Differenziertheit und Kompliziertheit. So ist es bekannt (DE-AS
65 398), Silan zur Reinigung nacheinander durch zwei niii Aktivkohle zu leiten, von denen
das eine auf -68° C bis -88° C gekühlt ist, während das
andere eine Temperatur von O0C bis 300C hat. Es ist
ferner bekannt (DE-AS 10 73 460), Silan zum Reinigen gasförmig über ein Adsorbens zu leiten, das zur Bildung
von nichtflüchtigen Additionsverbindungen des in dem Silan enthaltenen Borans and/oder der in dem Silan
enthaltenen chlorierten Borane mit organischen oder anorganischen festen oder flüssigen Stoffen beladen ist,
deren Molekel ein Stickstoff-, Phosphor-, Sauerstoff-,
ίο Chlor- oder Fluoratom mit einsamen Elektronenpaar
enthalten. Des weiteren ist ein Fraktion ierdestillationsverfahren
zur Reinigung von Monosilan bekannt (DE-AS 1115 226), bei dem als Kühlmittel für den
Kondensor reines Monosilan verwendet wird, um Verunreinigungen durch austretendes Kühlmittel zu
vermeiden.
Obwohl die bekannten Verfahren mit Erfolg praktiziert wurden, wird ständig nach einer den industriellen
Anforderungen gerecht werdenden Optimierung gesucht, auch wenn diese nur zur Beseitigung einiger
weniger weiterer ppm an Verunreinigungen führt.
Der Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Reinigen von Silan zu
schaffen, das in der Lage ist, die höchsten Reinheitsan-
2t Forderungen der Elektronikindustrie auf relativ einfache
Weise zu erfüllen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man das gasförmige Gemisch bei einer Temperatur
zwischen -40° C und -800C
(a) zunächst durch poröse, granuläre Holzkohle und darauf
(b) durch poröses, granuläres Magnesiumsilicat leitet,
(c) sodann das erhaltene teilgereinigte Gemisch in eine Destillationszone derart einführt, daß weitere
j> Verunreinigungen über Kopf in Gasform beseitigt
und mindestens 95 Gew.-% des Silans in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden, und schließlich
(d) das Sumpfprodukt zurückgewinnt.
Das Verfahren zeichnet sich durch große Einfachheit aus. Die Investitions- und Betriebskosten sind vergleichsweise
gering. Gleichwohl werden Reinheitsgrade von beispielsweise 99,99% erzielt.
4r> Das Verfahren arbeitet mit drei bis sechs in Reihe
geschaketen Zonen; vorzugsweise werden sechs Zonen vorgesehen. Das Verfahren kann diskontinuierlich,
halbkontinuierlich oder kontinuierlich durchgeführt werden. Die Vorrichtungen und andere im Rahmen des
« Verfahrens benutzten Werkstoffe können aus einer Reihe von unterschiedlichen Werkstoffen ausgewählt
werden, die gegenüber Silan und dessen Verunreinigungen inert sind und die den Temperaturen und Drücken
widerstehen, denen die verschiedenen Zonen ausgesetzt
Yt sind. Die Werkstoffe sollen ferner so beschaffen sein,
daß sie keine Verunreinigungen in das System freisetzen. Beispiele geeigneter Werkstoffe sind rostfreie
Stähle sowie Legierungen, die einen größeren Anteil an Nickel und einen kleineren Anteil an Kupfer
enthalten. Im übrigen werden die Werkstoffe und die Dimensionierungen in konventioneller Weise gewählt,
wobei die Kapazitäten, die Lebensdauer, die Wirtschaftlichkeit und die Verfügbarkeit berücksichtigt werden.
Typische Silane, wie sie zwecks Reinigung dem vorliegenden Verfahren unterzogen werden, enthalten
ungefähr 97 bis 98 Gew.-% Silan, während der Rest aus Verunreinigungen besteht. Die Verunreinigungen, die
mitteis des vorliegenden Verfahrens besonders wir·
kungsvoli beseitigt werden können, sind Wasserstoff,
Chlorsilane und Siliciumtetrachlorid, die bezogen auf das Gesamtgewicht des Gemisches aus Siian und
Verunreinigungen in einer Menge von ungefähr 1,5 bis 2,5 Gew.-% vorliegen, sowie weitere Verunreinigungen,
die gleichfalls auf das Gesamtgewicht des Gemisches aus Silan und Verunreinigungen in einer Menge von
nicht mehr als ungefähr 0,5 Gew.-% vorhanden sind. Die
Verunreinigungen der letztgenannten Gruppe werden einzeln in Teile pro Million (ppm) angegeben. Es handelt
sich dabei insbesondere um
(i) Helium;
(ii) Silicone oder Siloxane von unbestimmtem Molekulargewicht;
(iii) Disilan (H3Si-SiH3) und andere Kombinationen
aus Silicium und Wasserstoff, die unter den allgemeinen Oberbegriff der Silane (mit Ausnahme
von SiH4) fallen;
(iv) Arsenwasserstoff (AsH3);
(v) Phosphorwasserstoff (PH3);
(vi) Diboran (B2H6).
Das Verfahren wird in einem geschlossenen System ausgeführt, d. h., das System ist luftdicht, so daß im >r>
wesentlichen keine Luft und kein Wasserdampf in das System eindringen und das Produkt verunreinigen
können. Für ein solches geschlossenes System wird durch Verwendung von konventionellen Abdichtverfahren
gesorgt. Durch die Verwendung eines Einsatzsilans jo mit minimalen Verunreinigungen in Verbindung mit
dem geschlossenen System wird die Belastung der Reinigungsanlage vermindert; die Effektivität hinsichtlich
der Beseitigung von Spurenmengen an Verunreinigungen wird verbessert. (ϊ
Die Reinigungsanlage kann unmittelbar mit dem Ausgang eines Silanherstellungssystems oder mit einem
Silanspeicher verbunden sein; das Silangemisch (Silan plus Verunreinigungen) wird in Gasform in den unterin
Teil oder im wesentlichen am Boden einer Destillationszone eingeführt; das Gemisch durchläuft die Zone nach
oben. Bei dieser ersten Zone kann es sich um einen Rücklaufkondensator handeln, der eine Füllkörperkolonne
umgibt, wobei ein Behälter oder ein anderes Aufnahmegefäß am unteren Ende der Kolonne 4ί
vorgesehen ist. Die erste Zone wird bei einer Temperatur von ungefähr -100C bis ungefähr — 70°C
unc1 vorzugsweise bei einer Temperatur von ungefähr
-3O0C bis ungefähr -65°C betrieben. Es wird mit einem Überdruck von ungefähr 0 bis ungefähr 1,38 bar w
und vorzugsweise zwischen ungefähr 0,27 bar und ungefähr 0,69 bar gearbeitet. Das Siliciumtelrachlorid
und ein Teil des Chlorsilans werden hier abgetrennt und gelangen nach unten als Sumpfflüssigkeit oder hochsiedende
Komponente in flüssiger Form in den Behälter. « Die Füllkörperfüllung der Kolonne entspricht ungefähr
20 bis ungefähr 30 theoretischen Böden. Als; Füllkörper können beispielsweise Metallchips mit eingestanzten
Löchern verwendet werden, wobei jeder Chip ähnlich einem kleinen Sieb ist. Weitere Beispiele für zweckmä- w>
ßige Füllkörper sind rostfreie Stahlwolle und ausgebauchte Teile aus rostfreiem Stahl. Die Temperatur und
der Druck in der ersten Zone sind derart gewählt, daß Silan nicht kondensiert wird. Dies gilt auch für die
zweite, dritte und sechste Zone, wo das Silan in Gasform br>
vorliegt. Das Silan und die verbleibenden Verunreinigungen werden über Kopf abgezogen und dem unteren
Teil uei1 zweiten Zone zugeleitet.
Zweckmäßig ist es, ein Rohr vorzusehen, das von der ersten Zone kommend in die zweite Zone an deren
Oberseite eintritt, durch die zweite Zone nach unten hindurchläuft und einen Auslaß hat, der innerhalb und
am Boden der zweiten Zone liegt Bei der zweiten Zone handelt es sich um einen Abscheider, für gewöhnlich
eine Kolonne, der granuläre, poröse Holzkohle von großer Oberfläche enthält. Die zweite Zone wird bei
einer Temperatur von ungefähr —400C bis ungefähr
- 80° C und vorzugsweise ungefähr - 60° C bis ungefähr
-75° C, betrieben. Es wird in der Regel mit einem Überdruck von ungefähr 0 bis ungefähr 0,69 bar
gearbeitet Bei der Holzkohle kann es sich, falls erwünscht um Aktivkohle handeln. Die Holzkohlekörner
haben eine Teilchengröße von ungefähr 0,4 mm bis ungefähr 4,8 mm und vorzugsweise von ungefähr
1,4 mm bis ungefähr 2,4 mm; sie entsprechen den typischerweise für Adsorptionszwecke verwendeten
Holzkohleteilchen. Der Rest (im wesentlichen alle) der Chlorsilane, im wesentlichen alle Siloxane und die
meisten Silicone werden von der Holzkohle adsorbiert und aus dem Gemisch abgeschieden. Das Silan und die
verbleibenden Verunreinigungen gehen dann in Gasform über Kopf ab zu der dritten Zone, und zwar im
wesentlichen in der gleichen Weise wie das Kopfprodukt der ersten Zone zu der zweiten Zone gelangt.
Die dritte Zone wird bei einer Temperatur von ungefähr —40° C bis ungefähr -8O0C und vorzugsweise
ungefähr -6O0C bis ungefähr -75"C betrieben. Es
wird mit einem Überdruck im Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 1,38 bar und vorzugsweise von ungefähr
0,27 bar bis ungefähr 0,69 bar gearbeitet. Auch bei der dritten Zone handelt es sich um einen Abscheider, für
gewöhnlich in Form einer Kolonne, der als Adsorptionsmittel granuläres, poröses Magnesiumsilikat (MgSiOi)
enthält. Ein vorzugsweise verwendetes Magnesiumsilikat ist in der US-PS 23 93 625 im einzelnen erläutert.
Die Körner haben eine große Oberfläche; die Teilchengröße liegt zwischen ungefähr 0,6 mm und
4,8 mm und vorzugsweise zwischen ungefähr 1,4 mm und ungefähr 2,4 mm. In der dritten Zone werden im
wesentlichen der gesamte Arsenwasserstoff und Phosphorwasserstoff sowie der Rest (im wesentlichen alle)
der Silicone abgeschieden. Das Silan und die verbleibenden Verunreinigungen gehen dann in Gasform über
Kopf an einen Verdichter.
Die als Adsorptionsmittel in der zweiten, dritten und sechsten Zone verwendeten granulären Stoffe können
in der granulären Form als solcher benutzt oder mit konventionellen Füllkörpern kombiniert werden, um für
eine bessere Zirkulation des gasförmigen Gemisches in der Zone zu sorgen.
Bei dem Verdichter handelt es sich um einen konventionellen Geräteteil, der eine doppelte Funktion
hat. Er zieht Gas durch Saugwirkung von der dritten Zone aus ein, wobei mit einem Überdruck im Bereich
von ungefähr 0 bis ungefähr 1,03 bar und vorzugsweise ungefähr 0,27 bar bis ungefähr 0,69 bar gearbeitet wird.
Der Verdichter komprimiert ferner das gasförmige Gemisch aus Silan plus verbleibenden Verunreinigungen.
Dabei wird ein Überdruck von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,5 bar und vorzugsweise von ungefähr
2,8 bar bis ungefähr 8,3 bar vorgesehen. Das Gemisch gelangt dann zu der vierten Zone, einer Destillationszone,
wo der hohe Druck beispielsweise mit Hilfe eines Rückdruckreglers aufrechterhalten wird. Der hohe
Druck sorgt zusammen mit den in der vierten Zone herrschenden Bedingungen dafür, daß die näedrigsie-
denden Komponenten in Gasform über Kopf abgehen,
während mindestens ungefähr 95 Gew.-% in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden. Oie vierte Zone
kann ähnlich aufgebaut sein wie die erste Zone, d. h-, es
kann sich um einen Rücklaufkondensator handeln, der eine Füllkörperkolonne umgibt, wobei ein Behälter oder
ein anderes Gefäß am unteren Ende der Kolonne vorgesehen ist. Die Füllkörperfüllung entspricht ungefähr
20 bis ungefähr 36 theoretischen Bödc-n und vorzugsweise ungefähr 24 bis ungefähr 30 theoretischen
Boden. In dieser vierten Zone kann ebenso wie in der ersten Zone mit anderen äquivalenten Formen von
Destillationseinrichtungen gearbeitet werden. Die vierte Zone wird anfänglich im Bereich von ungefähr
—50° C bis ungefähr — 90° C und vorzugsweise ungefähr
-70° C bis ungefähr -80° C betrieben. Der Oberdruck liegt anfänglich im Bereich von ungefähr 1,4 bar bis
ungefähr 10,5 bar und vorzugsweise ungefähr 2,8 bar bis ungefähr 8,3 bar. Das Gemisch wird zweckmäßig in die
untere Hälfte der Füllkörperkolonne, vorzugsweise bei ungefähr dem zehnten theoretischen Boden, eingeleitet.
Die niedrigsiedenden Komponenten, Wasserstoff und Helium sowie andere nichtkondensierbare Verunreinigungen
werden als Kopfgase abdestilliert. Eine kleine Silanmenge geht mit diesen niedrigsiedenden Komponenten
ab; es handelt sich dabei um ungefähr 0,5 bis ungefähr 5 Gew.-% der in die Zone eintretenden
Silangesamtmenge.
Das Gemisch aus den niedrigsiedenden Komponenten, nichtkondensierbaren Stoffen und der !.!einen
Silanmenge gelangt über Kopf in Gasform von der vierten Zone zur fünften Zone, bei der es sich um eine
leere Kolonne handeln kann; es wird bei einer Temperatur von ungefähr -150°C bis ungefähr
— 200°C und vorzugsweise ungefähr -185°C bis ungefähr — 195°C gehalten. Der Überdruck liegt im
Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 0,34 bar und vorzugsweise ungefähr 0,07 bar bis ungefähr 0,14 bar.
Die Temperatur reicht aus, um das Silan auszufrieren, während die niedrigsiedenden Komponenten und
nichtkondensierbaren Stoffe in gasförmigem Zustand verbleiben und in dieser Form das System verlassen.
Nachdem die niedrigsiedenden Komponenten und die nichtkondensierbaren Stoffe aus der vierten Zone
abgeleitet sind, wird das Ventil, das Gase von der vierten Zone zu der fünften Zone strömen läßt, geschlossen (bis
der Arbeitsvorgang in der fünften Zone beendet ist); die Temperatur wird erhöht, um das flüssige Silan in Gas
umzuwandeln.
Nachdem die niedrigsiedenden Komponenten aus der fünften Zone abgetrennt sind, wird das gefrorene Silan
in der gleichen Weise wie das flüssige Silan in der vierten Zone in Gas umgewandelt. Das Silangas zieht
über Kopf ab und wird vorzugsweise über die gleiche Sirecke geschickt wie das Silangas aus der vierten Zone,
wobei das gemeinsame Ventil dann geöffnet wird.
Das Silan gelangt zusammen mit gegebenenfalls noch vorhandenen restlichen Verunreinigungen in Gasform
von der vierten und der fünften Zone auf die gleiche Weise zu der sechsten Zone, wie das Gemisch von der
ersten in die zweite Zone sowie von der zweiten in die dritte Zone übergeht. Die sechste Zone ist ähnlich wie
die zweite und dritte Zone aufgebaut und hat eine ähnliche Adsorptionsmittelfüllung wie die zweite Zone.
Sie wird bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr
— 10°C bis ungefähr +500C und vorzugsweise ungefähr
+ 1O0C bis ungefähr + 3u"C betrieben. Der Überdruck
in der sechsten Zone liegt im Bereich von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,4 bar. vorzugsweise zwischen
ungefähr 2,8 bar und ungefähr 8.3 bar. Im wesentlichen das gesamte Diboran und sämtliche Silane mit
Ausnahme von SiH< werden in dieser Zone abgetrennt.
Das gasförmige Silan, das im wesentlichen rein ist und
Reinheitsgrade von ungefähr 993+ Gew.-% haben
kann, strömt dann über Kopf von der sechsten Zone zu einem Verdichter, der gleich oder ähnlich wie der
vorstehend erläuterte Verdichter aufgebaut ist. Das
ίο Silan wird in den Verdichter durch Saugwirkung bei
einem Überdruck von ungefähr 1,4 bar bis ungefähr 10,4 bar und vorzugsweise ungefähr 2,8 bar bis ungefähr
83 bar eingezogen. Das Silangas wird dann komprimiert. Der Abgabeüberdruck beträgt ungefähr 69 bis
ungefähr 138 bar und vorzugsweise ungefähr 96 bar bis ungefähr 124 bar. In diesem Zustand wird das Silan
zwecks Verteilung an die Elektronikindustrie abgefüllt.
Die Saugwirkung verbessert auf vorteilhafte Weise die Leistungsfähigkeit des Prozesses, wenn sie nach der
2u dritten und sechsten Zone vorgesehen wild. Es können
jedoch auch andere konventionelle Mittel benutzt werden, um das Gas durch das System hindurchzutreiben.
Obwohl das zuvor erläuterte System mit sechs Zonen bevorzugt vorgesehen wird, weil es die höchsten Reinheitsgrade liefert, kann das Verfahren auch mit drei Zonen, und zwar der zweiten, dritten und vierten Zone, durchgeführt werden; zusätzlich zu diesen drei Zonen können die erste oder die sechste Zone benutzt werden,
Obwohl das zuvor erläuterte System mit sechs Zonen bevorzugt vorgesehen wird, weil es die höchsten Reinheitsgrade liefert, kann das Verfahren auch mit drei Zonen, und zwar der zweiten, dritten und vierten Zone, durchgeführt werden; zusätzlich zu diesen drei Zonen können die erste oder die sechste Zone benutzt werden,
κι um ein Vierzonensystem zu erhalten.
Es versteht sich, daß die zweite und die dritte Zone vorzugsweise als physikalische Einheit betrieben werden;
ihre gesonderten Funktionen müssen jedoch beibehalten bleiben, wie dies für die beiden Zonen
beschrieben ist. In gleicher Weise kann auch bezüglich
der vierten und fünften Zone vorgegangen werden.
Die bevorzugte Reihenfolge, in der die Zonen innerhalb des Systems durchlaufen werden, entspricht
der numerischen Zahlenfolge; d. h., das Gemisch
4(1 durchläuft nacheinander die Zonen 1 bis 4; ein Teil des
Gemisches in der Zone 4 geht zur Zone 5; die kombinierten Gemische der Zonen 4 und 5 gehen dann
an die sechste Zone. Diese Reihenfolge kann geändert werden, so daß das Gemisch nacheinander die Zonen I.
2,3,6 und 4 durchläuft, worauf ein Teil des Gemisches in
der Zone 4 zur Zone 5 geht und die kombinierten Gemische der Zonen 4 und 5 dem Verdichter zwecks
Abfüllen in Gasflaschen zugeführt werden. Die Temperatur der sechsten Zone muß jedoch um ungefähr 20 bis
50°C abgesenkt werden. Die Temperaturen innerhalb der Zonen lassen sich auf konventionelle Weise
einstellen; vorzugsweise wird kombiniert mit flüssigem Stickstoff und entsprechend geregelten Heizgeräten
gearbeitet.
Das beschriebene Silanreinigungsverfahren ist generell anwendbar; es eignet sich jedoch insbesondere für
ein Silan mit den obengenannten Verunreinigungen. Zur näheren Erläuterung dient das folgende Beispiel.
Ein Gemisch aus Silan plus Verunreinigungen wird aurch die in Reihe geschaltete Folge von sechs Zonen
ti) geleitet, wie sie vorstehend erläutert sind; dabei wird
mit den ebenfalls angegebenen bevorzugten Arbeitsbedingungen gearbeitet. Das System ist geschlossen.
Das Gemisch enthält:
Komponente
Gew.-"/, des Gesamtgemisches
Silan 98,0
Wasserstoff, Chlorsilane, 1,9
Siliciumtetrachlorid
Weitere Verunreinigungen
wie folgt:
wie folgt:
Helium
Silicone
Siloxane
Silane mit Ausnahme von SiII4 Arsenwasserstoff
Phosphorwasserstofl
Diboran 0,1
Insgesamt 100,0
Bei der Holzkohle handelt es sich um Aktivkohle. Das Magnesiumsilikat liegt gleichfalls in aktiviertem Zustand
vor; die Körner haben eine Teilchengröße von ungefähr 1,4 mm bis ungefähr 2,4 mm.
Die in jeder Zone aufrechterhaltenen Temperaturen und Drücke sind wie folgt:
Zone | -60 | Überdruck |
-70 | (bar) | |
Erste | -70 | 0,55 |
Zweite | -75 | 0,48 |
Dritte | -195 | 0.41 |
Vierte | +20 | 6,89 |
Fünfte | 0,14 | |
Sechste | 6,89 | |
Körner werden nur in der zweiten, dritten und sechsten Zone vorgesehen. Die Füllung in der ersten
und fünften Zone besteht aus 6,1 mm großen ausgewölbten Füllkörpern aus rostfreiem Stahl. Die Anzahl
der theoretischen Böden in der ersten und vierten Zone
beträgt 24. Alle Anlagenteile, mit denen das Gemisch aus Silan und Verunreinigungen in Berührung kommt
sind aus rostfreiem Stahl gefertigt. Bei der ersten und der vierten Zone handelt es sich um Rücklaufkondensatoren,
die eine Füllkörperkolonne umgeben, an deren unterem Ende ein Behälter vorgesehen ist. Die zweite
dritte und sechste Zone sind Kolonnen mit Adsorptionsmittelkörnern. Bei der fünften Zone handelt es sich um
eine leere Kolonne. Alle Zonen sind derart aufgebaul und ausgerüstet, daß die erforderlichen Temperaturer
und Drücke eingestellt und aufrechterhalten werder können.
Die Temperaturen in der ersten, zweiten, dritten unc vierten Zone werden mit Hilfe von flüssigem Stickstofl
aufrechterhalten, wobei eine Temperaturregelung mil Hilfe von Heizbändern oder anderen Heizelementer
erfolgt. In der sechsten Zone ist ein Heizbanc vorgesehen. Die Temperatureinstellung in der fünfter
Zone erfolgt mit Hilfe von flüssigem Stickstoff. Es sine zwei Verdichter vorgesehen.
Bei den Verdichtern wird mit folgenden Überdrücker gearbeitet:
(a) Ansaugen von der dritten Zone — 0,34 bar
(b) Abgabe an die vierte Zone — 6,89 bar
(c) Ansaugen aus der sechsten Zone — 6,89 bar
(d) Abgabe zwecks Abfüllung — 103,42 bar
Eine Analyse des abgefüllten Gases durch Gaschromatographie und Massenspektroskopie zeigte, daß das
Silan eine Reinheit von 99,99 Gew.-% hat.
Claims (5)
1. Verfahren zum Reinigen von Silan bei dem ein Gemisch von Silan ur.d Verunreinigungen innerhalb
eines geschlossenen Systems durch eine Folge von in Reihe geschaketen Zonen hindurchgeleitet wird,
dadurch gekennzeichnet, daß man das gasförmige Gemisch bei einer Temperatur zwischen
-40° C und-800C
(a) zunächst durch poröse, granuläre Holzkohle und darauf
(b) durch poröses, granuläres Magnesiumsilikat leitet,
(c) sodann das erhaltene teilgereinigte Gemisch in eine Destillationszone derart einführt, daß
weitere Verunreinigungen über Kopf in Gasform beseitigt und mindestens 95 Gew.-% des
Silans in flüssiges Sumpfprodukt umgewandelt werden; und schließlich
(d) das Sumpfprodukt zurückgewinnt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Gemisch vor dem Einleiten in
die Verfahrensstufe (a) bei einer Temperatur von -i 00C bis-70° C destilliert.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man das Sumpfprodukt der
Verfahrensstufe (c) durch poröse, granuläre Holzkohle bei einer Temperatur von - 1O0C bis +5O0C
leitet.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man aus dem in der Verfahrensstufe (c)
beseitigten, gasförmigen silanhaltigen Verunreinigungsgemisch in einer Zone ausreichend niedriger
Temperatur das Silan ausfriert und gewinnt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man die Temperatur in den Verfahrensstufen
(a) und (b) zwischen -60°C und -750C hält.
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- 1977-11-14 CA CA290,831A patent/CA1085587A/en not_active Expired
- 1977-12-15 ES ES465108A patent/ES465108A1/es not_active Expired
- 1977-12-15 FR FR7737850A patent/FR2374264A1/fr active Granted
- 1977-12-15 DE DE2755824A patent/DE2755824C3/de not_active Expired
- 1977-12-15 BE BE183496A patent/BE861897A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-12-15 BR BR7708331A patent/BR7708331A/pt unknown
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US4099936A (en) | 1978-07-11 |
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