DE2749848A1 - Kuehlkoerper fuer integrierte schaltungen - Google Patents

Kuehlkoerper fuer integrierte schaltungen

Info

Publication number
DE2749848A1
DE2749848A1 DE19772749848 DE2749848A DE2749848A1 DE 2749848 A1 DE2749848 A1 DE 2749848A1 DE 19772749848 DE19772749848 DE 19772749848 DE 2749848 A DE2749848 A DE 2749848A DE 2749848 A1 DE2749848 A1 DE 2749848A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
heat sink
thermally conductive
integrated circuit
conductive material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19772749848
Other languages
English (en)
Other versions
DE2749848B2 (de
DE2749848C3 (de
Inventor
Ronald Neil Spaight
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2749848A1 publication Critical patent/DE2749848A1/de
Publication of DE2749848B2 publication Critical patent/DE2749848B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2749848C3 publication Critical patent/DE2749848C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, M.Y. 1O5O4 heb-pi
Kühlkörper für integrierte Schaltungen
Die Erfindung betrifft ganz allgemein Kühlkörper für integrierte Schaltungen. Das Abführen von Wärme von integrierten Schaltungen hat beim Entwurf von Packungen für integrierte Schaltungen erhebliche konstruktive Schwierigkeiten bereitet. Ohne wirksame Wärmeableitung ergeben sich für die Leistungsabgabe und die Geschwindigkeit der derart untergebrachten integrierten Schaltung wesentliche Einschränkungen. Früher hat man diese Schwierigkeit bei der Halbleitertechnik dadurch umgangen, daß eine der Elektroden der Halbleitervorrichtung sowohl als thermischer, wie auch als elektrischer unmittelbarer Kontakt mit der Außenwelt ausgelegt wurde, wodurch die Elektrode an einen wirksamen wärmeableitenden Kühlkörper angeschlossen war. Dies war insbesondere dann sehr praktisch, wenn diese Elektrode beispielsweise auf Erdpotential gehalten werden konnte. Typische diskrete Halbleitervorrichtungen dieser Art finden sich in den US-Patentschriften 3 719 862 und 3 836 825. Dieser Lösungsweg wurde auch bei einigen früheren Versuchen zum Ableiten von Wärme von integrierten Schaltungen eingeschlagen. Beispielsweise ist in IBM ; Technical Disclosure Bulletin, Band 13, Nr. 2, vom Juli 1970 ein Kühlverfahren beschrieben, bei dem eine durch Wärmeableitung gekühlte isothermische Kühlplatte benutzt wird, die metallurgisch über einen Stift mit verschiedenen integrierten , Schaltungen in einer mehrere integrierte Schaltungen enthaltenden Packung verbunden ist. Bei diesem Verfahren wird das Halbleiterplättchen auf das Potential der Kühlplatte festgelegt . ,
EN 976 029
80Ö823/0586
Wenn dieser Stift unmittelbar mit dem Halbleiterplättchen verbunden ist, ergeben sich weitere Schwierigkeiten dadurch, daß verschiedene Spannungsbeanspruchungen auftreten, wenn die Halbleitervorrichtungen die üblichen Wärmezyklen durchlaufen. Diese wiederholten Spannungsbeanspruchungen können zu Ermüdung sbrüchen bei den verschiedenen leitenden Verbindungen innerhalb der Halbleitervorrichtungen führen, so daß oft dadurch die Schaltung insgesarat ausfällt.
Es gibt jedoch viele Anwendungsgebiete, bei denen das mit einer integrierten Schaltung versehene Halbleiterplättchen nicht auf Erdpotential oder dem Potential einer Wärmesenke gehalten werden kann. Das ergibt beträchtliche Schwierigkeiten, da die meisten zur Wärmeableitung dienenden Mittel ebenfalls gute elektrische Leiter sind. Bei vielen mit integrierten Schaltungen versehenen Packungen sind einzelne integrierte Schaltungen an Verbindungspunkten mit einem Substrat verbunden und von einem Gehäuse umschlossen und abgedichtet in einer Atmosphäre eines inerten Gases untergebrach. In diesen Packungen kann die Wärme nur über V/ärmekonvektion über das inerte Gas an das Gehäuse sowie über Wärmeleitung durch die diskreten Verbindungspunkte nach dem Substrat abgeführt werden. Bei einer dartigen Anordnung treten oft beträchtliche Wärmeübergangswiderstände auf, vodurch die mögliche Verlustleistung solcher Packungen stark eingeschränkt wird. Diese Einschränkungen sind aber für solche integrierte Schaltungen noch viel schwerwiegender, wenn das die Kalbleiterschaltung tragende Schaltungsplättchen mit auf der aktiven Seite des Schaltungsplättchens befindlichen kleinen Lötkügelchen unmittelbar mit dem Substrat verbunden ist. Die für die Wärmeleitung zu Verfügung stehenden Flächen der kleinen Kügelchen sind sehr klein und reichen normalerweise für die Wärmeableitung von Halbleiterschaltungen höherer Leistung nicht aus. Obgleich es an sich möglich ist, die
EN 976 029
809823/0588
Wärmeableitung von einem auf diese Weise befestigten HaIbleiterplättchen dadurch zu verbessern, daß wan die Rückseite des Halbleiterplättchens über eine metallische Verbindung an das Gehäuse führt, so können sich auch dadurch zusätzliche Zugspannungen auf die Halbleitervorrichtungen ausbilden, was die Zuverlässigkeit der Schaltungen stark beeinträchtigt. Da ferner die Kosten für die einzelnen integrierten Halbleiterschaltungen ständig zunehmen, ist es auch erwünscht, schadhafte Vorrichtungen reparieren zu können. Dies ist jedoch schwierig durchzuführen, wenn die Rückseite des Halbleiterplättchens über eine metallische Wärmebrücke an das Gehäuse gelegt ist.
Diese Schwierigkeiten können noch wesentlich verstärkt werden, wenn man Moduln mit vielen Halbleiterplättchen betrachtet, bei denen viele Halbleiterplättchen auf einem einzigen Substrat angebracht sind. Bei derartigen Moduln ist es allgemein üblich, daß die verschiedenen Halbleiterplättchen auf unterschiedliche elektrische Potentiale vorgespannt sind, so daß sie nicht an einen einzigen gemeinsamen Punkt angeschlossen werden können. Da diese Moduln im allgemeinen ein wesentlich größeres Substrat aufweisen als Moduln mit nur einem Halbleiterplättchen, werden die Zuverlässigkeitsprobleme, die sich aus unterschiedlichen Wärmeausdehnungseigenschaften der Materialien ergeben, noch verstärkt. Mit zunehmendem Ab- [ stand des Halbleiterplättchens von dem neutralen Punkt des ■ Substrats nehmen auch die thermischen Spannungen, die sich I aus der metallischen Verbindung des Halbleiterplättchens mit dem Gehäuse ergeben, zu. j
Außerdem sind mit mehreren Chips oder Halbleiterplättchen j versehene Moduln im allgemeinen wesentlich teuerer als Moduln mit nur einem Chip. Deswegen ist es auch sehr erwünscht, daß man das Gehäuse des Moduls abnehmen und ein schadhaftes Bauteil oder Bauelement reparieren oder ersetzen kann. Wie be-
EN 976 029
809823/0586
reits gesagt, macht eine metallische Wärmebrücke zv/ischen der Rückseite der Halbleiterplättchen oder Chips und dem Gehäuse eine solche Reparatur schwierig, wenn nicht gar unmöglich.
Zusammenfassung der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es also, einen Kühlkörper oder eine Wärmesenke für die Wärmeableitung von einer integrierte Schaltungen enthaltenden Packung zu schaffen, durch welche die soeben beschriebenen Schwierigkeiten des Standes der Technik ausgeräumt werden. Die3e Wärmeableitung soll dabei einen kleinen thermischen Widerstand oder Wärmeübergangswiderstand aufweisen, während gleichzeitig für die integrierte Schaltung ein hoher elektrischer Widerstand aufrecht erhalten wird. Gleichzeitig soll dabei sichergestellt werden, daß die Packung im Bedarfsfall geöffnet und repariert werden kann, wobei selbstverständlich die Forderungen nach Wirtschaftlichkeit und Zuverlässigkeit Berücksichtigung finden müssen. Gleichzeitig muß darauf geachtet werden, daß die auf die integrierten Schaltungen einwirkenden Zug- oder Druckspannungen möglichst klein gehalten werden.
Diese der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird dadurch gelöst, daß auf der Unterseite eines zum Einkapseln einer integrierten Schaltung dienenden Gehäuses ein in einer dünnen Folie enthaltendes wärmeleitendes Material vorgesehen wird. Die Folie ist elektrisch nichtleiend und bildet zusammen mit der wärmeleitfähigen Flüssigkeit ein verformbares Polster oder Kissen, so daß, nachdem das Halbleiterplättchen oder der Chip auf dem Substrat befestigt ist, das Gehäuse mit der in einer Folie eingeschlossenen Flüssigkeit über das Substrat gelegt und dicht verschlossen wird. Das verformbare Polster kommt dabei in unmittelbare Berührung mit der Oberseite des oder der auf dem Substrat befestigten Halbleiterplättchen (s) und ermöglicht damit eine unmittelbare Wärmeübertragung von dem
EN 976 029
809823/058$
Halbleiterplättchen über die Folie nach dem wärmeleitenden flüssigen Material und von dort an das Gehäuse und eine zugehörige Wärmesenke.
Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung im einzelnen beschrieben.
In der Zeichnung zeigt: Fig. 1 eine perspektivische Draufsicht, teilweise im
Schnitt, einer integrierten Schaltungspackung mit einer Wärmeableitung gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine Schnittansicht längs der Linie 2-2 in
Fig. 1 und
Fign. 3 und 4 Teilschnittansichten weiterer Ausführungsformen der Wärmeableitung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
In Fig. 1 ist zunächst eine mit integrierten Schaltungen versehene Packung mit einem Gehäuse, das zur Wärmeableitung durch Wärmestrahlung oder als Wärmesenke ausgebildet ist, und auf eineia Substrat 13 befestigt ist, das eine Anzahl von durchgehenden Anschlußstiften 15 trägt, die die Anschlüsse über elektrische Verbindungsleitungen (nicht gezeigt) von den auf dem Substrat 13 befestigten integrierten Schaltungen 17 herstellt. Auf der Unterseite des Gehäuses 11 ist eine dünne Folie 19 befestigt, die ein wärmeleitfähiges Material 21 enthält, wobei die Folie 19 mit der Oberfläche der integrierten Schaltung 17 dann in Berührung kommt, wenn das Gehäuse 11
ta 976 029
809823/05Θ6
auf das Substrat 13 aufgesetzt und mit diesem abgedichtet wird. Die Abdichtung kann dabei in an sich bekannter Weise erfolgen.
Aus der Querschnittsansicht der Fig. 2 sieht man, daß die integrierte Schaltung 17 mit der Oberseite des Substrats 13 über ein Anzahl von elektrisch leitenden Verbindungen, die beispielsweise Lötkügelchen sein können, verbunden ist. Da dies die einzigen Verbindungen zwischen der integrierten Schaltung 17 und dem Substrat 13 sind, besteht nur eine sehr geringe Möglichkeit für die Wärmeableitung zwischen diesen beiden Teilen, und es wäre damit an sich schwierig, die von der integrierten Schaltung 17 erzeugte Wärme abzuleiten. Mit der verformbaren Folie 19, die das wärmeleitende Material 21 umschließt, wird ein inniger Kontakt zwischen der Folie 19 und der Oberseite der integrierten Schaltung hergestellt, so daß eine unmittelbare Wärmeübertragung zwischen der integrierten Schaltung und dem Gehäuse 11 stattfindet, das als Wärmesenke oder Kühlkörper durch Wärmestrahlung ausgebildet ist.
Das Material der verformbaren Folie ist vorzugsweise ein dielektrisches Material, beispielsweise ein organisches Polymeres, wie ein Polyimid oder Polyester, könnte aber auch eine dünne metallische Folie sein, die auf der mit der integrierten Halbleiterschaltung in Berührung kommenden Oberfläche oxidiert ist. Andererseits könnte das Dielektrikum auf der Rückseite des oder der Halbleiterplättchen (s) vorgesehen sein, so daß man nicht noch extra eine dielektrische Folie benötigen würde, obgleich eine solche Folie immer noch verwendet werden könnte.
{Die Folie 19 kann durch irgendein bekanntes Verfahren an dem !Gehäuse 11 befestigt werden, was eine relativ starke luft-
EW 976 029
809823/0586
dichte Abdichtung gibt. Beispielsweise könnte der IMfang der Folie auf der Innenseite des Gehäuses auflaminiert sein oder durch ein Epoxydharz oder ein sonstiges Klebemittel befestigt sein, durch das die Umgebung der integrierten Schaltung 17 nicht verunreinigt wird. Vorzugsweise soll der das wärmeleitfähige Material 21 enthaltende Hohlraum vor dem Abdichten der Folie mit dem Gehäuse ausgepumpt werden, damit wirklich keine Luft mehr enthalten ist, die sonst in dem Polster als Wärmesperre wirken könnte.
üas wärmeleitfähige Material 21 könnte aus dem erforderlichen Wärmeübergangswiderstand, den Ausdehnungseigenschaften des ilaterials und der Verformung des Materials bestimmt werden. Das Material könnte beispielsweise ein wärmeleitendes öl oder Fett, pulverisiertes Metall oder ein niedrig schmelzendes Metall oder eine Legierung, die bei Zimmertemperaturen flüssig bleibt, sein. Niedrigschmelzende Metalle könnten z.B. Lötzinn, Quecksilber, Cäsium oder Gallium sein. Im allgemeinen wird das aus der Membran oder der Folie 19 und dem wärmeleitfähigen Material 21 bestehende Polster jederzeit auf die Rückseite der integrierten Schaltung 17 einen genau bemessenen Druck ausüben, so daß stets eine ausreichende Wärmebrücke zwischen der integrierten Schaltung 17 und dem Gehäuse 11 des Moduls sicherr gestellt ist.
üie Verwendung eines derartigen verformbaren Polsters hat eine Reihe von ganz besonderen Vorteilen. Zunächst erhält man bessere Wärmeableitung des Moduls, man erhält eine abgedichtete Wärmebrücke, die eine Verunreinigung der Umgebung des Moduls verhindert, und man kann die derzeit üblichen Abdichtverfahren einschließlich metallisierter Keramiken einsetzen. Außerdem können das Gehäuse 11 des Moduls und das verformbare Polster außerhalb der Fertigungsstatte für die Moduls zusammengebaut werden, und die Toleranzanforderungen
EN 976 029
809823/0586
27Λ98Λ8
können klein gehalten werden, da die Folie 19 und das Material 21 verformbar sind. Ferner können derzeit übliche Gehäuse mit geringfügigen Abänderungen benutzt werden, und jegliche Fehlanpassung iiii Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen integrieter Schaltung 17 und Gehäuse 11 werden durch die Elastizität des verformbaren Polsters aus Folie 19 und wilrmeleitfähigen Material 21 kompensiert.
Bei einem bestimmten Anwendungsgebiet kann es erwünscht sein, ein positives Anhaften zwischen der Folie 19 und der Oberfläche der integrierten Schaltung 17 vorzusehen, wie z.B. durch Verwendung eines Klebstoffes. In anderen Fällen mag es besser sein, ζ v/i sehen der Folie 19 und der integrierten Schaltung 17 keinen Klebstoff vorzusehen, um damit eine Ausbesserung des Moduls möglicherweise zu erleichtern. Selbst dann, wenn ein Klebstoff benutzt wird, so sieht man, daß die auf die Oberseite der integrierten Schaltung 17 ausgeübten Zug- oder Druckkräfte wegen der Verformbarkeit des als Wärmebrücke dienenden Polsters klein bleiben.
In bestimmten Anwendungsgebieten mag es erwünscht sein, das verformbare, ein wärmeleitfähiges llaterial enthaltende Polster für sich allein zu benutzten anstelle der Unterseite des Gehäuses 11 als ein Teil dieses Polsters. Eine derartige Ausführungsform zeigt Fig. 3, bei der die Folie 191 das Material 21 vollständig umgibt. Bei dieser Ausführungsform kann das Polster auf der Rückseite der integrierten Schaltung aufgesetzt und/oder mit dieser verbunden werden, bevor das Gehäuse (nicht gezeigt) aufgesetzt wird, oder man könnte auch das Polster an dem Gehäuse innen befestigen, bevor die integrierte Schaltung eingekapselt wird.
Eine weitere Möglichkeit für ein verformbares Polster zeigt Fig. 4. In diesem Ausführungsbeispiel ist das wärmeleitfähi-
EN 976 029
809823/0588
ge Iiaterial 31 zwischen einer Folie 19* und dem Substrat enthalten und umgibt die integrierte Halbleiterschaltung vollständig. Bei dieser Ausführungsform muß das wärmeleitfähige Material 31 elektrisch nichtleitend und nichtkorrodierend sein und darf auch die integrierte Schaltung und ihre elektrischen Anschlüsse nicht angreifen. Dies hat aber den zusätzlichen Vorteil, daß eine verbesserte Wärmebrücke zwischen der Lnterseite der integrierten Schaltung und dem Substrat 13 gebildet wird.
EN 976 029
809823/0588
te
erseife

Claims (8)

patentansprOche
1. Härmeableitungvorrichtung für eine in einem Gehäuse eingekapselte, auf einem Substrat befestigte integrierte Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß zwischai der integrierten Schaltung (17) und dein Gehäuse (11) eine ein wänueleitfähiges Material (21) umhüllende Folie (19) vorgesehen ist und daß die Folie und das wärmeleitfähige Ilaterial als polsterförmiger Kühlkörper eine unmittelbare Wärmebrücke zwischen integrierter Schaltung und dem Gehäuse bildet.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der polsterförmige Kühlkörper durch eine mit ihrem Rand an der Unterseite des Gehäuses befestigte, das wärmeleitfähige Material umschließende Folie (21) gebildet wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der polsterförmige Kühlkörper durch eine das wärme leitfähige Ilaterial (19*) allseitig anschließende Folie (21*) gebildet wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der polsterförmige Kühlkörper (19*, 21') an der Unterseite des Gehäuses (11) befestigt ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der polsterförmige Kühlkörper durch eine mit ihren Rändern an der Oberseite des Substrats befestigte Folie (19·■) gebildet ist.
EN 976 029
809823/0566
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie aus einem :1a te rial besteht, das aus
einer Polyester, Polyamide und dünne metallische Folien enthaltenden Gruppe ausgewählt ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als wärmeleitfähiges Material ein wärmeleitfähiges Fett oder öl, pulverisiertes Metall oder ein niedrig schmelzendes Metall dient.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das bei niedriger Tempertaur schmelzende Metall
bereits bei etwa Zimmertemperatur flüssig ist.
EN 976 029
809823/0586
DE2749848A 1976-12-06 1977-11-08 Wärmebrücke einer in einem Gehäuse eingekapselten integrierten Schaltung Expired DE2749848C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/748,077 US4092697A (en) 1976-12-06 1976-12-06 Heat transfer mechanism for integrated circuit package

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2749848A1 true DE2749848A1 (de) 1978-06-08
DE2749848B2 DE2749848B2 (de) 1980-01-31
DE2749848C3 DE2749848C3 (de) 1980-10-30

Family

ID=25007899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2749848A Expired DE2749848C3 (de) 1976-12-06 1977-11-08 Wärmebrücke einer in einem Gehäuse eingekapselten integrierten Schaltung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4092697A (de)
JP (1) JPS5370672A (de)
CA (1) CA1073555A (de)
DE (1) DE2749848C3 (de)
FR (1) FR2379166A1 (de)
GB (1) GB1587865A (de)
IT (1) IT1120751B (de)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0009605A1 (de) * 1978-10-02 1980-04-16 International Business Machines Corporation Kühlsystem für Halbleiter-Modul
FR2486685A1 (fr) * 1980-07-09 1982-01-15 Labo Electronique Physique Carte de paiement electronique et procede de realisation
DE3247534A1 (de) * 1981-12-28 1983-07-07 Aavid Engineering Inc., Laconia, N.H. Graphitunterlagen fuer kuehlkoerper
DE3404027A1 (de) * 1983-02-07 1984-08-16 Sperry Corp., New York, N.Y. Vorrichtung zum kuehlen integrierter schaltungschips
EP0218438A2 (de) * 1985-09-30 1987-04-15 Mcnc Montierungsgerät eines Halbleiterchips und Herstellungsgerät elektrischer Verbindungen dazu
DE3735985A1 (de) * 1986-10-24 1988-05-11 Bicc Plc Waermeleitender modul fuer gedruckte schaltungsplattenanordnung
DE3801843A1 (de) * 1987-01-23 1988-08-04 Pace Inc Heizvorrichtung
EP0340959A2 (de) * 1988-05-06 1989-11-08 Digital Equipment Corporation Schaltungschipspackung zum Schützen gegen elektromagnetische Interferenzen, elektrostatische Entladungen und thermische und mechanische Spannungen
DE4009445A1 (de) * 1989-04-20 1990-10-25 Siemens Ag Kuehlvorrichtung fuer elektronische baugruppen einer bestueckten leiterplatte
DE4137112A1 (de) * 1991-11-12 1993-05-13 Bayerische Motoren Werke Ag Lokale abschirmung von elektronischen bauteilen eines elektronischen steuergeraetes in einem kraftfahrzeug
EP0544915A1 (de) * 1991-06-20 1993-06-09 Iwaki Electronics Co., Ltd. Verpackungsstrukture fuer halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
EP0571863A1 (de) * 1992-05-27 1993-12-01 Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft Einbausystem für auf Leiterplatten montierte, hochintegrierte, gehäuselose Bausteine
DE4237546A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Behr Thomson Dehnstoffregler Elektrisches Schaltgerät
EP0745279A1 (de) * 1994-02-15 1996-12-04 Berg Technology, Inc. Abgeschirmter leiterplattenverbindungsmodul
EP0762495A2 (de) * 1995-08-30 1997-03-12 Hewlett-Packard Company Thermische Zwischenlage für einen Kühlkörper einer Vielzahl von, auf einem Substrat montierten Chips
EP0793270A1 (de) * 1996-03-01 1997-09-03 MCB Industrie Gehäuse für thermische Strahlungsbauelemente mit verbesserter Wärmeleitung und Herstellungsverfahren dafür
DE19714835A1 (de) * 1997-04-10 1998-10-15 Georg Schlomka Gehäuse für hochfrequent lärm- und wärmeemittierende Baugruppen
DE19722357C1 (de) * 1997-05-28 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Steuergerät
DE10033848A1 (de) * 2000-07-12 2002-01-24 Plg Elektronik Ingenieur Und D Elektrisches Gerät

Families Citing this family (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4394530A (en) * 1977-09-19 1983-07-19 Kaufman Lance R Power switching device having improved heat dissipation means
JPS5568659A (en) * 1978-11-20 1980-05-23 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US4323914A (en) * 1979-02-01 1982-04-06 International Business Machines Corporation Heat transfer structure for integrated circuit package
US4292647A (en) * 1979-04-06 1981-09-29 Amdahl Corporation Semiconductor package and electronic array having improved heat dissipation
EP0017472A1 (de) * 1979-04-06 1980-10-15 Lintott Engineering Limited Vakuumapparatur mit einer Vorrichtung zur Wärmeübertragung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkomponenten unter Anwendung dieser Apparatus
NL7905101A (nl) * 1979-06-29 1980-12-31 Neratoom Warmtewisselaar en pijp ten gebruike daarin.
JPS5619694A (en) * 1979-07-26 1981-02-24 Mitsubishi Electric Corp Method of dissipating heat of circuit part
JPS56122149A (en) * 1980-02-29 1981-09-25 Fujitsu Ltd Heat dissipating structure for semiconductor device
US4330812A (en) * 1980-08-04 1982-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Circuit board electronic component cooling structure with composite spacer
JPS5772357A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Nec Corp Mounting method of integrated circuit
US4441140A (en) * 1980-11-20 1984-04-03 Raytheon Company Printed circuit board holder
JPS57126153A (en) * 1981-01-30 1982-08-05 Nec Corp Multichip lsi package
JPS57166052A (en) * 1981-04-06 1982-10-13 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4434134A (en) 1981-04-10 1984-02-28 International Business Machines Corporation Pinned ceramic substrate
JPS57204154A (en) * 1981-06-09 1982-12-14 Nec Corp Structure of chip carrier
JPS5817645A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Nec Corp 抵抗体付きチツプキヤリヤ構造
US4561011A (en) * 1982-10-05 1985-12-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dimensionally stable semiconductor device
US4551787A (en) * 1983-02-07 1985-11-05 Sperry Corporation Apparatus for use in cooling integrated circuit chips
US4685987A (en) * 1983-09-02 1987-08-11 The Bergquist Company Method of preparing interfacings of heat sinks with electrical devices
US4602314A (en) * 1983-10-14 1986-07-22 Intel Corporation Heat conduction mechanism for semiconductor devices
US4577387A (en) * 1983-10-31 1986-03-25 Kaufman Lance R Method of mounting a compact circuit package to a heat sink or the like
US4546410A (en) * 1983-10-31 1985-10-08 Kaufman Lance R Circuit package with membrane, containing thermoconductive material, ruptured against a heat sink
US4546411A (en) * 1983-10-31 1985-10-08 Kaufman Lance R Mounting of a compact circuit package to a heat sink or the like
GB2186431B (en) * 1986-02-07 1989-11-01 Sperry Sun Inc Assemblies for supporting electrical circuit boards within tubes
US5083373A (en) * 1986-04-25 1992-01-28 Hamburgen William R Method for providing a thermal transfer device for the removal of heat from packaged elements
US5022462A (en) * 1986-04-30 1991-06-11 International Business Machines Corp. Flexible finned heat exchanger
US4730666A (en) * 1986-04-30 1988-03-15 International Business Machines Corporation Flexible finned heat exchanger
US4739446A (en) * 1986-05-05 1988-04-19 Itt Defense Communications, A Division Of Itt Corporation Header for a wafer scale assembly
JPH07114245B2 (ja) * 1986-10-17 1995-12-06 株式会社東芝 半導体外囲器
JPS6431443A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Nec Corp Semiconductor device
CA1306795C (en) * 1987-09-25 1992-08-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thermal transfer bag
GB2214719B (en) * 1988-01-26 1991-07-24 Gen Electric Co Plc Housing for electronic device
US4938279A (en) * 1988-02-05 1990-07-03 Hughes Aircraft Company Flexible membrane heat sink
GB2215127A (en) * 1988-02-20 1989-09-13 Fki Cableform Ltd Semiconductor heat sink assembly
US4962416A (en) * 1988-04-18 1990-10-09 International Business Machines Corporation Electronic package with a device positioned above a substrate by suction force between the device and heat sink
US4915167A (en) * 1988-08-05 1990-04-10 Westinghouse Electric Corp. Thermal coupling to enhance heat transfer
GB2246471B (en) * 1988-08-23 1993-07-28 Nobuo Mikoshiba Cooling semiconductor devices
GB2246472A (en) * 1988-08-23 1992-01-29 Nobuo Mikoshiba Cooling semiconductor devices
US5089936A (en) * 1988-09-09 1992-02-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
US4837664A (en) * 1988-09-12 1989-06-06 Westinghouse Electric Corp. Building block composite design and method of making for RF line replaceable modules
US5028984A (en) * 1988-11-04 1991-07-02 International Business Machines Corporation Epoxy composition and use thereof
CA2002213C (en) * 1988-11-10 1999-03-30 Iwona Turlik High performance integrated circuit chip package and method of making same
JPH02151826A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光スイッチ
US5282111A (en) * 1989-06-09 1994-01-25 Labinal Components And Systems, Inc. Thermal transfer plate and integrated circuit chip or other electrical component assemblies including such plate
US5485351A (en) * 1989-06-09 1996-01-16 Labinal Components And Systems, Inc. Socket assembly for integrated circuit chip package
US5198189A (en) * 1989-08-03 1993-03-30 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US4987478A (en) * 1990-02-20 1991-01-22 Unisys Corporation Micro individual integrated circuit package
US4960634A (en) * 1990-03-14 1990-10-02 International Business Machines Corporation Epoxy composition of increased thermal conductivity and use thereof
JPH07114250B2 (ja) * 1990-04-27 1995-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 熱伝達システム
US5265670A (en) * 1990-04-27 1993-11-30 International Business Machines Corporation Convection transfer system
US5291371A (en) * 1990-04-27 1994-03-01 International Business Machines Corporation Thermal joint
US5109318A (en) * 1990-05-07 1992-04-28 International Business Machines Corporation Pluggable electronic circuit package assembly with snap together heat sink housing
US5050296A (en) * 1990-06-07 1991-09-24 International Business Machines Corporation Affixing pluggable pins to a ceramic substrate
US5583375A (en) * 1990-06-11 1996-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device with lead structure within the planar area of the device
US5097387A (en) * 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
US5106451A (en) * 1990-11-15 1992-04-21 International Business Machines Corporation Heat sink and method of attachment
US5155579A (en) * 1991-02-05 1992-10-13 Advanced Micro Devices Molded heat sink for integrated circuit package
US5309320A (en) * 1991-02-06 1994-05-03 Hughes Aircraft Company Circuit card assembly conduction converter
JPH04264758A (ja) * 1991-02-20 1992-09-21 Nec Corp 半導体チップキャリア
DE4111247C3 (de) * 1991-04-08 1996-11-21 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
US5294830A (en) * 1991-05-21 1994-03-15 International Business Machines Corporation Apparatus for indirect impingement cooling of integrated circuit chips
US5208732A (en) * 1991-05-29 1993-05-04 Texas Instruments, Incorporated Memory card with flexible conductor between substrate and metal cover
US5205348A (en) * 1991-05-31 1993-04-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Semi-rigid heat transfer devices
US5187645A (en) * 1991-06-07 1993-02-16 Ergo Computing, Inc. Portable computer with docking connector for peripheral devices
US5168926A (en) * 1991-09-25 1992-12-08 Intel Corporation Heat sink design integrating interface material
US5202943A (en) * 1991-10-04 1993-04-13 International Business Machines Corporation Optoelectronic assembly with alignment member
US5146981A (en) * 1991-11-14 1992-09-15 Digital Equipment Corporation Substrate to heatsink interface apparatus and method
WO1993016883A1 (en) * 1992-02-26 1993-09-02 Seiko Epson Corporation Additional electronic device and electronic system
US8213431B2 (en) * 2008-01-18 2012-07-03 The Boeing Company System and method for enabling wireless real time applications over a wide area network in high signal intermittence environments
WO1993023825A1 (en) * 1992-05-20 1993-11-25 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic apparatus
US5367196A (en) * 1992-09-17 1994-11-22 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including an aluminum alloy heat spreader
GB9218233D0 (en) * 1992-08-27 1992-10-14 Dsk Technology International L Cooling of electronics equipment
US5285559A (en) * 1992-09-10 1994-02-15 Sundstrand Corporation Method and apparatus for isolating electronic boards from shock and thermal environments
US5378924A (en) * 1992-09-10 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Apparatus for thermally coupling a heat sink to a lead frame
US5608267A (en) * 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
US5323292A (en) * 1992-10-06 1994-06-21 Hewlett-Packard Company Integrated multi-chip module having a conformal chip/heat exchanger interface
DE4326207A1 (de) * 1992-10-06 1994-04-07 Hewlett Packard Co Mechanisch schwimmendes Mehr-Chip-Substrat
JP3003452B2 (ja) * 1993-04-08 2000-01-31 富士電機株式会社 二つの導体の導通接触構造
US5654587A (en) * 1993-07-15 1997-08-05 Lsi Logic Corporation Stackable heatsink structure for semiconductor devices
US5405808A (en) * 1993-08-16 1995-04-11 Lsi Logic Corporation Fluid-filled and gas-filled semiconductor packages
US5413965A (en) * 1993-09-13 1995-05-09 Motorola, Inc. Method of making microelectronic device package containing a liquid
US5693981A (en) * 1993-12-14 1997-12-02 Lsi Logic Corporation Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system
US5514327A (en) * 1993-12-14 1996-05-07 Lsi Logic Corporation Powder metal heat sink for integrated circuit devices
US5552634A (en) * 1993-12-14 1996-09-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for dissipating heat in an electronic device
US5444909A (en) * 1993-12-29 1995-08-29 Intel Corporation Method of making a drop-in heat sink
US5411077A (en) * 1994-04-11 1995-05-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible thermal transfer apparatus for cooling electronic components
US5552960A (en) * 1994-04-14 1996-09-03 Intel Corporation Collapsible cooling apparatus for portable computer
US5827999A (en) * 1994-05-26 1998-10-27 Amkor Electronics, Inc. Homogeneous chip carrier package
TW265430B (en) * 1994-06-30 1995-12-11 Intel Corp Ducted opposing bonded fin heat sink blower multi-microprocessor cooling system
MY112145A (en) * 1994-07-11 2001-04-30 Ibm Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy
JPH0846098A (ja) * 1994-07-22 1996-02-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 直接的熱伝導路を形成する装置および方法
US5757620A (en) * 1994-12-05 1998-05-26 International Business Machines Corporation Apparatus for cooling of chips using blind holes with customized depth
US5604978A (en) * 1994-12-05 1997-02-25 International Business Machines Corporation Method for cooling of chips using a plurality of materials
US6150716A (en) * 1995-01-25 2000-11-21 International Business Machines Corporation Metal substrate having an IC chip and carrier mounting
US5610442A (en) * 1995-03-27 1997-03-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package fabrication method and apparatus
US5814536A (en) * 1995-12-27 1998-09-29 Lsi Logic Corporation Method of manufacturing powdered metal heat sinks having increased surface area
AT404532B (de) * 1996-02-13 1998-12-28 Electrovac Kühlkörper für elektrische und elektronische bauelemente
US6016006A (en) * 1996-06-24 2000-01-18 Intel Corporation Thermal grease insertion and retention
US5847929A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 International Business Machines Corporation Attaching heat sinks directly to flip chips and ceramic chip carriers
US5889652A (en) * 1997-04-21 1999-03-30 Intel Corporation C4-GT stand off rigid flex interposer
US5909056A (en) * 1997-06-03 1999-06-01 Lsi Logic Corporation High performance heat spreader for flip chip packages
CN1274518A (zh) 1997-10-07 2000-11-22 可靠公司 具有高功耗的老化板
US6744269B1 (en) * 1997-10-07 2004-06-01 Reliability Incorporated Burn-in board with adaptable heat sink device
US6108208A (en) * 1997-12-08 2000-08-22 Unisys Corporation Testing assembly having a pressed joint with a single layer of thermal conductor which is reused to sequentially test multiple circuit modules
US6114761A (en) * 1998-01-20 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Thermally-enhanced flip chip IC package with extruded heatspreader
US6281573B1 (en) * 1998-03-31 2001-08-28 International Business Machines Corporation Thermal enhancement approach using solder compositions in the liquid state
US6297550B1 (en) * 1998-04-01 2001-10-02 Lsi Logic Corporation Bondable anodized aluminum heatspreader for semiconductor packages
US6180436B1 (en) * 1998-05-04 2001-01-30 Delco Electronics Corporation Method for removing heat from a flip chip semiconductor device
US6117797A (en) * 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6377453B1 (en) * 1999-01-29 2002-04-23 Hewlett-Packard Company Field replaceable module with enhanced thermal interface
US6461891B1 (en) 1999-09-13 2002-10-08 Intel Corporation Method of constructing an electronic assembly having an indium thermal couple and an electronic assembly having an indium thermal couple
US6343647B2 (en) 2000-01-11 2002-02-05 Thermax International, Ll.C. Thermal joint and method of use
US6351032B1 (en) * 2000-01-20 2002-02-26 National Semiconductor Corporation Method and structure for heatspreader attachment in high thermal performance IC packages
US6333551B1 (en) * 2000-09-07 2001-12-25 International Business Machines Corporation Surface profiling in electronic packages for reducing thermally induced interfacial stresses
US7235914B2 (en) * 2000-10-25 2007-06-26 Washington State University Research Foundation Piezoelectric micro-transducers, methods of use and manufacturing methods for same
US6392890B1 (en) * 2000-12-20 2002-05-21 Nortel Networks Limited Method and device for heat dissipation in an electronics system
KR100380107B1 (ko) * 2001-04-30 2003-04-11 삼성전자주식회사 발열체를 갖는 회로 기판과 기밀 밀봉부를 갖는 멀티 칩패키지
US6752204B2 (en) * 2001-09-18 2004-06-22 Intel Corporation Iodine-containing thermal interface material
US6784540B2 (en) * 2001-10-10 2004-08-31 International Rectifier Corp. Semiconductor device package with improved cooling
US6587345B2 (en) * 2001-11-09 2003-07-01 International Business Machines Corporation Electronic device substrate assembly with impermeable barrier and method of making
US6504242B1 (en) * 2001-11-15 2003-01-07 Intel Corporation Electronic assembly having a wetting layer on a thermally conductive heat spreader
KR100461721B1 (ko) * 2002-05-27 2004-12-14 삼성전기주식회사 리드 방열 세라믹 패키지
US7147367B2 (en) 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
EP1568054A2 (de) * 2002-11-18 2005-08-31 Washington State University Thermoschalter, verfahren zur verwendung und herstellungsverfahren dafür
DE10254720A1 (de) * 2002-11-23 2004-06-03 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Messgerät
US6967843B2 (en) * 2003-02-11 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for dissipating heat from an electronic board
US6972958B2 (en) * 2003-03-10 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multiple integrated circuit package module
US7013965B2 (en) * 2003-04-29 2006-03-21 General Electric Company Organic matrices containing nanomaterials to enhance bulk thermal conductivity
JP2005129734A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Sony Corp 電子機器
US7581585B2 (en) * 2004-10-29 2009-09-01 3M Innovative Properties Company Variable position cooling apparatus
US20060090881A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 3M Innovative Properties Company Immersion cooling apparatus
US20060120051A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Chris Macris Liquid metal thermal interface material system
US20070019385A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Chun-Hou Chan Heat-dissipating device
JP2007042863A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子機器
US20070141378A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 International Business Machines Corporation Low melting temperature alloy structure for enchanced thermal interface
US20070178255A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-02 Farrow Timothy S Apparatus, system, and method for thermal conduction interfacing
DE102006061215A1 (de) * 2006-08-12 2008-02-21 Diehl Ako Stiftung & Co. Kg Leistungselektronik mit Kühlkörper
US20080083450A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 United Technologies Corporation Thermal management of concentrator photovoltaic cells
JP4570106B2 (ja) * 2007-09-18 2010-10-27 日本航空電子工業株式会社 コネクタ
US20090084435A1 (en) * 2007-10-01 2009-04-02 International Business Machines Corporation Techniques for Cooling Solar Concentrator Devices
JP4989552B2 (ja) * 2008-05-08 2012-08-01 トヨタ自動車株式会社 電子部品
WO2010036784A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Parker Hannifin Corporation Thermally conductive gel packs
JP4789997B2 (ja) * 2008-11-20 2011-10-12 三菱電機株式会社 電子基板装置
US20120125589A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Heat sink
US8536697B2 (en) * 2011-11-30 2013-09-17 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged die for heat dissipation and method therefor
US9658000B2 (en) * 2012-02-15 2017-05-23 Abaco Systems, Inc. Flexible metallic heat connector
US9606587B2 (en) * 2012-10-26 2017-03-28 Google Inc. Insulator module having structure enclosing atomspheric pressure gas
US8861191B1 (en) 2013-09-30 2014-10-14 Google Inc. Apparatus related to a structure of a base portion of a computing device
US9430006B1 (en) 2013-09-30 2016-08-30 Google Inc. Computing device with heat spreader
US9442514B1 (en) 2014-07-23 2016-09-13 Google Inc. Graphite layer between carbon layers
US9318450B1 (en) * 2014-11-24 2016-04-19 Raytheon Company Patterned conductive epoxy heat-sink attachment in a monolithic microwave integrated circuit (MMIC)
JP6728363B2 (ja) 2016-01-07 2020-07-22 ザイリンクス インコーポレイテッドＸｉｌｉｎｘ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改良された補剛材を有する積層シリコンパッケージアセンブリ
US20180233428A1 (en) * 2017-02-15 2018-08-16 Joinset Co., Ltd. Heat dissipation assembly
KR102061706B1 (ko) 2019-11-15 2020-01-02 조인셋 주식회사 열 방출 어셈블리
US11158562B2 (en) 2020-02-11 2021-10-26 International Business Machines Corporation Conformal integrated circuit (IC) device package lid

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616533A (en) * 1969-10-28 1971-11-02 North American Rockwell Method of protecting articles in high temperature environment
US3673306A (en) * 1970-11-02 1972-06-27 Trw Inc Fluid heat transfer method and apparatus for semi-conducting devices

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0009605A1 (de) * 1978-10-02 1980-04-16 International Business Machines Corporation Kühlsystem für Halbleiter-Modul
FR2486685A1 (fr) * 1980-07-09 1982-01-15 Labo Electronique Physique Carte de paiement electronique et procede de realisation
DE3247534A1 (de) * 1981-12-28 1983-07-07 Aavid Engineering Inc., Laconia, N.H. Graphitunterlagen fuer kuehlkoerper
DE3404027A1 (de) * 1983-02-07 1984-08-16 Sperry Corp., New York, N.Y. Vorrichtung zum kuehlen integrierter schaltungschips
EP0218438A3 (de) * 1985-09-30 1989-03-01 Mcnc Montierungsgerät eines Halbleiterchips und Herstellungsgerät elektrischer Verbindungen dazu
EP0218438A2 (de) * 1985-09-30 1987-04-15 Mcnc Montierungsgerät eines Halbleiterchips und Herstellungsgerät elektrischer Verbindungen dazu
DE3735985A1 (de) * 1986-10-24 1988-05-11 Bicc Plc Waermeleitender modul fuer gedruckte schaltungsplattenanordnung
DE3801843A1 (de) * 1987-01-23 1988-08-04 Pace Inc Heizvorrichtung
EP0340959A2 (de) * 1988-05-06 1989-11-08 Digital Equipment Corporation Schaltungschipspackung zum Schützen gegen elektromagnetische Interferenzen, elektrostatische Entladungen und thermische und mechanische Spannungen
EP0340959A3 (en) * 1988-05-06 1990-11-14 Digital Equipment Corporation Package for emi, esd, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips
DE4009445A1 (de) * 1989-04-20 1990-10-25 Siemens Ag Kuehlvorrichtung fuer elektronische baugruppen einer bestueckten leiterplatte
EP0544915A1 (de) * 1991-06-20 1993-06-09 Iwaki Electronics Co., Ltd. Verpackungsstrukture fuer halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
EP0544915B1 (de) * 1991-06-20 1996-04-24 Iwaki Electronics Co., Ltd. Verpackungsstrukture fuer halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE4137112A1 (de) * 1991-11-12 1993-05-13 Bayerische Motoren Werke Ag Lokale abschirmung von elektronischen bauteilen eines elektronischen steuergeraetes in einem kraftfahrzeug
DE4217597A1 (de) * 1992-05-27 1993-12-02 Siemens Nixdorf Inf Syst Einbausystem für auf Leiterplatten montierte hochintegrierte gehäuselose Bausteine
EP0571863A1 (de) * 1992-05-27 1993-12-01 Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft Einbausystem für auf Leiterplatten montierte, hochintegrierte, gehäuselose Bausteine
DE4237546A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Behr Thomson Dehnstoffregler Elektrisches Schaltgerät
US5394134A (en) * 1992-11-06 1995-02-28 Behr-Thomson-Dehnstoffregler Gmbh Co. Electric switchgear
DE4237546C2 (de) * 1992-11-06 2003-10-16 Behr Thermot Tronik Gmbh Elektrisches Schaltgerät
US5745349A (en) * 1994-02-15 1998-04-28 Berg Technology, Inc. Shielded circuit board connector module
EP0745279A4 (de) * 1994-02-15 1997-09-03 Berg Tech Inc Abgeschirmter leiterplattenverbindungsmodul
US6081431A (en) * 1994-02-15 2000-06-27 Berg Technology, Inc. Shielded circuit board connector module
EP0745279A1 (de) * 1994-02-15 1996-12-04 Berg Technology, Inc. Abgeschirmter leiterplattenverbindungsmodul
EP0762495A3 (de) * 1995-08-30 1997-08-13 Hewlett Packard Co Thermische Zwischenlage für einen Kühlkörper einer Vielzahl von, auf einem Substrat montierten Chips
EP0762495A2 (de) * 1995-08-30 1997-03-12 Hewlett-Packard Company Thermische Zwischenlage für einen Kühlkörper einer Vielzahl von, auf einem Substrat montierten Chips
EP0793270A1 (de) * 1996-03-01 1997-09-03 MCB Industrie Gehäuse für thermische Strahlungsbauelemente mit verbesserter Wärmeleitung und Herstellungsverfahren dafür
FR2745631A1 (fr) * 1996-03-01 1997-09-05 Mcb Ind Composant thermo-emissif a transmission thermique amelioree, et son procede de realisation
DE19714835A1 (de) * 1997-04-10 1998-10-15 Georg Schlomka Gehäuse für hochfrequent lärm- und wärmeemittierende Baugruppen
DE19722357C1 (de) * 1997-05-28 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Steuergerät
DE10033848A1 (de) * 2000-07-12 2002-01-24 Plg Elektronik Ingenieur Und D Elektrisches Gerät

Also Published As

Publication number Publication date
FR2379166B1 (de) 1980-12-19
FR2379166A1 (fr) 1978-08-25
JPS5370672A (en) 1978-06-23
DE2749848B2 (de) 1980-01-31
GB1587865A (en) 1981-04-08
JPS5711502B2 (de) 1982-03-04
US4092697A (en) 1978-05-30
DE2749848C3 (de) 1980-10-30
IT1120751B (it) 1986-03-26
CA1073555A (en) 1980-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2749848A1 (de) Kuehlkoerper fuer integrierte schaltungen
EP0931346B1 (de) Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
DE112014001487B4 (de) Halbleitermodul
DE102009027292B4 (de) Inverterleistungsmodul mit verteilter Stütze zur direkten Substratkühlung
DE3854814T2 (de) Elektronisches gehäuse zum dichten packen, bestehend aus gestapelten unterbaugruppen
DE4410467C2 (de) Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
DE3782646T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur verbindung von schaltungspackungen.
DE2748350A1 (de) Waermeableitvorrichtung fuer monolithisch integrierte halbleiterschaltungen
DE60119865T2 (de) Elektrische Energie(um)wandlungsvorrichtung
DE102015110653A1 (de) Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102004018469B3 (de) Leistungshalbleiterschaltung
DE69216016T2 (de) Halbleiteranordnung
DE69318219T2 (de) Integrierte Schaltungspackung aus einem Kunststoff mit integraler Wärmesenke
WO1998015005A9 (de) Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
DE3851985T2 (de) Wärmeleitende Packung für elektronische Bauelemente.
DE2536316C2 (de) Schaltungskarte für integrierte Halbleiterschaltungen
DE2607403A1 (de) Luftgekuehlte packung fuer halbleiterschaltungen hoher packungsdichte
DE4410029A1 (de) Mittels einer Feder vorgespannte Wärmesenkenanordnung für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
DE10393437T5 (de) Halbleiterbauelementbaugruppe
DE102011077543A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3887849T2 (de) Integrierte Schaltungspackung.
DE112015005267T5 (de) Kühlmodul
DE102014010373A1 (de) Elektronisches Modul für ein Kraftfahrzeug
DE102021006157A1 (de) Mehrfachsubstratgehäusesysteme und verwandte verfahren
DE102016115221A1 (de) Verfahren zum Verbinden von mindestens zwei Substraten zur Bildung eines Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee