DE2740142A1 - Halbleiter-signalfilteranordnung - Google Patents
Halbleiter-signalfilteranordnungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 claims 1
- 238000011045 prefiltration Methods 0.000 description 40
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H15/00—Transversal filters
- H03H15/02—Transversal filters using analogue shift registers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76808—Input structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Compression, Expansion, Code Conversion, And Decoders (AREA)
- Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
Description
27A0H2
Western Electric Company Incorporated Sequin, 15
195 Broadway, New York, New York 10007
U.S.A.
Halbleiter-Signalfilteranordnung
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Signalfilteranordnung gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bekanntlich können Verzögerungsleitungen für analoge abgetastete Daten, wie Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtungsverzögerungsleitungen,
spezieller ausgedrückt, ladungsgekoppelte Vorrichtungen (CCD), in verschiedenen Konfigurationen
aufgebaut sein, um als Signalprozessoren, wie Transversalfilter, Verwendung zu finden. Eine besonders
nützliche Form einer Halbleiter-Transversalfiltervorrichtung
ist ein Tiefpaß-(Basisband-transversalfilter mit Spaltelektrodenkonfiguration zur Verwendung in der Sprachennachrichtentechnik.
Typischerweise liegt das Durch-
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laßband in einem solchen Fall im Frequenzbereich von 0 bis etwas weniger als 4 kHz, typischerweise J>,2 kHz, d.h., im
Bereich des nützlichsten Bereichs des menschlichen Sprachspektrums
im Hinblick auf die Fernmeldetechnik. Ein solches CCD-Filter wird typischerweise von einer Taktimpulsfolge
mit einer Taktzyklusfrequenz von 32 kHz getrieben. Da das CCD-Transversalfilter das zu filternde ankommende
elektrische Signal bekanntlich mit einer Abtastfrequenz von 32 kHz abtastet, läßt das Filter auch alle Frequenzen
im "Eeflexions"-Teil des Spektrums durch, d.h., im Bereich zwischen 28 kHz (=32 kHz - 4 kHz) und 36 kHz (=32 kHz +
4 kHz). Dieses "Aliaseffekt" genannte Phänomen ist unerwünscht,
da es den Durchlaß unerwünschter "Reflexions"-Frequenzen
durch das CCD-Transversalfilter ermöglich.
Eine Unterdrückung des Aliaseffektes in einem CCD-Signalprozessor kann mit Hilfe eines Hilfsvorfiltefs erreicht
werden, beispielsweise mit Hilfe eines Hilfs-CCD-Transversalvorfilters,
das mit einer Taktfrequenz von 64 kHz getrieben wird, d.h., mit einer Taktfrequenz, die genau
zweimal so groß wie die des Tiefpass-CCD-Filters ist, und das so ausgelegt ist, daß es ein Tiefpassbasisband, typischerweise
von 0 bis 4 kHz, plus ein Sperrband,typischerweise im Bereich von 28 kHz bis 36 kHz,und dazwischen
einen Dämpfungsanstieg aufweist. Ein solches Hilfs-CCD-Vorfilter
erfordert jedoch einen vollständigen Satz Taktschaltungen, Eingangsschaltungen und Detektorschaltungen,
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die alle bei 64- kHz arbeiten. Dies macht ein solches Filter
wirtschaftlich uninteressant, obwohl es den Vorteil eufweist, daß es sich automatisch auf die Taktfrequenz des
Tiefpass-CCD-Filters herabsetzen läßt. Und obwohl verschiedene Anordnungen von RC-Vcrfiltern als Hilfs-Anti-Aliaseffekt-Filter
verwendet werden können, besteht bei solchen Anordnungen die Neigung, daß sie komplex und ebenso
kostspielig wie das Tiefpass-CCD-Filter selbst sind.
Die Lösung dieses Problems ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet und in den Unteransprüchen vorteilhaft weitergebildet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungcformen
näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild einer Vorfilteranordnung entsprechend einer speziellen erfindungsgemäßen Ausführungsform;
Fig. 2 eine Zeitlagendarstellung zur Beschreibung von Vorgängen in der in Fig. 1 gezeigten Anordnung;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung,
die eine Verwirklichung der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform darstellt;
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Fig. 4 verschiedene Spannung-Zeit-Darstellungen zur Beschreibung der Arbeitsweise der in Fig. 3 gezeigten
Vorrichtung;
Fig. 5 eine(lediglich zum Zweck der Klarheit nicht
maßstabsgerechte) Darstellung eines typischen Ladungspaketweges längs eines Teils der in Fig. 3 gezeigten
Vorrichtung;
Fig. 6 eine Beine von Darstellungen der Durchlaßeigenschaften
in Abhängigkeit von der Frequenz zur Beschreibung der Merkmale der erfindungsgemäßen Arbeitsweise;
Fig. 7 ein Blockschaltbild einer Vorfilteranordnung
entsprechend einer weiteren speziellen Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 8 ein Blockschaltbild einer Vorfilteranordnung entsprechend einer noch anderen speziellen Ausführungsform
der Erfindung; und
Fig. 9 ein Blockschaltbild einer Vorfilteranordnung entsprechend einer weiteren speziellen Ausführungsform der Erfindung.
Im allgemeinen wird ein Vorfilter für eine analoge Verzögerungsleitung
für abgetastete Daten, wie ein Anti-
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Aliaseffekt-Vorfiltei· für ein Halbleiter-Transversalfilter-CCD,
mit Hilfe eines gewichteten Mittelwertbildners oder Integrators mit abgetasteten Signalen eines
analogen Eingangssignals versorgt. Dabei werden die Abtastwerte mit einer Folgefrequenz abgegriffen, die gleich
einem ganzzahligen vielfachen N der Verzögerungsleitungsdatenübertragungsfrequenz
1/T (treibende Taktfrequenz des CCD) ist, d.h., die Abtastfrequenz ist S=N/T (wobei T die
Zyklusperiode des treibenden Taktes für das CCD ist). Vorteilhafterweise erstreckt sich jedes periodische Summierungsintervall
(Mittlungsperiode) P einer jeden gewichteten Mittelwertbildung über ein Zeitintervall von wenigstens
2T, d.h., es ist zweimal so groß wie die Periode T der Abtastdatenverzögerungsleitung
(P*2T). Für den beispielsvsisen Fall einer Mittlungsperiode von P=2T werden also
genau 2N Abtastwerte pro Mittlungsperiode P zusammenlgemittelt. Um die volle Datenübertragungskapazität der Verzögerungsleitung
auszunützen, werden zwei (oder mehr) gleiche Zweige, die je gleiche Abtaster und gewichtete
Mittlungsvorrichtungen aufweisen, vom Eingangssignal parallel, jedoch phasenverschoben, betrieben, und sie
wechseln sich damit ab, abgetastete Datenausgangsgrößen als Eingangsgrößen für die Abtastdatenverzögerungsleitung
zu liefern. "Phasenverschoben" bedeutet, daß, obwohl
jeder der einzelnen Signalabtastwerte, die zur Einspeisung
in unterschiedlich gewichtete Mittlungsvorrichtungen verarbeitet werden, ursprünglich für beide Zweige
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derselbe ist, jede gewichtete Mittlungsvorrichtung von
einer unterschiedlich kombinierten Gruppe solcher Abtastwerte getrieben wird, d.h., über Mittlungsperioden, die
gegenseitig verschachtelt sind.
Beispielsweise für den Fall von vier Gewichtungsfaktoren
B1, a2, a5, a4 (S=2/T, P=2T) für eine Folge von Abtastwerten
S1, Sp, s^, B^, Sr, s,, Sn, Sq usw. erzeugt eine
erste Mittlungsvorrichtung die gewichteten Signalausgänge (als Eingangsgrößen für die Verzögerungsleitung):
S1=Ca1S1+B2S2+B5S^a4S4), S5=(a1s5+a2s6+a5s7+a4s8) usw.;
während eine zweite Mittlungsvorrichtung eine halbe Perioder P/2 (180 Grad) phasenverschoben arbeitet, um folgende
ßignalausgänge zu erzeugen: S^= (a^s-,+a..S1^+a-^s^+a^ε^) \
S4=(a1sl-?+aoSQ+a-»Sq+a4s10) usw. ; und diese Ausgangsgrößen
werden der Verzögerungsleitung abwechseln als Eingangsgrößen geliefert, eine von jeder Mittlungsvorrichtung: S1, Sp,
S,, S4 usw.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist ein Halbleiter-Transversalfilter
des Tiefpassbasisband-Spaltelektroden-CCD-Typs mit einer Taktperiode T mit einer Anti-Aliaseffekt-Vorfilteranordnung
versehen. Das Vorfilter umfaßt eine Einrichtung zum Abtasten des Analogsignaleingangs
mit einer Abtastfrequenz S=2/T (oder mehr). Diese Abtastwerte werden in entsprechende Ladungspakete umgesetzt,
und zwar in einem Paar paralleler Zweige A und B, die ge-
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eignete Halbleiter-Potentialmulden, die durch Elektroden geeignet gesteuert sind, aufweisen, die vorteilhafterweise
alle im selben Halbleiter-Chip wie das CCD integriert sind. Die gewünschten Gewichtsfaktoren können den
Ladungspaketen in jedem Zweig durch eine Anzahl von Potentialmulden geeigneter relativer (gewichteter) Größen
aufgeprägt werden, die Ladungspakete gemäß (entsprechend gewichteten) Signalabtastwerten ausmessen und die Pakete
an eine Summierpotentialmulde in jedem Zweig liefern, in
welcher diese Pakete zusammenjintegriert werden. Im allgemeineren
Fall von M parallelen Zweigen arbeiten diese Zweige mit einer Phasenverschiebung von 3&O Grad/M bei
der Gewichtung und Summierung unterschiedlicher Gruppierungen, typischerweise aus je MN-Paketen, dieser Ladungspakete. Jede solche Gruppierung wird periodisch über Zeitintervalle
MT gesammelt, um Ausgangsladungspakete als Eingangsgrößen für das CCD zu bilden. Durch geeignete Wahl
der Gewichtungsfaktoren, beispielsweise (1, 3, 3, 1) für die spezielle Ausführungsform M=2, N=2, hat das Vorfilter
auf diese Weise ein Durchlaßband O biß 1/ST und ein Sperrband
7/ST bis 9/ST. Für T=1/32 kHz ist das resultierende Durchlaßband also O bis 4- kHz und das resultierende Sperrband
28 bis 36 kHz, wie es für den Anti-Aliaseffekt beim Filtern von Sprachnachrichten mit dem CCD erwünscht ist.
Wenn mehrere Abtastwerte, die alle mit denselben Gewichten gewichtet sind, für den Integrationsprozeß der Bildung
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eines Ladungspaketes zur Injektion in das CCD verwendet
werden, dann kann dieselbe Potentialnmlde mehr als einmal pro Mittlungsperiode P beim Ausmessen der richtigen
in der Summierungsmulde zu addierenden Ladungsmenge verwendet
werden. Dadurch kann eine weitere Kompaktheit der Vorfilterstruktur erreicht werden.
Es folgt nun eine ausführlichere Erläuterung, beginnend mit Fig. 1. Ein Vorfilter 100 zur Unterdrückung einer unerwünschten
Aliaswirkung in einer CCD-Verzögerungsleitung 17 ist zwischen einer Eingangsleitung 10 für ein elektrisches
Analogsignal und dem CCD engeordnet. Das CCD wird getrieben von einer Taktimpulsfolge mit einer Taktzyklusfrequenz
1/T, entsprechend einer Taktzyklusperiode T (Fig. 2), wobei jeder Taktzyklus typischerweise vier Impulse
(Zeitlagen) enthält, die von einer (nicht gezeigten) Haupttaktimpulsquelle geliefert werden. Die Taktzyklusfrequenz
1/T beträgt typischerweise 32 kHz, so daß das
CCD zur Verarbeitung jede 1/32 Millisekunde, d.h., mit einer Abtasteingangsfrequenz gleich 1/T, genau ein Signal
empfangen kann.
Das Vorfilter 100 umfaßt eine Gruppe von vier gewichte- ten Halbleiter-Meßpotentialmulden 11, 12, 13 und 14 zusammen
mit einem Paar Summiermulden 15 und 16. Die Meßmulden
11 und 12 bilden zusammen mit der Summiermulde (und deren Schalterverbindungen) einen ersten Zweig A des
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Vorfilters 100, während die Meßmulden 13 und 14 zusammen
mit der Sumiciermulde 16 (und ihren Schalterverbindungen)
einen zvioiten Zweig B bilden, der parallel zum ersten
Zweig A arbeitet. Kurven A und B in Tig. 2 zeigen die Zeitlagen und Ladungspaketwichtungsfaktoren, die sich zum
Abtasten des Eingangssignals und zur Lieferung von Ladungspaketen von den Summiermulden 15 und 16 als Eingangsgrößen
für das CCD 17 eignen. Alle diese Mulden sind Potentielnmlden,
die an der Oberfläche eines einkristallinen ßiliziumhalbleiterkörpers angeordnet sind, und die beigefügten
Angaben "Meß" und "Summier" beschreiben die jeweiligen Funktionen der Mulden hinsichtlich der Verarbeitung
von Ladungspaketen. Die Meßmulden 11, 12, 1$ und 14 des Vorfilters 100 (Fig. 1) sind außerdem mit MWA1, MWA2,
MWB2 bzw. MV/B1 bezeichnet, und zwar zum Zweck des Vergleichs mit der speziellen Vorfiltervorrichtung 200 in
Fig. 3, die nachfolgend ausführlicher beschrieben ist. Jeder Eingangsgatterschalter IGX gibt die Ladungspaketerzeugung
in der entsprechenden Meßmulde 11 oder 13 während der Zeitlagen 1 und 7 (wie es in Fig. 1 angegeben
ist) frei, während jeder Eingangsgatterschalter IGY einen Ladungspaketfluß in die entsprechende Meßmulde 11 oder 12
während der Zeitlagen 3 und 5 freigibt. Die Meßmulden 11,
12, 13 und 14 haben im wesentlichen identische Form, mit
der Ausnahme, daß die (gleichen) Flächen der Mulden 12 und 13 bei dieser Ausführungsform der Erfindung etwa dreimal
so groß sind wie die (gleichen) Flächen der Mulden 11
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und 14. Wenn an diese Meßraulden die gleiche Stcuerspannung
angelegt wird, werden somit Ladungspakete in den Mulden 12
und 13 erzeugt, die dreimal so groß sind wie die in den
Mulden 11 und 14 erzeugten. Die Steuerspannung für die Meßmulde 11 wird geliefert, indem ein Abtastwert des Signals
auf einer Eingangsleitung 10 während einer jeden der Zeitlagen 1 und 7 (Kurve A in Fig. 2) zugeführt wird.
Typischervueise ist die Dauer einer jeden Abtastzeitlage
etwa 3 Microsekunden, jedenfalls kleiner als T/4. Jedes der dadurch in der Meßmulde 11 erzeugten Ladungspakete
steht in linearer Beziehung zu dem bei der jeweiligen Zeitlage 1 und 7 abgetasteten Signal; und jedes dieser
Pakete wird während der nächstfolgenden Zeitlage 2 bzw. 8 aus der Meßmulde 11 entnommen und dadurch in die Suromiermulde
15 übertragen, und zwar dadurch, wie in Fig. 1 angedeutet,
daß der Eingangsgatterschalter IGZ auf der Ausgangsseite (rechten Seite) der Meßmulde 11 einen Ladungsfluß während der Zeitlagen 2, 4, 6, 8 freigibt. Gleichermaßen
erzeugt die Meßmulde 12 Ladungspakete entsprechend dem während der Zeitlagen 3 und 5 abgetasteten Eingangssignal
auf der Signalleitung 10 und liefert diese Ladungspakete dann während der Zeitlagen 4 bzw. 6 an die Summiermulde
15 (die zum späteren Vergleich mit der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung außerdem mit ΣWA bezeichnet ist). Somit
empfängt und summiert diese Summiermulde 15 während einer jeden Periode P(=2T) aus acht Zeitlagen vier Ladungspakete, welche die vier gleichen zeitlichen Abstand aufwei-
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senden und vom Eingangssignal auf Leitung 10 abgenommenen
Abtastwerte repräsentieren. Aufgrund des Flächenverhältnisses der Meßmulden 11 und 12 von etwa 1 zu 5 haben jene
Ladungspakete, welche Signalabtastwerte repräsentieren, die in den Zeitlagen 3 und 5 genommen worden sind, einen
Gewichtsfaktor von etwa 3 gegenüber den in den Zeitlagen 1 und 7 genommenen Abtastwerten, \iie es durch Kurve A in
Fig. 2 gezeigt ist (die "Impuls"-Höhen repräsentieren die Gewichtungsfaktoren). Ganz am Ende dieser Periode P (während
der nächstfolgenden Zeitlage 1) liefert die Summiermulde
15 das die resultierende gewichtete Summe (oder den gewichteten Mittelwert) darstellende Ladungspaket an das
CCD 17» in dem es übertragen und verarbeitet wird. Dieses
der gewichteten Summe entsprechende Ladungspaket weist somit einen Ladungsinhalt auf, der in linearer Beziehung zur
entsprechenden gewichteten Summe der vorausgehenden vier Eingangssignalabtastwerte steht.
Zur selben Zeit, zu welcher die Summiermulde 15 des Zweiges
A periodisch (mit der Periodizität P) das der gewichteten Summe entsprechende Ladungspaket als Eingangsgröße für
das CCD 17 liefert, liefert die Summiermulde 16 des Zweiges B ebenfalls periodisch ein gleichermaßen summengewichtetes
Ladungspaket, jedoch zu Zeiten, die sich mit jenen der Summierdulde 15 abwechseln. Diese relative Zeitsteuerung
ist durch die Kurven A und B der Fig. 2 dargestellt. Die Summiermulde 16 ist zum Vergleich mit der in Fig. 3
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gezeigten Vorfiltervorrichtung 200 außerdem mit Σ\ν'}3 bezeichnet.
Spezieller ausgedrückt: Die Meßmuldcn 12 und
erzeugen Lodungspakete proportional den Abtartv/crten, die
vom Eingangssignal in den Zeitlagen (7, 1) bzw. (5, 3)
genommen werden, und zwar mit einem relativen Gewichtungsfaktor von 3 zu 1. Das in der Keßzelle 13 erzeugte Ladungspaket, das dem in der Zeitlage 7 genommenen Abtastwert
entspricht, wird v/ährend der Zeit lage 8 an die Suminiermulde
1G geliefert, während das Laduugspaket, das in dieser
Meßzelle 13 entsprechend dem Abtastwert der Zeitlage erzeugt worden ist, während der Zeit lage 2 an die Suramiermulde
16 geliefert wird. Gleichermaßen wird das Ladungspaket, das in der Meßmulde 14 entsprechend dem in der Zeitlage
5 genommenen Abtastwert erzeugt wird, während der Zeitlage 6 an die Suroiniermulde 16 geliefert, während das
Ladungspaket, das in der Meßmulde 14- entsprechend dem in der Zeitlage 3 genommenen Abtastwert erzeugt worden ist,
während der Zeitlage 4 an die Summiermulde 16 geliefert wird. Das gewichtete Summenladungspaket, das auf diese
Weise in der Summiermulde 14 erzeugt worden ist, wird
während der Zeitlage 5 an das CCD 17 geliefert. Diese Folge von Signalabtastung, Ladungspaketgewichtung und
Ladungspaketlieferung an das CCD ist durch Kurve B in Fig. 2 gezeigt. Somit liefert das Vorfilter 100 ein Ladungspaket
von A oder B mit einer kombinierten Folgefrequenz gleich 1/T an das CCD 17, d.h., mit der Taktzyklusrate
des CCD selbst, wie es in einem CCD gewünscht ist.
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Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Form einer Halbleiter-Vorfiltervorrichtung,
die sich dazu eignet, die Lodungspaketverorbeitung durchzuführen, die zuvor in Verbindung
mit den Figuren 1 und 2 beschrieben worden iet. Ein monokristallines Siliziumhalbleitersubstrat 20, typischerweise
P-leitend, trägt ein CCD 70 und eine Vorfiltervorrichtung
200. Dieses CCD 70 dient der gleichen Funktion wie das CCD 17 der Fig. 1 und weist lediglich zur beispielsweisen
Erläuterung eine Transversalfilterkonfiguration mit gespaltener Elektrode auf. Das CCD 70 ist allgemein bekannt
und wird hier aus diesem Grund nicht sehr ausführlich beschrieben. Eine N+ -diffundierte Zone 61 (diffundierte
Zonen sind in Fig. 3 durch Pünktchenmuster gekennzeichnet) dient als Ledungssenke für die Ladungspakete nach deren
Übertragung durch das CCD, wie es auf diesem Gebiet bekannt ist. Eine N+ -diffundierte Zone 21 dient als Eingangsdiodenzone
zur Erzeugung von Ladungspaketen, wie es nachfolgend ausführlicher erläutert ist.
In der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung gibt es drei "Metallisierungs"-Niveaux.
Das erste Niveau (mit der dichtesten Annäherung von typischerweise etwa 80 Angström an die obere
Oberfläche des Halbleiters) der Metallisierung umfaßt Elektroden 28, 30, 32, 34, 36,... 42, 44...52. Das zweite
Metallisierungsniveau (dichteste Annäherung typischerweise etwa 900 Angström) umfaßt Elektroden 27, 29, 31, 33,
35...41, 43, ...51» 53· Das dritte Metallisierungsniveau
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(dichteste Annäherung typischerweise etwa 10.000 Angström)
umfaßt Verbindungssammelleitungen oder -busse 22, 23, 24 und 29· Typischerweise bestehen das erste und
das zweite Metallisierungsniveau aus elektrisch leitendem
polykristallinen Silizium (wobei sich die nächst benachbarten Elektroden überlappen, was jedoch für den Zweck
einer übersichtlichen Zeichnung nicht gezeigt wird); dagegen besteht das dritte Metallisierungcniveau aus Metall,
typischerweise aus Aluminium. Alle Elektroden sind durch eine Isolierschicht, typischerweise Siliziumdioxid, in
bekannter Art von der oberen Oberfläche des Halbleiters und voneinander isoliert. Wie durch gestrichelte Linien
angedeutet ist, ist die obere Oberfläche des Halbleiters im Bereich zwischen der gestrichelten Linie 81 und den
gestrichelten Linien 82, 83, 84 mit dünnem Oxid und ansonsten
mit dickem Oxid beschichtet. Somit ist dickes Oxid innerhalb einer jeden der durch die gestrichelten
Linien 82, 83 und 84 definierten geschlossenen Zonen vorhanden. Wie bekannt, stellen die Oberflächenpotentiale
in diesen Zonen mit dickem Oxid eine Barriere für Ladungsträger dar und verhindern eine Ladungspaketübertragung
durch diese Zonen. Demgemäß gibt es vier Zonen mit dünnem Oxid unter der Elektrode 30, die je von ihrem (ihren) Nachbarin)
durch eine Zone(n) dicken Oxids getrennt sind; und diese vier Dünnoxidzonen unter der Elektrode 30 dienen als
gewichtete Meßmulden (MWA1, MWA2, MWB2, MWB1) für das Vorfilter 200, entsprechend den Meßmulden 11, 12, 13, 14 des
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Vorfilters 100 (Fig. 1). Es sei bemerkt, daß gewöhnlich eine diffundierte N+-Zone in allen Dünnoxidzonen vorhanden
ist, die nichttdurch polykristallines Silizium bedeckt
sind, wie zwischen den beiden Elektroden 44(SE+ und SE-), die eine Spaltelektrodenkonfiguration bilden,
die aufgrund des Diffusionsschrittes für die ^-diffundierten
Zonen 21 und 61 erzeugt worden ist. Dies beeinflußt jedoch die Arbeitsweise nicht wesentlich.
Es sind vier Elektroden 27 vorgesehen; jede weist L-Form auf und wird vom Verbindungsbus 22 durch ein anderes
Kontaktfenster im Oxid kontaktiert, wie es je durch ein Kreuzzeichen X in Fig. 3 gezeigt ist. Diese Elektroden
werden auf konstantem Potential VDD, typischerweise etwa 12 Volt, gehalten, um die Eingangsdiode von Impulsen von
IGX und IGY abzuschirmen. Von Elektroden 28 sind ebenfalls vier vorhanden; jede weist L-Form auf; zwei von ihnen haben
Kontakt mit dem Bus 24 und zwei von ihnen mit dem Bus 25, je über unterschiedliche Kontaktfenster im Oxid.
Diese Elektroden 28 werden von Spannungsimpulsen gesteuert, die über die Busleitungen 24 und 25 zugeführt werden,
um die Ladungspaketübertragung über die darunter liegenden Halbleiterzonen während der Zeitlagen (1, 7) oder, je nachdem#(3,
5) freizugeben, wobei diese Zeitlagen mit Bezugnahme
auf die entsprechenden Zeitlagen für die Schalter (1,7) bzw. (3, 5) in der Vorrichtung 100 der Fig. 1 bestimmt
sind.
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Um die Arbeitsweise des Vorfilters 200 in Verbindung mit dem CCD 70 in Pig. 3 zu beschreiben, ist es günstig, auf
die in Fig. 4 gezeigten angelegten Spannungsfolgen Bezug zu nehmen. Die Folge der Ladungspaketübertragungen längs
eines typischen Veges (der in Fig. 3 durch die Pfcillinie
CPT angedeutet ist) durch die Vorrichtungen 200 und 70
ist in Fig. 5 gezeigt (betrachtet bei aufeinanderfolgenden Zeiten tQ , tg, , t., t? und t,, wie sie in der "Tnkt"-Folge
der Fig. 4 angegeben sind). Es folgt eine Tabelle typischer angenäherter angelegter Spannungen (wobei das
Substrat 20 als auf 0 Volt befindlich betrachtet wird):
ID = 9 V (^V-Signal)
VDD = 17 V
VDD = 17 V
IGX e <j V passive, 13 Volt aktive Phase
SG = 7 V
ME = 11 V
ME = 11 V
IGZ = 5 V passive, 13 Volt aktive Phase
EA(=EB) = 5 V passive, 17 Volt aktive Phase
DA(=DB) = 5 V passive, 17 Volt aktive Phase
P2 = 5 V passive, 17 Volt aktive Phase
P1 - 5 V passive, 13 Volt aktive Phase
Die obere 13-Volt-Grenze von P1 gegenüber der Grenze
17 Volt von P2 ist gewählt, um eine Rückwärtsubertragung
der Signalladung zur diffundierten ("Dioden"-) Zone im Halbleiter unterhalb des Spaltes in der Spaltelektrode
zu verhindern. 809810/101 0
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Vorzugsweise Kind die Spannungen cO eingestellt, daß,
wenn der Signalabtastwert von der Eingangssignalleitung
ist (für ein Signal mit positiv und negativ gerichteten Amplituden), das von der entsprechenden Meßmulde aufgemessene
Ladungspaket etwa die Hälfte der Ladung einer "vollen liimerfüllung" aufweist (d.h., eine Ladung in der
Kitte zwischen einem Ladungspaket für festgelegte minimale Signale und dem maximal möglichen Ladungspaket, das
ausgemessen werden kann).
Während des Betriebes dienen die Abschirmgatterelektroden (SG) als elektrische Abschirmungen; beispielsweise dient
Elektrode 43 dazu, die unterschiedlich angesteuerte Spaltelektrode
44 (SE+, SE-) vor Streufeldern der Spannung P2 an der Elektrode 42 abzuschirmen. Wie Kurve t in Fig. 5
zeigt, steuert zur Zeit t, die Spannung an der Eingangsdioden-(ID-)Zone
81 (Fig. 3) den Ladungspegel unterhalb der Elektroden 22, 24, 29 und JO (VDD, IGX, SG und ME).
Diese Eingangsdiodenspannung wird von der Eingangssignalleitung
erhalten (z.B. durch geeignete Abtast- und Speichermethoden). Zur Zeit tp werden die Ladungen in der
Eingangsdiode aufgrund der Beendigung des Impulses an IGX (Fig. 4) plötzlich einer Potentialbarriere konfrontiert,
wodurch die Oberflächenladungen unter der Meßelektrode (ME) und in der kleinen Diodenzone im Spalt von SG von der
Eingangsdiode isoliert werden. Anschließend werden diese Ladungen (unter Steuerung einer Spannung ΣA) zur Summier-
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2740M2
mulde ZIiA unterhalb der Elektrode 32 übertragen. Die
Übertragung zu dieser Sunimiermuldc tritt also zur Zeit
tp auf, und zwar aufgrund des Impulses von IGZ an der
Elektrode 31 zu dieser Zeit (wie die Operation während einer früheren Übertragung zur Zeit tga)· ^ie Ladungsübertragung
von der ßumraiormulde X V/A in die erste Stufe
des CCD 70 unterhalb der Elektrode J>lV geschieht, wie es
in der Folge der Ereignisse dargestellt ist, die durch Kurve t„ bis Kurve t. in Fig. 5 gezeigt sind, und zwar
unter Steuerung durch die Spannung DA an Elektrode 33· Im Anschluß an t-, (und bis tQ) werden weitere Ladungspakete
entsprechend dem der Eingangsdiode (ID) zugeführten Signal gebildet, aufgrund von IGX und IGY in die verschieden
gewichteten Meßmulden JIWA1, MWA2, MWB1, MWB2
übertragen und von dort in die durch £A oder £B gesteuerten
Summiermulden und schließlich unter Steuerung von DA oder DB in die erste Stufe des CCD 70 übertragen.
Fig. 6 zeigt die vorausgesagten Ergebnisse der Vorfilterung (beruhend auf bekannten theoretischen Betrachtungen)
bei Verwendung verschiedener Frequenzen und Arten der Abtastung eines Eingangssipjnals, gefolgt durch eine Integration
des Abtastwertes. In Kurve a der Fig. 6 ist die Abtastfrequenz unendlich, d.h., es werden pro Zeiteinheit
unendlich viele Abtastwerte gebildet, während das Integrationszeitintervall P. (die Summierungs- oder Mittlungsperiode)
genau eine volle Taktperiode T des CCD ist, d.h.,
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das Vorfilter mittelt das Eingangssignal genau über eine
volle CCD-Taktzyklusperiode T. Die resultierende Frequenzdurchlaßkurve
des Vorfilters, d.h., die relative Vorfilter-Durchlaßcharakteristik bezüglich der Frequenz,
hot die Form sin(7TfT)AfT. Kurve b in Fig. 6 zeigt die
resultierende Durchlaßkurve für den Fall, daß genau zwei einzelne Abtastwerte (zeitlich in gleichem Abstand) pro
Taktperiode T gebildet und über dieses T zueinander summiert werden, wobei jeder Abtastwert im Vergleich zu ™
während einer sehr kurzen Zeitlage abgegriffen wird (cT-Funktion). Somit sind für diese Kurve b die Abtastfolgefrequenz
S = 2/T und dar, Mittlungsintervall P- = T.
Gleichermaßen zeigt Kurve c in Fig. 6 die resultierende Kennlinie für genau vier solcher Abtastwerte pro Taktperiode
T, d.h., S « 4-/T, wiederum mit P. = T. Kurven
a, b und c zeigen einen schlechten Anti-Aliaseffekt der Vorfilterkennlinien: Spezifisch die "Null" in der Frequenzkennlinie
bei f/fnwjrt;=^1 = 1 ißt eine "Null erster
Ordnung"; daher weicht die Kennlinie in der wichtigen Frequenzumgebung von f = fT , . linear von null ab, wenn
sich f von ^„i,+. weg bewegt. Diese Charakteristik ruft
einen entsprechend unerwünschten großen Durchlaßbereich des Vorfilters in der Nachbarschaft von f=f„, , . hervor.
Kurve d in Fig. 6 zeigt die Wirkung der Erhöhung der Mittlungsperiode P, die hier bei einer unendlicher Abtastfolgefrequenz
(S=oo) auf P= 2T erstreckt ist; während Kurven e und f
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2 7 A O 1 A
die Fj-equenzkennlinio bei S = 2/T bzw. fc=4/T zeilen (d.h.,
1V bzw. 8 Abt antworte über jedes Summierintcrvall P= 2T).
Bei diesen Kurven d, e und f sind für alle Abtastverte
gleiche (iewichtungen verwendet, und alle diese Kurven sind gekennzeichnet durch eine unerwünschte lineare Abweichung
der Kennlinie von null für Frequenzen in der Nachbarschaft von f = f,., , , . Die Kurven d, e und f zeigen
also, daß die entsprechenden Vorfilter in diesem wichtigen Frequenzbereich alle durch schlechte Anti-Aliaseffekt-Ligenschaften
gekennzeichnet sind. Ordnet man jedoch den vier Abtastwerten, die bei einer Folgefrequenz von .S=2/'T über
jede Hittlungnpcriode P-2T abgegriffen werden, relative
Gewichte 1, 3, 3, 1 (normierte Gewichte = 1/8, 3/8, 3/8,
1/8) zu und integriert man die so gevichteten Abtastwerte
zusammen, wird die Frequenzsperrbandkennlinie, und folglich
der gewünschte Anti-Aliaseffekt, merklich verbessert
(aufgrund einer "KuIl" höherer Ordnung, einer Dreifach-NuIl),
wie es Kurve g der Fig. 6 zeigt. Kurve g zeigt also die verbesserten Anti-Aliaseffekt-Ergebnisse für die zuvor
beschriebene spezielle Ausführungsform. Kurve h in Fig.
zeigt die Kennlinie für den gleichen Fall wie bei Kurve g>
mit der Ausnahme, daß zum Erhalt der Kurve h "optimale" Gewichte 0,115, 0,328, 0,328, 0,115 verwendet werden, wobei
diese Gewichte mit Hilfe des Kernez-Algorithinus berechnet
sind, um die maximal möglichen Fehler im Durchlaßband und im Sperrband minimal zu machen. Beispiele
dieses Bemez-Algorithmus findet man in dem Beitrag "A Com-
809810/1010
_ 24 -
puter Progroin for Designing Optimum J/1R Linear Fh π se
l·iltcrs" von J. H. McClel]an und anderen, erschienen
in IEEE Transactions on Audio and Electroacoustics, Land AU-21, 1973, Seiten 506-526. Selbst
bei Verwendung dieser optimal gewicht et en Abtastvrcrte
ist es noch wichtig, ein Mittlungsintervall P-2T (oder
größer) anstelle von P=T zu Verwendern. Dies ersieht
man teilweise aus Kurve i, die, trotz Verwendung von vier optimal p^ev.'ichtetun Abtastwerten, durch einen schlechten Anti-Aliaseffekt gekennzeichnet ist, da ein Mittlungcintervall P-1 = T verwendet wird; und aus Kurve J, bei der ein Mittlun^üintervall P=2T mit acht optimal gedichteter. Abtastwerten verwendet ist und die durch eine gute Anti-Aliaseff ek.t-\.'irkunc gekennzeichnet ist. Die resultierenden maximalen Signalamplitudenfehler über das Sperrband
28 bis 36 kliz und das Durchlaßband 0 bis 4 kHz für die
Kurven g, h, i und j sind 5,3 %, 2,7 %, 12,4 % bzw. 2,3 %. Es ist also offensichtlich, daß die Ausdehnung des MiL.t·- lungsintervalls auf 2T wichtiger ist als die Erhöhung
der Atuastfrequenz auf S=4/T oder die Verwendunpj optimal gewichteter Abtastwerte (0,115, 0,328, 0,328, 0,115) erstelle von nicht optimal gewichteten Abtastwerten (1, 3? 3, D.
bei Verwendung dieser optimal gewicht et en Abtastvrcrte
ist es noch wichtig, ein Mittlungsintervall P-2T (oder
größer) anstelle von P=T zu Verwendern. Dies ersieht
man teilweise aus Kurve i, die, trotz Verwendung von vier optimal p^ev.'ichtetun Abtastwerten, durch einen schlechten Anti-Aliaseffekt gekennzeichnet ist, da ein Mittlungcintervall P-1 = T verwendet wird; und aus Kurve J, bei der ein Mittlun^üintervall P=2T mit acht optimal gedichteter. Abtastwerten verwendet ist und die durch eine gute Anti-Aliaseff ek.t-\.'irkunc gekennzeichnet ist. Die resultierenden maximalen Signalamplitudenfehler über das Sperrband
28 bis 36 kliz und das Durchlaßband 0 bis 4 kHz für die
Kurven g, h, i und j sind 5,3 %, 2,7 %, 12,4 % bzw. 2,3 %. Es ist also offensichtlich, daß die Ausdehnung des MiL.t·- lungsintervalls auf 2T wichtiger ist als die Erhöhung
der Atuastfrequenz auf S=4/T oder die Verwendunpj optimal gewichteter Abtastwerte (0,115, 0,328, 0,328, 0,115) erstelle von nicht optimal gewichteten Abtastwerten (1, 3? 3, D.
Fig. 7 zeigt ein Vorfilter 700 gemäß einer v/eiteren Ausführungsforra
der Erfindung. Im Vorfilter 700 sind für
dieselben Vorfilterkennlinien anstelle der vier Meßmulden
dieselben Vorfilterkennlinien anstelle der vier Meßmulden
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27A0H2
dec Vorfilters 100 (Fig. 1) nur drei Meßmulden 701, 702
und 703 (mit dem flüchenmäßigen Gewicht: 1, 35 1) erforderlich.
Wieder sind S - 2/T und P =- 2T. Die resultierende
wirtschaftliche Raumausnutzung der Vorrichtung
700 auf dem Halbleiterchip wird ermöglicht, indem die
mittlere Meßmulde 702 zeitlich abwechselnd als Lndungspaketquclle
für beide Suiamiermulden SVA und 5^WB verwundet
wird, und zwar entsprechend der Schalterschließfolgen, wie sie in Fig. 7 durch die Zahl (er.) angegeben
sind, die sich neben den jeweiligen Schaltern in Klammern befinden.
iig. 8 zeigt ein Vcrfilter 000 entsprechend einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung. Im Vorfilter 800 ist die Abtastfolgei'requenz S = 4/T, d.h., zv/eimal so groß wie
die Abtastfolgefrequenz 2/T der Vorfilter 100 (Fig. 1) und 7OO (Fig. 7); und die Mittlungsperiode ist P = 2T, wie
bei den Vorrichtungen 100 (Fig. 1) und 700 (Fig. 7). Diese
höhere Abtastfolgefrequenz S = 4/T wird ermöglicht durch die Verwendung von sechs Meßmulden in jedem der beiden
Zweige. Zweig A enthält Meßmulden 801, 802, 80$, 804-, 805
und 806 (mit dem flächenmäßigen Gewicht: 2,34, 2,34, 1,64,
0,97, 0,15, 0,15); Zweig B enthält Meßmulden 807, 808, 609, 810, 811 und 812 (mit der gleichen Gewichtung). Wie aus
Kurve j in Fig. 6 (im Gegensatz zu den Kurven g und h) zu ersehen ist, unterdrückt das Vorfilter 800 auch die Aliaseffekt-Mittenfrequenz
f - 2frj, j. , was ein wünschenswertes
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2740U2
Merkmal ist, da dies die Anforderungen an irgendein RC-Filter
(oder eine andere Art eines zusätzlichen Tiefpassfilters) mildert, das noch erforderlich wäre, um irgendeinen
Aliaseffekt zu unterdrücken, der durch Frequenzen in der Nachbarschaft um f = 4fn, kt herum (und noch höhere
Aliaseffekt-Frequenzen: noch höhere ganzzahlige Vielfache
von 4f„, , . ) verursacht wird. Im Gegensatz dazu müßte der
Alianeffekt, dessen Zentrum bei f - 2 ^'i>akt ^un(^ ganz'/ahligen
Vielfachen von 2 frjiakt) liegt, durch ein etviar» kostspieligeres
zusätzliches RC-Filter (oder ein anderen zusätzliches Tiefpassfilter) für den Fall unterdrückt werden,
daß unerwünschte Signale in der Nachbarschaft von 2 fm«^+-
(und ganzzahlige Vielfache davon) auf der Eingangnsignalleitung
vorhanden sind. Für den Fall fm ^t = 52 kHz wird
der Aliaseffekt im Frequenzbereich von 60 bir» 68 kHz also
durch die Vorrichtung 800 unterdrückt, so daß das zusätzliche RC-Filter nur Frequenzen oberhalb 124 kHz (=-- 128 kHz
-4kHz) zu unterdrücken braucht.
Fig. 9 zeigt eine weitere spezielle Ausführungsform der
Erfindung. Hierin ist ein Vorfilter 900 durch eine Abtastfrequenz von S = 2/T und eine Periode P = 2T gekennzeichnet,
das den zuvor beschriebenen Vorfiltern 100 und 700 ähnlich ist, mit der Ausnahme, daß eine
weitere Raumcinsparung dadurch erreicht ist, daß lediglich zwei Meßmulden 901 und 902 (mit den flächenmäßigen Gewicht
1, 3) verwendet werden, welche die Eummiermulden SWA und
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^Lw1B abwechselnd speisen. Jedoch sind für diese Vorfiltervorrichtung
900 Kreuz-Schaltervcrbindungen crfordci·-
lich, so daß diese Yorfiltcrart sich mehr für eine Verwendung
in Verbindung mit diskreten elektrischen Kapazitotsspeicherelementen
mit geeignet getakteten Schaltern eignet als in Verbindung mit Vorrichtungen, die Halblciterladungspakete
benutzen.
Im Rahmen der Erfindung sind zahlreiche Abänderungen möglich.
Beispieisweise können mehr als zvei parallele Zweige
anstelle der beschriebenen Zweige A und B in Verbindung mit
einer geeigneten zeitlichen Vielfachverr.chochtelurig des
Ausgangs d<jr vielen Zv:eige in das CCD hinein verwendet
werden, überdies können anstatt des liier gezeigten HaIbleitervorfil
tors in Verbindung mit einem CGD-Tr.Mif-versalfilter
andere Arten von Ladungsübejtrogungsvorrichtungsfiltei'n
und Ver/.ögerungsleitungi.-n wie auch andere allgemeinere
Arten von Verzögerungsleitungen verwendet werden, die abgetastete Datenwerte als Eingangsgrößen für die
Verzögerungsleitung verwenden. Beispielsweise kann anstelle
der Umsetzung von Signalabtastwerten in Ladxmgspakete
in den Halbleiter-Vorfiltern 100, 700 und 800 gemäß obiger Beschreibung eine Vorrichtung mit einer Vielzahl
von Kondensatorspeicherelementen in Verbindung mit entsprechenden Modifikationen der relativen Großen der
Kondensatoren verwendet werden, d.h., die Kondensatoren sind proportional zu den zuvor beschriebenen Gewichtungs-
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2740K2
faktoren.
Air; Alternative zur Verwendung unterschiedlicher Flächen
für unterschiedliche Meßnmlden zum Zweck des Erhalts vorgeschriebener
Gewichtungsfaktoren können auch andere geometrische Parameter der Meßraulden unterschiedlich gemacht
werden, wie der Abstand der Heßelektrode von der Halbleiter-Oberfläche.
Die Verwendung zweier paralleler Zweige A und B (zweier
Summiermulden) anstelle nur eines Zweiges (einer Summiermulde) in einem einzigen Zweig im Fall von P=2T ermöglicht
die Ausnutzung der vollen Datenverarbeitungskapazität des CCD; die Anti-Aliaseffekt-Wirkung kann jedoch noch mit
lediglich einem Zweig erreicht werden, jedoch unter Yerzicht
auf die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit dee CCD, und folglich unter einem gewissen Verzicht hinsichtlich
der gewünschten CCD-Tiefpassfilter-Eigenschaften. Somit ist die Verwendung von mehr als einem Zweig wünschenswert.
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L e e r s e i t
Claims (4)
- BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HIRSCH . BREHMPATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADENPatentconsull Radecfcestraße 43 8000 München 60 Telefon (089) 885603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Patenlconsult Sonnenbeiger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme PatentconsultWestern Electric Company Incorporated Sequin,Broadway, New York, New York 10007U.S.A.Patentansprüche:\1.) Halbleiter-Signalfilteranordnung zur Lieferung von Ladungspaketen, die ein analoges Eingangssignal darstellen und das Eingangssignal beispielsweise für eine Datenverarbeitungsvorrichtung liefern, gekennzeichnet durchein Halbleitersubstrat (z.B. 20 in Fig. 3) mit ersten und zweiten Halbleiteroberflächen-Potentialmeßmulden (z.B. 11, 12 in Fig. 1), die periodisch Ladungspakete ausmessen, deren Größe proportional zu vom Eingangssignal abgegriffenen Abtastwerten und proportional zu vorgewählten Faktoren, die einer jeden Mulde zugeordnet sind, ist, und mit einer Summiermulde (z.B. 15) zum Sammeln der durch beide Meßmulden ausgemessenen809810/1010München: R. Krämer Dipl.-Ing. . W. Weser Dipl.-Phys. Or. rer. nat. · P. Hirsch DipLIng. . H. P. Brehm Dipl.-Chem. Or. phil. rut. Wiesbaden: P.G. Bl;imbad1 Dipl.-Ing. , P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. . G. Zwimar Dipl.-Ing. Dipl.-W-Ing.ORIGINAL INSPECTED2740U2Ladung, wobei die Summiermulde periodisch Ladungspakete liefert, die proportional sind zu einem Mittelwert der Abtastwerte des Eingangssignals, die während einer jeden Periode abgegriffen und den vorgewählten Faktoren entsprechend gewichtet worden sind.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß das Auemessen von Ladungspaketen durch die erste Meßmulde aufgrund von Abtastwerten des Eingangssignals geschieht, die zu Zeiten abgegriffen worden sind, welche von Abgriffzeiten jener Abtastwerte des Eingangssignals, auf welche die zweite Meßmulde reagiert, verschieden sind. - 3. Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß der der ersten Meßmulde zugeordnete vorgewählte Faktor von dem der zweiten Meßmulde zugeordneten vorgewählten Faktor verschieden ist. - 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3> gekennzeichnet durchdritte und vierte Meßmulden zum Messen von Ladungspaketen und Öoergeben dieser Ladungspakete an eine zweite Summiermulde entsprechend Abtastwerten, die vom Eingangssignal in der gleichen Arbeitsweise wie809810/101027A0U2bei der ernten und der zweiten Meßmulde abgegriffen worden sind, und mit der gleichen Weise der Übergabe wie bei der ersten Suumiiermulde, wobei die beiden Summierraulden Ladungspakcte je während Zeitperiodon sammeln, die sich überlappen, und sich m:.t der Abgabe ihrer Ladungspakete abwechseln.809810/1010
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/720,885 US4056737A (en) | 1976-09-07 | 1976-09-07 | Anti-aliasing pre-filter circuit for semiconductor charge transfer device |
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---|---|
DE2740142A1 true DE2740142A1 (de) | 1978-03-09 |
Family
ID=24895654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772740142 Withdrawn DE2740142A1 (de) | 1976-09-07 | 1977-09-06 | Halbleiter-signalfilteranordnung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4056737A (de) |
JP (1) | JPS5334445A (de) |
BE (1) | BE858427A (de) |
CA (1) | CA1107396A (de) |
DE (1) | DE2740142A1 (de) |
FR (1) | FR2363943A1 (de) |
GB (1) | GB1584689A (de) |
NL (1) | NL7709787A (de) |
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- 1977-09-06 DE DE19772740142 patent/DE2740142A1/de not_active Withdrawn
- 1977-09-06 FR FR7727002A patent/FR2363943A1/fr active Granted
- 1977-09-06 GB GB37232/77A patent/GB1584689A/en not_active Expired
- 1977-09-07 JP JP10687377A patent/JPS5334445A/ja active Pending
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FR2363943B1 (de) | 1980-04-25 |
US4056737A (en) | 1977-11-01 |
FR2363943A1 (fr) | 1978-03-31 |
NL7709787A (nl) | 1978-03-09 |
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