DE2735318A1 - Injektionslaservielfachanordnung - Google Patents

Description

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504 pr/bm

Injektionslaservielfachanordnung

Die Erfindung betrifft eine Injektionslaservielfachanordnung bestehend aus mehreren übereinanderliegenden, unterschiedlich dotierten und mindestens einen lichtemittierenden übergang bildenden Schichten, mit durch zueinander parallele, streifenförmige sowie elektrisch und thermisch isolierende Bereiche voneinander getrennten emittierenden Bereichen.

Injektionslaser, insbesondere Doppel-Hetero-Ubergangslaser aus Galliumarsenid (DH GaAs) sind in der Lage, bei kleinsten räumlichen Abmessungen sehr energiereiche und enggebündelte Lichtstrahlen zu erzeugen. Es wurde daher schon vorgeschlagen, siehe beispielsweise deutsche Offenlegungsschrift 25 31 004 (US-Patentschrift 3 936 322), Injektionslaservielfachanordnungen herzustellen, die aus einer Vielzahl eng nebeneinander angeordneter Einzellaser bestehen, die beispielsweise als Vielfachstrahlabtastvorrichtung verwendet werden können. Derartige Vorrichtungen können beispielsweise im Zusammenhang mit Wärmeübertragungsdruckern verwendet werden, die eine eindimensionale Anordnung aus eng nebeneinander angeordneten selektiv ansteuerbaren Lasern enthalten. Bei geeigneter Ansteuerung und Beaufschlagung eines in enger Nachbarschaft eines zu bedruckenden Aufzeichnungsträgers angeordneten Wärmeübertragungsbandes durch die erzeugten Strahlen werden die jeweils für eine Zeile einer Schriftzeichenmatrix erforderlichen Zeichenelemente auf das Papier übertragen, so daß bei entsprechender Wiederholung dieses Vorganges eine Zeichenzeile bzw. eine Vielzahl von untereinanderliegenden Zeichenzeilen auf das Papier gedruckt wird.

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In vielen Fällen ist es wünschenswert, daß die Laseranordnung bei Raumtemperatur betrieben werden kann, ohne daß eine Überhitzung der Elemente eintritt. Dabei soll keine besondere Vorrichtung zur Kühlung auf relativ niedrige Temperaturen erforderlich sein. Das Problem der beim Betrieb derartiger Anordnungen bei Raumtemperatur erforderlich werdenden Wärmeabfuhr wird noch durch die Tatsache kompliziert, daß die einzelnen Laser während jeder Abtastung mit großer Geschwindigkeit einzeln und selektiv ein- und ausgeschaltet werden müssen, wobei die elektrischen Anschlüsse an den "heißen" Seiten der einzelnen Laser angeordnet sein müssen, da die steuerbaren aktiven Bereiche der Laser an diesen Seiten liegen. Das hat zur Folge, daß es nicht möglich ist, die "heißen" Seiten der Laser in Kontakt mit einer gemeinsamen, beispielsweise als Kupferblock ausgebildeten Wärmesenke zu verbinden, da die dadurch entstehende gemeinsame elektrische Verbindung mit der Wärmesenke ein selektives Anschalten der einzelnen Laser unmöglich machen würde. Die gegenüberliegende Seite der Laseranordnung an der eine gemeinsame elektrische Rückführungsverbindung möglich wäre, kann nicht als Wärmesenke verwendet werden, da die Wärmeleitfähigkeit des relativ dicken Substrates zwischen den "heißen" Schichten und der gemeinsamen Rückführung schlecht ist. Bei den bisher bekannten Injektionslaservielfachanordnungen weist die Seite der Anordnung an der ein elektrischer Kontakt mit einem allen Lasern gemeinsamen Leiter möglich ist, eine schlechte Wärmeleitfähigkeit auf, während die eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweisende Seite der Anordnung nicht mit einer gemeinsamen Wärmesenke verbunden werden kann, da von dieser Seite die elektrischen Ansteuerungen der einzelnen Laser erfolgen muß.

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Diese Nachteile konnten bisher nicht in wünschenswertem Umfang behoben werden. Da eine ausreichende elektrische Isolation zwischen den einzelnen Laserschaltkreisen unbedingt erforderlich war, mußte bisher beim Entwurf derartiger Anordnungen eine ungenügende Wärmeabfuhr in Kauf genommen werden.

Die Erfindung geht von der Aufgabe aus, die oben genannten Nachteile zu vermeiden und eine Injektionslaservielfachanordnung anzugeben, bei der bei ausreichender Wärmeabfuhr auch eine gute Isolation zwischen den einzelnen Laserschaltkreisen möglich ist.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichnete Erfindung gelöst.

Bei der erfindungsgemäßen Vielfachlaseranordnung werden elektrische Einzelzuleitungen verwendet, die erfindungsgemäß so ausgebildet sind, daß sie neben einer guten elektrischen Leitfähigkeit gleichzeitig auch für eine wirkungsvolle Wärmeableitung geeignet sind. Diese bei einem gewissen Mindestumfang aufweisenden Einheiten nicht immer einfache aber meist naheliegende Lösung konnte im vorliegenden Fall, in dem es sich um sehr kleine und sehr eng gepackte Einzellaser handelt, mit den bisher bekannten Mitteln nicht gelöst werden.

Gemäß einem AusfUhrungsbeispiel der Erfindung wird eine aus Injektionslasern bestehende Anordnung auf einem aus Halbleitermaterial bestehendem gemeinsamen Substrat angeordnet, das durch Atzen mit einer Anzahl von Nuten mit relativ großem Querschnitt versehen wird, die jeweils unter einem aktiven Bereich eines Lasers d.h., an der "heißen" Seite jedes Lasers liegen. Die Nutenwände werden so behandelt, daß eine genügende elektrische Isolation zu den benachbarten Nuten gewährleistet ist. Anschließend wird jede Nute mit einer Substanz mit hoher elektrischer und thermischer Leitfähigkeit gefüllt, so daß eine

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Vielzahl massiver Zuleitungen entsteht, die sowohl als elektrische Einzelleiter für die aktiven Elemente der Laser als auch zur wirkungsvollen Wärmeableitung dienen. Auf diese Weise wird die in jedem Laser erzeugte Wärme wirkungsvoll von der Laseranordnung weggeführt, ohne daß eine gemeinsame metallische Wärmesenke erforderlich wird, die gleichzeitig als gemeinsamer Kontakt der aktiven Seiten aller Laser der Laseranordnung wirken würde. Die von diesen Zuführungen übertragene Wärme kann dann anschließend in einem von der Laseranordnung genügend entfernten Bereich durch geeignete Mittel zu einem Wärmeaustauscher übertragen werden, der durch Wärmeaustausch mit der umgebenden Luft in der Nähe der Raumtemperatur gehalten werden kann. Derartige Wärmeaustauscher können beispielsweise als thermoelektrische Kühlvorrichtungen ausgebildet sein, mit deren Hilfe die Temperatur ihrer Kühlflächen geringfügig unter der Raumtemperatur gehalten werden kann.

Die Erfindung wird anschließend anhand der Fign. näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 die perspektivische Darstellung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,

Fig. 2 einen Ausschnitt aus dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel,

Fig. 3 das Beispiel eines massiven elektrischen Zuleitungselementes, das gleichzeitig als Wärmesenke für die einzelnen Laser der Anordnung dient.

Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel besteht aus einem Doppel-Hetero-Übergangslaser (DH) 10, der auf einem geeigneten Substrat 12 angeordnet und mit diesem verbunden

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ist. Dieses Substrat besteht aus Halbleitermaterial oder einem Isolator und ist so ausgebildet, daß es als Wärmesenke wirkt. Wie im folgenden im einzelnen dargestellt, wird der Laser 10 zunächst als eine einheitliche Anordnung hergestellt, wobei die epitaktisch aufgebrachten Schichten anschließend durch geeignete Maßnahmen in eine eindimensionale Anordnung von aktiven Laserelementen unterteilt wird, die relativ schmal sind und die in Fig. 1 durch die Rechtecke 14 angedeutet werden. Jedes der aktiven Elemente 14 wird als separater Injektionslaser ausgebildet, der bei geeigneter Anregung einen kohärenten Lichtstrahl erzeugt. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die Anordnung aus mehreren in einer horizontalen Reihe angeordneten Lasern 14. Selbstverständlich ist es auch möglich, die Laser in einer anderen Weise anzuordnen. Die in Fig. 1 mit 10 bezeichnete Doppel-Hetero-Ubergangslaseranordnung besteht aus einzelnen kleinen Lasern oder aktiven Elementen 14, die in an sich bekannter Weise, beispielsweise wie im US-Patent 3 936 322 angegeben, hergestellt wurden.

Auf einer Fläche eines aus η-dotierten Galliumarsenid (GaAs) bestehenden Substrates 16 werden aufeinanderfolgende epitaktische Schichten 18, 20, 22 und 24 aufgewachsen, von denen die Schicht 18 aus η-dotiertem Gallium-Aluminium-Arsenld (beispielsweise Ga_{n n} Al- , As), die Schicht 20 aus p-dotiertem GaAs, die Schicht 22 aus p-dotiertem Ga. - Al. _ As und

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die Schicht 24 aus p-dotiertem GaAs besteht. In Fig. 1 sind die zuletzt genannten Schichten aus zeichentechnischen Gründen nicht maßstäblich dargestellt. Bei einem praktisch ausgeführten Ausführungsbeispiel würden die Dicken der einzelnen Schichten etwa folgende Werte aufweisen:

Substrat 16 1OO um Schichten 18, 22, 24 1 um oder weniger

Schicht 20 0,2 um.

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Fließt ein elektrischer Strom quer durch die verschiedenen Schichten des Lasers 10, so wird durch Rekombination von Elektronen und Löchern in der p-dotierten GaAs-Schicht 20 Licht entstehen, das durch die mittels der Rechtecke 14 bezeichneten Bereiche austreten kann. Normalerweise würde die ganze Schicht 20 als ein aktiver Bereich für die Rekombination von Löchern und Elektronen wirksam werden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist es jedoch wünschenswert, daß nur die schmalen, innerhalb der Rechtecke 14 liegenden Bereiche der Schicht 20 wirksam werden. Die zwischen den Rechtecken 14 liegenden Bereiche der Schicht 20 werden, wie beispielsweise in der US-Patentschrift 3 936 322 beschrieben, in an sich bekannter Heise unwirksam gemacht. Im Bereich der Schichten 18 bis 24 zwischen den Rechtecken 14 können Muten 25 angebracht werden, um einen unerwünschten Wärmeübertritt zu verhindern.

Zum selektiven Ein- und Ausschalten der einzelnen als Laser ausgebildeten emittierenden Bereiche 14, durch das eine Verschiebung der von ihnen jeweils erzeugten Strahlen über die abzutastende Fläche bewirkt wird, sind selektiv schaltbare Steuerschaltungen mit Spannungsquellen 26 vorgesehen, von denen jeweils eine Seite mit einem der aktiven emittierenden Bereiche 14 über einen Leiter 28 (Fign. 1 und 3) verbunden ist, der sich entlang der Fläche des Substrates 12 in Kontakt mit der Schicht 24 des jeweiligen Bereiches 14 erstreckt. Die äußere Oberfläche dieser Schicht 24 ist mit Zink dotiert oder in einer anderen geeigneten Heise behandelt, um einen guten elektrischen Kontakt zwischen den Bereichen 14 und den ihnen zugeordneten Zuleitungen 28 sicherzustellen. Die gegenseitige Isolierung der Zuleitungen 28 innerhalb des Substrates 12 wird im folgenden näher erläutert.

Die freie Fläche des Lasersubstrats 16 ist mit einer dünnen Metallschicht 30 überzogen, die als gemeinsame Elektrode

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dient, von der eine elektrische Verbindung 31 über einen gemeinsamen Leiter 32 zu den Spannungsquellen 26 führt. Es wird darauf hingewiesen, daß die allen aktiven Bereichen 14 gemeinsame Rückführung 30 bis 32 an der Seite der Laseranordnung liegt, an der auch das relativ dicke Galliumarsenidsubstrat 16 angeordnet 1st, das etwa 30 mal so dick wie die epitaktischen Schichten 18, 20, 22 und 24 zusammen. Wegen dieser Dicke und wegen des verwendeten Materials leitet das Substrat nur wenig der In den aktiven Bereichen 14 erzeugten Wärme zu der an der freien Fläche angeordneten Elektrode 30 ab. An dieser Seite der Halbleiteranordnung befindet sich somit keine Wärmesenke.

Ein Großteil der In der Rekomblnatlonsschlcht 20 erzeugten Wärme wird durch die sehr dünnen Schichten 22 und 24 der aktiven Bereiche 14 zu den Ableitungen 28 der einzelnen Schaltkreise und zum Substrat 12 geleitet. Angesichts der Erfordernis, daß jeder als Einzellaser ausgebildete emittierende Bereich 14 und die Ihm zugeordneten Schaltkreise von den anderen Bereichen 14 und deren Schaltkreisen Isoliert sein muß, sind Im Bereich der epltaktischen Schichten des Lasers Nuten 25 vorgesehen, während die zwischen den Zuführungen 28 und den Nuten 25 liegenden Teile der Schicht 24 auf einer Isolierenden Fläche angeordnet sind, die Im vorliegenden Ausführungsbeispiel durch eine auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 12 befindliche Oxidschicht 34 gebildet wird. Die Art und Welse In der die Zuführungen 28 gegeneinander Isoliert werden, wird Im folgenden näher erläutert.

Da die Innerhalb der Schicht 20 in jedem Bereich 14 erzeugte Wärme durch die dünnen Schichten 22 und 24 und nicht durch das relativ dicke Substrat 16 abgeführt wird, ist an der Seite der Schicht 24 der einzelnen Bereiche 14 eine Wärmesenke erforderlich. Bei dem oben beschriebenen AusfUhrungsbeispiel ist es jedoch nicht möglich, eine einzige metallische

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Wärmesenke vorzusehen, die allen emittierenden Bereichen der Anordnung gemeinsam 1st, da eine derartige Wärmesenke ein selektives Einschalten der einzelnen als Laser ausgebildeten Bereiche 14 unmöglich machen würde. Die Wärmeabfuhr wird daher gemäß der vorliegenden Erfindung durch eine besondere Ausgestaltung der Schaltkreiszuleitungen 28 bewirkt, die gleichzeitig als gute Wärmeleiter ausgebildet sind. Jede der Zuleitungen 28 führt die in den}ihr zugeordneten Bereich 14 erzeugte Wärme ab. Die Anordnung ist so getroffen, daß jeder Bereich 14 der Anordnung eine eigene, aus einer Zuleitung 28 bestehende Wärmesenke hat, die von den Wärmesenken 28 der anderen Bereiche 14 getrennt ist. Durch die betreffenden Wärmesenken oder Zuführungen 28 wird die Wärme von der Laseranordnung schnell in Bereiche überführt, in denen die Wärme durch geeignete Mittel, beispielsweise durch nicht dargestellte, als thermoelektrische Kühlvorrichtungen ausgebildete Wärmeaustauscher, die etwas unter Raumtemperatur gehalten werden, abgeführt werden kann.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich, weist das die Laseranordnung tragende Substrat 12 eine Reihe von zueinander parallelen Nuten 36 auf, die entsprechend den gewünschten Abständen der Zuleitungen 28 und der Bereiche 14 angeordnet sind. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht das Substrat 12 aus Silizium. Es kann jedoch auch aus Germanium oder aus einem kristallinen Isolator bestehen. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel werden die Nuten durch Xtzen des Siliziumsubstrats 12 erzeugt, wobei die Facetten in Richtung der 111-Ebene liegen. In der Praxis ist eine Nute 36 beispielsweise 20 um breit und 100 bis 200 um tief, wobei der Abstand von Mittelpunkt zu Mittelpunkt der Nuten 50 um beträgt. Das durch gestrichelte Linien 38 dargestellte Halbleitermaterial im Bereich der Wände jeder einzelnen Nute 36 wird in geeigneter Weise behandelt, um die Nuten gegeneinander zu isolieren. Das kann beispielsweise durch Oxidation oder durch Diffusion mit einer η-dotierten Substanz

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in die Wandbereiche 38 der in dem p-dotierten Substrat 12 befindlichen Nuten 36 erfolgen, die mit Hilfe der Spannungsquelle 26 über die Leitung 40 und eine Elektrode 42 in rückwärtiger Richtung vorgespannt werden. Wie schon oben erwähnt, ist die Oberflächenschicht 34 des Substrats 12 oxidiert, um dieses Substrat von der angrenzenden Schicht 24 der Laseranordnung 10 zu isolieren, wenn die Teile, wie in Fig. 1 dargestellt, zusammengesetzt werden. Jede Nute 36 wird mit einem geeigneten Material, beispielsweise Gold, das sowohl ein guter elektrischer als auch ein guter Wärmeleiter ist, plattiert oder gefüllt, so daß eine massive Zuleitung 28 entsteht, die, wie aus den Fign. 1 und 3 ersichtlich, als individuelle Wärmesenke für jeden Bereich 14 dient, durch die die im zugeordneten Bereich erzeugte Wärme abgeführt werden kann. Diese Wärme kann entweder den unteren Bereich des Substrats 12 durchsetzen oder durch die über die Laseranordnung 10 hinausreichenden Teile der Zuführungen 28 abtransportiert werden.

Das Substrat 12 besteht aus einem die erforderlichen Eigenschaften aufweisenden Material. Es kann beispielsweise aus einem Halbleiter (Silizium oder Germanium) oder aus einem kristallinen Isolator bestehen. Da Silizium eine bessere Leitfähigkeit als Germanium oder ein isolierendes Material aufweist, wird das Substrat 12 bei Verwendung von Silizium eine durchaus ins Gewicht fallende Wärmeleitfähigkeit aufweisen, durch die die durch die Zuleitungen 28 erfolgende Wärmeableitung ergänzt wird. Soll das für die Herstellung des Sub- | strats 12 verwendete Material einen Wärmeausdehnungskoeffizient ten aufweisen, der den Wärmeausdehnungskoeffizienten des bei der Laseranordnung 10 verwendeten Galliumarsenids möglich nahe!

kommt, um einen guten Kontakt bei allen Temperaturen sicherzustellen, wird Germanium als Material für das Substrat besonders vorteilhaft sein. Ein Isolator hat den Vorteil, daß die Zuleitungen 28 ohne besondere Vorkehrungen und ohne eine besondere Behandlung der Nutenwände gegeneinander isoliert sind.

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Beim Betrieb der Lageranordnung wird die in den Bereichen erzeugte Wärme im wesentlichen durch die dem betreffenden Bereich zugeordnete elektrische Zuleitung 28 abgeführt und in der oben angegebenen Weise unschädlich gemacht. Die Querschnitte der Zuleitungen 28 sind so bemessen, daß sie als individuelle Wärmesenken der betreffenden Bereiche geeignet sind und gleichzeitig die erforderlichen elektrischen Verbindungen darstellen, durch die die Bereiche 14 einzeln ein- und ausgeschaltet werden. Wie schon oben angegeben, reicht der bei einer Breite von 20 um und einer Tiefe von 100 um der Zuleitungen sich ergebende Querschnitt für die vorliegenden Zwecke aus. Die Gesamttiefe der epitaktischen Schichten 18, 20, 22 und ist dagegen nur 3 um. Jede Zuleitung 28 wird so weit und so lang gemacht, daß sie in der Lage ist, die in dem ihr zugeordneten aktiven Bereich 14 erzeugte Wärme aufzunehmen und vom Bereich 14 abzuleiten.

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Claims (1)

1. PATENTANSPK U C H E

   Injektionslaservielfachanordnung bestehend aus mehreren übereinanderliegenden, unterschiedlich dotierten und mindestens einen lichtemittierenden übergang bildenden Schichten mit durch zueinander parallele, streifenförmige sowie elektrisch und thermisch isolierende Bereiche voneinander getrennten emittierenden Bereichen gekennzeichnet durch eine in den emittierenden Bereichen (14) der lichtemittierenden übergänge mit einer die zur Anregung der Lichtemission erforderliche Stromzufuhr und die erforderliche Wärmeableitung bewirkenden, als Wärmesenke dienenden Substanz gefüllte Nuten (36) aufweisende Struktur.

   Injektionslaservielfachanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nuten (36) im Bereich ihrer Wände (38) elektrisch isolierend ausgebildet sind.

   Injektionslaservielfachanordnung nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die Nuten (36) ausfüllende oder die Nutenwände bedeckende Substanz (28) in elektrischen und thermischen Kontakt mit den steuerbaren aktiven Schichten der einzelnen emittierenden Bereiche (14) steht.

   Injektionslaservielfachanordnung nach einem oder mehrerejn der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß j die die mit der elektrisch und thermisch leitenden \ Substanz (28) gefüllten Nuten aufweisende Struktur ^: als Substrat für die die lichtemittierenden Bereiche (14) bildenden Schichten dient. i

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   OMGINAL INSPECTED

   5. Injektionslaservielfachanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die die lichtemittierenden Bereiche (14) bildenden Schichten und die die mit der elektrisch und thermisch leitenden Substanz (28) gefüllten Nuten (36) aufweisenden Strukturen nach Fertigstellen miteinander vereinigt werden.

   6. Injektionslaservielfachanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch und thermisch leitende Substanz (28) ein Metall oder eine Metallegierung ist.

   7. Injektionslaservielfachanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die die mit einer elektrisch und thermisch leitenden Substanz (28) gefüllten Nuten (36) aufweisende Struktur aus einem Halbleitermaterial besteht und daß die Wände der in ihr angeordneten Nuten zur Unterdrückung der elektrischen Leitfähigkeit behandelt werden.

   8. Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 7, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

   a) Herstellung einer eindimensionalen Anordnung aus eng nebeneinander liegenden, als Injektionslaser ausgebildeten emittierenden Bereichen (14), auf einem ersten, allen diesen Bereichen gemeinsamen Substrat (16), wobei jeder Bereich eine von außen ansteuerbare aktive Fläche auf der dem Substrat abgewandten Seite aufweist.

   b) Herstellung eines zweiten Substrats (12) mit einer Anzahl von Nuten (36), die die gleichen Abstände voneinander wie die genannten Bereiche (14) auf-

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   weisen, wobei das Substrat so ausgebildet ist, daß durch die Wände der Nuten kein elektrischer Strom fließen kann.

   c) Füllen der Nuten (36) oder überziehen ihrer Wände mit einem sowohl elektrisch als auch thermisch gut leitenden Material zur Erzeugung von individuellen Wärmesenken und

   d) Verbindung der Laseranordnung mit dem Substrat derart, daß die aktiven Seiten der besagten emittierenden Bereiche (14) jeweils mit einer der oben beschriebenen Wärmesenken in Kontakt stehen.

   9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die besagte Injektionslaservielfachanordnung durch folgende Schritte hergestellt wird:

   a) Epitaktisches Aufwachsen einer Folge von unterschiedlich dotierten Galliumarsenidschichten auf einem Galliumarsenidsubstrat zur Erzeugung einer äußerlich ansteuerbaren Rekombinationsschicht innerhalb der besagten epitaktischen Schichten.

   b) überführung bestimmter Bereiche der Rekombinationsschicht (24) in einen nicht leitenden Zustand, um eine Mehrzahl von abwechselnd angeordneten aktiven und inaktiven Bereichen zu erzeugen, wobei jeder dieser aktiven Bereiche (14) steuerbar lichtemittierend ist. j

   10. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Nuten (36) in einem Substrat (12) aus Halbleitermaterial erzeugt werden und daß die Wände dieser Nuten zur Verhinderung einer elektrischen ; Leitung durch sie hindurch behandelt werden.

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