DE2801987C3

DE2801987C3 - Thermoschreibkopf für thermoelektrische Schnelldrucker und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE2801987C3
Application number: DE2801987A
Authority: DE
Inventors: Kazumi Matsudo Chiba Ishikawa; Katsuto Yokohama Kanagawa Nagano; Takashi Chiba Nakajima
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1977-01-20
Filing date: 1978-01-18
Publication date: 1980-12-04
Also published as: DE2801987B2; DE2801987A1; US4194108A; JPS5390943A

Description

Ausbildung eines widerstandsbehafteten Oberzugs aus einer Borphosphid-Verbindung auf einem elektrisch isolierenden Substrat;

Ausbildung eines Passivierungsfilms auf dem Borphosphid-Oberzug; Entfernung des Passivierungsfilms zur Freilegung eines Untergrundbereichs der Borphosphid-Verbindung dort, wo die Zuleitungen ausgebildet werden sollen, rings um eine mit der Schutzschicht bedeckte zentrale Insel; Dotieren iJes freiliegenden Bereichs mit einer Verunreinigung, bis die Borphosphid-Verbindung gut leitfähig wird;

Entfernen des Passivierungsüberzugs von der Insel, die als aktiver Bereich für die Widerstandsheizelemente dienen soll, und

Ausbildung mehrerer isolierender Kerben in dem Borphosphid-Oberzug, welche den aktiven Bereich in getrennte Widerstandsheizelemente aufteilen und den Untergrundbereich derart unterteilen, daß paarweise Zuleitungen für die einzelnen Heizelemente entstehen.

Die Heizelemente bestehen also aus Borphosphid, das einen außerordentlich hohen Abriebwiderstand aufweist und deshalb ohne jeden Schutzüberzug eine sehr lange Lebensdauer besitzt. Der Schreibkopf erreicht nahezu unmittelbar nach dem Empfang eines Erregungsimpulses ein außerordentlich hohes Temperaturniveau und kühlt sich sofort nach dem Abschalten der Energie wieder ab, so daß saubere und konturengenaue Aufzeichnungen bei hoher Schreibgeschwindigkeit erzielt werden. Durch die Erfindung ist ferner das bekannte Anschlußproblem dadurch gelöst, daß die Versorgungsleitungen einteilig mit den Heizelementen ausgeführt sind und damit zuverlässig mit diesen verbunden sind, da sie aus dem gleichen Material wie die Heizelemente bestehen, jedoch so stark dotiert sind, daß sie eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist sehr wirtschaftlich und gut zur Massenherstellung geeignet.

Der elektrische Widerstand der Heizelemente läßt sich ferner in einem weiten Bereich einstellen, so daß der Schreibkopf an verschiedene Typen und Anordnungen der Erregungsmatrix angepaßt werden kann.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung beschrieben. Hierin sind

Fig. IA und IB Draufsicht und Querschnitt eines Substrats mit Oberzug aus Borphosphid,

Fig.2A und 2B entsprechende Ansichten nach dem Aufbringen eines Passivierungsüberzugs,

Fig.3A und 3B entsprechende Ansichten nach selektiver Entfernung des Passivierungsüberzugs zur Freilegung eines Untergrundbereichs, der eine geschützte zentrale Insel umgibt,

Fig.4A und 4B entsprechende Darstellungen der Dotierung des freigelegten Bereichs zur Erhöhung der Leitfähigkeit,

Fig. 5A und 5B entsprechende Darstellungen nach Entfernung des verbliebenen Passivierungsüberzugs,

Fig.6A und 6B entsprechende Darstellungen der Bildung von Kerben zur V pnzung punktförmiger Heizelemente, wobei sich die Kerben zur Bildung von Zuführungsleitungen in den Untergrundbereich erstrekken,

Fig.7A und 7B entsprechende Darstellungen eines Substrats mit Kerben, die mehrere Inseln durchschneiden,

F i g. 7C einen von dem Substrat der vorhergehenden

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50 Figuren abgeschnittenen Streifen,

F i g. 8 einen aus solchen Streifen zusammengesetzten Schreibkopf, der einem wärmeempfindlichen Aufzeichnungsträger gegenübersteht,

F i g. 9 eine perspektivische Aasicht des Schreibkopfs nach F i g. 8 in größerem Maßstab,

Fig. 1OA und 1OB die beiden Seitenflächen einer Kopfplatte,

Fi g. IOC die Vorderkante derselben,

F i g. 11 die Schaltung einer typischen Matrix zur Erregung des Schreibkopfes nach F i g. 9 und

F i g. 12 ein Diagramm der Abnutzung eines Überzugs aus Borphosphid im Vergleich mit bekannten Werkstoffen.

In F i g. 1 bis 6 sind die einzelnen Stufen der Verwandlung eines Rohlings in einen Schreibkopf mit einzelnen selektiv erregbaren Heizelementen dargestellt Gemäß Fig. IA und IB wird von einem Substrat 20 ausgegangen, das beispielsweise in Form eines reinen, inerten und monolithischen Chips aus Silicium, Saphir, Spinell, Siliciumoxid, Aluminiumoxid od. dgl. oder auch einer kombinierten Doppelschicht dieser Werkstoffe, wie Silicium auf Saphir besteht. Das Substrat hat beispielsweise eine Dicke von etwa 0,3 mm, eine Breite von 3,4 mm und eine Länge von 8,1 mm. seine Oberfläche ist spiegelglatt poliert. Zunächst wird nun ein dünner Überzug 21 aus Bor-Phosphid epitaktisch bis zu einer Dicke in der Größenordnung von 0,5 μΐη auf die Oberseite des Substrats aufgebracht.

Um bestimmte Bereiche des Bor-Phosphidüberzugs während der nachfolgenden Schritte abzuschirmen bzw. zu passivieren, wird gemäß F i g. 2A und 2B eine Passivierungsschicht 22 auf den Überzug 21 gelegt. Diese Schicht besteht vorzugsweise aus S1O2 und wird durch elektrisches Aufsprühen oder Aufwachsen in der Gasphase gebildet, bis sich eine Schicht von etwa 2000 bis 3000 Ä Dicke gebildet hat.

Beim nachfolgenden, in Fig.3A und 3B illustrierten Schritt wird die Passivierungsschicht 22 selektiv fotogeätzt, d. h. entfernt, und zwar über einem Untergrundbereich 25, aus dem später elektrische Zuleitungen gebildet werden sollen. Der freigelegte Untergrundbereich 25 definiert eine zentrale »Insel« 26, die geschützt bleibt und später als der aktive Bereich verwendet wird, aus dem die Heizelemente gebildet werden. Außer dem geschützten Inselbereich 26 kann ein geschützter Rahmenbereich 27 vorgesehen sein.

Der nächste, in Fig.4A und 4B illustrierte Schritt besteht darin, daß der freigelegte Untergrundbereich 25 dotiert wird, um ihn leitfähig zu machen. Dies geschieht mittels bekannter Dotierungstechniken unter Verwendung einer Verunreinigung wie Selen (Se) oder Tellur (Te) und wird so lange fortgesetzt, bis der spezifische Widerstand des Bor-Phosphids auf etwa ΙΟ-⁴ bis 10²Ohm-cm abgesunken ist. Der Bereich der erhöhten, für integrierte Zuleitungen verwendbaren Leitfähigkeit ist in Fig.4B durch entsprechende Schraffierung 28 hervorgehoben. Wenn z. B. ein Saphir-Substrat verwendet wird, kann die Dotierung so durchgeführt werden, daß des Werkstück bei einer Temperatur zwischen 850 und 115O⁰C in ein Siliciumrohr eingeschlossen wird. Durch das Rohr wird Wasserstoffgas, dem eine geringe Menge HjSe oder HJfe in einem Anteil von 100 bis 500 ppm zugesetzt ist, mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 m/min durchgeleitet. Dadurch diffundiert Se bzw. Te aus der Gasphase in das Bor-Phosphid. Der Prozeß wird überwacht, um die Donorkonzentration der betreffenden Verunreini-

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I I

gung und damit die Leitfähigkeit des Überzugs in dem freigelegten Bereich zu steuern.

Nachdem der Bereich 25 leitend gemacht wurde, wird der verbleibende Passivierungsüberzug, der die Bereiche 26 und 27 bedeckt, entfernt. Dies geschieht durch Eintauchen des Werkstücks in ein Ätzmittel aus H F und NH4F. Wie Fig.5B zeigt, wird dadurch die Schutzschicht entfernt, die vorher den Aktivbereich 26 und den Rahmenbereich 27 abschirmte.

Als nächster Schritt werden gemäß Fig.6A und 6B parallele Isolationskerben 30 in dem Überzug gebildet, um die Inseln 26 in getrennte Widerstandsheizelemente aufzuteilen, die hier mit 31 bis 34 bezeichnet sind. Die Kerben 30 erstrecken sich beiderseits der Inseln in den leitenden Untergrundbereich 25, um so paarweise Zuleitungen auszubilden; beispielsweise sind die Zuleitungen 31a und 316 mit dem Heizelement 31 einstückig ausgebildet und ergeben eine Stromflußbahn zu diesem. Die parallelen Kerben 30 werden vorzugsweise durch Fotogravur erzeugt, indem ein Überzug derart auf der Oberfläche des Werkstücks angebracht wird, daß nur der Kerbenbereich frei bleibt. Dann wird das Werkstück mit CFi-üas plasmageätzt. Anschließend wird der Überzug entfernt.

Wenn ein Schreibkopf mit in einer Reihe angeordneten Heizelementen gewünscht wird, kann die Anordnung im Zustand der Fig.6A unmittelbar verwendet werden. Als letzter Schritt müssen dann nur noch die Anschlußdrähte an die entsprechenden getrennten Zuleitungen angeschlossen werden, um die Heizelemente 31 bis 34 selektiv erregen zu können.

Wenn dagegen ein Schreibkopf in Matrixanordnung ausgebildet werden soll, wird als letzter Schritt das Werkstück entlang der Linien 35 (F i g. 6A) zerschnitten, um getrennte Heizelemente mit Abmessungen von 0,2 χ 0,3 mm und einer Dicke von 0,3 mm herzustellen. Eine vollständige Matrix wird durch Anordnung von 35 Einzelelementen in fünf Spalten zu je sieben Reihen gebildet, wobei die Einzelelemente voneinander isoliert sind. Eine solche Matrix ist bekanntlich imstande, durch selektive Erregung jedes gewünschte alphanumerische Zeichen darzustellen.

In einem praktischen Fall sind die Kerben 30 etwa 60 μηι breit und 1 μιτι tief und haben einen solchen Abstand, daß Heizelemente und anschließend Zuleitungen mit einer Breite von 260 μΐη entstehen.

Vorzugsweise ist die durch die Passivierungsschicht definierte zentrale Insel 26 als gerader, relativ schmaler und langgestreckter Streifen ausgebildet, dessen Breite z. B. 260 μιτι beträgt und dessen Länge von der Anzahl der in einer Spalte gewünschten Reihen abhängt.

Für einen typischen Schreibkopf mit 5x7 Schreibpunkten und insgesamt sieben Reihen kann die Insel auf die Fig. 7A dargestellten Abmessungen ausgedehnt werden, worin die Heizelemente mit 31' bis 37' bezeichnet sind und andere entsprechende Teile Bezugsziffern tragen, denen der Buchstabe a angehängt ist. Ferner läßt sich ein Werkstück ausbilden, bei dem mehrere zentrale Inseln parallel .zueinander an den Orten 25a bis 25e angeordnet sind, die sämtlich durch die Kerben 30a unterteilt werden. Anschließend wird das Werkstück längs der Linien 35a zerschnitten, wobei die Schnittbreite vorher einkalkuliert wurde. So erhält man einzelne vertikale Leisten mit einer Höhe von sieben Reihen, wie F i g. 7C bei 41 zeigt Fünf solcher Leisten nebeneinander ergeben eine vollständige zweidimensionale alphanumerische Matrix.

Für die Kontaktierung dieser Matrix muß für jedes Heizelement eine Zuleitung zugänglich sein. Das macht 35 wählbare Kontakte und Erde. Hierzu können gemäß F i g. 9 fünf vertikale Streifen 41 bis 45, die eine Punktmatrix 40 bilden, an den Vorderkanten von Platten 51 bis 55 befestigt werden, die aufeinandergelegt eine Tragkonstruktion 50 (Fig.8) darstellen. Die so gebildete Punktmatrix steht in Berührung mit einem bewegten Aufzeichnungsträger, der z. B. die Form eines Bandes 56 aus wärmeempfindlichem Papier aufweist.

Das Band ist um die Antriebsrollen 57 und 58 gelegt und wird mittels eines elastischen Widerlagers 59 an den Schreibkopf angedrückt.

Um den elektrischen Kontakt mit den einzelnen Heizelementen einer Leiste herzustellen, ist jede der Tragplatten 51 bis 55 auf beiden Seilen mit gedruckten Schaltungen versehen. Die sieben Zuleitungen auf der in Fig. 1OA gezeigten Seite sind gemeinsam mit 61 bezeichnet, während die gemeinsame Erdleitung auf der anderen Seite der Platte gemäß Fig. 1OB mit 62 bezeichnet ist. Die einzelnen Platten 51 bis 55 sind durch isolierende Zwischenlagen voneinander getrennt. Zur Erregung der Heizelemente wird in bekannter Weise eine elektrische Diodenmatrix verwendet. Ein Beispiel einer solchen Matrix, die zur Zifferndarstellung geeignet ist, zeigt F i g. 11 bei 70. Sie ist beispielsweise mit einem Eingangskreis verbunden, der eine Reihe von Schaltern 71 aufweist, die mit einer Impulsquelle 72 verbunden sind. Die in der Matrix verteilten Dioden speisen 35 Ausgangsleitungen 73, die mit entsprechenden Heizelementen der Schreibmatrix der Schreibmatrix 40 verbunden sind. Die Ausgangsleitungen sind mit Zeilennummer und Spaltenbuchstabe der zugeordneten Heizelemente versehen.

In Wirklichkeit ist natürlich statt der Schalter der Ausgang eines Computers zu denken, der die Eingangsleitungen mit hoher Geschwindigkeit in bestimmter Reihenfolge kurzschließt. Der Abdruck geschieht dann fliegend, während der Aufzeichnungsträger 56 an dem Schreibkopf vorbeiläuft.

Statt der dargestellten einfachen Diodenmatrix können selbstverständlich komplizierte Logikschaltungen verwendet werden, z. B. solche mit kurzer Zeitkonstante mittels Kondensatorentladung.

Der Widerstand der Heizelemente kann in einem weiten Bereich gewählt werden, so daß der Schreibkopf für optimale Arbeitsbedingungen mit gewünschtem Energieinhalt und gewünschtem Innenwiderstand der Stromquelle geplant werden kann. So kann die Dicke der Heizelemente nach Wahl zwischen einigen Hundert

Ä und einigen hundertstel Millimeter eingestellt werden, indem einfach das Wachstum des Borphosphid-Überzugs aus der Gasphase entsprechend läng durchgeführt wird. Unabhängig von der Dicke ist die Betriebstemperatur zuverlässig hoch, z. B. in der Größenordnung von 500° C Solche Temperaturen können von Borphosphid ohne weiteres ausgehalten werden, da der Schmelzpunkt desselben erst bei etwa 3000° C erreicht wird. Es ist bekannt, daß diese Verbindung bis zumindestens 1000° C chemisch und physikalisch stabil ist So wird eine hohe thermische Zuverlässigkeit erzielt. Es wurde oben von Borphosphid im allgemeinen Sinne gesprochen, also von allen Verbindungen, die durch eine Formel BxPj, dargestellt werden können. Borphosphide, die zum epitaktischen Niederschlag geeignet sind, werden in einem größeren Bereich der Werte χ und y im Handel angeboten. Am besten hat sich das Verhältnis 1 :1 bewährt, das z. B. der Formel BP entspricht.
Während die Dicke des Niederschlags und die Wahl

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des Mischungsverhältnisses bereits einen großen Widerstandsbereich erfassen, kann der Widerstand zusätzlich durch leichtes Dotieren des Heizelements beeinflußt werden. Diese Dotierung kann, wie an Hand der F i g. 4A und 4B beschrieben, als besonderer Schritt unmittelbar vor dem Schritt der Fig.6A und 6B durchgeführt werden, wobei jedoch der Dotierungsprozeß kurz vor dem Augenblick, in dem gute Leitfähigkeit erreicht ist, unterbrochen wird. So ist es möglich geworden, den spezifischen Widerstand der Heizelemente in einem Bereich von 10~⁴ bis 10^+Ι0Ωατι einzustellen.

Das Experiment zeigt, daß Borphosphid so hart ist, daß es einen sehr großen Abriebwiderstand aufweist.

wodurch die Betriebsdauer diejenige der bekannten Stoffe um ein Vielfaches übersteigt. Versuche zeigten eine Vickershärte von 4700 bar, die sogar so ein hartes Material wie Saphir mit einer Vickershärte von 2250 bar übersteigt In einem Abriebtest wurde wärmeempfindliches Papier unter einem Druck von 200 mbar gegen einen Thermoschreibkopf der beschriebenen Art gedrückt Nachdem insgesamt 45 km Papierband abgespult waren, ergab sich ein Abtrag der Heizelemente von weniger als 0,1 μπι. Ein Vergleich mit typischen Abriebseigenschaften anderer Werkstoffe, nämlich SiO₂ und Ta₂O₅, zeigt gemäß der Darstellung in Fig. 12 die weitgehende Verbesserung.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

l.Thermoschreibkopf mit einem elektrisch isolierenden Substrat, einer auf einer Oberfläche desselben gebildeten Anordnung von Heizelementen, die elektrisch voneinander isoliert sind, und Zuleitungen zu den einzelnen Heizelementen, um diese selektiv mit Heizstrom zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizelemente (31, 32, 33, 34; 31', 32', 33', 34') im wesentlichen aus einer Borphosphid-Verbindung bestehen und die Zuleitungen (31a, 31 b)durch Zusatz einer Verunreinigung zur Erniedrigung des spezifischen elektrischen Widerstandes der Borphosphid-Verbindung gebildet sind.
2. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Silicium, Saphir, Spinell, Siliciumoxid oder Aluminiumoxid besteht.
3. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einer Doppelschicht verschiedener Werkstoffe besteht, welche die Gruppe Silicium, Saphir, Spinell, Siliciumoxid und Aluminiumoxid umfassen.
4. Thermoschreibkopf nach einem der Ansprüche I bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand der Zuleitungen (31a. 3\b) im Bereich 10 ⁴ bis 10 ² Dem liegt.
5. Thermoschreibkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung aus Selen oder Tellur besieht.
6. Verfahren zur Herstellung eines Thermoschreibkopfes nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Ausbildung eines widerstandsbehaftelcn Oberzugs (21) aus einer Borphosphid-Verbindung auf einem elektrisch isolierenden Substrat (20);
Ausbildung eines Passivierungsfilms (22) auf dem Borphosphid-Überzug;

Entfernung des Passivierungsfilms zur Freilegung eines Untergrundbereichs (25) der Borphosphid-Verbindung dort, wo die Zuleitungen ausgebildet werden sollen, rings um eine mit der Schutzschicht bedeckte zentrale Insel (26);

Dotieren des freiliegenden Bereichs (25) mit einer Verunreinigung, bis die Borphosphid Verbindung gut leitfähig wird;

Entfernen des Passivierungsüberzugs von der Insel (26), die als aktiver Bereich für die Widerstandsheizelement? dienen soll, und

Ausbildung mehrerer isolierender Kerben (30) in dem Borphosphid-Überzug, welche den aktiven Bereich in getrennte Widerstandsheizelementc (31, 32, 33, 34) aufteilen und den Untergrundbereich (25) derart unterteilen, daß paarweise Zuleitungen (31, 316^fUr die einzelnen Heizelemente entstehen.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsbereich (25) so stark dotiert wird, daß se^n spezifischer Widerstand im Bereich 10 ⁴ bis 10 ²Ωαη liegt.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Insel (26) einen geraden, verhältnismäßig schmalen und langgestreckten Streifen bildet und daß die Kerben (30) parallel zueinander rechtwinklig zu der Längserstreckung der Insel verlaufen.

Die Erfindung betrifft einen Thermoschreibkopf mit einem elektrisch isolierenden Substrat, einer auf einer Oberfläche desselben gebildeten Anordnung von Heizelementen, die elektrisch voneinander isoliert sind,

■5 und Zuleitungen zu den einzelnen Heizelementen, um diese selektiv mit Heizstrom zu versorgen. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung des Thermoschreibkopf es.

Ein derartiger Thermoschreibkopf ist z. B. bereits aus

'<> der DE-PS 12 43 432 bekannt. In dieser Druckschrift ist bereits ausgeführt, daß die Widerstandselemente aus einem möglichst harten Material bestehen sollen, um eine hohe Abriebfestigkeil zu erreichen.

Die nutzbare Geschwindigkeit eines Elektronenrechners ist fast ausschließlich durch die Geschwindigkeit der zugeordneten Ausgabevorrichtung begrenzt Die allgemein verwendeten Druckvorrichtungen sind meistens vom mechanischen Typ, deren Geschwindigkeit grundsätzlich durch die Trägheit der mechanischen Druckelemente begrenzt ist. Um die Ausgabegeschwindigkeit zu verbessern und den gewöhnlich mit mechanischen Schnelldruckern verknüpften hohen Lärmpegel zu vermeiden, sind verschiedene nichtmechanische Schnelldrucker entwickelt worden, darunter elektrothermische Schnelldrucker. Diese besitzen einen Thermoschreibkopf, der auf ein Blatt oder einen Streifen aus wärmeempfindlichem Papier einwirkt. Um geringe thermische Trägheit und hohe örtliche Temperaturen zu erreichen, hat man schon Thermoschreibköpfe mit Halbleiterschichten verwendet, die aus Silicium, Cermet, Zinnoxid, Titaniumnitrid, Tantalnitrid u.dgl. bestehen, aber diese Werkstoffe müssen wegen ihres unzureichenden Abriebwiderstandes und der dadurch bedingten kurzen Lebensdauer als unbefriedigend angesehen werden.

Um den Abriebwiderstand zu verbessern, hat man sich bemüht, Schutzüberzüge zu entwickeln, z. B. einen Schutzüberzug aus Tanialoxid auf einem aus Tantalnitrid bestehenden Heizelement. Diese Bemühungen waren aber weitgehend vergeblich, weil die Schutzüberzüge den thermischen Wirkungsgrad verschlechtern, indem sie den Aufzeichnungsträger von den Heizelementen isolieren und die seitliche Ableitung der Wärme in der Ebene des Schutzüberzugs begünstigen, wodurch die Abbildungsschärfe verlorengeht. Ein höherer Er wärmungsgrad verbessert die Lage nicht.

Eine weitere Schwierigkeit bei den herkömmlichen Thermoschreibköpfen liegt in der Verwirklichung der Vielzahl von erforderlichen Zuleitungen, von denen jeweils zwei für ein Heizelement erforderlich sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thermoschreibkopf bereitzustellen, bei dem der Abriebwiderstand von Heizelementen und Zuleitungen so hoch ist, daß auf einen Schutzüberzug verzichtet werden kann; ferner soll ein Verfahren zur einfachen und kostengünstigen Herstellung des Thermoschreibkopfes geschaffen werden.

Diese Aufgabe wird durch einen Thermoschreibkopf der eingangs genannten Art gelöst, der gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet ist, daß Heizelemente im wesentlichen aus einer Borphosphid-Verbindung bestehen und die Zuleitungen durch Zusatz einer Verunreinigung zur Erniedrigung des spezifischen elektrischen Widerstandes der Borphosphid-Verbindung gebildet sind.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des Thermokopfes ist durch folgende Schritte gekennzeichnet: