DE2801987A1

DE2801987A1 - Thermoschreibkopf fuer thermoelektrische schnelldrucker und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number: DE2801987A1
Application number: DE19782801987
Authority: DE
Inventors: Kazumi Ishikawa; Katsuto Nagano; Takashi Nakajima
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1977-01-20
Filing date: 1978-01-18
Publication date: 1978-07-27
Also published as: US4194108A; DE2801987B2; JPS5390943A; DE2801987C3

Description

München, den 17. Januar 1978 42/OO5

TDK ELECTRONICS CO., LTD., Tokyo, Japan

Thermoschreibkopf für thermoelektrische Schnelldrucker und Verfahren zu seiner Herstellung

Die Erfindung bezieht sich auf einen Thermoschreibkopf nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung desselben.

Die nutzbare Geschwindigkeit eines Elektronenrechners ist fast ausschließlich durch die Geschwindigkeit der zugeordneten Ausgabevorrichtung begrenzt. Die allgemein verwendeten Druckvorrichtungen sind meistens vom mechanischen Typ, deren Geschwindigkeit grundsätzlich durch die Trägheit der mechanischen Druckelemente begrenzt ist. Um die Ausgabegeschwindigkeit zu verbessern und den gewöhnlich mit mechanischen Schnelldruckern verknüpften hohen Lärmpegel zu vermeiden, sind verschiedenartige nichtmechanische Schnelldrucker entwickelt worden, darunter elektrothermische Schnelldrucker. Diese besitzen einen Thermoschreibkopf, der auf ein Blatt oder einen Streifen aus wärmeempfindlichen Papier einwirkt. Um geringe thermische Trägheit und hohe örtliche Temperaturen zu er-

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reichen, hat man schon Thermoschreibköpfe mit Halbleiterschichten verwendet, die aus Silicium, Cermet, Zinnoxid, Titaniumnitrid., Tantalnitrid und dgl. bestehen, aber diese Werkstoffe müssen wegen ihres unzureichenden Abriebwiderstandes und der dadurch bedingten kurzen Lebensdauer als unbefriedigend angesehen werden.

Um den Abriebwiderstand zu verbessern, hat man sich bemüht, Schutzüberzüge zu entwickeln, z. B. einen Schutzüberzug aus Tantaloxid auf einem aus Tantalnitrid bestehenden Heizelement. Diese Bemühungen waren aber weitgehend vergeblich, weil die Schutzüberzüge den thermischen Wirkungsgrad verschlechtern, indem sie den Aufzeichnungsträger von den Heizelementen isolieren und die seitliche Ableituna der Wärme in der Ebene des Schutzüberzugs begünstigen, wodurch die Abbildungsschärfe verlorengeht. Ein höherer Erwärmungsgrad verbessert die Lage nicht.

Der im Anspruch 1 gekennzeichneten Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Thermoschreibkopf bereitzustellen, dessen Abriebwiderstand so hoch ist, daß auf einen Schutzüberzug verzichtet werden kann.

Erfindungsgemäß bestehen die Heizelemente aus Bor-Phosphid, das einen außerordentlich hohen Abriebwiderstand aufweist und deshalb ohne jeden Schutzüberzug eine sehr lange Lebensdauer besitzt. Infolgedessen erreicht der Schreibkopf nahezu unmittelbar nach dem Empfang eines Erregungsimpulses ein außerordentlich hohes Temperaturniveau und kühlt sich sofort nach dem Abschalten der Energie wieder ab, so daß saubere und konturengenaue Aufzeichnungen bei hoher Schreibgeschwindigkeit erzielt werden.

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- 2Γ-

Mittels des erfindungsaemäßen Eerstellunasverfahrens läßt sich der elektrische Widerstand der Heizelemente in einem weiten Bereich einstellen, so daß der Schreibkopf an verschiedene Typen und Anordnungen der Erregunasmatrix angepaßt werden kann.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung läßt sich das bekannte Anschlußproblem dadurch lösen, daß die Versorgungsleitungen einteilig mit den Heizelementen ausgeführt sind und damit zuverlässig mit diesen verbunden sind, da sie aus dem gleichen Material wie die Heizelemente bestehen, jedoch so stark dotiert sind, daß sie eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Das aeschilderte Herstellungsverfahren ist ferner sehr wirtschaftlich und gut zur Massenherstelluna geeignet.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beschrieben. Hierin sind

Fig. IA und IB Draufsicht und Querschnitt eines Substrats mit Überzug aus Bor-Phosphid,

Fig. 2A und 2B entsprechende Ansichten nach dem Aufbringen eines Passivierungsüberzugs,

Fig. 3A und 3B entsprechende Ansichten nach selektiver Entfernung des Passivierungsüberzugszur Freilegung eines Untergrundbereichs, der ein geschütztes zentrales Eiland umgibt,

Fig. 4A und 4B entsprechende Darstellungen der Dotierung des freicTelegten Bereichs zur Erhöhung der Leitfähigkeit ,

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FicT. 5A und 5B entsprechende Darstellungen nach Entfernung des verbliebenen Passivierungsüberzugs,

Fig. 6A und 6B entsprechende Darstellungen der Bildung von Kerben zur Abgrenzung punktförmiaer Heizelemente, wobei sich die Kerben zur Bildung von Zuführungsleitungen in den Untergrundbereich erstrecken,

Fig. 7A und 7B entsprechende Darstellunaen eines Substrats mit Kerben, die mehrere Eilande durchschneiden,

Fig. 7C einen von dem Substrat der vorhergehenden Figuren abgeschnittenen Streifen,

Fig. 8 einen aus solchen Streifen zusammengesetzten Schreibkopf, der einem wärmeempfindlichen Aufzeichnungsträger gegenübersteht,

Fig. 9 eine perspektische Ansicht des Schreibkopfs nach Fig. 8 in größerem Maßstab,

Fig.1OA und 1OB die beiden Seitenflächen einer Kopfplatte, Fig.IOC die Vorderkante derselben,

Fig.11 die Schaltung einer typischen Matrix zur Erregung des Schreibkopfs nach Fxct. 9

und
Fig.12 ein Diagramm der Abnutzung eines Überzugs aus Borphosphid im Vergleich mit bekannten Werkstoffen.

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In Fig. 1 bis 6 sind die einzelnen Stufen der Verwandlung
eines Rohlings in einen Schreibkopf mit einzelnen selektiv erregbaren Heizelementen dargestellt. Gemäß Fig. IA und IB wird von einem Substrat 20 ausgegangen, das beispielsweise in Form eines reinen, inerten und monolithischer. Chips aus Saphir, Spinell, Siliciumoxid, Aluminiumoxid od. dgl. oder auch einer kombinierten Doppelschicht dieser Werkstoffe,
wie Silicium auf Saphir (SOS) besteht. Das Substrat hat
beispielsweise eine Dicke von etwa 0,3 mm, eine Breite von 3,4 mm und eine Länge von 8,1 mm; seine Oberfläche ist
spieaelglatt poliert. Zunächst wird nun ein dünner überzug 21 aus Eor-Phosphid epitaktisch bis zu einer Dicke in der
Größenordnung von 0,5,um auf die Oberseite des Substrats
aufgebracht.

Um bestimmte Bereiche des Bor-Phosphidüberzugs während
der nachfolaenden Schritte abzuschirmen bzw. zu passivieren, wird gemäß Fio. 2A und 2B eine Passivierungsschicht 22
auf den iiberzua 21 gelegt. Diese Schicht besteht vorzugsweise aus SiO„ und wird durch elektrisches Aufsprühen oder Aufwachsen in der Gasphase gebildet, bis sich eine Schicht von etwa 2000 bis 3000 A* Dicke gebildet hat.

Beim nachfolgenden, in Fig. 3Λ und 3B illustrierten Schritt wird die Passivierunasschicht 22 selektiv fotogeätzt, d.h. entfernt, und zwar über einem Untergrundbereich 25, aus
dem später elektrische Zuleitungen gebildet werden sollen. Der freigelegte Untergrundbereich 25 definiert ein zentrales "Eiland" 26, das geschützt bleibt und später als der aktive Bereich verwendet wird, aus dem die Heizelemente gebildet
werden. Außer dem geschützten Eilandbereich 26 kann ein
aeschützter Rähmenbereich 27 voraesehen sein.

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Der nächste, in Fig. 4A und 4B illustrierte Schritt besteht darin, daß der freigelewte Untergrundbereich 25 dotiert wird, um ihn leitfähig zu machen. Dies geschieht mittels bekannter Dotierungstechniker unter Verwendung einer Verunreinigung wie Selen (Se) oder Tellur (Te) und wird so lange fortgesetzt, bis der spezifische Widerstand

-4 -2 des Bor-Phosphids auf etwa 10 bis IO Ohm-cm abgesunken ist. Der Bereich der erhöhten, für integrierte Zuleitungen verwendbaren Leitfähigkeit ist in Fig. 4B durch entsprechende Schraffierung 28 hervorgehoben. Wenn z. E. ein Saphir-Substrat verwendet wird, kann die Dotierung so durchgeführt werden, daß das Werkstück bei einer Temperatur zwischen 850 und 1150°C in ein Siliciumrohr eingeschlossen wird. Durch das Rohr wird Wasserstoffgas, dem eine aeringe Menge H₃Se oder H₃Te in einem Anteil von 100 bis 500 ppm zugesetzt ist, mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 m/min durchgeleitet. Dadurch diffundiert Se bzw. Te aus der Gasphase in das Bor-Phosphid. Der Prozeß wird überwacht, um die Donorkonzentration der betreffenden Verunreinigung und damit die Leitfähigkeit des Überzugs in dem freigelegten Bereich zu steuern.

Nachdem der Bereich 25 leitend oemacht wurde, wird der verbleibende Passivierungsüberzug, der die Bereiche 26 und 27 bedeckt, entfernt. Dies geschieht durch Eintauchen des Werkstücks in ein Ätzmittel aus HF und NH-F. Wie Fig. 5B zeigt, wird dadurch die Schutzschicht entfernt, die vorher den Aktivbereich 26 und den Rahmenbereich 27 abschirmte.

Als nächster Schritt werden gemäß Fig. 6A und 6B parallele Isolationskerben 30 in dem überzug gebildet, um das Eiland 26 in getrennte Widerstandsheizelemente aufzuteilen, die hier mit 31 bis 34 bezeichnet sind. Die Kerben 3o erstrecken sich beiderseits des Eilands in den leitenden Untergrund-

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-sf-

boreich 25, um so paarweise Zuleitungen auszubilden; beispielsweise sind die Zuleitungen 31a und 31b mit den Heizelement 31 einteilia und eraehen eine Stromflußbahn zu diesem. Die parallelen Kerben 30 v/erden vorzugsweise durch Fotogravüre erzeuqt, indem ein überzug (Resist) derart auf der Oberfläche des Werkstücks angebracht wird, daß nur der Kerbenbereich frei bleibt. Dann v/ird das Werkstück mit CF.-Gas plasFageätzt. Anschließend wird das Resist entfernt.

Wenn ein Schreibkopf mit in einer Reihe angeordneten Heizelementen gewünscht wird, kann die Anordnung im Zustand der Fig. 6Λ unmittelbar verwendet werden. 7.1s letzter Schritt müssen dann nur noch die Anschlußdrähte an die entsprechenden getrennten Zuleitungen angeschlossen v/erden, um die Heizelemente 31 bis 34 selektiv erregen zu können.

Wenn dagegen ein Schreibkopf in liatrixanordnung ausaebildet werden soll, wird als letzter Schritt das Werkstück entlang der Linien 35 (Fig. 6Λ) zerschnitten, um getrennte Heizelemente mit Abmessungen von O,2 χ O,3 mm und einer Dicke von 0,3 mm herzustellen. Eine vollständige Matrix wird durch Anordnung von 35 Einzelelementen in fünf Spalten zu je sieben Reihen gebildet, wobei die Einzelelemente voneinander isoliert sind. Eine solche Matrix ist bekanntlich imstande, durch selektive Erreaung jedes gewünschte alphanumerische Zeichen darzustellen.

In einem praktischen Fall sind die Kerben 30 etwa 60 y«m breit und 1 Aim tief und haben einen solchen Abstand, daß Heizelemente und anschließend Zuleitungen mit einer Breite von 260/am entstehen.

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Vorzugsweise ist das durch die Passivierunasschicht definierte zentrale Eiland 26 als aerader, relativ schnaler und lanagestreckter Streifen ausgebildet, dessen Breite z. B. 260 Aim betragt und dessen Lnrge von der Anzahl der in einer Spalte gewünschten Reihen abhänat.

Für einen typischen Schreibkopf mit 5x7 Schreibrunkten und insgesamt sieben Reihen kann das Eiland auf die Ficr. 7A dargestellten Abmessungen ausaedehnt v/erden, worin die Heizelemente mit 31' bis 37' bezeichnet sind und andere entsprechende Teile Bezugsziffern tragen, denen der Puchstabe a angehängt ist. Ferner läßt sich ein Werkstück ausbilden, bei dem mehrere zentrale Eilande narallel zueinander an den Orten 25a bis 25e angeordnet sind, die sämtlich durch die Kerben 30a unterteilt werden. Anschließend wird das Werkstück längs der Linien 35a zerschnitten, vobei die Schnittbreite vorher einkalkuliert wurde. So erhält man einzelne vertikale Leisten mit einer Höhe von sieben Reihen, wie Fig. 7C bei 41 zeiat. Fünf solcher Leisten nebeneinander ergeben eine vollständige zweidimensionale alphanumerische Matrix.

Für die Kontaktierung dieser Matrix muß für jedes Heizelement eine Zuleitung zugänglich sein. Das macht 35 wählbare Kontakte und Frde. Hierzu können gemäP Fig. 9 fünf vertikale Streifen 41 bis 45, die eine Punktmatrix 40 bilden, an den Vorderkanten von Platten 51 bis 55 befestigt werden, die aufeinandergeleat eine Tragkonstruktion 50 (Fig. 8) darstellen. Die so gebildete Punktmatrix steht in Berührung mit einem bewegten Aufzeichnungsträger, der z. B. die Form eines Bandes 56 aus wärmeempfindlichem Papier aufweist. Solches Papier wird von der Firma 3M unter dem Warenzeichen "THEPMOFAX" vertrieben. Das Band ist um die Antriebsrollen

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57 und 58 gelegt und wird mittels eines elastischen Widerlagers 59 an den Schreibkopf angedrückt.

Um den elektrischen Kontakt mit den einzelnen Heizelementen einer Leiste herzustellen, ist jede der Tragplatten 51 bis auf beiden Seiten mit gedruckten Schaltungen versehen. Die sieben Zuleitungen auf der in Fig. 1OA gezeigten Seite sind gemeinsam mit 61 bezeichnet, während die gemeinsame Erdleitung auf der anderen Seite der Platte gemäß Fig. 1OB mit 62 bezeichnet ist. Die einzelnen Platten 51 bis 55 sind durch isolierende Zwischenlagen voneinander getrennt. Zur Erregung der Heizelemente wird in bekannter Weise eine elektrische Diodenmatrix (Logik) verv/endet. Ein Beispiel einer solchen Matrix, die zur Zifferndarstellung geeignet ist, zeigt Fig. 11 bei 70. Sie ist beispielsweise mit einem Eingangskreis verbunden, der eine Reihe von Druckknöpfen 71 aufweist, die mit einer Impulsquelle 72 verbunden sind. Die in der Matrix verteilten Dioden speisen 35 Ausgangsleitungen 73, die mit entsprechenden Heizelementen der Schreibmatrix 40 verbunden sind. Die Ausgangsleitungen sind mit Zeilennummer und Spaltenbuchstabe der zugeordneten Heizelemente versehen.

In Wirklichkeit ist natürlich statt der Druckknöpfe der Ausgang eines Computers zu denken, der die Eingangsleitungen mit hoher Geschwindigkeit in bestimmter Reihenfolae kurzschließt. Der Abdruck geschieht dann fliegend, während der Aufzeichnungsträger 56 an dem Schreibkopf vorbeilMuft.

Statt der dargestellten einfachen Diodenmatrix können selbstverständlich kompliziertere Logikschaltungen verwendet werden, z. B. solche mit kurzer Zeitkonstante mittels Kondensatorentladung .

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Der Widerstand der Heizelemente kann in einem weiten Bereich gewählt v/erden, so daß der Schreibkopf für optimale Arbeitsbedingungen mit gewünschtem Eneraieinhalt und gewünschtem Innenwiderstand der Stromquelle geplant werden kann. So kann die Dicke der Heizelemente nach Wahl zwischen einigen Hundert R und einigen hundertstel Millimeter eingestellt werden, indem einfach das Wachstum des Borphosphid-Überzugs aus der Gasphase entsprechend lang durchgeführt wird. Unabhängig von der Dicke ist die Betrxebstemperatur zuverlässig hoch, z. B. in der Größenordnung von 5OO°C. Solche Temperaturen können von Borphosphid ohne weiteres ausgehalten werden, da der Schmelzpunkt desselben erst bei etwa 3CX)O C erreicht wird. Es ist bekannt, daß diese Verbindung bis zumindestens 1000⁰C chemisch und physikalisch stabil ist. So wird eine hohe thermische Zuverlässigkeit erzielt. Es wurde oben von Borphosphid im allgemeinen Sinne gesprochen, also von allen Verbindunoen, die durch eine Formel B P dargestellt werden können. Borphosphide, die zum epitaktischen Niederschlag geeignet sind, werden in einem größeren Bereich der Werte χ und y im Handel angeboten. Es hat sich jedoch gezeigt, daß für die gegenwärtigen Zwecke das Verhältnis χ zu y der Komponenten im Bereich von 0,5 bis 7,5 liegen sollte. Am besten hat sich das Verhältnis 1 : 1 bewährt, das z. B. der Formel B^ ₅ P_{0 5} entspricht.

Während die Dicke des Niederschlags und die Wahl des Mischungsverhältnisses bereits einen großen Widerstandsbereich erfassen, kann der Widerstand zusätzlich durch leichtes Dotieren des Heizelements beeinflußt werden. Diese Dotierung kann, wie an Hand der Fig. 4A und 4B beschrieben, als besonderer Schritt unmittelbar vor dem Schritt der Fig. 6A und 6B durchgeührt werden, wobei jedoch der Dotierungsprozeß kurz vor dem Augenblick, in dem gute Leitfähigkeit erreicht ist, unterbrochen

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wird. So ist es möglich geworden, den spezifischen Wider-

-4
stand der Heizelemente in einem Bereich von IO bis

+10 s\

Io Ή-cm einzustellen.

Das Experiment zeigt, daß Borphosphid so hart ist, daß es einen sehr aroßen Abriebwiderstand auf v/eist, wodurch die
Betriebsdauer diejenige der bekannten Stoffe um ein Vielfaches übersteigt. Versuche zeigten eine Vickershärte von 47OO bar, die sogar so ein hartes Material wie Saphir mit einer Vickershärte von 2250 bar übersteigt. In einem Abriebtest wurde wärmeempfindliches Papier unter einem Druck von 200 mbar gegen einen Thermoschreibkopf der beschriebenen
Art gedrückt. Nachdem insgesamt 45 km Papierband abgespult waren, eraab sich ein Abtrag der Heizelemente von weniger als 0,1 pm. Ein Vergleich mit typischen Abriebseicrenschaften anderer Werkstoffe, nämlich SiO„ und Ta^Ot-, zeigt gemäß der Darstellung in Fig. 12 die dramatische Verbesserung.

Statt der beschriebenen Zuleitungen aus hochdotiertem Borphosphid (z. B. Zuleitungen 31a, 31 b für das Heizelement 31 in Fig. 6A) könnten auch andere Zuleitungsmaterialien
verwendet werden. Dazu gehören z. B. Filme aus Kupfer,
Silber, Aluminium, Titan, Molybdän, Wolfram, Chrom, Gold, Platin, Tantal od. dgl., entweder einzeln oder in Mehrfachschichten kombinierter Stoffe. Die Aufbringung derartiger Zuleitungen auf das Substrat ist eine bekannte Sache.

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Ί5.

L e e r s e 11 e

Claims

280Ί987

München, den 17. Januar 197P 42/005

TDK ELECTRONICS CO., LTD., Tokyo, Japan

Patentansprüche

hermoschreibkopf mit einem elektrisch isolierenden Substrat,

ner auf einer Oberfläche desselben gebildeten Anordnung von Heizelementen, die elektrisch voneinander isoliert sind, und Zuleitungen zu den einzelnen Heizelementen, um diese selektiv mit Heizstrom zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizelemente im wesentlichen aus einer Eorphosphid-Verbindung bestehen.
2. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Borphosphid-Verbindung die Zusammensetzung B P aufweist, worin das Verhältnis von χ zu y im Bereich 0,5 bis 7,5 liegt, vorzugsweise den Viert 1 hat.
3. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Silicium, Saphir, Spinell, Siliciumoxid oder Aluminiumoxid besteht.
4. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einer Doppelschicht verschiedener Werkstoffe besteht, welche die Gruppe Silicium, Saphir, Spinell, Siliciumoxid und Aluminiumoxid umfassen.

ORIGINAL INSPECTED

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Dr.Hk/Du.
5. Thernoschreibkopf nach Anspruch 1, bei dem die Zuleitunaer. für die einzelnen Heizelemente paarweise mit einer Schaltmatrix verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen (31a, 31b) im wesentlichen aus der aleichen Porphosphid-Verbindung v.'ie die Heizelemente (31) , jedoch mit
Zusatz einer Verunreinigung zur Erniedricnina des sr.ezifischen I-'iderstandes, bestehen.
6. Thermoschreibkopf nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,

—4
daß der spezifische Zuleitungsv.'iderstand im Bereich 10

-2
bis 10 -A- cm lierrt.
7. Therraoschreibkopf nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung aus Selen oder Tellur besteht.
8. Thermoschreibkopf nach Anspruch 1, bei dem die Zuleitunaen für die einzelnen Heizelemente paarv/eise mit einer Schaltmatrix verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen aus P'upfer, Silber, Alumini-um, Titan, Molybdän,
Wolfram, Gold, Chrom, Platin oder Tantal bestehen.
9. Verfahren zur Herstellung eines Thermoschreibkopfes nach
einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch
folgende Schritte:

Ausbildung eines widerstandsbehafteten Überzugs (21) aus
einer Borphosphid-Verbindung auf einem elektrisch isolierenden Substrat (20);

Ausbildung eines Passivierungsfilms (22) auf dem Borphosphid-Überzug;

Entfernung des Passivierungsfilms zur Freilegung eines Untergrundbereichs (25) der Borphosphid-Verbindung dort, wo
die Zuleitungen ausgebildet werden sollen, rings um ein mit der Schutzschicht bedecktes zentrales Eiland (26);

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Dotieren des freiliegenden Bereichs (25) mit einer Verunreinigung, bis die Borphosphid-Verhindung gut leitfehicr v/ird;

Entfernen des Passivierungsüberzugs von dem riland (26), das als aktiver Bereich für die Widerstandsheizelemente dienen soll, und

Ausbildung mehrerer isolierender Kerben (30) in dem Borphosphid-überzug, welche den aktiven Bereich in getrennte V.'iderstandsheizelemente (31, 32, 33, 34) aufteilen und den Untergrundbereich (25) derart unterteilen, daß paarweise Zuleitungen (31, 31b) für die einzelnen Heizelemente entstehen .
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsbereich (25) so stark dotiert wird, daß sein spezif:

liegt.

-4 -2 spezifischer Widerstand im Bereich IO bis 10 ./T- cm
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Eiland (26) einen geraden, verhältnismäßig schmalen und langgestreckten Streifen bildet und daß die Kerben (30) parallel zueinander rechtwinklig zu der Lrngserstreckung des Eilandes verlaufen.

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