DE2734772A1

DE2734772A1 - Verfahren zur herstellung eines siliciumnitridgegenstandes

Info

Publication number: DE2734772A1
Application number: DE19772734772
Authority: DE
Inventors: Andre Ezis; John J Schuldies
Original assignee: Ford Werke GmbH
Current assignee: Ford Werke GmbH
Priority date: 1976-08-02
Filing date: 1977-08-02
Publication date: 1978-02-16
Also published as: CA1084241A; DE2734772B2; US4125592A; DE2734772C3; GB1583264A; JPS5317606A; ES461297A1

Description

DR. A. KOHLIFR M. 5CHROEDEJP7347 72 PATENTANWÄLTE TELEFON: 37 AT A2 ζ\. β MÖNCHEN AO TELEGRAMME· CARBOPAT MÖNCHEN FRANZ-JOSEPH-STRASSE -

US-861 - Dr.K/Ja

FORD-WERKE AG, KÖLN

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnltridgegenstandes

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitridgegenstandes.

Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zur Bildung eines Siliciumnitridgegenstandes angegeben. Ein Gegenstand mit mindestens einem Anteil an Siliclumteilchen darin wird in einer Art und Welse gebildet, die ein gewisses Ausmaß der Porosität des Gegenstandes liefert. Die Siliciumteilchen des Gegenstandes sind mit Stickstoff zur Bildung von Siliciumnitrid reaktionsfähig. Dann wird der Gegenstand auf eine Temperatur unterhalb einer Reaktionstemperatur erhitzt, bei

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der das Stickstoffgas mit den Siliclumteilchen reagiert. Der Gegenstand ist von einer Atmosphäre umgeben, die mindestens etwas Stickstoffgas enthält. Die Reaktionszone ist auf mindestens einen Teil des Oberflächenbereiches des Gegenstandes eingestellt. Die Reaktionszone hat eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur, wodurch die Siliciumteilchen in der Reaktionszone mit dem Stickstoffgas unter Bildung von Siliciumnitrid umgesetzt werden. Die Reaktionszone bewegt sich von der Oberfläche des Gegenstandes in das Innere des Gegenstandes, wodurch der Gegenstand fortschreitend nach einwärts in der Masse von seiner Oberfläche her nitridiert wird.

Im allgemeinen gibt es zwei Herstellungsverfahren zur Herstellung von Siliciumnitridgegenständen. Diese beiden Verfahren bestehen in der Heißverpressung und der Reaktionssinterung. Die Heißverpressung von Siliciumnitridpulver ergibt einfache Formen aus Siliciumnitrid mit einer Dichte von 95 bis 100 % der theoretischen. Die Reaktionssinterung ist ein vielseitiger anwendbares Herstellungsverfahren. Komplexe Formen können aus Siliciumteilchen durch solche Verfahren, wie Schlickergußformung und Spritzgußformung hergestellt werden. Beispielsweise werden bei dem Schlickergußverfahren die Siliclumteilchen anfänglich zu einem Gegenstand der gewünschten Form gegossen. Dieser Gegenstand wird dann in Siliciumnitrid in einem Reaktionssinterungsarbeitsgang überführt, bei der der Gegenstand auf eine hohe Temperatur In Gegenwart von Stickstoff erhitzt wird.

Die üblichen Nltridierverfahren erfordern die Einführung des Gegenstandes der in einem Formungsarbeltsgang hergestellten Gegenstände aus Siliciumteilchen in eine Stickstoffgas enthaltende Atmosphäre. Der Gegenstand wird auf eine Temperatur erhitzt, bei der das Silicium und der Stickstoff unter Bildung von Siliciumnitrid reagieren können. Dieses Nitridier-

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verfahren erfordert eine Porosität des Gegenstandes aus den Siliciumteilchen, sodaß die gesamten Slliciumtellchen für die Stickstoffgasatmosphäre zugänglich sind. Wenn jedoch die NitridlerreaMlon fortschreitet, muß die Porosität des Gegenstandes aufrecht erhalten werden, um eine vollständige Nitrldlerung sämtlicher Siliciumteilchen sicherzustellen.

Falls Teile des SillciumkOrpers für Stickstoffgas nicht zugänglich sind, besteht das erhaltene Produkt aus einer Matrix von Siliciumnitrid mit Inseln aus unumgesetztem Silicium. Dieser Zustand tritt üblicherweise auf, falls die üblichen Nitridierverfahren auf Gegenstände angewandt werden, wenn Gegenstände mit abschließender Dichte höher als 2,75 g/cm' hergestellt werden sollen. Das Vorliegen von freiem Silicium in einem Gegenstand 1st schädlich für das schließlich erhaltene Siliciumnitrldprodukt. Das Vorhandensein von Silicium ist nachteilig deswegen, well die thermischen Schockbeständigkeiten, Oxidationsbeständigkeit und Hochfestigkeitseigenschaften insgesamt gegenüber denjenigen verringert werden, die erhältlich sind, falls das gesamte Silicium in geeigneter Weise nitridiert wäre.

Demzufolge besteht eine Hauptaufgabe der Erfindung in einem Verfahren zur Nitridierung von Silicium, das zur Nitridierung praktisch des gesamten In einem Gegenstand vorliegenden Slliciums wirksam ist.

Die Erfindung befaßt sich somit mit einem Verfahren zur Bildung eines Siliciumnitridgegenstandes, Insbesondere einem Verfahren zur Bildung eines Siliciumnitrldgegenstandes, worin der Nitrldlerarbeitsgang mit den in dem Gegenstand enthaltenen Siliciumteilchen ausgeführt wird, bis praktisch die gesamten derartigen Teilchen in Siliciumnitrid umgesetzt sind.

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Gemäß der allgemeinen Lehre der Erfindung wird ein Gegenstand mit mindestens einem Anteil an darin befindlichen Siliclumteilchen gebildet, die mit Stickstoff unter Bildung von Siliciumnitrid.realttonsfähig sind. Der Gegenstand wird nach einem Verfahren hergestellt, welches die Bildung des Gegenstandes mit einer niedrigeren als der vollständigen Dichte erlaubt, wodurch der Gegenstand zumindest ein Ausmaß der Porosität darin besitzt, welches die Durchdringung desselben durch Stickstoff gas erlaubt. Der Gegenstand wird auf eine Temperatur unterhalb der Reaktionstemperatur, bei der Stickstoffgas mit Siliciumteilchen reagiert, erhitzt. Dann wird der Gegenstand mit einer Atmosphäre umgeben, die mindestens etwas Stickstoff gas enthält. Die Reaktionszone wird in mindestens einem Teil des Oberflächenbereiches des Gegenstandes eingestellt. Die Reaktionszone hat eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur von Siliclumteilchen und Stickstoffgas, wodurch die Siliciumteilchen in der Reaktionszone mit dem Stickstoffgas unter Bildung von Siliciumnitrid reagieren können. Die Reaktionszone bewegt sich von der Oberfläche des Gegenstandes in der Innere des Gegenstandes in fortschreitender Weise, wodurch der Gegenstand fortschreitend nach einwärts in der Masse von der Oberfläche desselben her nitridiert wird. Dieses Verfahren erlaubt es, daß Stickstoffgas durch den noch porösen tatsächlichen Teil des Gegenstandes strömt, während der Vorderteil desselben bereits nitridiert ist.

Gemäß den spezifischen Lehren einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Reaktionszone von der Oberfläche des Gegenstandes in das Innere des Gegenstandes durch allmähliche Erhöhung der Temperatur des Teiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes bewegt, in den die Reaktionszone eingestellt war. Nach einer weiteren AusfUhrungsform des erflndungsgemäßen Verfahrene bewegt sich die Reaktionszone von der Oberfläche des Gegenstandes In das Innere

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des Gegenstandes, indem die Temperatur des Teiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes, vorauf die Reaktionszone eingestellt war, stufenweise in bestimmten Anteilen nach bestimmten Zeltdauern erhöht wird.

In den Zeichnungen stellt Fig. 1 eine schematische Darstellung einer zur Ausführung

des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Apparatur,

Fig. 2 eine schematlsche Wiedergabe der Einleitung des erfindungsgemäßen Verfahren und

Flg. 3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Fortschreitens des erfindungsgemäßen Verfahrene zr Erzielung eines vollständig nitridierten Gegenstandes

Im Rahmen d er ausführlichen Beschreibung bevorzugter Ausführungeformen 1st In Fig. 1 eine geschlossene Kammer zu sehen, die allgemein mit der Bezugsziffer 10 bezeichnet 1st. Diese Kammer 1st mit einem allgemein mit Bezugsziffer 12 bezeichneten Vakuumsystem verbunden· Das Vakuumsystem enthält eine Vakuumpumpe 14, eine Vakuumleitung 16 und ein Ventil 18. Die Kammer hat auch hiermit verbunden ein Stickst offgaszufuhreystem, das allgemein mit der Bezugsziffer 20 bezeichnet ist. Dieses System enthält eine Stickstoffgasquelle 22, eineStickstoffzufuhrgasleitung 24 und ein Ventil 26.

Innerhalb der geschlossenen Kammer 10 sind induktiv erhitzbare Suszeptoren 28 untergebracht· Eine induktive Heizeinheit, die allgemein mit der Bezugsziffer 30 bezeichnet ist, ist außerhalb der geschlossenen Kammer untergebracht. Wie auf dem Fachgebiet bekannt, bringt die Entwicklung eines alternierenden Hagnetfeldes durch Induktive Heizungseinheiten einen Anstieg der Temperatur des Suszeptors Innerhalb

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der Kammer hervor. Eine allgemein mit der Bezugsziffer 32 bezeichnete elektrische Hllfsheizungsquelle kann gleichfalls vorliegen, um beim Erhitzen der Kammer zu unterstützen. Die geschlossene Kammer 10 umfaßt hierin einen Sillciumteilchenkompaktkörper 34. Dieser Kompaktkörper hat mindestens eine Fläche 35 oder einen Teil derselben in Flächenbeziehung zu einer Fläche 37 des Suszeptors. Die Fläche 37 des Suszeptors strahlt Wärme auf die Fläche 35 des SiliciumkompaktktSrpers aus.

Der Siliciumkompaktkörper 34 kann nach Jeden Verfahren hergestellt werden, das einen Gegenstand ergibt, der eine wesentliche Menge an Siliciumteilchen sowie einen Gegenstand mit einer niedrigeren als der vollständigen Dichte umfaßt. Falls der Gegenstand eine niedrigere Dichte als die vollständige Dichte hat, hat der Gegenstand ein Ausmaß der Porosität, welches die Strömung von Stickstoffgas durch den Gegenstand erlaubt, sodaß es mit den Siliciumteilchen reagieren kann. Geeignete Verfahren zur Herstellung von SiliciumkompaktkOrpern umfassen die auf dem Fachgebiet bekannten, beispielsweise Schlickerguß von Siliciumteilchen oder Spritzgußverformung derartiger Teilchen mit einem Binder, der anschließend vor dem Nitridierarbeltsgang entfernt wird. Der Kompaktkörper muß ausreichend porös sein, sodaß das Stickstoff gas eine Möglichkeit besitzt, in die Umgebung sämtlicher darin enthaltener Siliciumteilchen zu gelangen. Der Kompaktkörper kann in Argon vorgesintert werden, um die Handhabungefestigkeit desselben zu erhöhen.

Nachdem der Siliciumkompaktkörper 34 gebildet ist, wird er in die geschlossene Kammer 10 gebracht. Die Kammer wird durch öffnung des Ventiles 18 und Betätigung der Vakuumpumpe 14, die über die Vakuumleitung 16 arbeitet, zur Entfernung der gesamten Luft aus der geschlossenen Kammer eva-

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kuiert. WBhrend der Entfernung der Luft kann elm elektrisch· Hilfsheizquelle 32 zum Erhitzen der Kammer auf eine geringfügig niedrigere Temperatur als derjenigen, bei der die Siliciumteilchen mit Stickstoffgas reagieren, d.h. eine Temperatur geringfügig unterhalb 1040TC (1900⁰P),betätigt werden. Die elektrische Hilfsheizquelle kann auch verwendet werden, um den Kompaktkörper auf diese Temperatur zu bringen oder alternativ kann durch die induktive Heizeinheit 50, die durch den Susceptor 28 arbeitet, die Kammer auf die geeignete Temperatur erhitzt werden. Es wird bevorzugt, beide Heizsysteme anzuwenden, um die Kammer auf die geeignete Temperatur zu bringen. Wenn die Reaktionstemperatur von Silicium und Stickstoff erreicht ist, wird die Vakuumpumpe 14 abgeschaltet und das Ventil 18 gegenüber dem Vakuumsystem 12 geschlossen. Stickstoffgas 22 aus dem Stickstoffgaszuführsystem 20 wird dann mit dem Inneren der geschlossenen Kammer 10 duroh öffnung des Ventiles 26 zum Eintritt gebracht und das Stickstoffgas tritt in die Kammer duroh die Stickstoffördergasleitung ein. Ein positiver Druck des Stickstoffgases kann in der Kammer eingestellt werden und dann wird das Ventil 26 geschlossen.

Der Siliciumkompaktkörper ist jetzt von Stickstoffgas umgeben und aufgrund der Porösität des Kompaktkörpers kann das Stickstoffgas in den Kompaktkörper zur Umsetzung mit den Siliciumteilchen eindringen. Die induktive Erhitzungsdnheit 30 wird betätigt, um die Temperatur des Susceptore zu erhöhen, sodafi duroh Strahlung v>n deren Fläche 37 die Fläche 35 des Kompaktkörpers auf eine Temperatur geringfügig oberhalb der Temperatur, bei der das Silicium mit dem Stickstoffgas unter Bildung von Siliciumnitrid reagiert, erhitzt wird. Dieser Zustand ist in Figur 2 gezeigt, worin

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T_r die Reaktionstemperatur angibt. Es ist darauf hinzuweisen, daß ein geringes Band oder eine schmale Zone 36 aus Siliciumnitrid an und geringfügig unterhalb der Oberfläche gebildet wird, wenn diese Zone auf eine Temperatur oberhalb der geeigneten Reaktionstemperatur erhitzt wird. Der Druck des Stickstoffgases in der Kammer kann gemessen werden. Palis der Druck abfällt, weiß man, daß die Reaktion fortschreitet. Innerhalb eines begrenzten Zeitanteiles stabilisiert sich der Druck des Stickstoffes erneut, was bedeutet, daß die Reaktion aufgehört hat. Zu diesem Zeitpunkt wird die Leistung der induktiven Erhitzungseinheit erhöht, sodaß die Temperatur des Susceptors 28 erhöht wird, wodurch wiederum die Oberflächentemperatür des Silicium» kompaktkörpers erhöht wird, sodaß eine Zunahme der Temperatur an und unterhalb der Oberfläche des Kontaktkörpers verursacht wird, sodaß eine weitere Zone des Materials auf eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur kommt, wodurch eine 2. Reaktionszone ausgebildet wird. Dieses Verfahren wird in stufenweiser Art wiederholt und die Reaktionszone in dem Siliciumkompaktkörper bewegt sich allmählich durch den Kompaktkörper von der Oberfläche in dessen Masse. Der Portschritt der Reaktion ist in Figur 3 gezeigt, worin eine Reaktionszone dargestellt ist, die sich über einen wesentlichen Teil des Kompaktkörpers bewegt hat. Ee ist darauf hinzuweisen, daß mehr als die Hälfte des Kompaktkörpers dort eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur besitzt. Das unumgesetzte Kompaktmaterial ist immer noch ausreichend porös, um die Strömung des Stickstoffgases in den Kompaktkörper zu der Zone zu erlauben, wo die Reaktion ausgeführt werden soll.

Anstelle der Ausführung des Nitridierarbeitsganges in differenzieller oder stufenweiser Art kann die Leistung der induktiven Erhitzungseinheit 10 kontinuierlich erhöht

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werden, sodaß kontinuierlich die Temperatur des Susceptors erhöht wird und kontinuierlich die Temperatur der Fläche 35 des Siliciumkompaktkörpers 34 erhöht wird. Die kontinuierliche Erhöhung der Temperatur in der Oberfläche des Kompaktkörpers wird auf das Innere des Kompaktkörpers übermittelt, wodurch eine Reaktionslinie sich über den Kompaktkörper einstellt. Die Reaktionslinie kann als Linienbewegung der Reaktionszone in den Kompaktkörper betrachtet werden, wenn die Temperatur des Kompaktkörpers fortschreitend auf eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur ansteigt.

Sowohl beim stufenweisen als auch beim kontinuierlichen Verfahren wird das Erhitzen der Fläche 35 des Siliciumkompaktkörpers 34 bis zu dem Zeitpunkt fortgesetzt, wo sich die Reaktionstemperatur von der Vorderfläche bis zur rückseitigen Fläche des Körpers bewegt hat, sodaß eine vollständige Nitridierung des Kompaktkörpers erhalten wird. Im vorstehenden wurde das allgemeine Verfahren gemäß der Erfindung beschrieben. Es gibt zahlreiche Alternativwege, mit der man die gleiche Behandlung ausführen kann, wie nachfolgend abgehandelt. Wie vorstehend angegeben _t kann die gesamte geschlossene Kammer 10 auf eine geringfügig unterhalb der Silicium-Stickstoff-Reaktionstemperatur liegende Anfangstemperatür durch beide Kraftqellen gebracht werden. Nachdem die Kammer diese Temperatur erreicht bat, übernimmt die induktive Erhitzungseinheit 10 die Einleitung des Temperaturgradienten im Siliciumkompaktkörper 34· Andererseits kann man den Kompaktkörper induktiv von Raumtemperatur auf die Reaktionstemperatur erhitzen, wobei der Temperaturgradient im Kompaktkörper während des gesamten Zeitraumes induziert wird.

Der Siliciumkompaktkörper 34 kann auch mittels eines üblichen Nitridierarbeitsganges vornitridiert werden, und dann kann die Fertignitridierung desselben mittels des

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erfindungsgemäßen Verfahrens ausgeführt werden. Das einzige Erfordernis ist, daß der vornitridierte Kompaktkörper ausreichend porös ist, sodaß Stickstoffes in denselben eindringen und mit dem verfügbaren Silicium reagiert.

Der Temperaturgradient für den SiIiciumkompaktkörper kann auch durch andere Maßnahmen als durch induktive Erhitzung erreicht werden.Beispielsweise kann die auf höhere Temperaturen zu erhitzende Fläche des Kompaktkörpers in einem Arbeitsgang als Schichterhitzung erhitzt werden. Ferner kann auch mehr als eine Fläche des Kompaktkörpers in dieser Weise erhitzt werden, sofern mindestens eine Fläche oder mindestens ein Oberflächenbereich des Kompaktkörpers offen ist, durch den Stickstoffgas in den Kompaktkörper zur Reaktionszone eindringen kann.

Es wird hier ein Verfahren zur Nitridierung eines Siliciumkompaktkörpers angegeben, welches einen Fertiggegenstand mit praktisch der theoretischen Dichte des Siliciumnitrids liefert. Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsformen beschrieben, ohne daß sie hierauf beschränkt ist.

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Claims

Patentansprüche

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitridgegenstandes, dadurch gekennzeichnet, daß

ein Gegenstand mit mindestens einiges Siliciumteilchen darin, die mit Stickstoff unter Bildung von Siliciumnitrid reaktionsfähig sind, hergestellt wird, wobei der Gegenstand weniger als die vollständige Dichte hat und der Gegenstand mindestens ein gewisses Ausmaß der Porösität besitzt,

der Gegenstand auf eine Temperatur unterhalb der Reaktionstenperatur, bei der das Stickstoffgas mit den Siliciumteilchen reagiert, erhitzt wird,

der Gegenstand mit einer mindestens einen Anteil an Stickstoff gas enthaltenden Atmosphäre umgeben wird, eine Reaktionszone an mindestens einem Teil des Oberflächenbereiches des Gegenstandes ausgebildet wird, wobei die Reaktionszone eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur hat, sodaß die SiliciumteCLchen in der Reaktionszone mit dem Stickstoffgas unter Bildung von Siliciumnitrid reagieren, und

die Reaktionszone von der Oberfläche des Gegenstandes zum Inneren des Gegenstandes bewegt wird, sodaß der Gegenstand fortschreitend nach einwärts in seine Masse von der Oberfläche desselben her nitridiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionszone von der Oberfläche des Gegenstandes zu dem Innern des Gegenstandes durch allmähliche Erhöhung der Temperatur des Teiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes, worauf die Reaktionszone ausgebildet war, bewegt wird.

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3. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionszbne von der Oberfläche des Gegenstandes in das Innere des Gegenstandes durch Erhöhung der Temperatur des Teiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes, worauf die Reaktionszone ausgebildet war, in stufenweiser Art in bestimmten Anteilen nach bestimmten Zeitdauern bewegt wird.
4. Verfahren zur Bildung eines Siliciumnitridgegenstandes, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

ein Gegenstand mit darin befindlichen Siliciumteilchen, die mit Stickstoff unter Bildung von Siliciumnitrid reaktionsfähig sind, gebildet wird, wobei der Gegenstand eine niedrigere als die vollständige Dichte hat und mindestens ein bestimmtes Ausmaß and Porösität besitzt, der Gegenstand in eine Stickstoffgas enthaltende Umgebung gebracht wird,

der Gegenstand auf eine Temperatur kurz unterhalb der Reaktionstemperatur, bei der Silicium mit dem Stickstoffgas unter Bildung von Siliciumnitrid reagiert, gebracht wird,

selektiv mindestens ein Teil des Oberflächenbereiches des Gegenstandes auf eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur erhitzt wird, wobei die selektive Erhitzung in der Weise ausgeführt wird, daß die Masse des Gegenstandes zumindest anfänglich bei einer Temperatur unterhalb der Reaktionstemperatur verbleibt·, wodurch die Silicium-Stickstoff-Reaktion lediglich in dem selektiv erhitzten Bereich stattfindet,

die Temperatur des selektiv erhitzten Teiles der Oberfläche des Gegenstandes so erhöht wird, daß die Temperatur der anstoßenden Teile des Gegenstandes sich in die Masse des Gegenstandes von dem Oberflächenbereich bewegt und dies· auf eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatür erhitzt

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werden, sodaß die umsetzung *n Silicium und Stickstoff in die Masse des Gegenstandes fortschreitet und die Erhöhung der Temperatur des selektiv erhitzten Teiles des Gegenstandes in der Weise fortgeführt wird, daß die Reaktionszone von Silicium und Stickstoff nach einwärts von der Oberfläche des Gegenstandes in die Masse des Gegenstandes fortschreitet, da die Temperatur entlang einer Reaktionslinie von der Oberfläche des Gegenstandes in die Masse desselben fortschreitend und allmählich auf eine Temperatur oberhalb der Reaktionstemperatur erhöht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, daduroh gekennzeichnet, daß die Temperatur des selektiv erhitzten T_eiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes allmählich in einheitlicher Weise erhöht wird, sodaß die Reaktionszone allmählich von der Oberfläche des Gegenstandes in dessen Masse bewegt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4» daduroh gekennzeichnet, daß die Temperatur des selektiv erhitzten Teiles des Oberflächenbereiches des Gegenstandes in stufenweiser Art in bestimmten Anteilen nach bestimmten Zeiträumen erhöht wird, sodaß die Reaktionszone in differen· zieller Weise von der Oberfläche des Gegenstandes in die Masse desselben bewegt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, daß der selektiv erhitzte Teil des Oberflächenbereiches mindestens 2 getrennte Zonen auf dem Gegenstand umfaßt.
8. Verfahren nach Anspruch 4t daduroh gekennzeichnet , daß ein in Argon zur Erhöhung der Handhabungsfestigkeit desselben vorgesinterter Form-

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körper für die Erhitzung verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 4» dadurch g e - k e η η ζ e i c h η e t, daß der Formgegenstand anfäng lich einem Nitridierarbeitsgang unterworfen wird, bevor er dem selektiven Erhitzen eines Teiles des Oberflächenbereiches desselben zugeführt wird.

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