DE2730212A1 - Anordnung zur aufnahme von in stapelform zu diffundierenden halbleiterkristallscheiben - Google Patents

Anordnung zur aufnahme von in stapelform zu diffundierenden halbleiterkristallscheiben

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DE2730212A1
DE2730212A1 DE19772730212 DE2730212A DE2730212A1 DE 2730212 A1 DE2730212 A1 DE 2730212A1 DE 19772730212 DE19772730212 DE 19772730212 DE 2730212 A DE2730212 A DE 2730212A DE 2730212 A1 DE2730212 A1 DE 2730212A1
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silicon
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tube
silicon carbide
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Application number
DE19772730212
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Manfred Suess
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors

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Description

  • Anordnung zur Aufnahme von in Stapelform zu diffundierenden
  • Halbleiterkristallscheiben.
  • Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Anordnung zur Aufnahme von in Stapelform zu diffundierenden Halbleiterkristallscheiben.
  • Eine solche Anordnung ist aus der DT-OS 23 22 952 bekannt. Dabei werden die zu diffundierenden, insbesondere aus Silicium bestehenden Halbleiterkristallscheiben in einer die Form einer langgestreckten Wanne mit flachem Bodenteil und nach außen gewölbten Seitenwänden aufweisenden Horde aus Silicium oder Siliciumcarbid durch ein bewegliches Stützteil in einem Stapel gehalten und vor dem Umkippen gesichert. Wenn der Kristallscheibenstapel sehr groß ist, wird jedoch nicht mehr gewährleistet, daß während des Diffusionsprozesses ein langsames Gleiten und schließlich ein Kippen der Kristallscheiben vermieden wird. Dadurch verziehen sich die Kristalle und die Diffusion wird gestört.
  • Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art anzugeben, mit der es möglich ist, eine kippfreie Stapelung von Halbleiterkristallscheiben in einem Diffusionsgefäß zu erreichen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung gelöst, die erfindungsgemäß gekennzeichnet ist durch ein aus dem gleichen Halbleitermaterial wie die zu diffundierenden Kristallscheiben bestehendes Rohr und eine das Rohr abschließende, zum Rohrinneren eine plane Oberfläche aufweisende Stapelhalterung aus dem gleichen Halbleitermaterial, die mit dem Rohr fest verbunden ist. Dabei liegt es im Rahmen der Erfindung, daß die Stapelhalterung als Stopfen oder Stöpsel ausgebildet ist.
  • Genuß einem anderen Ausführungsbei spiel nach ir Lehre der Erfindung ist es aber auch möglich, daß anstelle des Stopfens eine Abdeckplatte angeordnet ist.
  • Die feste Verbindung der Stapelhalterung zum Rohr wird durch einen aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehenden Stift hergestellt.
  • Weitere Details sind der in der Zeichnung befindlichen Figur, welche einen Längsschnitt durch die erfindungsgemäße Anordnung zeigt, zu entnehmen.
  • Die Anordnung weist im wesentlichen ein Rohr 1 aus Silicium auf, welches beispielsweise durch Gasphasenabscheidung hergestellt wurde. Das Rohr 1 ist an seinem linken Ende mit einen genau eingepaßten massiven Stopfen 2 aus Silicium versehen, der auf seiner dem Rohrinnern zugewandten Seite eine plane Oberfläche aufweist. Der Stopfen 2 enthält eine Bohrung 3, die nach dem Einschieben des Stopfens 2 in das Rohr 1 mit einer in das Rohr 1 eingebrachten Durchbohrung 4 zusammentrifft. In die beiden Bohrungen 3 und 4 wird ein aus Silicium bestehender Stift 5 eingepaßt, der dafür sorgt, daß der Stopfen 2 im Rohr 1 nicht verschoben werden kann. Der in das Rohr 1 eingebrachte Stapel 6 von.Siliciumkristallscheiben 7 liegt nun plan an der Oberfläche des Stopfens 2 auf und kann während des Diffusionsvorgangs nicht mehr weggleiten oder kippen.
  • 5 Patentansprüche 1 Figur Leerseite

Claims (5)

Patentansprüche.
1. Anordnung zur Aufnahme von in Stapelform zu diffundierenden Halbleiterkristallscheiben, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h ein aus dem gleichen Halbleitermaterial wie die zu diffundierenden fristalischeiben bestehendes Rohr und eine das Rohr abschließende, zum Rohrinnern eine plane Oberfläche aufweisende Stapelhalterung aus dem gleichen Halbleitermaterial, die mit dem Rohr fest verbunden ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Stapelhalterung als Stopfen oder Stöpsel ausgebildet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Stapelhalterung die Form einer Abdeckplatte aufweist.
4. Anordnung nach Anspruch 1 - 3, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der Stapelhalter mit dem Rohr durch einen aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehenden Stift verbunden ist.
5. Anordnung nach Anspruch 1 - 4, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die gesamte Anordnung aus Silicium oder Siliciumcarbid besteht.
DE19772730212 1977-07-04 1977-07-04 Anordnung zur aufnahme von in stapelform zu diffundierenden halbleiterkristallscheiben Ceased DE2730212A1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0040646A1 (de) * 1980-05-28 1981-12-02 Siemens Aktiengesellschaft Dichter, gekühlter Verschluss für Prozessrohre, insbesondere in der Halbleiterfertigung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1511998A (fr) * 1966-02-25 1968-02-02 Siemens Ag Dispositif pour faire pénétrer par diffusion des substances étrangères dans des corps semiconducteurs
DE2524378A1 (de) * 1975-06-02 1976-12-16 Siemens Ag Vorrichtung zur aufnahme von zu dotierendem halbleitermaterial, wobei die dotierung im reaktor durchgefuehrt wird

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