DE2727683A1

DE2727683A1 - Verfahren zur beschichtung der einzelnen fasern eines faserbuendels sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens

Info

Publication number: DE2727683A1
Application number: DE19772727683
Authority: DE
Inventors: Heinrich Dipl Phys Dr Diepers
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1977-06-20
Filing date: 1977-06-20
Publication date: 1978-12-21
Also published as: DE2727683B2; DE2727683C3

Description

Verfahren zur Beschichtung der einzelnen Fasern eines Faser-
bündels sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Beschichtung der einzelnen Fasern eines Faserbündels aus der Dampfphase mit einer dünnen Schicht aus einem Substanzmaterial. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Bei einen aus der deutschen Offenlegungsschrift 1 696 487 bekannten Verfahren zur Beschichtung von Kohlenstoffäden werden diese zunächst einem wäßrigen Oxidationsmittel ausgesetzt und anschließend in eine Reaktionslösung eingebracht, die das abzuscheidende Substanzmaterial, ein Metall, enthält. In einer Reduktionsreaktion wird dann das Metall auf den vorbehandelten Oberflächen der Kohlenstoffäden abgeschieden. Derartige, insbesondere mit einem Metallilberzug versehene Fasern werden zum Aufbau von Faserkontaktbilrsten benötigt, die zur Stromübertragung zwischen einem feststehenden und einem rotierenden Maschinenteil einer elektrischen Maschine, beispielsweise einer Unipolarmaschine, vernsndet werden. Bei dem bekannten Verfahren besteht Jedoch die Gefahr, daß einzelne Fasern während des Beschichtungsvorganges aneinanderhaften und somit nur eine ungleichmäßige Beschichtung erreicht wird.
Diese, insbesondere bei sehr dünnen Einzelfasern bestehende Gefahr kann auch bei einem aus der britischen Patentschrift 1 309 252 bekannten Verfahren nicht völlig ausgeschlossen werden, obwohl bei die sei Verfahren das Faserbündel vor dem eigentlichen Beschichtungsvorgang durch eine sich in Bewegungsrichtung des Bündels erweiternde Kammer geführt und dabei mehreren in Reihe angeordneten Flüssigkeitsstrahlen ausgesetzt wird. Da die Anzahl dieser Flüssigkeitsstrahlen, die senkrecht zur Führungsrichtung des flUndeis gerichtet sind, in Bewegungsrichtung des Bündels stetig zunint, werden die Fasern in entsprechender Weise auseinandergespreizt. Dieses Verfahren ist Jedoch verhältnismäßig aufwendig und setzt voraus, daß die Fasern ii Faserbündel nicht verdrillt sind.
Mit diesen Verfahren zur stromlosen oder galvanischen Äbscheidung kann außerdem nur eine sehr beschränkte Anzahl von Metallen als Substanzmaterialien auf den Fasern aufgebracht werden. Darüber hinaus bestehen bei diesen Verfahren Schwierigkeiten, eine befriedigende Haftung und eine große Leitfähigkeit zu erreichen.
Ferner können die Substanzmaterialien auch durch Kathodenzerstäubung abgeschiden werden ("Vakuumtechnik", 1975, Seiten 1 bis 1i). Bei diesem Verfahren wird zwischen zwei elektroden in einen Plasma ein Gasentladungsprozeß hervorgerufen. In den hierfür erforderlichen elektrischen Feld werden die Gasionen in Richtung auf eine Kathode beschleunigt. Wenn sie auf der Kathodenoberfläche mit einer Energie von einigen keV auftreffen, lösen sie einerseits Sekundär-Elektronen aus, die fUr die Auirechterhaltung des Gasentladungsprozesses erforderlich sind, andererseits schlagen sie durch Stoßprozesse Kathodenmaterial heraus. Diese meist elektrisch neutralen Partikel aus den Kathodenmaterial diffundieren durch das Gas und treffen mit mittleren Energien von einigen eV auf den zu beschichtenden Körper, der die Anode darstellt. Diese Partikel können dort Jedoch in allgemeinen nur zu einer verhältnismäßig dünnen Schicht niedergeschlagen werden, da die erreichbare Kondensationsrate im Vergleich beispielsweise zum reinen Aufdampfen verhältnismäßig niedrig ist.
An die Kohlenstoff-Einzelfasern für Faserbürsten in rotierenden Maschinen sind besonders hohe Anforderungen zu stellen. Diese Anforderungen bestehen insbesondere darin, daß gut elektrisch leitend. Materialien wie beispielsweise Kupfer oder Silber mit nahezu der Leitfähigkeit des Massivmaterials in der dünnen aurgebrachte Schicht verwendet werden sollen. Außerdem soll eine gute Haftung zwischen den verschiedenen Materialien erreicht werden. Dies ist aber bei nicht-karbidbildenden Metallen wie beispielsweise Kupfer, Silber oder Gold schwierig. DarUber hinaus sollen Korrosionserscheinungen der aufgebrachten Schichtmaterialien vermieden werden.
Gegebenenfalls muß also die Möglichkeit eines Korrosionsschutzes bestehen. Ferner soll die Reibung längs der einzelnen Fasern auch bei e.ner dichten Packung der Fasern innerhalb eines Faserbündels gering sein, da die einzelne Faser in einem solchen Bündel Jeweils als elastisch aufgehängter Kontaktpunkt zu betrachten ist, der dem Oberflächenprofil des rotierenden Maschinenteiles möglichst exakt folgen soll. Dies ist besonders schwierig, wenn dieser Maschinenteil mit einer reibungsarmen Substanz hoher elektrischer Leitfähigkeit wie beispielsweise Niobdiselenid NbSe2 beschichtet ist.
Ausgehend von dem bekannten Verfahren zur Abscheidung verdaptter Substanzmaterialien ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu schaffen, bei dem die genannten Anforderungen an die Einzelfasern eines Faserbündels, das insbesondere für Bürstenkontakte in rotierenden Maschinen vorgesehen wird, erfüllt sind.
Diese Aufgabe wird für ein Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelost, daß zumindest ein Teil des Substanzmaterials mittels Ionenplattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
Unter Ionenplattieren versteht man dabei einen Verdampfungsprozeß, bei dem die abzuscheidenden Atome oder Moleküle in einem Plasma zum Teil ionisiert werden und in einen elektrischen Feld mit höherer Energie auf einen zu beschichtenden Körper auftreffen ("Vakuustechnik", 1976, Seiten 65 bis 72 und Seiten 113 bis 120).
Das Verfahren gemäß der Erfindung hat insbesondere gegenüber der bekannten Aufdampf oder Kathodenzerstäubungstechnologie wesentliche Vorteile, nämlich eine verbesserte Haftung des abgeschiedenen Materials und verhältnismäßig hohe Aufwachsraten bis zu einigen Mikrometern pro Minute. Es kann zunächst bei einer kalten Verdampfungsquelle, d.h.
beispielsweise nur mit Hilfe eines Argon-Plasmas, das Fasergrundmaterial durch Ionenbombardement gereinigt, d.h. einer Ätzbehandlung unterzogen werden und ohne Unterbrechung noch während dieses Reirigungsprozesses zunehmend stärker in den Ionenplattierungsvorgang übergegangen werden, bis dessen Aufdampfrate die Ätzrate des Reinigungsprozesses in gewünschter Weise überwiegt. Man erhält so einstellbare Konzentrationsgradienten in der Grenzschicht zwischen dem Fasermaterial und dem Substanzmaterial und kann auf diese Weise sonst nicht oder nur sehr schwer verbindbare Materialien zur Haftung auf dem Fasergrundmaterial bringen. Ferner ist immer eine sich auf die Reinheit des Fasermaterials bzw. des auf ihm aufgebrachten Substanzmaterials günstig auswirkende ätzrate gegeben, die weitgehend unabhängig von der Höhe der Aufdampi-oder Plattierungsrate einstellbar ist.
Nur mittels Ionenplattierens ist es ferner möglich, daß zur Herstellung gut haftender Schichten auf den einzelnen Fasern eines Faserbündels zunächst eine Grenzschlcht aus dem Substanziaterial auf dem Grundmaterial der Fasern hergestellt wird, dann die Bildung des hierzu erforderlichen Gasentladungsplasmas bei fortlaufender Aufdaipfung des Substanzmaterials auf die Fasern aufgehoben und anschließend im Hochvakuum die restliche Schicht aus dem Substanzmaterial allein durch Aufdampfen aufgebracht wird. Dieser Verfahronsablauf führt zu besonders reinen Schichten und ist vor allem dort vorteilhaft einzusetzen, wo das Plasma unerwUnscht ist und deshalb-nur kerze Brenndauern zugelassen werden können, wie beispielsweise bei temperaturempfindlichen Fasermaterialien. Darüber hinaus ergibt sich mit dos Ionen plattieren eine gleichmäßige Umschichtung der einzelnen Fasern, da zur Streuung der Dampfteilchen aus dem Substanzmaterial am Arbeitagas bein Ionenplattieren noch die Anzb hung entlang der Feldlinien der auf negativem Potential liegenden Fasern hinzukommt.
Sollen auf den Fasern des Faserbündels Schichten aus isolierenden Materialien ionenplattiert werden, so kann vorteilhaft an das Faserbündel eine negative hochfrequente Spannung angelegt werden.
Zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung ist eine Vorrichtung besonders geeignet, die mindestens eine Beschichtungskammer sowie Mittel zum Hindurchführen des Faserbundels durch deren Innenraum und Mittel zum Verdampfen des Substanzmaterials enthält und in der ein Casentladungsplasma zwischen dem Faserbündel und der Substanz ausgebildet ist.
Diese Vorrichtung kann vorteilhaft zwei hintereinander angeordnete Beschichtungakammern enthalten, mit denen man das durch sie hindurchgeführte Faserbündel auch kontinuierlich nachbeechichten kann. Mit dem Nachbeschichtungsvorgang läßt sich beispiolsweise eine Korrosionsschutzschicht auf die bereits beschichteten Fasern des Faserbündels aufbringen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung und deren in den Unteransprüchen gekennzeichneten Weiterbildungen wird auf die Zeichnung Bezug genoen, in deren Figur schematisch eine Vorrichtung zum Ionenplattieren von ¢raphitfaserbUndeln veranschaulicht ist.
Mit der in der Figur dargestellten Vorrichtung können beispielsweise 8 um starke Graphitfasern, von denen mehrere tausend zu einem BUndel zusammengefaßt sind, mit elektrisch gut leitenden und gut haftenden Schichten, z.B. aus Kupfer, Nickel, Kobalt, Silber oder Gold, mittels Ionenplattierens beschichtet werden. Die Dicke dieser Schichten ist sehr gering und beträgt beispielsweise etwa 1 lum. Die Vorrichtung enthält zwei nebeneinanderliegende Beschichtungskammern 2 und 3 zum Hauptbeschichten und Nachbeschichten eines Faserbündels 5. Jede Beschichtungskammer ist an ihre Bodenteil 7 bzw. 8 mit einem Tiegel 10 bzw. 11 versehen, in dem ein auf den Fasern des Faserbündels 5 abzuscheidendes Substanzmaterial 13 bzw. 14 angeordnet ist. Ferner ist in den beiden Bodenteilen Je eine Öffnung 16 bzw. 17 vorgesehen.
Über diese Öffnungen sind die Innenräume der beiden Beschichtungskammern 2 und 3 mit einem Vakuumraum 19 verbunden und werden von dort aus abgepumpt. Dieser Vakuumraum kann Uber einen Pumpstutzen 20 auf einen Restgasdruck von beispielsweise unter 0,1 Pa evakuiert werden. In die Innenr1'ne der Beschichtungskammern 2 und 3 kann Jeweils an einem Gaseinlaß 22 bzw. 23 ein Inertgas eingelassen werden, das auch als Plasmagas oder Arbeitsgas bezeichnet wird und beispielsweise Argon ist. Über die entsprechenden Einlaßventile 24 und 25 wird dabei der Gasstrom des eingelassenen Plasmagases durch die Beschichtungskammern so einreguliert, daß sich in ihnen ein vorbestimmter Arbeitsdruck von beispielsweise 0,1 bis 1 Pa einstellt. Dieser Arbeitsdruck kann dynamisch konstantgehalten werden, d.h. an den Einlaßventilen 24 und 25 wird soviel Gas zugeführt, daß sich der gewünschte Arbeitsdruck bei gleichzeitigem Abpumpen der Innenräume der beiden Beschichtungskammern an den Öffnungen 16 bzw. 17 einstellt.
Zur Verdampfung der Substanziaterialien 13 und 14 sind zwei sogenannte Elektronenstrahl-Verdampfer vorgesehen. Hierzu sind in der Vakuumkammer 19 zwei Elektronenstrahlquellen 27 und 28 angeordnet. Der von der Elektronenstrahlquelle 27 erzeugte Elektronenstrahl 30 kann um 2700 abgelenkt werden und wird so geführt, daß er durch die Öffnung 16 in dem Bodenteil 7 tritt und auf das Substanzmaterial 13 im Tiegel 10 trifft. Dabei wird das Substanzmaterial 13 verdampft und der Dampf strom teilweise ionisiert. In ontsprechender Weise tritt der von der Elektronenstrahlquelle 28 erzeugte Elektronenstrahl 32 durch die Öffnung 17 in dem Bodenteil 8 und verdampft das Substanzmaterial 14 unter gleichzeitiger teilweiser Ionisierung des Dampfes.
Das Kohlenstoff-Faserbündel 5 wird nun durch die beiden Beschichtungskammern 2 und 2 hindurchgezogen. Das Faser bündel, das dabei verdrillt werden kann, wird von einer Rolle 34 abgespult, die in einer der Beschichtungskamier 2 benachbarten, evakuierbaren Seitenkammer 36 angeordnet ist, und durch eine Rohrblende 38 aus Isolationsmaterial in der Trennwand zwischen den beiden Kammern 2 und 36 in die Beschichtungskasuer 2 hineingezogen. Zur Führung des Faserbündels 5 sind in dieser Beschichtungskammer zwei FUhrungsrollen 40 vorgesehen. Das Faserbündel 5 gelangt dann von der ersten Beschichtungska-er 2 in die zweite Beschichtungskammer 3 durch eine in ihrer gemeinsamen Trennwand 42 angeordnete Öffnung 43. Nachdem das FaserbUndel auch durch diese Beschichtungskammer, , in der zur Führung weitere Führungsrollen 44 vorgesehen sind, hindurchgezogen ist, wird es durch eine Rohrblende 46 aus Isolationsmaterial in eine der Beschichtungskammer 2 benachbarte, evakuierbare Seitenkammer 48 gezogen, wo es auf einer Rolle 49 aufgespult werden kann.
Um auf dem Faserbündel 5 in den beiden Beschichtungskammer 2 und 3 mittels Ionenplattieren nun die Substanzmaterialien 13 und 14 aufbringen zu können, muß das Faserbündel auf ein gegenüber den Wänden der Beschichtungakammern und somit auch gegenüber den die Substanzmaterialien aufnehmenden Tiegel 10 und 11 negatives Potential von einigen kV, beispielsweise 5 kV, gelegt werden. Die Kammern befinden sich zweckmäßig auf Erdpotential. Es kann somit zwischen dem Faserbündel 5 und in Bauteilen in seiner Umgebung, die sich auf Erdpotential befinden, also bevorzugt in dem in der Figur mit 52 bzw. 53 bezeichneten Dampfstrahl zwischen dem Faserbündel 5 einerseits und der Dampfquelle in dem Tiegel 10 bzw. 11 andererseits ein Gasentladungsplasma gezündet werden. Das Plasma ist mit 54 bzw. 55 bezeichnet. Das Plasma dient neben dem Elektronenstrahl 30 bzw. 32 vor allem als Ionisierungsquelle für das verdampfte Subsinz material 13 bzw. 14. Dieses ionisierte, dampfförmige Substanzmaterial wird neben den ionisierten Atomen des Arbeitsgases auf das Faserbündel hin beschleunigt und somit auf die Oberflächen der einzelnen Fasern geschossen. Dadurch erhält man in der Grenzschicht zwischen dem Fasermaterial und dem abgeschiedenen Substanzmaterial eine gute Haftung.
In gleicher Weise wirken neutrale Atome des Arbeitsgases oder Atome des Aufdampfmaterials, die durch Stöße mit Ionen beschleunigt wurden oder zuvor als Ionen beschleunigt und durch Ladungsaustauch neutral wurden.
Die negative Hochspannung kann beispielsweisc über die Ftihrungsrollen 40 oder 44 an das Faserbündel 5 angelegt werden.
Um eine Plasmazündung auch in den Seitenkammern 36 und 48 auszuschließen, muß das in diesen Kammern herrschende Vakuum kleiner als das in den Beschichtungskemmern 2 und 3 sein. Die Kammern müssen deshalb Uber ihren entsprechenden Pumpstutzen 57 bzw. 58 beispielsweise auf einen Druck kleiner als 0,1 Pa evakuiert werden.
Bevor das Kohlenstoff-Faserbündel 5 in den Bereich des ersten Plasmas innerhalb der ersten Beschichtungskammer 2 gelangt, wird es vorteilhaft durch eine rohrförmige Ätzvorrichtung 60 geflihrt. Diese Ätzvorrichtung hat eine negative Vorspannung gegenüber den auf Erdpotential liegenden Teilen der Beschichtungskammer. Diese Vorspannung ist Jedoch gegenüber der an das Faserbündel 5 angelegten Hochspannung geringer und beträgt beispielsweise einige -100 V. Somit ist das Faserbündel 5 auch gegenüber der Ätzvoi'richtung 60 negativ vorgespannt. In der Ätzvorrichtung kann. deshalb das Kohlenstoff-Faserbündel zunächst durch ein Kathodenstrahl-Ätzen, das auch als Sputterätzen bezeichet wird, gereinigt werden. Hierzu kann die erforderliche Energie von einem in der Figur nicht dargestellten Generator Uber eine ZufülLrungsleitung der Ätzvorrichtung 60 zugeführt werden. I)ie Ätzrate kann durch die Größe der negativen Vorspannung eingestellt werden. Aufgrund der negativen Vorspamlung des Faserbündels 5 gegenüber der Ätzvorrichtung 60 findet in dem in der Ätzvorrichtung gezündeten Plasma 61 nur eine Zerstäubung des Fasermaterlals an seinen Oberflächen statt, wodurch es gereinigt wird. Man erhält dadurch eine bessere Haftfähigkeit der Faseroberflächen für das abzuscheidende Substanzmaterial. Das Fasermaterial gelangt hinter dieser Atzvorrichtung in den ersten Plasmabereich 54 der HauptUeschichfulÆ, wo es beispielsweise mit Kupfer als Substanzmaterial beschichtet wird. Nach Durchlaufen dieses Plasmabereiches gelangt es in den zweiten Plasmabereich 55 in der zweiten Beschichtungskammer 3, wo eine Nachbeschichtung mit dem Substanzmaterial 14 vorgenommen werden kann. Diese Nachbeschichtung kann beispielsweise zum Korrosionsschutz dienen und mit Kobalt, Nickel oder Niobdiselenid NbSe2 als Substanzmaterial vorgenommen werden.
Statt des erläuterten Beschichtungsverfahrens, bei dem sich an einen Ätzvorgang zwei Ionenplattierungsschritte anschließen, besteht auch die Möglichkeit, einen dieser beiden P3attierungsschritte, insbesondere den zweiten, durch einen einfachen Aufdampfschritt ohne Plasmaunterstützung zu ersetzen. Soll beispielsweise nach dem Ätzvorgang unmittelbar anschließend zunächst ohne Plasmaunterstützung eine Trägerschicht aufgedampft werden, so müßte noch in der ersten Beschichtungskammer 2 eine Trennwand zwischen der Ätzvorrichtung und dem Aufdampfbereich vorgesehen werden.
Ferner hat sich gezeigt, daß zur Steigerung der Reinheit der auf den Fasern des Faserbündels aufgebrachten Schichten aus dem Substanzmaterial zur Evakuierung insbesondere der Beschichtungskammern 2 und 3 ttber die Vakuumkammer 19 vorteilhaft Turbomolekularpumpen anstelle gedrosselter Diffusionspumpen eingesetzt werden, da Turbomolekularpumpen auch bei Restgasdrucken über 1 Pa noch mit voller Saugleistung arbeiten und so einen nledrigen Restgasdruck aufrechterhalten können. Es kann deshalb vorteilhaft sein, eine in der Figur nicht dargestellte Turbomolekularpumpe direkt an die Beschichtungskammern 2 und/oder 2 anzuschließen.
Statt der in der Figur angedeuteten Elektronenstrahl-Verdampfer können für niedrig schmelzende Metalle als Substanzmaterialien auch einfache thermische Verdampfungsquellen vorgesehen werden. Das Verdampfen des Substanzmaterials mittels eines Elektronenstrahles kann so entfallen. Ebenso können dann die Tremwände 7 und 8 weggelassen werden.
Neben dem anhand der Figur erläuterten Erfahren zur Abscheidung von Substanzmaterialien mittels Ionenplattierens kann auch das sogenannte Plasma-Plattieren vorgesehen werden.
Bei dieser Verfahrensvariante des Ionenplattierens wird von einer besonderen Ausführungsforin eines sogenannten Magnetrons als Verdampferquelle ausgegangen. Während bei den im allgemeinen verwendeten Magnetrons Elektronen in einem zwischen einer Kathodo und einer Anode liegenden Magnetfeld abgelenkt werden, ist bei dieser besonderen Ausführungsforin ein Plasma vorgesehen.
Diese Ausführungsform wird deshalb auch als Plasmatron bezeichnet. Sie enthält einen Tiegel, der ebenso wie das Faserbündel selbst negativ vorgespannt ist. Ein den Tiegel umgebender, positiv vorgespannter Ring dient als Anode. Zwischen dieser Anode und dem Tiegel brennt dann ein Plasma, das zum Zerstäuben des in dem Tiegel angeordneten Substunzmateriales dient und somit der Verdampterquelle bei dem anhand der Figur erläuterten Ionenplattieren entspricht. Die so abgestäubten Atome des Substanzmaterials werdeii auf dem Wege zum Faserbündel teilweise ionisiert.
Durch entsprechende Aufteilung der Plasmaleistung zwischen dem Faserbündel einerseits und dem Tiegel andererseits können dle Raten und der Anteil der ionisierten Atome beeinflußt werden. Das für das Plasmatron vorgesehene, zeitliche konstante Magnetfeld, das aber örtlich stark verschieden ist, dient zur Erhöhung der Entladungsdichte und damit t zur Steigerung der' Abstäubungsrate an Substanzmaterial um bis zu einem Faktor 100.
16 PatentansprUche 1 Figur

Claims

PatentansprUche 1. Verfahren zur Beschichtung der einzelnen Fasern eines Faserbündels aus der Dampfphase mit einer dUnnen Schicht aus einem Substanzmaterial, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß zumindest ein Teil des Substanzmaterials mittels Ionenplattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
2. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Grenzschicht aus dem Substanzmaterial auf dem Grundmaterial der Fasern mittels Ionenplattierens hergestellt wird, dann die Bildung des hierzu erforderlichen Gasentladungaplasmas bei fortlaufender Aufdampfung des Substanzmaterials auf die Fasern aufgehoben und anschließend im Hochvakuum die restliche Schicht aus den Substanzmaterial allein durch Aufdampfen aufgebrçlcht wird.
3. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Fasern aus Graphit beschichte-t werden.
4. Beschichtungsverfahren nach einem der AnsprUche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Substanzmaterialien Kupfer oder Nickel oder Kobalt oder Silber oder Gold verwendet werden.
5. Beschichtungsverfahren nach einem der Anspruche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß an das FaserbUndel eine Hochfrequenz-Spannung angelegt wird.
6. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf der auf den einzelnen Fasern abgeschiedenen Schicht aus einen ersten Substanziaterial eine weitere Schicht aus einem zweiten Substanzmaterial aufgebracht wird.
7. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kobalt- oder Nickel- oder Niobdiselenid-Schicht als Korrosionsschutz auigebracht wird.
8. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Fasern des Faserbündels vor dem Beschichtungsvorgang einer Ätzbehandlung unterzogen werden
9. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet dal3 zur Ätzbehandlung die Fasern einem Beschuß von Ionen eines Inertgases ausgesetzt werden.
10. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substanzmaterial mittels Plasma-Plattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
11. Vorrichtung zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch mindestens eine Beschichtungskammer, durch Mittel zum Hindurchführen des Faserbündels durch deren Innenrainn sowie durch ein Plasmatron als Verdampterquelle.
12. Vorrichtung zur DurchfUhrung des Beschichtungsverfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch mindestens eine. Beschichtungskammer (2 oder ), durch Mittel zum Hindurchführen des Faserbündels (5) durch deren Innenraum und Mittel zum Verdampfen des Substanzmaterials (13 bzw. 14) sowie durch ein Gasentladungsplasma zwischen dem Faserbündel (5) und der Substanz.
13. Beschichtungsvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Elektronenstrahlverdampfer (27 oder 28) vorgesehen ist.
14. Beschichtungsvorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, gekennzeichnet durch zwei in Führungsrichtung des Faserbündels (5) gesehen hintereinander angeordnete Beschichtungskammern (2 und ) zum J3aupt- bzw. Nachbeschichten des FaserbUndeis (5).
15. Beschichtungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß zum Reinigen der noch unbeschichteten Fasern des Faserbündels (5) in der Beschichtungskammer (2) eine Ätzvorrichtung (60) vorgesehen ist.
16. Beschichtungsvorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzvorrichtung (60) eine Kathodenzerstäubungsanlage ist.