DE2727683C3 - Verfahren zur Beschichtung der einzelnen Fasern eines Faserbündels sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Beschichtung der einzelnen Fasern eines Faserbündels sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens

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DE2727683C3 DE19772727683 DE2727683A DE2727683C3 DE 2727683 C3 DE2727683 C3 DE 2727683C3 DE 19772727683 DE19772727683 DE 19772727683 DE 2727683 A DE2727683 A DE 2727683A DE 2727683 C3 DE2727683 C3 DE 2727683C3
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum kontinuierlichen, gleichzeitigen Beschichten einer Vielzahl von einzelnen zu einem Bündel zusammengefaßten Fasern aus der Dampfphase mit einer dünnen Schicht aus einem Substanzmaterial. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Solche Verfahren sind bereits bekannt (DE-OS 16 96 487); dort werden zur Beschichtung von Kohlenstoffäden diese zunächst einem wäßrigen Oxidationsmittel ausgesetzt und anschließend in eine Reaktionslösung eingebracht, die das abzuscheidende Substanzmaterial, ein Metall, enthält. In einer Reduktionsreaktion wird dann das Metall auf den vorbehandelten Oberflächen der Kohlenstoffäden abgeschieden. Derartige, insbesondere mit einem Metallüberzug versehene Fasern werden zum Aufbau von Faserkontaktbürsten benötigt, die zur Stromübertragung zwischen einem feststehenden und einem rotierenden Maschinenteil einer elektrischen Maschine, beispielsweise einer Unipolarmaschine, verwendet werden. Bei dem bekannten Verfahren besteht jedoch die Gefahr, daß einzelne Fasern während des Beschichtungsvorganges aneinanderhaften und somit nur eine ungleichmäßige Beschichtung erreicht wird.
Diese, insbesondere bei sehr dünnen Einzelfasern bestehende Gefahr kann auch bti einem aus der britischen Patentschrift 13 09 252 bekannten Verfahren nicht völlig ausgeschlossen werden, obwohl bei diesem Verfahren das Faserbündel vor dem eigentlichen Beschichtungsvorgang durch eine sich in Bewegungsrichtung des Bündels erweiternde Kammer geführt und dabei mehreren in Reihe angeordneten FlUssigkeitsstrahlen ausgesetzt wird. Da dort die Anzahl dieser Flüssigkeitsstrahler die senkrecht zur Führungsnch tung des Bündels gerichtet sind, in Bewegungsrichtung des Bündeh stetig zunimmt, werden die Fasern in entsprechender Weise auseinandergespreizt. Dieses bekannte Verfahren ist jedoch verhältnismäßig aufwen dig und setzt voraus, daß die Fasern im Faserbündel nicht verdrillt sind.
Mit den bekannten Verfahren zur stromlosen oder galvanischen Abscheidung kann außerdem nur eine sehr beschränkte Anzahl von Metallen als Substanzmatenalien auf den Fasern aufgebracht werden. Darüber hinaus bestehen dort Schwierigkeiten, eine befriedigend Haftung und eine große Leitfähigkeit zu erreichen.
Bekannt ist auch Bereits das Abseheiden von Substanzrfiatenaiien dutch Kathodenzerstäubung (»Vakuumtechnik«, 1975, Seiten I bjs 11), Bei diesem Verfahren wird zwischen zwei Elektroden in einem Plasma ein Gäsentiadungsprozeß hervorgerufen. In dem hierfür erforderlichen elektrischen Feld Werden die
Gasionen in Richtung auf einer Kathode beschleunigt. Wenn sie auf der Kathodenoberfläche mit einer Energie von einigen keV auftreffen, lösen sie einerseits Sekundär-Elektronen aus, die für die Aufrechterhaltung des Gasentladungsprozesses erforderlich sind, andererseits schlagen sie durch Stoßprozesse Kathodenmaterial heraus. Diese meist elektrisch neutralen Partikel aus dem Kathodenmaterial diffundieren durch das Gas und treffen mit mittleren Energien von einigen eV auf den zu beschichtenden Körper, der die Anode darstellt. Diese Partikel können dort jedoch im allgemeinen nur zu einer verhältnismäßig dünnen Schicht niedergeschlagen werden, da die erreichbare Kondensationsrate im Vergleich beispielsweise zum reinen Aufdampfen verhältnismäßig niedrig ist.
Auch das Ionenplattieren ist ein bereits bekanntes Verfahren, wobei es sich dort um einen Verdampfungsproßez handelt, bei dem die abzuscheidenden Atome oder Moleküle in einem Plasma zum Teil ionisiert werden und in einem elektrischen Feld mit höherer Energie auf einen zu beschichtenden Körper auftreffen (»Vakuumtechnik«, 1976, Seiten 65 bi^ 72 und Seiten 113 bis 120).
An die Kohlenstoff-Einzelfasern für Faserbürsten in rotierenden Maschinen sind besonders hohe Anforde- 2r> rungen zu stellen. Diese Anforderungen bestehen insbesondere darin, daß gut elektrisch leitende Materialien wie beispielsweise Kupfer oder Silber mit nahezu der Leitfähigkeit des Massivmaterials in der dünnen aufgebrachten Schicht verwendet werden sollen. Außer- «1 dem soll eine gute Haftung zwischen den verschiedenen Materialien erreicht werden. Dies ist aber bei nicht-karbidbildenden Metallen wie beispielsweise Kupfer, Silber oder Gold schwierig. Darüber hinaus sollen Korrosionserscheinungen der aufgebrachten Schichtmaterialien vermieden werden. Gegebenenfalls muß also die Möglichkeit eines Korrosionsschutzes bestehen. Ferner soll die Reibung längs der einzelnen Fasern auch bei einer dichten Packung der Fasern innerhalb eines Faserbündels gering sein, da die einzelne Faser in einem solchen Bündel jeweils als elastisch aufgehängter Kontaktpunkt zu betrachten ist, der dem Oberflachenprofil des rotierenden Maschinenteiles möglichst exakt folgen soll. Dies ist besonders schwierig, wenn dieser Maschinenteil mit einer reibungsarmen Substanz hoher elektrischer Leitfähigkeit wie beispielsweise NiobdiselenidNbSr;beschichtetist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß die beschichteten Einzelfasern eines Faserbündels auch solchen Anforderungen gerecht werden, wie sie beim Einsatz als Bürstenkontakte in rotierenden Maschiner gestellt werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Fasern des Bündels zunächst einer Ätzbehandlung durch Beschüß si von Ionen eines Inertgases unterzogen werden und daß ohne Unterbrechung daran anschließend zumindest ein Teil des .Substanzmaterials mittels des an sich bekannten lonenplattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
Dadurch ergeben sich insbesondere gegenüber der bekannten Aufdampfe oder Kathodenzerstäubungsteehrtöiögie wesentliche Vorteile, nämlich eine verbesserte Haftung des abgeschiedenen Materials Und verhältnis' mäßig hohe Aufwachsraten bis zu einigen Mikrometern pro Minute. Es kann zunächst bei einer kalten Verdäiripiungsquelle, ώ h. beispielsweise nur mit Hilfe eiriös Argon-Plasmas, f'as Fasergrundmaterial durch Ionenbombardement gereinigt, d.h. einer Ätzbehandlung unterzogen werden und ohne Unterbrechung noch während dieses Reinigungsprozesses zunehmend stärker in den lonenplatlierungsvorgang übergegangen werden, bis dessen Aufdampfrate die Ätzrate des Reinigungsprozesses in gewünschter Weise überwiegt. Man erhält so einstellbare Konzentrationsgradienten in der Grenzschicht zwischen dem Fasermaterial und dem Substanzmaterial und kann auf diese Weise sonst nicht oder nur sehr schwer verbindbare Materialien zur Haftung auf dem Fasergrundmaterial bringen. Ferner ist immer eine sich auf die Reinheit des Fasermaterials bzw. des auf ihm aufgebrachten Substanzmateriah günstig auswirkende Ätzrate gegeben, die weitgehend unabhängig von der Höhe der Aufdampf- oder Plattierungsrate einstellbar ist.
Nur mittels lonenplattierens ist es ferner möglich, daß zur Herstellung gut haftender Schichten auf den einzelnen Fasern eines Faserbündels zunächst eine Grenzschirht aus dem Substanzmaterial auf dem Grundma\erial der Fasern hergestellt wird, darn die Bildung des hierzu erforderlichen -Jasentladungr.plasmas bei fortlaufender Aufdampfung des Substanzmaterials auf die Fa^rn aufgehoben und anschließend im Hochvakuum die restliche Schicht aus dem Subst^nzmaterial allein durch Aufdampfen aufgebracht wird. Dieser Verfall ensablauf führt zu besonders reinen Schichten und ist vor allem do-t vorteilhaft einzusetzen, wo das Plasma unerwünsch ist und deshalb nur kurze Brenndauern zugelassen werden kennen, wie beispielsweise bei temperaturempfindlichen Fasermaterialien. Darüber hinaus ergibt sich mit dem Ionenplattieren eine gleichmäßige Umschichtung der einzelnen Fasern, da zur Streuung der Dampfteilchen aus dem Substanzmaterial am Arbeiugas beim Ionenplattieren noch die Anziehung entlang der Feldlinien der auf negativem Potential liegenden Fasern hinzukommt.
Sollen auf den Fasern des Faserbündels Schichten aus isolierenden Materialien ionenplattieri werden, so kann vorteilhaft an das Faserbündel eine negative hochfrequente Spannung angelegt werden.
7ur Durchführung des beschriebenen Verfahrens ist eine Vorrichtung besonders geeignet mit mindestens einer Beschichtungskammer. die zum Reinigen der noch unbeschichteten Fasern des Faserbündel eine Kathodenzerstaubungsanlage als Ätzvorrichtung enthält, mit Mitteln zum Hindurchführen des Faser bündeis durch den Innenraum der Beschichtungskammer b/w. deren Ätzvorrichtung und mit Mitteln zum Verdampfen des Substan/materials sowie mit einem Gasentladungsplasma /wischen dem Faserbündel und der Substanz.
Dies'; Vorrichtung kann vorteilhafierweise /.»ei hintereinander angeordnete Beschichtungskammern enthalten, mit denen man das durch sie hindurchgeführ te faserbündel auch kontinuierlich naihbeschi.hten kann. Mit dem Nachbeschichtungsvorgang laßt sich beispielsweise eine Korrosionsschutzschicht auf die bereits beschichteten F asern des Faserbündels aufbrin gen.
Im folgenden sind Ausführiingsbeispiele der Frfin dung anhand der Zeichnung naher erläutert, die schematisch eine Vorrichtung zum lortSPplkUieren von Gfaphitfaserbündeln veranschaulicht.
Mit der in der Figur dargestellten Vorrichtung können beispielsweise S μτϊ stärke Graphitfasern, von denen mehrere tausend zu einem Bündel zusammengefaßt sind, mit elektrisch gut leitenden und gut haftenden
Schichten, ζ. B. aus Rupfer, Nickel, Kobalt, Silber oder Gold, mittels lonenplattierens beschichtet werden. Die Dicke dieser Schichten ist sehr gering und beträgt beispielsweise etwa 1 μιη. Die Vorrichtung enthält zwei nebeneinanderliegende Beschichtüngskammern 2_ und 3 zum Hauptbeschichlen und Nachbeschichten eines Faserbündels 5. Jede Beschichtungskammer ist an ihrem Bodenteil 7 bzw. 8 mit einem Tiegel 10 bzw. 11 versehen, in dem ein auf den Fasern des Faserbündels 5 abzuscheidendes Substanzmaterial 13 bzw. 14 angeordnet ist. Ferner ist in den beiden Bodenteilen je eine Öffnung 16 bzw. 17 vorgesehen. Über diese Öffnungen sind die Innenräume der beiden Beschichtüngskammern 2_ und _3 mit einem Vakuumraum 19 verbunden und werden von dort aus abgepumpt. Dieser Vakuumraum kann über einen Pumpstutzen 20 auf einen Restgasdruck von beispielsweise unter 0,1 Pa evakuiert werden. In die Innenräume der Beschichtungskammem _2_ und 3 kann jeweils an einem üasciniaB 22 bzw. 23 ein inertgas eingelassen werden, das auch als Plasmagas oder Arbeitsgas bezeichnet wird und beispielsweise Argon ist. Über die entsprechenden Einlaßventile 24 und 25 wird dabei der Gasstrom des eingelassenen Plasmagases durch die Beschichlungskammern so einreguliert, daß sich in ihnen ein vorbestimmter Arbeitsdruck von beispielsweise 0,1 bis I Pa einstellt. Dieser Arbeitsdruck kann dynamisch konstantgehalten werden, d. h. an den Einlaßventilen 24 und 25 wird soviel Gas zugeführt, daß sich der gewünschte Arbeitsdruck bei gleichzeitigem Abpumpen der Innenräume der beiden Beschichtüngskammern an den Öffnungen 16 bzw. 17 einstellt.
Zur Verdampfung der Substanzmaterialien 13 und 14 sind zwei sogenannte Elektronenstrahl-Verdampfer vorgesehen. Hierzu sind in der Vakuumkammer 19 zwei Elektronenstrahlquellen 27 und 28 angeordnet. Der von der Elektronenstrahlquelle 27 erzeugte Elektronenstrahl 30 kann um 270° abgelenkt werden und wird so geführt, daß er durch die Öffnung 16 in dem Bodenteil 7 tritt und auf das Substanzmaterial 13 im Tiegel 10 trifft. Dabei wird das Substanzmaterial 13 verdampft und der Dampfstrom teilweise ionisiert. In entsprechender Weise tritt der von der Elektronenstrahlquelle 28 erzeugte Elektronenstrahl 32 durch die Öffnung 17 in dem Bodenteil 8 und verdampft das Substanzmaterial 14 unter gleichzeitiger teilweiser Ionisierung des Dampfes.
Das Kohlenstoff-Faserbündel 5 wird nun durch die beiden Beschichtüngskammern 2 und 3_ hindurchgezo gen. Das Faserbündel, das dabei verdrillt werden kann, wird von einer Rolle 34 abgespult, die in einer der Beschichtungskammer 2 benachbarten, evakuierbaren Seitenkammer 3€ angeordnet ist. und durch eine Rohrblende 38 aus Isolationsmaterial in der Trennwand zwischen den beiden Kammern _2 und 36 in die Beschichtungskammer _2 hineingezogen. Zur Führung des Faserbündels 5 sind in dieser Beschichtungskammer zwei Führungsrolien 40 vorgesehen. Das Faserbündel 5 gelangt dann von der ersten Beschichtungskammer^ in die zweite Beschichtungskammer 3. durch eine in ihrer gemeinsamen Trennwand 42 angeordnete Öffnung 43. Nachdem das Faserbündel auch durch diese Beschichtungskammer, in der zur Führung weitere Führungsrollen 44 vorgesehen sind, hindurchgezogen ist, wird es durch eine Rohrblende 46 aus Isolationsmaterial in eine der Beschichtungskammer 3_benachbarte, evakuierbare Seitenkammer 48 gezogen, wo es auf eine Rolle 49 aufgespult werden kann.
Um auf dem Faserbündel 5 in den beiden Beschichtüngskammern 2. und 3 mittels Ionenplattieren nun die Substanzmalerialien 13 und 14 aufbringen zu können, muß das Faserbündel auf ein gegenüber den Wänden der Beschichtüngskammern und somit auch gegenüber den die Substanzmaterialien aufnehmenden Tiegeln 10 und 11 negatives Potential von einigen kV, beispielsweise 5 kV gelegt werden. Die Kammern befinden sich zweckmäßig auf Erdpotential. Es kann somit zwischen dem Faserbündel 5 urid den Bauteilen in seiner Umgebung, die sich auf Erdpolential befinden, also
lö bevorzugt in dem iri der Figur mit 52 bzw. 53 bezeichneten Dampfstrahl zwischen dem Faserbündel 5 einerseits und der Dampfquelle in dem Tiegel 10 bzw. 11 andererseits ein Gasentladungsplasma gezündet werden. Das Plasma ist mit 54 bzw. 55 bezeichnet. Das Plasma dient neben dem Elektronenstrahl 30 bzw. 32 vor allem als lonisierungsquelle für das verdampfte Substanzmaterial 13 bzw. 14. Dieses ionisierte, dampfförmige Substanzmalerial wird neben den ionisierten Atomen des Arbeiisgiiscä auf das Faserbündel hin beschleunigt und somit auf die Oberflächen der einzelnen Fasern geschossen. Dadurch erhält man in der Grenzschicht zwischen dem Fasermaterial und dem abgeschiedenen Substanzmaterial eine gute Haftung. In gleicher Weise wirken neutrale Atome des Arbeitsgases oder Atome des Aufdampfmaterials, die durch Stöße mit Ionen beschleunigt wurden oder zuvor als Ionen beschleunigt und durch Ladungsaustausch neutral wurden.
Die negative Hochspannung kann beispielsweise über
so die Führungsrollen 40 oder 44 an das Faserbündel 5 angelegt werden.
Um eine Plasmazündung auch ki den Seitenkammern 36 und 48 auszuschließen, muß das in diesen Kammern herrschende Vakuum kleiner als das in den Beschichtungskammern 2_ und 3_ sein. Die Kammern müssen deshalb über ihren entsprechenden Pumpstutzen 57 bzw. 58 beispielsweise auf einen Druck kleiner als 0,1 Pa evakuiert werden.
Bevor das Kohlenstoff-Faserbündel 5 in den Bereich des ersten Plasmas innerhalb der ersten Beschichtungskammer 2_ gelangt, wird es vorteilhaft durch eine rohrförmige Ätzvorrichtung 60 geführt. Diese Ätzvorrichtur"' u ■■ -ine negative Vorspannung gegenüber den aut trdpotential liegenden Teilen der Beschichtungskammer. Diese Vorspannung ist jedoch gegenüber der an das Faserbündel 5 angelegten Hochspannung geringer und beträgt beispielsweise einige -100 V. Somit ist das Faserbündel 5 auch gegenüber der Ätzvorrichtung 60 negativ vorgespannt In der Ätzvorrichtung kann deshalb das Kohlenstoff-Faserbündel zunächst durch ein Kathodenstrahl-Ätzen, das au..i als Sputterätzen bezeichnet wird, gereinigt werden. Hierzu kann die erforderliche Energie von einem in der Figur nicht dargestellten Generator über eine Zuführungslei-
tung der Ätzvorrichtung 60 zugeführt werden. Die Ätzrate kann durch die Größe der negativen Vorspannung eingestellt werden. Aufgrund der negativen Vorspannung des Faserbündels 5 gegenüber der Ätzvorrichtung 60 findet in dem in der Ätzvorrichtung gezündeten Plasma 61 nur eine Zerstäubung des Fasermaterials an seinen Oberflächen statt wodurch es gereinigt wird. Man erhält dadurch eine bessere Haftfähigkeit der Faseroberflächen' für das abzuscheidende Substanzmaterial. Das Fasermaterial gelangt
hinter dieser Ätzvorrichtung in den ersten Plasmabereich 54 der Hauptbeschichtung, wo es beispielsweise mit Kupfer als Substanzmaterial beschichtet wird. Nach Durchlaufen dieses Plasmabereiches gelangt es in den
zweiten Plasmabereich 55 in der zweiten ßeschichtungskainmer 3, wo eine Nachbeschichlung mit dem Substanzmalefial 14 vorgenommen werden kann. Diese Nachbeschichtifiig kann beispielsweise zum Korrosionsschutz dienen und mit Kobalt, Nickel oder Niobdiselenid NbSej als Substanzmalerial vorgenommen werden.
Statt des erläuterten Besehichtungsverfahrens, bei detft. iich an einen Ätzvorgang zwei lonenplattierungsschritie anschließen, besteht auch die Möglichkeit, einen dieser beiden Plattierungsschritte, insbesondere den zweiten, durch einen einfachen Aufdampfschritt ohne Plasmaunterstützung zu ersetzen. Soll beispielsweise nach dem Ätzvorgang unmittelbar anschließend zunächst ohne Plasmaunterstützung eine Trägerschicht aufgedampft werden, so müßte noch in der ersten Beschichtungskammer 2.eine Trennwand zwischen der Ätzvorrichtung und dem Aufdampfbereich vorgesehen werden.
Fern?«4 hat sich gezeigt, daß zur Steigerung der Reinheit der auf den Fasern des Faserbündels aufgebrachten Schichten aus dem Substanzmaterial zur F.vakuierung insbesondere der BeschichtUngskammern 2^ und .3. über die Vakuumkammer 19 vorteilhaft Turbomolekularpumpen anstelle gedrosselter Diffusionspumpen eingesetzt werden, da Turbomolekularpumpen auch bei Restgasdrucken über 1 Pa noch mit voller Saugleistung arbeiten und so einen niedrigen Restgasdruck aufrechterhalten können. Es kann deshalb vorteilhaft sein, eine in der Figur nicht dargestellte Turbomolekularpumpe direkt an die Beschichtungski rnmern2_und/oder ^anzuschließen.
Statt der in der Figur angedeuteten Elektronenstrahl-Verdampfer können für niedrig schmelzende Metalle als Substanzmaterialien auch einfache thermische Verdampfungsquellen vorgesehen werden. Das Verdampfen des Substanzmaterials mittels eines Elektronen-Strahles kann so entfallen. Ebenso können dann die Trennwände 7 und 8 weggelassen werden.
Neben dem anhand der Figur erläuterten Verfahren zur Abscheidung von SubstanzmateriaSien mittels lonenplnttierens kann auch das sogenannte Plasma-Plattieren vorgesehen werden, Bei dieser Verfahrensvafiante des Ionenplattierens wird von einer besonderen
ίο Ausfühfungsform eines sogenannten Magnetrons als Verdampferquelle ausgegangen. Während bei den im allgemeinen verwendeten Magnetrons Elektronen in einem zwischen einer Kathode und einer Anode liegenden Magnetfeld abgelenkt werden, ist bei dieser besonderen Ausführungsform ein Plasma vorgesehen.
Diese Ausführungsform wird deshalb auch als Plasmatron bezeichnet. Sie enthält einen Tiegel, der ebenso wie das Faserbündel selbst negativ vorgespannt ist. Ein den Tiegel umgebender, positiv vorgespannter Ring dient als Anode. Zwischen dieser Anode i;nd de™ Tiegel brennt dann ein Plasma, das zum Zerstäuben des in dem Tiegel angeordneten Substanzmateriales dient und somit der Verdampferquelle bei dem anhand der Figur erläuterten lonenplattieren entspricht. Die so abgestäubten Atome des Substanzmaterials werden auf dem Wege zum Faserbündel teilweise ionisiert. Durch entsprechende Aufteilung der Plasmaleistung zwischen dem Faserbündel einerseits und dem Tiegel andererseits können die Raten und der Anteil der ionisierten Atome beeinflußt werden. Das für das Plasmatron vorgesehene, zeitliche konstante Magnetfeld, das aber örtlich stark verschieden ist, dient zur Erhöhung der Entladungsdichte und damit zur Steigerung der Abstäubungsrate an Substanzmateria1, um bis zu einem Faktor 100.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
130236/2SJ

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum kontinuierlichen, gleichzeitigen Beschichten einer Vielzahl von einzelnen zu einem Bündel zusammengefaßten Fasern aus der Dampfphase mit einer dünnen Schicht aus einem Substanzmaterial, dadurch gekennzeichnet, daß die Fasern des Bündels zunächst einer Ätzbehandlung durch Beschüß von Ionen eines Inertgases unterzogen werden und daß ohne Unterbrechung daran anschließend zumindest ein Teil des Substanzmaterials mittels des an sich bekannten lonenplattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
2. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Grenzschicht aus dem Substanzmaterial auf dem Grundmaterial der Fasern mittels lonenplattierens hergestellt wird, dann die Bildung des hierzu erforderlichen Gasentladungsplasmas bei fortlaufender Aufdampfung des Substanzmaterials auf die Fasern aufgehobt». und anschließend im Hochvakuum die restlicne Schicht aus dem Substanzmaterial allein durch Aufdampfen aufgebracht wird.
3. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Fasern aus Graphit beschichtet werden.
4. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Substanzmaterialien Kupfer oder Nickel oder Kobalt oder Silber oder Gold verwendet werden.
5. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 b's 4, dadurch gekennzeichnet, daß an das Faserbündel eine Hochfrequenz-Spannung angelegt wird.
6. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenr :eichnet, daß auf der auf den einzelnen Fasern abgeschiedenen Schicht aus einem ersten Substanzmaterial eine weitere Schicht aus einem zweiten Substanzmaterial aufgebracht wird.
7. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kobalt- oder Nickel- oder Niobdiselenid-Schicht als Korrosionsschutz aufgebracht wird.
8. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substanzmaterial mittels Plasma-Plattierens auf den Fasern abgeschieden wird.
9. Vorrichtung /ur Durchführung des Be-Schichtungsverfahrens nach Anspruch 8. gekennzeichnet durch mindestens eine Beschichtungskammer. die zum Reinigen der noch unbeschichteten Fasern eine Kathoden/erstäubungsanlage als Ätzvorrichtung enthält, durch Mittel /um Hindurchführen des Faserbündel durch deren Innenraum sowie durch ein Plasmatron als Verdampferquelle
H). Vorrichtung zur Durchführung des Beschich· tungsvcrfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 7. gekennzeichnet durch mindestens emc Beschichtungskammcr {2_ oder }). die zum Reinigen der noch unbeschichteten Fasern des Faserbündel (5) eine Kathodenzerstäubungsanlage als Älzvor* richtung (60) enthält, durch Mittel zum Hindurch^ führen des Faserbündels (5) durch den Innenraum der Beschichtungskammer (2 oder 3) bzw. deren Ätzvorrichtung (60) und Mittel zurrt Verdampfen des Substanzmaleriais (13 bzw. 14) sowie durch ein Gasentladungsplasma zwischen dem Faserbündel (5) und der Substanz.
II. Beschichtungsvorrichtung nnch Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Elektronenstrahlverdampfer (27 oder 28) vorgesehen ist,
IZ Beschichtungsvorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, gekennzeichnet durch zwei in Führungsrichtung des Faserbündels (5) gesehen hintereinander angeordnete Beschichtungskammern (2 und 3) zum Haupt- bzw. Nachbeschichten des Faserbündels (5).
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