DE2725959A1 - Elektronenstrahl-bearbeitungsmaschine - Google Patents
Elektronenstrahl-bearbeitungsmaschineInfo
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Description
0 0 0 München 22 Steiηsdοrfstraße 21-22 Telefon 089 / 29 84
B 8328
RIKAGAKU KENKYUSHO 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama-ken / Japan
und
NIHON DENSHI KABUSHIKI KAISHA 1418 Nakagami-cho, Akishima-shi, Tokyo 196 / Japan
Die Erfindung betrifft eine Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine,
insbesondere eine Maschine mit einer hohen Bearbeitungsgenauigkeit sowie einer großen Bearbeitungsgeschwindigkeit.
Kä/St
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Bei einer Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine, bei der zwei mit polygonalen Öffnungen versehene Blenden über- und unterhalb einer
Elektronenstrahl-Ablenkeinheit angeordnet sind, kann ein Elektronenstrahl
mit beliebig geformtem Querschnitt erreicht und auf ein Werkstück projiziert werden. Bei dieser Vorrichtung kann die Querschnittsfläche und die Größe des projizierten Elektronenstrahls auf die Form
und die Größe der bei der Bearbeitung zu erzielenden Figur oder des Musters abgestimmt werden. Im Vergleich mit den bekannten Vorrichtungen,
bei denen das Muster mit einem scharf gebündelten Elektronenstrahl durch Abtastung erzeugt wird, ist es möglich, die Bearbeitungszeit
beträchtlich zu verringern. Jedoch ist bei derartigen Vorrichtungen der Ablenkbereich des Elektronenstrahls, das heißt folglich auch
der Bearbeitungsbereich, auf 1 mm bis mehrere mm wegen der Verzerrung des elektronenoptischen Systems usw. beschränkt. Aus diesem
Grund muß bei Bearbeitung eines Werkstücks, für das ein großes Muster erforderlich ist, der Objekttisch, auf dem das Werkstück befestigt
ist, nach jeder Teilbearbeitung schrittweise weiter bewegt werden. Daraus ergeben sich Schwierigkeiten derart, daß bei Beginn der
Bewegung und beim Stoppen der Bewegung Beschleunigungs- bzw. Verzögerungskräfte am Objekttisch auftreten. Diese mechanisch bedingten
Schwierigkeiten lassen eine Erhöhung der Schrittfrequenz kaum zu. Nach Anhalten des Objekttisches vibriert dieser für eine kurze Zeit,
während welcher der Bearbeitungsvorgang unterbrochen werden muß. Dadurch wird die Bearbeitungsgeschwindigkeit - obwohl sie größer als
bei den bekannten Vorrichtungen ist - auf ein gewisses Ausmaß beschränkt. Für den Fall, daß das Werkstück einen großen Bearbeitungsbereich
erfordert, ist ein weiterer Nachteil dieser schrittweisen Bewegung darin zu sehen, daß es Schwierigkeiten bereitet, jedes Einheitsquadrat
genau an das andere anzufügen.
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Es ist demgemäß Aufgabe der Erfindung, die Bearbeitungszeit für
große Muster zu verkürzen und den Bearbeitungsvorgang mit großer Genauigkeit durchzuführen, aas heißt jedes zu bearbeitende Einheitsquadrat genau an das nachfolgende anfügen zu können.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt erfindungs gemäß durch Verwendung
zweier Blenden und einer Ablenkeinrichtung zur Bildung eines beliebigen Elektronenstrahlquerschnittes, einer Vorrichtung zur fortlaufenden Verschiebung des Werkstückes in Y-Richtung sowie durch eine
Spur-Ablenkeinrichtung in Y-Richtung zur Kompensation der Werkstücksverschiebung .
Bei der Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach der Erfindung
wird also der gewünschte Elektronenstrahlquerschnitt durch zwei Blenden und eine Ablenkeinrichtung erreicht, wobei der Elektronenstrahl mit Hilfe einer Ablenkvorrichtung teilweise und nacheinander
Musterbereiche innerhalb einer Vielzahl von Einheitsquadraten auf einem großen Werkstück in X- und Y-Richtung bearbeitet. Das Werkstück wird dabei in Y-Richtung mit Hilfe einer mechanischen Vorrichtung verschoben, wobei der Betrag der Werkstückverschiebung benutzt wird, um die Ablenkvorrichtung für die Y-Richtung und die
Bildung des Elektronenstrahlquerschnittes zu steuern.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden durch die nachfolgende
Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen noch näher erläutert.
Es zeigen:
schematischer Darstellung;
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Fig.2 die Formung des Elektronenstrahlquerschnittes
in schematischer Darstellung;
Fig.3 schematisrhft Darstellungen zur Verdeutlichung der
' ' ' Arbeitsweise der Ausführungsform gemäß Fig. 1 und
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines wesentlichen
Teils einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 1 verdeutlicht eine Ausführungsform der Erfindung mit einer Säule 1,
deren Innenraum während des Betriebs unter Vakuum gehalten wird. Eine Elektronenquelle 2 erzeugt einen Elektronenstrahl 3. Eine Austastschaltung
4 liefert ein Austastsignal an eine Austasteinrichtung 5 (Ablenkspulen oder -platten), um einen Durchtritt des Elektronenstrahls
durch eine Blende 6 zu verhindern. Der Querschnitt des Elektronenstrahls, der durch die Blende 6 hindurchgelangt, wird, wie in Fig.2
verdeutlicht, anhand der mit polygonalen Öffnungen versehenen Blenden und 8 und einer Ablenkeinrichtung 9, die zwischen den Blenden 7 und 8
angeordnet ist, wahlweise ausgebildet. In Fig.2 ist zusätzlich eine
Elektronenlinse zwischen den Blenden angeordnet, so daß das Bild der Blende 7 auf der Blende 8 fokussiert bzw. abgebildet wird. Ein erster
Digitalanalogwandler 10 erzeugt ein Signal für die Ablenkeinrichtung 9. Dieses Signal dient zur Bestimmung der Querschnittsfläche des Elektronenstrahls.
Das Ausgangssignal eines zweiten Digitalanalogwandlers 11 wird an eine Ablenkeinrichtung 12 gelegt, um eine Ablenkung des
Elektronenstrahlquerschnitts in geringem Ausmaß hervorzurufen. Eine
Projekt ions linse dient zum Konvergieren des Elektronenstrahls und
projiziert ihn auf ein Werkstück 14, das auf einem Objekttisch 15 befestigt ist. Die Auftreffstelle, an der der Elektronenstrahl das Werkstück
bestrahlt, wird noch geändert durch Signale aus einer Spur-Ablenkeinrichtung 16, die eine Ablenkeinrichtung 17 für die Y-Richtung
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ansteuert,einer Zeilenablenkschaltung 18, die eine Ablenkeinrichtung
ansteuert, welche eine große Ablenkung des Elektronenstrahls hervorruft,
sowie durch Signale einer Kompensationsschaltung 20, welche eine Ablenkeinrichtung 21 für die Ablenkung in X-Richtung ansteuert.
Weiterhin wird der Objekttisch 15, auf dem das Werkstück 14 befestigt
ist, fortlaufend mit mehr oder weniger konstanter Geschwindigkeit in
Y-Richtung durch eine Steuerschaltung 22 bewegt, die einen Antriebsmechanismus 23 und eine Antriebswelle 24, die mit dem Objekttisch
verbunden ist, ansteuert. Ein Balg 25 dient zur Aufrechterhaltung des Vakuums in der Säule 1. Die Strecke, auf der der Objekttisch 15 verschoben
wird, wird durch ein in Y-Richtung angeordnetes Laserinterferometer 26 und ein in X-Richtung angeordnetes Laserinterferometer
27 festgestellt. Das Ausgangssignal des Interferometers 27 gelangt
an die Kompensationsschaltung 20.
Jedesmal, wenn der Objekttisch um eine bestimmte Strecke bewegt wird, erzeugt das in Y-Richtung angeordnete Laserinterferometer
einen Taktimpuls, der einer ersten Divisionsschaltung 28 zugeführt wird. Das Ausgangssignal der ersten Divisionsschaltung 28 wird weiterhin
einer zweiten Divisionsschaltung 29 und der Zeilenablenkschaltung 18 zugeführt. Das Ausgangssignal der zweiten Divisionsschaltung
gelangt sowohl an die Spur-Ablenkschaltung 16 als auch an die Zeilenable
nfks ehalt ung 18. Unteressen schickt eine Speicherschaltung 30 ein
Signal, das die Daten enthält, die dem Bestrahlungsmuster entsprechen,
zu einer Steuerschaltung 22, die wiederum die Information an die Austastschaltung 4 und an die Digitalanalogwandler 10 und 11 weiterleitet.
Bei dem oben beschriebenen Aufbau sind, wie in Fig. 2 ersichtlich,
die Blendenöffnungen der Blenden 7 und 8 rechteckig (250 μΐη χ 250μΐη)
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und der Verkleinerungsmaßstab der Abbildungslinse 11 beträgt 1/10.
Demgemäß ergibt sich die maximale Größe des Elektronenstrahlquerschnittes,
der auf die Oberfläche des Werkstückes projiziert wird, zu 25 μΐηχ25 μπι. Benutzt man diese maximale Größe (25 μηι χ 25 μΐη)
des Elektronenstrahlquerschnittes als ein "Einheitsquadrat", so wird
die Oberfläche des Werkstücks 14 bei Bearbeitung des großen Musters
in viele "Einheitsquadrate" Dl, D2, D3, D50 aufgeteilt, wie
in Fig. 4 und 5, die Vergrößerungen der Fig. 3 darstellen, gezeigt ist.
Die schraffierten Flächen Ql, Q2, Q3, Q4, ... der Fig. 5 verdeutlichen Elemente des Musters innerhalb der Einheitsquadrate Dl und D2.
Jedes dieser Elemente des Musters ist rechteckig ausgebildet und kann mit einem einzigen Abtastschritt des Elektronenstrahls 3 bearbeitet
werden. Der Elektronenstrahl 3 besitzt dazu einen entsprechenden Querschnitt, der von dem Ausgangssignal der Steuerschaltung 22 in Verbindung
mit dem ersten Digitalanalogwandler 10 und der Ablenkeinrichtung bestimmt wird. Die Speicherschaltung 30 speichert die Informationsdaten
hinsichtlich der Lage und der Form jedes einzelnen Musterelements. Die Gesamtzahl dieser Musterelemente ergibt somit das auf dem Werkstück
zu bearbeitende große Muster. Weiterhin erzeugt die Zeilenablenkschaltung 18 schrittweise ein Signal für die Ablenkeinrichtung 19, um
den Elektronenstrahl 3 um den Betrag eines Einheitsquadrates in Abhängigkeit vom Ausgangssignal der zweiten Divisionsschaltung 29 in X-Richtung
zu bewegen. Ferner wird durch Verschieben des Werkstücks mit Hilfe des Antriebsmechanismus 23 bei einer konstanten Geschwindigkeit
in Y-Richtung eine große Fläche, auf der jedes gewünschte Muster bearbeitet werden kann, vollständig durch viele "Einheitsquadrate" abgedeckt.
Im folgenden wird die Wirkungsweise der Ausführungsform detaillierter
beschrieben. Der Antriebsmechanismus 23 bewegt mit Hilfe eines Start-
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signals der Steuerschaltung 22 den Objekttisch 15 in Y-Richtung mit
einer festgelegten Geschwindigkeit von 5 mm/Sek. Wie ai^i Fig. 6 (a)
ersichtlich, erzeugt das in Y-Richtung angeordnete Laserinterferometer
26 bei jeder Bewegung des üL-jokttisches um 0,05 μΐη einen Taktimpuls.
Das Interferometer erzeugt 100.000 Taktimpulse pro Sekunde. Zur Steuerung des Elektronenstrahls 3 werden die Taktimpulse der Austastschaltung
4 zugeführt. Mit anderen Worten, die Elektronenstrahlbearbeitung des Werkstücks 14 wird mit diesen Taktimpulsen synchronisiert.
Die Steuerschaltung 22 liest anschließend nacheinander die Informationen (Ql - Q2 - Q3 - Q4) und schickt einerseits die Form und die
Größe jedes Musterelements kennzeichende Signale an die Ablenkeinrichtung
9 und andererseits Signale, die die Lage jedes Musterelements kennzeichnen, an die Ablenkeinrichtung 12. Gelangen vier Taktimpulse
an die Steuerschaltung 22, so werden demgemäß vier Musterelemente (Ql, Q2, Q3, Q4) in dem ersten Einheitsquadrat Dl auf das Werkstück
aufgebracht, womit dann die Bearbeitung des ersten Einheitsquadrats abgeschlossen ist. Wie in Fig. 6(c) gezeigt, wird dann der Elektronenstrahl
3 schrittweise in X-Richtung zu dem nächsten Einheitsquadrat D2 durch die Ablenkeinrichtung 19 bewegt. Die Ablenkeinrichtung 19 empfängt
dazu ein Ablenksignal von der Ablenkschaltung 18 und der Bearbeitungsvorgang wird wiederholt.
Auf diese Weise werden die Elemente der Muster, die in jedem Einheitsquadrat
vorhanden sind, nacheinander durch Bestrahlung bzw. Bearbeitung aufgebracht. Die Signale der Ablenkschaltung 18 sind weiterhin
mit den Verschiebeimpulsen gemäß Fig. 6(b) synchronisiert. Diese Verschiebeimpulse werden mit Hilfe der ersten Divisionsschaltung 18
durch Verringerung der Anzahl der Taktimpuise auf 1/10 erzeugt. Demgemäß
ist es möglich, bis zu 10 geordnete Musterelemente in jedem Einheitsquadrat zu bearbeiten bzw. der Elektronenbestrahlung auszu-
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-sr-
setzen. Folglich schickt im Falle von Dl, bei der zur vollständigen Bearbeitung
von vier Musterelementen vier Taktimpulse ausreichen, die Steuerschaltung 22 ein Befehlssignal an die Austastschaltung 4, die wiederum
während der Zeitdauer, in "ier die restlichen sechs Taktimpulse erzeugt werden, ein Austastsignal an die Ablenkeinrichtung 5 schickt.
Es ist jedoch zu berücksichtigen, daß ein Taktimpuls das Werkstück um
0,05 μΐΏ in Y-Richtung bewegt. Ist beispielsweise im Falle von Dl die
Lage des Ausgangs musters Ql richtig, so bewegt sich das Werkstück um 0,05 pm in Y-Richtung, um die Bearbeitung von Q2 zu ermöglichen.
Für die Bearbeitung von Q3 und Q4 bewegt sich das Werkstück um 0,1 μΐη
und 0,15 μηι. Da sich der Elektronenstrahl um einen Betrag von 0,05 μΐη
auf dem Werkstück entlang der Y-Achse bei jedem erzeugten Taktimpuls bewegt, ist die Lage des Musterelements in besagter Richtung infolge
des Signals der Spur-Ablenkschaltung 16 immer exakt. Dies beruht darauf,
daß dieses Signal, wie Fig. 6 (a) zeigt, sich schrittweise ändert und an die Ablenkeinrichtung 17 (Ablenkspule) gelegt wird.
Der Objekttisch 15 kann zusätzlich zur Y-Richtung auch in X-Richtung
bewegt werden. So wird z.B. im Falle einer ltZick-Zack"-Bewegung
für das nächste Muster element auf dem Werkstück ein Lagewechsel in X-Richtung erzeugt, der von dem Laser interferometer 27 erkannt
wird, dessen Ausgangssignal der Kompensationsschaltung 20 zugeführt wird. Diese wiederum schickt ein Signal an die Ablenkeinrichtung 21 für
die X-Richtung, um den bei der Bewegung erzeugten mechanischen Bewegungsfehler zu kompensieren. Zusätzlich werden das Interferometer
27, die Kompensationsschaltung 20 und die Ablenkeinrichtung 21 noch dazu benutzt, um die mechanische Bewegung in X-Richtung während
der fortlaufenden mechanischen Bewegung in Y-Richtung wegzukompensieren.
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Auf diese Weise werden aufeinanderfolgende Einheitsquadrate in X-Richtung
bearbeitet. Sobald ein Band Bl von 50 Einheitsquadraten mit einer Größe von 25 μη χ 1,25 mm bearbeitet ist (vgl. Fig. 4), wird die Anzahl
der Verschiebeimpulse (Fig 6 (b)) auf 1/50 durch die zweite Divisionsschaltung 29 verringert und ein Rücksetzimpuls (Fig. 6 (e)) erzeugt,
der die ZeilenablenkschaK ang 18 und die Spur-Ablenkschaltung 16 zurücksetzt.
Es ist jedoch ebenso möglich, den gleichen Bearbeitungsvorgang dadurch hervorzurufen, daß das Ausgangssignal der zweiten Divisionsschaltung 29 anstatt des Rücksetzsignals als ein inverses Zeilenablenk signal
verwendet wird. Für diesen Fall sind die Einheitsquadrate D51, D52 ... wie in Fig. 3 angeordnet. Demzufolge wird das Werkstück, wenn
die Bearbeitung des Bandes Bl abgeschlossen ist, von seiner Ausgangslage um 25 μηι in Y-Richtung bewegt und das nächste zu bearbeitende
Band B2 genau daran angefügt. Auf diese Weise werden die zu bearbeitenden Bänder Bl, B2, B3 ... mit einer Breite von 25 μπι und einer
Länge von 1,25 mm nacheinander angehängt, bis schließlich das vollständige Muster mit einer Breite von 1,25 mm und einer Länge von
mehreren Millimetern bearbeitet ist.
Sind Muster mit einer Breite größer als 1,25 mm zu bearbeiten, so wird zusätzlich ein Antriebsmechanismus in X-Richtung (in Fig. 1 nicht
dargestellt) benutzt, um das Werkstück schrittweise 1,25 mm zu bewegen. Für diesen Fall wird der oben erwähnte Bearbeitungsprozeß in der
Fläche, die von der gestrichelten Linie P2 in Fig. 3 eingeschlossen
wird, wiederholt.
Die Bearbeitungsfläche auf dem Werkstück beim bekannten Bearbeitungssystem,
welche sich infolge der großen Flächenverzerrung ergibt, ist in Fig. 7 verdeutlicht. In Fig. 7 zeigt die schraffierte Fläche S den Bereich,
um den tatsächlich durch die Ablenkeinrichtung 19 der Ausführungsform gemäß Fig. 1 abgelenkt worden ist. Die Verzerrungswirkung
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der obigen eindimensionalen Ablenkung ist geringer als die der zweidimensionalen
Ablenkung.
In der Ausführungsform gemäß Fig. 1 kann die große Verzerrungswirkung
infolge der großen Ablenkung nicht allein durch eine eindimensionale große Ablenkung vermieden werden. Werden jedoch anstatt einer
einstufigen Ablenkeinrichtung 19 mehrere Stufen benutzt, so ist es möglich, die Verzerrungswirkung zu verringern, indem der Strahlwinkel
des Elektronenstrahls bei 90° gehalten wird.
Außerdem ist es möglich, auf die Ablenkeinrichtung 17 der Ausführungsform gemäß Fig. 1 zu verzichten, wenn die Ablenkvorrichtung gemäß
Fig. 8 ausgebildet wird. In Fig. 8 wird eine Add it ions schaltung 31 zwischen
dem zweiten Digitalanalogwandler 11 und der zur Ablenkung in Y-Richtung dienenden, einen Teil der Ablenkeinheit 12 darstellenden
Ablenkplatte 12Y vorgesehen. Außerdem wird das Ausgangssignal der Spur-Ablenkschaltung 16 der Additionsschaltung 31 zugeführt.
Da, wie oben erwähnt, in der ersten Ausführungsform der Antriebsmechanismus
23 das Werkstück mit konstanter Geschwindigkeit bewegt, sind die Bearbeitungsgeschwindigkeit und die Haltbarkeit des Antriebsmechanismus
besser als im Vergleich mit bekannten Ausführungsformen. Da die Elektronenstrahlablenkung durch die den Betrag der Werkstückbewegung
entsprechenden Taktimpulse gesteuert wird, wird die Lagegenauigkeit des zu bearbeitenden Musters ungeachtet eines Wechsels
der Bewegungsgeschwindigkeit des Werkstückes weiter verbessert.
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Claims (7)
- Patentansprüche\.y Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine, mit einer Elektronenstrahlquelle, einem elektronenoptischen System zur Konvergierung und Projizierung des Elektronenstrahls auf ein Werkstück, einem Antriebsmechanismus zum Verschieben des Werkstücks in einer bestimmten Richtung (z.B. Y-Richtung), sowie einer Ablenkeinrichtung zur Ablenkung des auf das Werkstück gerichteten Elektronenstrahls mehr oder weniger senkrecht zu der bestimmten Richtung (Y-Richtung), gekennzeichnet durch eine Strahlformungseinrichtung mit zwei mit polygonalen Öffnungen versehenen Blenden (7, 8) und einer zwischen den beiden Blenden angeordneten Ablenkeinrichtung (9) zur Ausbildung eines polygonalen Elektronenstrahlquerschnitts mit gewünschter Gestalt.
- 2. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Taktimpulsgeber (26, 27) Synchronisiersignale zur Ansteuerung der Ablenkeinrichtung (17, 19 und 21) liefern.
- 3. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen den beiden Blenden (7, 8) vorgesehene Ablenkeinrichtung (9) durch den Taktimpulsgeber (26) gesteuert ist.
- 4. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch den Taktimpuls geber (26) ferner eine Austastschaltung (4) angesteuert wird, so daß der Elektronenstrahl aus der normalen Bearbeitungsrichtung auslenkbar ist.709S5C/1:ü
- 5. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation der kontinuierlichen Werkstückverschiebung eine Spur-Ablenkeinrichtung (18, 19) zum Ablenken des Elektronenstrahls in die bestimmte Richtung (Y-Richtung) in Abhängigkeit vom Taktimpuls vorgesehen ist.
- 6. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück kontinuierlich verschoben wird.
- 7. Elektronenstrahl-Bearbeitungsmaschine nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkung des Elektronenstrahls senkrecht zur bestimmten Richtung (Y-Richtung) in einem engen Bandbereich (S) erfolgt.
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Family
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US (2) | US4117340A (de) |
JP (1) | JPS52151568A (de) |
DE (1) | DE2725959C3 (de) |
FR (1) | FR2354632A1 (de) |
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-
1982
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