JPWO2006104139A1 - マルチコラム型電子ビーム露光装置 - Google Patents
マルチコラム型電子ビーム露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006104139A1 JPWO2006104139A1 JP2007510522A JP2007510522A JPWO2006104139A1 JP WO2006104139 A1 JPWO2006104139 A1 JP WO2006104139A1 JP 2007510522 A JP2007510522 A JP 2007510522A JP 2007510522 A JP2007510522 A JP 2007510522A JP WO2006104139 A1 JPWO2006104139 A1 JP WO2006104139A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure data
- exposure
- electron beam
- column
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】各コラムセルにおける露光電子ビームの変動を無くし精度良く露光することができるマルチコラム型電子ビーム露光装置を提供すること。【解決手段】マルチコラム型電子ビーム露光装置は、一枚のウエハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射される電子ビームを偏向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを有する複数のコラムセルと、前記各コラムセルで使用する露光データを算出する補正演算手段40とを有する。前記補正演算手段40は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段45と露光データ送信手段46とを有し、前記露光データ送信手段46は、前記露光データ制御手段45で補正した露光データを符号化してシリアルデータに変換し、光信号に変換して送信し、前記露光データ受信手段61は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化された露光データを復号化して、パラレルデータに変換する。【選択図】図3
Description
本発明は、電子ビーム露光装置に関し、特に、一つのウエハ上に複数のコラムを設け並列して露光処理をするマルチコラム型電子ビーム露光装置に関する。
近年、半導体装置等の製造におけるリソグラフィ工程において、微細パターンを形成するために、電子ビーム露光装置が使用されるようになってきている。
電子ビーム露光装置は、フォトリソグラフィ装置に比べて分解能が良いという特徴を有しているが、フォトリソグラフィ装置に比べて露光スループットが低いという問題がある。これに対し、電子ビームを照射してレジストにパターンを形成するコラムセルを複数設け、露光スループットを向上させるマルチコラム型電子ビーム露光装置が検討されている。各コラムセルはシングルコラムの電子ビーム露光装置のコラムと同等であるが、マルチコラム全体では並列して処理するため、コラム数倍の露光スループットの増加が可能となる。
これに関する技術として、特許文献1には、各コラムの光軸のずれに応じてパターンデータを補正して1枚のウエハに同時に並行して同一のパターンを露光するマルチコラム型電子ビーム露光装置が開示されている。
しかし、マルチコラム型電子ビーム露光装置では以下に示す問題点がある。
従来のシングルコラム型電子ビーム露光装置において、電子ビームを制御するために必要な露光データの情報量は18Gbps程度となっている。この露光データをコラムまで伝送するために、例えば、25対のツイストペアケーブルを用いて20MHzの信号を送るとすると、36本程度必要となる。
マルチコラム型電子ビーム露光装置についても、コラムはシングルコラム型電子ビーム露光装置のコラムと同等のコラムを使用するため、露光データを各コラムに伝送するには、それぞれ36本程度のツイストペアケーブルが必要となる。従って、コラム数が、例えば16の場合には、露光データを伝送するために、600本程度のツイストペアケーブルが必要となる。
このため、ツイストペアケーブルの重量が増加し、振動が伝搬して各コラムを揺らし、露光電子ビームが変動してしまう場合がある。その結果露光データとは異なるパターンが形成されてしまう。これに対し、ツイストペアケーブルの振動の影響を抑制するために、ツイストペアケーブルをたわませることも考えられる。しかし、その場合には、アナログアンプの伝送負荷が重くなり、露光スループットが悪くなってしまう。
なお、特許文献2には、クリーンルーム内に電子ビーム露光装置本体を設置し、クリーンルーム外にデジタル制御部等を配置して、本体と制御部の間をシリアル転送方式光ケーブルを使用して接続する構成が開示されている。しかし、特許文献2では、シリアル転送方式の具体的手段についての記載はなく、使用する際に発生する問題について考慮されていない。
特開平11−329322号公報
特開平5−82429号公報
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みなされたものであり、各コラムセルにおける露光電子ビームの変動を無くし、露光データを正確にコラムまで伝送し、精度良く露光することができるマルチコラム型電子ビーム露光装置を提供することである。
上記した課題は、一枚のウエハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射される電子ビームを偏向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを有する複数のコラムセルと、前記コラムセルで使用する露光データを算出する補正演算手段とを有するマルチコラム型電子ビーム露光装置であって、前記補正演算手段は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段と露光データ送信手段とを有し、前記露光データ送信手段は、前記露光データ制御手段で補正した露光データを符号化してシリアルデータに変換し、当該シリアルデータを光信号に変換して送信し、前記露光データ受信手段は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化された露光データを復号化して、パラレルデータに変換することを特徴とするマルチコラム型電子ビーム露光装置により解決する。
本発明では、露光データを8B10B符号化してシリアルデータに変換し、光信号に変換して送信している。これにより、露光データの伝送のために使用するケーブル数が減る。例えば、36本必要であったケーブルが1本で済むようになる。ケーブル数が少なくて済むことにより、ケーブルの振動によって各コラムが揺れ、電子ビームが変動するという現象を防止することができる。
上記の形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置において、前記露光データ送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データに対するエラー検出用符号を算出し、前記エラー検出用符号を、予め決められたビット数ごとにまとめてブロックとし、所定の数の該ブロックを多重化したエラー検出用光送信フレームを形成するようにしてもよく、前記エラー検出用符号は、前記露光データを表すブロック毎に算出されるようにしてもよい。さらに、前記露光データ送信手段は、前記エラー検出用符号に対するエラー検出のための符号を算出し、前記エラー検出用光送信フレームに付加するようにしてもよい。
本発明では、露光データを基に伝送時のエラー検出及び訂正を行わせるためのコード(例えばECC符号)を算出し、1ビットの伝送エラー訂正を行えるようにしている。さらに、エラー検出及び訂正のためのコード自体が正しく伝送されたか否かを検出する機構を備え、確実に露光データが伝送されるようにしている。これにより、誤った露光データが伝送され、誤った露光処理が行われることを防止し、スループットの低下を防止することができる。
上記の形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置において、更に、ウエハステージを制御するステージ制御部を有し、前記露光データ送信手段は、前記ステージ制御部から所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて露光データを送信するようにしてもよい。また、前記露光データ受信手段は、前記露光データ送信手段から所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて、受信した露光データを読み出すようにしても良い。さらに、前記所定の周期は、前記露光データ送信手段と前記露光データ受信手段の間で発生する露光データ信号系列の伝送遅延時間より長くするようにしてもよい。
本発明では、露光データ送信手段と露光データ受信手段の間で発生する伝送遅延時間より長い周期の信号によって、符号化した露光データの送信及び受信したデータの読み出しをするようにしている。これにより、伝送遅延時間に含まれる、符号化毎に発生する伝送遅延変動時間を吸収することができ、各コラムセルが確実に露光データを受信して、電子ビームを所定の位置に照射することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
はじめに、マルチコラム型電子ビーム露光装置の構成について説明する。次に、露光データを補正演算部からコラムセル部まで伝送する露光データ伝送部の構成及び動作について説明する。次に、送信される露光データを構成要素とする光送信フレームの構成について説明し、最後に、伝送の固定遅延について説明する。
図1は、本実施形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置の概略構成図である。
マルチコラム型電子ビーム露光装置は、電子ビームコラム10と電子ビームコラム10を制御する制御部20に大別される。このうち、電子ビームコラム10は、同等なコラムセル11が複数、例えば16集まって、全体のコラムが構成されている。すべてのコラムセル11は後述する同じユニットで構成されている。コラムセル11の下には、例えば300mmウエハ12を搭載したウエハステージ13が配置されている。
マルチコラム型電子ビーム露光装置は、電子ビームコラム10と電子ビームコラム10を制御する制御部20に大別される。このうち、電子ビームコラム10は、同等なコラムセル11が複数、例えば16集まって、全体のコラムが構成されている。すべてのコラムセル11は後述する同じユニットで構成されている。コラムセル11の下には、例えば300mmウエハ12を搭載したウエハステージ13が配置されている。
一方、制御部20は、電子銃高圧電源21、レンズ電源22、デジタル制御部23、ステージ駆動コントローラ24及びステージ位置センサ25を有する。これらのうち、電子銃高圧電源21は電子ビームコラム10内の各コラムセル11の電子銃を駆動させるための電源を供給する。レンズ電源22は電子ビームコラム10内の各コラムセル11の電磁レンズを駆動させるための電源を供給する。デジタル制御部23は、コラムセル11各部をコントロールする電気回路であり、ハイスピードの偏向出力などを出力する。デジタル制御部23はコラムセル11の数に対応する分だけ用意される。ステージ駆動コントローラ24は、ステージ位置センサ25からの位置情報を基に、ウエハ12の所望の位置に電子ビームが照射されるようにウエハステージ13を移動させる。上記の各部21〜25は、ワークステーション等の統合制御系26によって統合的に制御される。
上述したマルチコラム型電子ビーム露光装置では、すべてのコラムセル11は同じコラムユニットで構成されている。
図2は、マルチコラム型電子ビーム露光装置に使用される各コラムセル11の構成図である。
各コラムセル11は、露光部100と、露光部100を制御するコラムセル制御部31とに大別される。このうち、露光部100は、電子ビーム生成部130、マスク偏向部140及び基板偏向部150によって構成される。
電子ビーム生成部130では、電子銃101から生成した電子ビームEBが第1電磁レンズ102で収束作用を受けた後、ビーム整形用マスク103の矩形アパーチャ103aを透過し、電子ビームEBの断面が矩形に整形される。
その後、電子ビームEBは、マスク偏向部140の第2電磁レンズ105によって露光マスク110上に結像される。そして、電子ビームEBは、第1、第2静電偏向器104、106により、露光マスク110に形成された特定のパターンSに偏向され、その断面形状がパターンSの形状に整形される。
なお、露光マスク110はマスクステージ123に固定されるが、そのマスクステージ123は水平面内において移動可能であって、第1、第2静電偏向器104、106の偏向範囲(ビーム偏向領域)を超える部分にあるパターンSを使用する場合、マスクステージ123を移動することにより、そのパターンSをビーム偏向領域内に移動させる。
露光マスク110の上下に配された第3、第4電磁レンズ108、111は、それらの電流量を調節することにより、電子ビームEBを基板上で結像させる役割を担う。
露光マスク110を通った電子ビームEBは、第3、第4静電偏向器112、113の偏向作用によって光軸Cに振り戻された後、第5電磁レンズ114によってそのサイズが縮小される。
マスク偏向部140には、第1、第2補正コイル107、109が設けられており、それらにより、第1〜第4静電偏向器104、106、112、113で発生するビーム偏向収差が補正される。
その後、電子ビームEBは、基板偏向部150を構成する遮蔽板115のアパーチャ115aを通過し、第1、第2投影用電磁レンズ116、121によって基板上に投影される。これにより、露光マスク110のパターンの像が、所定の縮小率、例えば1/60の縮小率で基板に転写されることになる。
基板偏向部150には、第5静電偏向器119と電磁偏向器120とが設けられており、これらの偏向器119、120によって電子ビームEBが偏向され、基板の所定の位置に露光マスクのパターンの像が投影される。
更に、基板偏向部150には、基板上における電子ビームEBの偏向収差を補正するための第3、第4補正コイル117、118が設けられる。
一方、コラムセル制御部31は、電子銃制御部202、電子光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マスクステージ制御部205、ブランキング制御部206及び基板偏向制御部207を有する。これらのうち、電子銃制御部202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、105、108、111、114、116及び121への電流量等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブランキング制御部206は、ブランキング電極127への印加電圧を制御することにより、露光開始前から発生している電子ビームEBを遮蔽板115上に偏向し、露光前に基板上に電子ビームEBが照射されるのを防ぐ。
基板偏向制御部207は、第5静電偏向器119への印加電圧と、電磁偏向器120への電流量を制御することにより、基板の所定の位置上に電子ビームEBが偏向されるようにする。上記の各部202〜207は、ワークステーション等の統合制御系26によって統合的に制御される。
(露光データ伝送部の構成及び動作)
図3は、補正演算部40とアナログコラム制御部50との間の信号の接続関係を示した図である。ここでは、4つのコラムで構成されるマルチコラム型電子ビーム露光装置を対象に説明する。
(露光データ伝送部の構成及び動作)
図3は、補正演算部40とアナログコラム制御部50との間の信号の接続関係を示した図である。ここでは、4つのコラムで構成されるマルチコラム型電子ビーム露光装置を対象に説明する。
補正演算部40は、各コラムで照射する電子ビームをコントロールするデジタル制御部23a〜23dと各デジタル制御部23a〜23dを統合して制御する統合デジタル制御部41で構成される。
統合デジタル制御部41は光受信部43とDMUX(デマルチプレクサ)44で構成されている。
各デジタル制御部23a〜23dは、露光データ制御部45a〜45dと光送信部46a〜46dで構成されている。
アナログコラム制御部50は、各コラムセル11を制御するコラムセル制御部31a〜31dで構成されている。各コラムセル制御部31a〜31dは、光受信機61a〜61dを有している。
各デジタル制御部23a〜23dと各コラムセル制御部31a〜31dは伝送路48a〜48dで接続されている。
このように構成された補正演算部40とアナログコラムセル制御部50の間で露光データの信号の伝送は以下のようにして行われる。
統合デジタル制御部41はステージ位置データを受信し、受信したステージ位置データを各デジタル制御部23a〜23dに配信する。また、統合デジタル制御部41は、基準クロックをステージ制御部70から受信し、各デジタル制御部23a〜23dに送信する。
各デジタル制御部23a〜23dは、統合デジタル制御部41から配信されたステージ位置データを各コラムセルで照射する電子ビームに応じた処理を各露光データ制御部45a〜45dで行い、光送信部46a〜46dを介して各光受信部61a〜61dに送信する。
各コラムセル制御部31a〜31dでは、各デジタル制御部23a〜23dから送信された露光データを、光受信部61a〜61dを介して受信する。
補正演算部40は、ステージ制御部70からリファレンスクロックを受信し、各デジタル制御部23a〜23dにリファレンスクロックを分配して同期をとっている。ここで、リファレンスクロックは、パルストランスにより伝送している。1Mクロックもリファレンスクロックとして受信している。この1Mクロックは、後述するように、光送信―光受信間のデータ遅延の固定遅延化のためのタイミング信号として使用する。
図4は、露光データ制御部45からアナログコラム制御部50の偏向信号変換・増幅部84までの露光データの処理の流れを示すブロック図である。
光送信部46は、シリアル信号をパラレル信号に変換するS/P部82a、分割された信号を1つにまとめるMUX部82b、8ビット分のデータを10ビットで送るように8B10B符号化を行いパラレル信号をシリアル信号に変換するSERDES(Serialize De-serialize)部82cで構成される。光受信部61は、10ビットデータを8ビットデータに10B8B復号化しシリアル信号をパラレル信号に変換するSERDES部83a、マルチプレクサにより多重化した信号を分配するDMUX部83b、ファーストインファーストアウトメモリFIFO83c、パラレル信号をシリアル信号に変換するP/S部83dで構成される。偏向信号変換・増幅部84は、シリアル信号をパラレル信号に変換するS/P部84aと、デジタルデータをアナログデータに変換するDAC部84bで構成される。
露光データ制御部45で補正されたショットデータはシリアルデータに変換して光送信部46に伝送される。光送信部46では、伝送されたショットデータをS/P部82aでシリアルデータからパラレルデータに変換し、MUX部82bで分割された信号を光送信フレームにまとめる。その後、SERDES部82cで8B10B符号化を行い、パラレルデータをシリアルデータに変換する。シリアルデータに変換した後、電気信号を光信号に変換して送信する。
SERDES部82cでは、8ビット幅のパラレル信号を10ビットのシリアルデータに変換する。この際に、8B10B符号化によって、連続する8ビットのデータを対応する10ビットのデータに変換している。この符号化を使用することによって、送信側と受信側との同期をとることができ、誤り訂正をすることができる。なお、この符号化処理の際に符号化毎に異なるクロック数が必要となり、伝送遅延に変動成分が付加されてしまう。
また、8B10B符号化の機能により「0」または「1」の状態が長く続くことが無く、受信側で正しくデータを受け取ることができるようになる。さらに、8B10B符号化は、ある長さのデータについて「0」と「1」の数がほぼ等しくなるように符号化されるため、DCバランスが良いという利点を有している。
光受信部61では、SERDES部83aにおいて、光送信部46から送信された光信号を受信して光信号を電気信号に変換し、10B8B復号化で10ビットのデータを8ビットのデータに復号化し、シリアルデータをパラレルデータに変換する。パラレルデータに変換された信号はDMUX部83bで偏向単位のデータに再構成する。再構成されたデータはFIFO83cに記憶される。このデータはP/S部83dでシリアルデータに変換された後、偏向信号変換・増幅部84に転送され、S/P部84aでパラレルデータに変換され、DAC部84bでアナログデータに変換される。その後変換されたアナログデータに基づいて電子ビームを照射し、所望のパターンを形成する。
(光送信フレームの構成)
図5は、光送信フレームの構成の一例を示している。図5は、12個の光送信フレーム(F1〜F12)を示しており、各光送信フレームのデータは、それぞれ一本の光ファイバーケーブルで送信される。光送信フレームは、MUX部82bにおいて露光データやSERDESに必要な制御コード等が多重化処理されたものである。各光送信フレームは、8つのブロック(B1〜B8)が多重化され、各ブロックは4バイトのデータで構成されている。
(光送信フレームの構成)
図5は、光送信フレームの構成の一例を示している。図5は、12個の光送信フレーム(F1〜F12)を示しており、各光送信フレームのデータは、それぞれ一本の光ファイバーケーブルで送信される。光送信フレームは、MUX部82bにおいて露光データやSERDESに必要な制御コード等が多重化処理されたものである。各光送信フレームは、8つのブロック(B1〜B8)が多重化され、各ブロックは4バイトのデータで構成されている。
例えば、フレームF1のブロックB1は、SERDESで8B10B符号化を行うときに必要な制御コードで構成され、ブロックB2は、光送信フレームを識別する8ビットのフレーム番号(FRM)で構成される。また、フレームF1のブロックB3からB8は、偏向器の電圧・電流量を制御するための露光データで構成されている。
このような露光データがデジタル制御部23からコラムセル制御部31に確実に伝送されることが重要となる。電子ビーム露光装置において、誤った露光データがコラムセル制御部31に送信され、誤った露光をしてしまうと、途中まで正常に露光処理が行われていたとしても、はじめから露光処理を行わなければならなくなる。また、露光データの受信側で誤り検出を行うためのデータによって、データ伝送の誤りが検出されたとき、送信側に再送要求をするが、その間、露光処理が停止するため、露光処理のスループットが低下してしまう。さらに、露光データの受信側で誤り検出を行うためのデータが正しく伝送されなかった場合、誤りを検出することができず、誤りとは認識されずに露光処理がされてしまうおそれがある。
このような問題に対処するために、本実施形態では、図6に示すように、露光データを多重化した後、SERDESで8B10B符号化を行う前に、エラー検出・訂正に必要な処理を行っている。
本実施形態の光送信フレームでは、ECC演算部85において、露光データで構成される光送信フレームから、伝送誤りの検出や訂正を行うためのコードを生成し、このコードで構成される誤り検出・訂正用の光送信フレーム(例えば、図5のF5,F10,F12)を形成している。
誤り訂正用のコードは、露光データ用光送信フレームの各ブロック毎に算出し、所定の誤り検出・訂正用光送信フレームの所定のブロックに格納する。例えば、図5のフレームF1のブロックB3の32ビットのデータに対し、1バイトのECC符号(Error Correcting Code)を算出し、誤り検出・訂正用光送信フレームF5のブロックB3の1バイト領域(図5の1AA3の位置)に格納する。ECC符号として、例えばハミング符号を使用する。
ECC符号を付加することにより、伝送後の露光データが1ビットだけの誤りであれば、その誤りを訂正できることが保証される。
なお、ECC符号化によって生成される誤り訂正用の符号(チェックバイト)自体に誤りが発生すると、露光データの誤り訂正を正しく行うことができず、露光精度が低下してしまう。
そのため、本実施形態では、ECCチェックバイト自体の誤りを検出できるように、更に、チェック機構を設けている。このチェック機構の一つとして、ECCチェックバイトからCRC符号を生成する。例えば、本実施形態では、ECCチェックバイト9バイト分からCRC16を生成し、所定のフレーム(F12)に格納している。データの受信側では、CRC16符合から誤り検出を行う。ECCチェックバイトに誤りがなければ、ECCチェックバイトを用いて露光データが正常に伝送されたか否かをチェックする。露光データに1ビットの誤りが発生したときは、ECCエラー訂正機能により正しい値に訂正し、露光データに2ビット以上の誤りが発見された場合は、送信側にエラーを通知する。
次に、上述したエラー検出・訂正を有効に機能させるために必要となるビットシフト処理について説明する。
本実施形態の露光データの伝送においては、8B10B符号化を採用している。8B10B符号化を行っているため、伝送路における10ビット中の1ビットの誤りは、伝送後に10B8B復号化を行うと、必ずビット誤りが発生し、最大で8ビットのバースト誤りとなってしまう。
このような誤りが発生しないように、本実施形態では、8B10B符号化を行う前に露光データを連続するブロックのビット毎にビットをシフトさせて、ブロックを構成するビットの値を一定の規則で変換している。
図7は光送信フレームのビットシフト処理を説明する図である。光送信フレームの各ブロックは32ビットで構成され、各ブロックはビット位置を合わせて連続して構成されている。図7では、説明の簡略化のために、各ブロックの1バイト分だけに注目している。
図7(a)は、ビットシフト部86に所定のタイミングで入力される光送信フレームを示している。ビットシフトは、連続する光送信フレームをビットシフト部86に入力し、光送信フレームの連続するブロックのビット位置毎に所定の時間ずつ遅らせるようにしてビットシフトを行い出力する。図7(a)の1ビット目の行は0ビット目の行に対して1ブロック分遅らせるように出力する。同様に、図7(a)の2ビット目の行は、1ビット目の行に対して1ブロック分遅らせるように出力する。
図7(b)は、ビットシフトを行った後の連続する光送信フレームを示している。図7(b)に示すように、8ビットで構成されるブロックの各ビットの値は、ビットシフトを行うことにより、規則的に複数の他のブロックに分散される。
図8は、露光データが伝送時に1ビットのエラーが発生した場合に、エラーを分散させることを説明する概念図である。
nBmB符号化を採用した場合、伝送されたデータはmBnB復号化を行うため、1ビットのエラーによって伝送前のデータとは全く異なるデータに変換されることになる。
図8(a)に示すように、伝送時に1ビットEだけエラーが発生したものと仮定する。
図8(b)では、伝送時に発生したエラービットが含まれるブロックのデータが、mBnB復号化を行って変換した後のビット列に影響を与えることを示している。すなわち、1ビットのエラーであっても、連続したバースト誤りとなってしまう。
図8(b)では、伝送時に発生したエラービットが含まれるブロックのデータが、mBnB復号化を行って変換した後のビット列に影響を与えることを示している。すなわち、1ビットのエラーであっても、連続したバースト誤りとなってしまう。
このような場合でも、送信側で行ったビットシフトと逆のビットシフトを行うことにより、誤りのない部分は正しいデータに復元され、図8(c)に示すように、バースト誤りの部分のデータは、ビットシフトをすることにより誤りが分散されることになる。従って、誤りが一つのブロックに集中することなく、複数のブロックに1ビットずつ分散されることになる。これにより、各ブロック毎に算出されたECC符号によって、誤り訂正をすることが可能になり、露光データを正確に伝送することが可能となる。
(固定遅延について)
次に、伝送遅延の固定遅延について説明する。
(固定遅延について)
次に、伝送遅延の固定遅延について説明する。
図4で説明した露光データの伝送において、伝送遅延時間に符号変換毎に発生する変動成分があると、計測遅れや演算遅れを予測して電子ビームを照射する位置を計算しても、露光データの伝送遅延のために、計算した位置に電子ビームを照射することができなくなってしまう。
これに対して、予め遅延時間を固定化しておけば、そのタイミングで伝送遅延も計算することができるので、電子ビームを所望の位置に照射することが可能となる。この遅延時間の固定化は、考えられる伝送遅延よりも遅い時間に固定することで、伝送遅延変動を吸収することができる。
図4に示した露光データの伝送経路のうち、特に、光送信部46のSERDES部82cから光受信部61のFIFO83cにかけて、露光データの遅延時間の変動が大きいことがわかった。従って、この区間の遅延時間より遅い時間で遅延させるようにして、伝送遅延時間を吸収し、露光データの伝送遅延を固定化する。
図9は伝送遅延時間の吸収について説明するタイミングチャートである。
図9(a)は、10MHzクロックを示している。図9(b)は、光受信部61での1MHzリファレンスクロックを示している。また、図9(c)は光送信部46での1MHzリファレンスクロックを示している。光受信部61及び光送信部46は、1MHzリファレンスクロックをステージ制御部70から受信するが、光送信部46はケーブル遅延があるため、光受信部61よりもタイミングが遅くなっている。
光送信部46では、図9(d)に示すように、1MHzタイミング信号の立ち上がりに同期して光送信フレーム中、フレーム番号“0”のデータを組み立て送信する。このデータは光受信部61のDMUX部83bに到達するまでに、遅延が発生する。そのため、光受信部61では、図9(e)に示すように、データを受信する時間がずれている。受信部61では、受信したフレーム番号“0”のデータからFIFO83cへの書込みを開始する。そして、図9(b)に示す1MHzクロックの立ち上がりに同期して、読み出しを開始する。このようにして、光送信部46のSERDES部82cと光受信部61のSERDES部83aの間を、常に、約1μsの一定遅延とすることができる。
なお、本実施形態のマルチコラム型電子ビーム露光装置では、ウエハステージ位置の測定を10MHzのサンプリング周期で行っている。従って、遅延時間を1μsで一定にすることによりウエハステージの位置を考慮して照射する電子ビームの露光データを補正することが可能となる。
また、本実施形態のマルチコラム型電子ビーム露光装置では、光送信部46a〜46dと光受信部61a〜61dの間及びステージ制御部70と統合デジタル制御部41の間で遅延時間が1μsと固定化され、4つのコラムすべてについて伝送遅延変動を吸収することが可能となる。
以上説明したように、本実施形態においては、露光データを、8B10B符号化処理をしてシリアルデータに変換して光通信により伝送している。これにより、伝送ケーブル数が減り、パラレルデータを伝送する場合とは異なり、伝送ケーブルの振動による電子ビームの変動を無くすことができる。
また、露光データを基に伝送時のエラー検出及び訂正を行わせるためのコード(例えばECC符号)を算出し、1ビットの伝送エラー訂正を行えるようにしている。さらに、エラー検出及び訂正のためのコード自体が正しく伝送されたか否かを検出する機構を備え、確実に正しい露光データが伝送されるようにしている。さらにまた、8B10B符号化を採用した場合であっても、フレームを構成するデータをビットシフトすることにより、露光データがバースト誤りになることを防止している。これにより、誤った露光データが伝送され、誤った露光処理が行われることを防止し、スループットの低下を防止している。
また、光通信による伝送において、光送信部及び光受信部に外部から共通の同期信号を与えている。この同期信号は、光伝送間に発生する遅延時間よりも遅い時間に固定している。これにより、伝送遅延時間に含まれる符号化毎に発生する伝送遅延変動時間を吸収し、電子ビームを照射する位置を正確に算出することが可能になる。
なお、本実施形態では、一定遅延時間を1μsとしたが、これに限定されるものではなく、例えば100nsとしてもよい。
Claims (12)
- 一枚のウエハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射される電子ビームを偏向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを有する複数のコラムセルと、
前記コラムセルで使用する露光データを算出する補正演算手段とを有するマルチコラム型電子ビーム露光装置であって、
前記補正演算手段は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段と露光データ送信手段とを有し、
前記露光データ送信手段は、前記露光データ制御手段で補正した露光データを符号化してシリアルデータに変換し、当該シリアルデータを光信号に変換して送信し、
前記露光データ受信手段は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化された露光データを復号化して、パラレルデータに変換することを特徴とするマルチコラム型電子ビーム露光装置。 - 前記露光データ送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データを、予め決められたビット数ごとにまとめてブロックとし、所定の数の該ブロックを多重化した露光データ用光送信フレームを形成することを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記露光データ送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データに対するエラー検出用符号を算出し、前記エラー検出用符号を、予め決められたビット数ごとにまとめてブロックとし、所定の数の該ブロックを多重化したエラー検出用光送信フレームを形成することを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記エラー検出用符号は、前記露光データを表すブロック毎に算出されることを特徴とする請求項3に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記露光データ送信手段は、前記エラー検出用符号に対するエラー検出のための符号を算出し、前記エラー検出用光送信フレームに付加することを特徴とする請求項3又は4に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記露光データ送信手段は、所定の数の前記ブロックをビット位置を合わせて連続させた前記露光データを、ビット毎に前記連続するブロックの方向にシフトさせることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記エラー検出用符号は、ECCコードであることを特徴とする請求項3に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記エラー検出のための符号はCRCコードであることを特徴とする請求項5に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 更に、ウエハステージを制御するステージ制御部を有し、
前記露光データ送信手段は、前記ステージ制御部から所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて露光データを送信することを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。 - 前記露光データ受信手段は、前記露光データ送信手段から所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて、受信した露光データを読み出すことを特徴とする請求項1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記所定の周期は、前記露光データ送信手段と前記露光データ受信手段の間で発生する露光データ信号の伝送遅延時間より長いことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
- 前記補正演算手段は、更に、前記各露光データ制御手段を統合する統合露光データ制御手段を有し、
前記統合露光データ制御手段は、前記所定の周期の信号を、前記ステージ制御部からパルストランスによって受信し、前記露光データ送信手段に伝送することを特徴とする請求項11に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005094302 | 2005-03-29 | ||
JP2005094302 | 2005-03-29 | ||
PCT/JP2006/306271 WO2006104139A1 (ja) | 2005-03-29 | 2006-03-28 | マルチコラム型電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006104139A1 true JPWO2006104139A1 (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=37053395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007510522A Pending JPWO2006104139A1 (ja) | 2005-03-29 | 2006-03-28 | マルチコラム型電子ビーム露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080049204A1 (ja) |
EP (1) | EP1865538A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2006104139A1 (ja) |
WO (1) | WO2006104139A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5368086B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-12-18 | 株式会社アドバンテスト | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 |
JP5020745B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2009088313A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法 |
JP5174531B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-04-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置における描画方法 |
GB2490857A (en) | 2010-11-05 | 2012-11-21 | Kratos Analytical Ltd | Timing device and method |
US9305747B2 (en) * | 2010-11-13 | 2016-04-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
JP2013041980A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置及び物品の製造方法 |
JP5809483B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-11-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ショットデータの作成方法、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
EP2750165B1 (en) * | 2011-10-03 | 2016-07-13 | Param Corporation | Electron beam lithographic method |
JP5963139B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2016-08-03 | 株式会社Param | 電子ビーム描画方法および描画装置 |
DE102015002702B4 (de) * | 2015-03-03 | 2023-02-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
US11054748B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dummy insertion for improving throughput of electron beam lithography |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2000063452A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁性ダイアタッチペースト |
JP2000173522A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置 |
JP2001126972A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置および電子ビームを用いた描画方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3575588A (en) * | 1968-09-09 | 1971-04-20 | Ibm | Electron beam circuit pattern generator for tracing microcircuit wire patterns on photoresist overlaid substrates |
JPS52151568A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Jeol Ltd | Electron beam exposure apparatus |
US4837447A (en) | 1986-05-06 | 1989-06-06 | Research Triangle Institute, Inc. | Rasterization system for converting polygonal pattern data into a bit-map |
JP3241759B2 (ja) | 1991-09-20 | 2001-12-25 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子露光装置 |
US6498349B1 (en) | 1997-02-05 | 2002-12-24 | Ut-Battelle | Electrostatically focused addressable field emission array chips (AFEA's) for high-speed massively parallel maskless digital E-beam direct write lithography and scanning electron microscopy |
JP3982913B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2007-09-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2001073522A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Misawa Homes Co Ltd | 太陽電池パネルおよび太陽電池付屋根 |
US20020145113A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | Applied Materials, Inc. | Optical signal transmission for electron beam imaging apparatus |
JP3857099B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-12-13 | 株式会社アドバンテスト | データ伝送装置、光電変換回路、及び試験装置 |
EP2302458B1 (en) * | 2002-10-25 | 2016-09-14 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system |
JP4202778B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-12-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 受信回路および送信回路 |
DE10319154B4 (de) * | 2003-04-29 | 2012-12-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Maskenloses Lithographiesystem |
-
2006
- 2006-03-28 WO PCT/JP2006/306271 patent/WO2006104139A1/ja active Application Filing
- 2006-03-28 EP EP06730219A patent/EP1865538A4/en not_active Withdrawn
- 2006-03-28 JP JP2007510522A patent/JPWO2006104139A1/ja active Pending
-
2007
- 2007-08-30 US US11/897,501 patent/US20080049204A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2000063452A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁性ダイアタッチペースト |
JP2000173522A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置 |
JP2001126972A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置および電子ビームを用いた描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1865538A1 (en) | 2007-12-12 |
US20080049204A1 (en) | 2008-02-28 |
WO2006104139A1 (ja) | 2006-10-05 |
EP1865538A4 (en) | 2012-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2006104139A1 (ja) | マルチコラム型電子ビーム露光装置 | |
JP5037850B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
EP2638561B1 (en) | Data path for lithography apparatus | |
TWI564670B (zh) | 用於微影設備之資料途徑 | |
US20140070112A1 (en) | Charged-particle beam exposure apparatus and method of manufacturing article | |
US20140021655A1 (en) | Drawing apparatus, transmission apparatus, receiving apparatus, and method of manufacturing article | |
NL2019153B1 (en) | Device and method for generating a decoded and synchronized output | |
EP2284864A1 (en) | Electron beam lithography system and method for electron beam lithography | |
US8290743B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and method for diagnosing DAC amplifier unit in charged particle beam writing apparatus | |
US8223045B2 (en) | D/A converter and electron beam exposure apparatus | |
KR20080059586A (ko) | 빔 노광 보정 시스템 및 방법 | |
JP4405867B2 (ja) | 電子線露光装置、および、デバイス製造方法 | |
JP2000021731A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
US7045800B2 (en) | Electron beam drawing apparatus | |
US10567692B2 (en) | Image capturing apparatus, imaging capturing system, signal processing apparatus, and signal processing method | |
JP4590083B2 (ja) | 光空間伝送装置 | |
JP2010073923A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
WO2023089923A1 (ja) | ブランキングアパーチャアレイシステム及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US8352836B2 (en) | Error addition apparatus | |
JP5432637B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2970640B2 (ja) | ディジタル・アナログ変換装置およびそれを用いた荷電粒子ビーム装置 | |
JP2010066033A (ja) | 光量検出装置および撮像装置 | |
JP2004186513A (ja) | 露光装置及びパターンエラー検出方法 | |
JPS5957590A (ja) | 遅延時間可変遅延装置 | |
JP2007110258A (ja) | 誤り検査装置およびそれを用いた再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |