DE2718267C2 - Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen

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Horst 6454 Bruchköbel Markhof
Bernhard 6450 Hanau Rosenstock
Maximilian Prof. Dr. 6457 Maintal Wutz
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen mit zungenförmigen Konlaktierungs-Stegen, die dünnere innere Enden und dickere äußere Teile aufweisen, für Halbleiteranordnungen, insbesondere integrierte Schaltungen, wobei eine Viebihl solcher Leiterrahmen aus einem Metallband dadurch hergestellt wird, daß bei jedem Leiterrahmen die dickeren äußeren Teile der Kontaktierungsstege durch Schneidewerkzeuge hergestellt werden, und daß zur Herstellung der dünneren inneren Enden in einem zentralen Flächenbereich eine Materialabtragung vorgenommen wird und die inneren Enden aus diesem Flächenbereich verminderter Materialstärke herausgearbeitet werden.
Aus der DE-AS 20 03 423 ist bekannt, zur Herstellung von Leiterrahmen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 die Materialabtragung in dem zentralen Flächenbereich sowie beim Strukturieren der inneren Enden der Kontaktierungsstege unter Zuhilfenahme von entsprechenden Masken mittels naßchemischer Ätzung vorzunehmen.
Bei naßchemischen Ätzverfahren geht jedoch der aufgelöste Werkstoff - sofern die Lösung verworfen wird — verloren oder ist z. B. wegen des Chemikalienverbrauchs nur mit großen Kosten zurückzugewinnen.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen zu schaffen, mit dem es möglich ist, aus einem Metallband auf mechanischem oder elektrischem Wege Leiterrahmen mit dünnen, zungenförmigen Kontaktierungsstegen hoher Maßhaltigkeit herzustellen.
Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß zunächst der Bereich verminderter Materialstärke derart ausgebildet wird, daß er siner Reihe von Schneidewerkzeugen als Zentrierfläche dient, daß die einzelnen Schneidewerkzeuge in aufeinanderfolgenden Herstellungsschritten jeweils paarweise und symmetrisch zur Zentrierfläche angesetzt werden und daß beim letzten Schneidevorgang das Material im zentralen Ftächenbereich zwischen den inneren Enden der Kontaktierungsstege entfernt wird.
Aus der US-PS 35 53 828 ist zwar ein Kontaktierungsverfahren für Halbleiteranordnungen bekannt, bei welchem die inneren Enden der dort verwendeten Kontaktierungsstege durch Ausstanzen aus einem zentralen Flächenbereich verminderter Materialstärke hergestellt werden, jedoch werden bei diesem Verfahren die inneren Enden aller Kontaktierungsstege sowie das Material zwischen dem inneren Ende offenbar in einem Schritt herausgestanzt. Dabei besteht — insbesondere bei einer Vielzahl von Kontaktierungsstegen — die Gefahr, daß diese nicht gleichmäßig herausgeschnitten werden und, da das Material sehr dünn ist, verbiegen oder anderswie beschädigt werden.
Derartige Beschädigungen werden bei dem Verfahren nach der Erfindung vermieden, da die Kontaktierungsstege nur jeweils paarweise und im letzten Verfahrensschritt der Bereich zwischen den inneren Enden der Streifen ausgeschnitten werden.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist Anspruch 2 zu entnehmen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen schematisch dargestellt Es zeigt
Fig. 1 einen Abschnitt des Metallbandes, bei welchem der zentrale Flächenbereich kreisförmig abgetragen ist und die dickeren äußeren Teile der Kontaktierungsstege bereits ausgeschnitten sind;
F i g. 2 einen Abschnitt des Metallbandcs, bei welchem auch die mittleren Kontaktierungsstege des Leiterrahmens ausgeschnitten sind,
Fig.3 einen Abschnitt des Metallbandes mit fertig ausgeschnittenen Kontaktierungsstegen;
F i g. 4 und 5 zeigen die symmetrische Schnittfolge bei der Herstellung des Leiterrahmens.
Das Metallband 1 zur Herstellung der Leiterrahmen hat — wie in Fig. 1 dargestellt — bevorzugt einen stufenförmigen Ausgangsquerschnitt und ist im Bereich 2 der späteren inneren und mittleren Teile der Kontaktierungsstege 7 dünner als im Bereich der äußeren Teile der Kontaktierungsstege 8, welche die Außenanschlüsse der fertigen Halbleiteranordnung bilden. Die Außenanschlüsse ragen nach dem Einkapseln z. B. in Kunststoff aus der Halbleiteranordnung heraus.
Der Bereich, aus dem die Kontaktierungsstege hergestellt werden, ist nur etwa bis zu 100 Mikrometer dick, vorzugsweise zwischen 20 und 50 Mikrometer. Das für das Metallband verwendete Material ist z. B. eine Eisen-Nickel-Cobalt-Legierung (Kovar), eine Eisen-Nickel-Legierung, eine Kupfer-Eisen-Legierung (Alloy 194), Messing, Tombak oder eine andere Legierung, wie sie für Leiterrahmen verwendet wird.
Das Metallband kann statt eines durchgehenden, in der Dicke verminderten mittleren Bereichs 2 auch eine Reihe voneinander abgesetzte Bereiche verminderter Dicke aufweisen.
Bei dem Verfahren zur Herstellung der Leiterrahmen werden zunächst die äußeren Teile 8 der Kontaktie-
rungsstege, welche die Außenanschlüsse der fertigen Halbleiteranordnung bilden, aus den dickeren Bereichen 3 und 4 des Metallbandes ausgeschnitten.
Danach wird in dem Bereich, an dem später der Halbleiter-Chip montiert wird, eine Materialabtragung z. B. durch Fräsen, Prägen — also mechanisch — oder elektrisch z. B. durch Erodieren vorgenommen.
Die abgetragene Fläche 5 kann z. B. kreisförmig sein. Sie ist wenigstens so groß, daß daraus die dünnen, inneren Enden der späteren Kontaktierungsstege hergestellt werden können. Eine kreisförmige Fläche erhält man z. B. durch Fräsen mit einem Stirnfräser oder durch Abtragen mit einer stabförmigen runden Elektrode. Durch Prägen oder Erodieren lassen sich aber auch auf einfache Weise beliebige andere Flächenformen erzielen.
Die durch die Abtragung entstandene Ausnehmung 5 bietet als Zentrierfläche in aufeinanderfolgenden Herstellungsschritten einer Reihe von Schneidewerkzeugen, in F i g. 4 und 5 jeweils mit 6 bezeichnet, halt.
Da die Schneidewerkzeuge jeweils paarweise, symmetrisch zur Zentrierfläche angreifen, wird beim Schneidevorgang eine hohe Stabilität gewährleistet, so daß die einzelnen Kontaktierungsstege einwandfrei und genau herausgearbeitet werden.
Im letzten Schneidevorgang wird das Material im Flächenbereich zwischen den inneren Enden der Kontaktierungsstege entfernt
Statt »Schneiden« kann auch »Stanzen« im Sinne der Erfindung gesehen werden.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Materialauswahl für die Leiterrahmen nicht infolge zur Verfügung stehender chemischer Ätzmittel beschränkt ist. Allgemein läßt die Erfindung speziell bei großen Serien eine kostengünstige Fertigung zu.
Weitere Vorteile der Erfindung sind die Umweltfreundlichkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens und die einfache, materia!- und somit kostensparende Arbeitsweise.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfanren zum Herstellen von Leiterrahmen mit zungenförmigen Kontaktierungsstegen, die dünnere innere Enden und dickere äußere Teile aufweisen, für Halbleiteranordnungen, insbesondere integrierte Schaltungen, wobei eine Vielzahl solcher Leiterrahmen aus einem Metallband dadurch hergestellt wird, daß bei jedem Leiterrahmen die dickeren äußeren Teile der Kontaktierungsstege durch Schneidewerkzeuge hergestellt werden und daß zur Herstellung der dünneren inneren Enden in einem zentralen Flächenbereich eine Materialabtragung vorgenommen wird und die inneren Enden aus diesem Flächenbereich verminderter Materialstärke :5 herausgearbeitet werden, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst der Bereich (5) verminderter Materialstärke derart ausgebildet wird, daß er einer Reihe von Schneidewerkzeugen als Zentrierfläche dient, daß die einzelnen Schneidewertezeuge (6) in aufeinanderfolgenden Herstellungsschritten jeweils paarweise und symmetrisch zur Zentrieriläche angesetzt werden und daß beim letzten Schneidevorgang das Material im zentralen Flächenbereich zwischen den inneren Enden der Kontaktierungsstege (7) entfernt wird.
2. Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallband (1), aus dem der Leiterrahmen gefertigt wird, einen stufenförmigen Ausgangsquerschnitt aufweist, wobei der Bereich (2), in dem die Materialaf·Tagung vorgenommen wird, dünner ist als der Bereich für Außenanschlüsse (8) vorgesehene Bereich (S, 4).
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DE19772718267 1977-04-25 1977-04-25 Verfahren zum Herstellen von Leiterrahmen Expired DE2718267C2 (de)

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DE2718267A1 DE2718267A1 (de) 1978-11-02
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19633712C1 (de) * 1996-08-21 1998-04-16 Siemens Components Vorrichtung zum Aufbringen eines Klebebands auf ein Leadframe

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2493602A1 (fr) * 1980-10-31 1982-05-07 Thomson Csf Embase de boitier d'encapsulation de composants, a electrodes coplanaires et dispositif semiconducteur ainsi encapsule
JPS58108761A (ja) * 1981-12-23 1983-06-28 Toshiba Corp 電子部品
CA2443782A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Dusan Milojevic Process for manufacturing electrically conductive components

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3553828A (en) * 1967-11-22 1971-01-12 Rca Corp Lead assembly structure for semiconductor devices
DE2003423C3 (de) * 1970-01-27 1975-11-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19633712C1 (de) * 1996-08-21 1998-04-16 Siemens Components Vorrichtung zum Aufbringen eines Klebebands auf ein Leadframe

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