DE2648373C2 - Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in Abgasen - Google Patents
Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in AbgasenInfo
- Publication number
- DE2648373C2 DE2648373C2 DE2648373A DE2648373A DE2648373C2 DE 2648373 C2 DE2648373 C2 DE 2648373C2 DE 2648373 A DE2648373 A DE 2648373A DE 2648373 A DE2648373 A DE 2648373A DE 2648373 C2 DE2648373 C2 DE 2648373C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductivity
- oxygen
- semiconductors
- oxide
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 claims description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 claims 1
- 239000003546 flue gas Substances 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- KQPMFNHZHBLVRR-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;hydrochloride Chemical compound Cl.OC(=O)C(O)=O KQPMFNHZHBLVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/20—Oxygen containing
- Y10T436/207497—Molecular oxygen
- Y10T436/208339—Fuel/air mixture or exhaust gas analysis
Description
Gattung des Hauptanspruchs. Voraussetzung für die den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs
Verwendung der Halbleiter in solchen Sensoren ist eine 35 haben demgegenüber den Vorteil einer sehr viel stärkerelativ
geringe Temperaturabhängigkeit der Leitfähig^ reis Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit vom
keit sowie eine auf die Konzentrationsänderungen der Sauerstoff- oder Kohlenmonoxidpartialdruck, so daß
genannten Gase irn Abgas stark ansprechende Leitfä- die Signale derartiger Sensoren in einer Warn- oder
higkeitsänderung {ad). Das Abgas enthält als schädliche Regelanlage weiterverarbeite; werter können. Dies ist
Komponente im fetten Bereich hauptsächlich Kohlen- 40 in Kurve 3 der Fig. 1 am Beispiel eines erfindungsgemonoxid
(0,2 bis 8% CO), im mageren Ber·?!'·»· über- mäßen Halbleiters aus Zinndioxid mit 5 Mol-% MgO
wiegt Sauerstoff (0,5 bis 3% O2), wobei der NOrGehah dargestellt Bei einer Änderung des Sauerstoffpartialzwischen
1,01 < λ < 1,2 maximal 0,4% erreichen kann. drucks von etwa 1 /2 Größenordnung in Gegenwart von
Da bei dem Übergang zum fetten Bereich die Analyse 1 bis 10% Kohlenmonoxid ändert sich die Leitfähigkeit
von CO als Voraussetzung für ein Warnsignal von vor- 45 um 2 Größenordnungen. Dies drückt sich auch aus in
rangiger Bedeutung ist, beim Übergang in den mageren dem Verhältnis d log σ I d log Po2 — — 3,5.
Bereich aber die Ermittlung der O2-Konzentration, ζ. Β. Diese Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit
Bereich aber die Ermittlung der O2-Konzentration, ζ. Β. Diese Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit
für die Regelung einer Hausbrandfeuerungsanlage oder vom Sauerstoffpartialdruck läßt sich nicht mehr durch
eines möglichst mager betriebenen Verbrennungsmo- die Halbleitertheorie allein, aus welcher die Gleichung
lors, steht die Ansprechbarkeit der Sensoren auf CO 50 (I) folgt, erklären. Hier tritt vielmehr eine Verstärkung
und O2 im Vordergrund. des Signals aufgrund der Konzentrationsänderungen
Die auf dem Gleichgewicht zwischen gasförmigem der Gase Sauerstoff und eines oxidierbaren Gases, z. B.
und im Halbleiteroxidgitter eingebautem Sauerstoff be- Kohlenmonoxid, auf. Diese Verstärkung wird mit Hilfe
ruhende Leitfähigkeitsänderung ^ wird nach der Halb- einer gezielt schwachen Katalyse an der Halbleiterleitertheorie
durch die Gleichung 55 oberfläche erreicht, so daß das entsprechende Reaktionsgleichgewicht,
z. B. nach der Gleichung
Δα~ροι±\Ιη (1)
Δα~ροι±\Ιη (1)
CO+1/2O2=^=CO2 (2)
mit n>4 beschrieben. Bei auf Adsorption beruhender
(einfach negativ geladene Sauerstoffionen); für CO gilt bei unterschiedlich starker Ad- oder Chemisorption der
n>2. Dies geht aus den Kurven 1 und 2 der Fig. 1 verschiedenen Gase (konkurrierende Adsorption) oder
hervor, in welcher die gemessene Leitfähigkeit (σ) gegen durch verschieden schnelle Dissoziationsschritte der
den Sauerstoffpartialdruck (Po2) in Gegenwart von 1 bis Adsorptive an der Festkörperoberfläche oder durch un-
10% Kohlenmonoxid doppelt logarithmisch aufgetra- 65 terschiedliche Reaktionsmechanismen oder durch eine
gen ist. Kurve 1 stellt die Verhältnisse bei einem Halb- verringerte Reaktionsgeschwindigkeit, z. B. die der Re-
leiter aus MgO mit 15 Mol-% FeO bei 9000C dar, Kurve aktion 2, auf der Halbleiteroberfläche. Dabei lassen sich
2 dagegen bei einem Halbleiter aus MgO mit 10 Mol-% folgende drei Fälle mit unterschiedlicher
teristik aufgrund verschiedenartiger katalytischer Aktivität des Halbleiters ableiten:
Bei katalytisch inaktiven Halbleitern ändert sich a
allein aufgrund der adsorbierten CO- oder
O2-Menge. Eine formale Beschreibung mit Hilfe
von σ ~ p±m führt zu kleinen m-Werten (m<
1/2) und entsprechend flachen Kurven im σ-λ-Ό\&-
gramm(Fig.2).
Bei katalytisch aktiven Halbleitern ist die Reaktionsgeschwindigkeit
CO+O2 größer als die Adsorptionsgeschwindigkeit
der Reaktanden. Daher herrscht an der Oberfläche angenähert Reaktionsgleichgewicht Charakteristisch dafür sind große
8— 11 kp, elektronische Einspritzung, /i-Sonde). Die stöchiometrischen
Punkte beider Versuchsklassen (A=X bzw. 2 χ VcL-VoO2 = VoL-% CO) liegen au! der Abszisse
an der gleichen Stelle, während die Skaleneinhciten
der beiden Abszissen verschieden groß sind. Der Wechsel fett—mager bzw. mager—fett während des
Motortests wurde innerhalb von 6 Stunden dreimal durchgeführt Die Kurven des Labortests enthalten jeweils
12 bis 15 Meßpunkte pro Kurvenzug, wobei jeder Meßpunkt 5 Minuten nach Hinstellung des Gasgemisches
aufgenommen wurde.
Fig.2 zeigt die Ergebnisse des Motorversuchs mit
einem Halbleiter (SnO2 dotiert mit 5 Mol-% Sb2O5),
dessen Leitfähigkeit auf den CO-Oberschuß (A < X) und
ßenordnungen in der Nähe->ί»1. Demzufolge resultiert
ein deutlicher Sprung von α beim Wechsel von fp.tter zu magerer Atmesphäre und umgekehrt;
außerhalb von Λ»ί findet nur eine ganz geringfügige
Leitfähigkeitsänderung statt (Fig.4, Kurven
N2-O2-CO).
Bei katalytisch wenig aktiven Halbleitern ist die Reaktionsgeschwindigkeit kleiner als die Adsorptionsgeschwindigkeit,
so daß keine Gleichgewichts-
etwa so, wie ein oxydischer Halbleiter auf den Sauerstoffparu'aldruck
entsprechend den Kurven I und 2 der Fig. I, d. h. gemäß Gleichung (I) reagieren würde. Labortests
erübrigten sich in diesem Falle.
Fig.3 (ZiiO dotiert mit 2 Mol-% Al2O3) zeigt im
Motorabgas eine etwa lineare Abhängigkeit, die sich im
Labortest für das N2-O2-CO-Gemisch wiederholt,
während für O2 oder CO allein keine derartigen Leitfähigkeitsänderungen
erreicht werden. Hier wird effen-
einstellung der CO-Oxydation erfolgen kana Des- 25 sichtlich durch die sehr schlecht katalysierte Reaktion
halb hängt hier die Oberflächenkonzentration des (2) für eijsn linearen Anstieg der Leitfähigkeit mit der
Sauerstoffs nicht nur von seinem eigenen Partial- CO-Konzentration gesorgt, während bei reinem
druck ab, sondern auch von der relativ langsamen N2-CO die Oberfläche schon bei geringer CO-Kon-Reaktion
mit CO und somit vom CO-Partialdruck. zentration vollständig mit CO belegt wird, so daß die bei
Im Gegensatz zum Gleichgewichtsfall erhält man 30 weiter steigender CO-Konzentration auf die Oberfläche
hier wegen des stationären Nichtgieichgewichts des Halbleiters auf treffenden CO-Moleküle bzw.
auch außerhalb des Stöchiometriebereiches Zu- 02-Moleküle in N2-O2, die Leitfähigkeit praktisch
sammenhänge zwischen σ und CO-Konzentration, nicht mehr beeinflussen können. Dieses System zeigt
die durch eine wesentlich stärkere Partiddruckab- über den ganzen Bereich von fett bis mager eine prakhängigkeit
von α gekennzeichnet sind als im Fall 35 tisch lineare Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigdes
Adsorptionsgleichgewichts (σ ~ p±m mit keit von der Gaszusammensetzung. Es könnte daher
i/2< m<4; siehe F i g. 3 Kurven N2-O2—CO). sowohl einen guten CO- ais auch einen guten 02-Sensor
darstellen; jedoch besteht im fetten Bereich die Gefahr,
Somit hängt die obengenannte Verstärkung des Meß- daß das Zinkoxid durch CO allmählich reduziert wild, so
signals von der chemischen Präparation der als Senso- 40 daß sich hier eine Verwendung als Sensor nicht empren
eingesetzten Halbleiter in Richtung auf eine schwa- fiehlt- Im mageren Bereich, wo nur noch untergeordnete
ehe katalytische Wirkung ab, um einen ganz bestimmten Mengen an Kohlenmonoxid vorhanden sind, ist dieies
Reaktionsablauf mit reduzierter Geschwindigkeit zu er- System jedoch sehr wohl als CO-Sensor verwendbar,
zwingen. Die der Erfindung zugrunde liegende Kombi- F i g. 4 gibt die Kennlinie eines katalytisch sahr akti-
zwingen. Die der Erfindung zugrunde liegende Kombi- F i g. 4 gibt die Kennlinie eines katalytisch sahr akti-
nation von Halbleitung und schlechter Katalysatorwir- 45 ven Halbleiters (Cr2O3 dotiert mit 2 MoI-% SnO2) wiekung
muß durch eine bestimmte chemische Zusammen- der, der zwar bei A=X einen großen Leitfähigkeitssetzung des Halbleiters erreicht werden. Inwieweit hier- sprung aufweist, daher als Regelsonde für eine stöchiobei
auch eine teilweise Reduktion des Metallkations des metrische Verbrennung geeignet ist, aber gegenüber
Halbleiteroxids stattfindet kann noch nicht gesagt wer- CO zu unempfindlich ist und in Gegenwart von Sauerden.
Letzte kann aber den Meßsffekt nur verstärken, da 50 stoff zu stark katalysiert
dadurch die Unterschiede in der Ladungsträgerkonzen- Die Beispiele in F i g. 3 bis 4 zeigten nur teilweise das
tration erhöht werden. Verhalten der erfindungsgemäßen Halbleiter, sie sollten
Wie sich die Kombination der beiden Eigenschaften jedoch dazu dienen, das Prinzip zu erlüiiiern, nach dein
Halblcitung und Katalyse bei oxydischen Halbleitern die erfi ,dingsgemäßen Halbleiter arbeiten. Die folgenauswirkt
zeigen die F i g. 2 bis 7, deren Ordinaten stets 55 den Beispiele zeigen nun die Wirkungsweise der erfinein
Maß für die Leitfähigkeit σ (mA oder kß) bei einer dungsgemäßen Halb.titer.
angelegten Gleichspannung von 12 Volt darstellen, während die Abszissen die Abgaszusammensetzung
wiedergeben. Die.Angaben in den Fig.2—7 an den
rechten und unteren Achsen beziehen sich auf Messungen im Laborbetrieb mit synthetischem »Abgas« (Gemische
aus N2-C2 oder N2-CO oder N2-O2-CO)
und gelten für die diese Achsen tangierenden Kurven. Die linken und oberen Achsen in den Fig.2—7 geben
F i g. 5 (SnO2 dotiert mit 0,2 Mol-% MgO) zeigt die
Ergebnisse eines in seinem Leitfähigkeitsverhalten auf CO schwach und auf geringe Gehalte von O2 stark ansprechenden
Halbleiters. Auch hier ist die katalytische Oxydation von CO bis etwa 8 Mol-% CO schwach und
mit den sie berührenden Kurven die Experimente im 65 liefert relativ große S'^nale der Leitfähigkeitsänderung.
realen Abgas eines Verbrennungsmotors wieder, der Ab etwa 8 Mol-% CO setzt eine stärkere Katalyse ein.
mit bleifreiem Superbenzin sowohl fett als auch mager Da die Leitfähigkeit von O2 nur zwischen O und
gefahren wurde (Drehzahl 3060 U/min, Drehmoment 3 Mol-% stark beeinflußt wird, sonst aber sehr wenig
von O: und CO abhängt, kann dieses System sowohl als
Sensor für geringe Sauerstoffgehalte, also für den fetten Bereich, als auch als CO-Sensor in Gegenwart von Sauerstoff
eingesetzt werden.
F i g. 6 zeigt im Laborversuch bei steigender Dotie- s
rung mit MgO (SnO2 +5 Mol-% MgO) eine weitere Verschlechterung der Katalyse der Reaktion (2) und
deshalb eine sehr gut verwendbare Charakteristik; hier wird die gewünschte Empfindlichkeit sogar in einem
Konzentrationsbereich von Sauerstoff und Kohlenmonoxid erreicht, wie er einem Betrieb eines Verbrennungsmotors
im mageren Abgas (1,0 < A < 13) entspricht
Noch ausgeprägter ist dieses für CO- bzw. Oj-Anzeigen
günstige Verhalten beim System SnO; dotiert mit Mol-% Nb]Os, dessen Ergebnisse in F i g. 7 dargestellt
sind. Hier besteht die Möglichkeit, Sauerstoff im fetten Bereich, also in Gegenwart von viel CO des Abgases, als
auch CO im mageren Bereich, also in Gegenwart von viel O2, zu bestimmen. Die resultierenden Werte der
Leitfähigkeitsänderungen sind für eine Weiterverarbeitung
als Warn- oder Meßsignal groß genug. Das Verhalten im realen Abgas des Benzinmotors zeigte in ersten
Versuchen eine gute bis sehr gute Dauerbeständigkeit über 6 Stunden zwischen 400 und 600°C
Die Halbleiter, deren Ergebnisse z.T. in den F i g. 4 bis dargestellt sind, wurden wie folgt hergestellt:
1. SnO2 · 0,002 MgO
23,7 Zinngranalien wurden mit 0,1 g Magnesiumnitrat Mg(NO3) · 6 H2O in 100 ml konz. HNO3 gelöst
und unter Erwärmen und Rühren bis zur Trockene eingedampft Anschließend wurde 20 Stunden bei
5000C getempert Aus dem Pulver wurden Tabletten unter einem Druck von 3 · IO3 bar gepreßt
(Durchmesser 6 mm, 1 mm dick) und bei 65O0C zwei Stunden gesintert
2. SnO2 · 0,05 Nb2O5
In einem 1-1-Dreihalskolben mit Rührer, Tropftrichter
und Rückflußkühler wurden 45 g Oxalsäure in ca. 400 ml 5%iger Salzsäure gelöst Unter
Rühren läßt man 24,7 g SnCU zutropfen. Zu dieser Lösung gibt man eine Lösung von 2,7 g NbCIs in 5 g
salzsaurer Oxalsäurelösung. Das Gemisch wird auf dem Sandbad in einer Porzellanschale zur Trocke- 45
ne eingedampft, bei 1500C getrocknet und dann
8 Stunden bei 500"C und 72 Stunden bei 8500C getempert.
Aus dem Pulver wurden — wie unter 1. beschrieben — Tabletten gepreßt, die 2 Stunden
bei 850° C gesintert wurden.
Zur Kontaktierung werden die Tabletten zwischen zwei Goldkontakte gedrückt, wobei sich das Ganze
in einer Halterung befindet, die sich — ähnlich wie die bekannten Meßfühler auf der Basis von ionenleitenden
Festelektrolyten wie stabilisiertes Zirkondioxid — in das Auspuffrohr eines Verbrennungsmotors
oder in die Versuchsanordnung mit dem synthetischen »Abgas« einschrauben läßt
Zwischen den Kontakten wird eine Gleichspannung von 12 Volt angelegt und der elektrische Wi- ω
derstand als Maß für die elektrische Leitfähigkeit des Halbleiters gemessen.
3. SnO2 · 0,01 Y2O3
0.730Ö g Y(NO3) - 5 H2O wird in ca. 1 i Wasser gelöst
und mit 25,8 g SnCU. das unter Kühlung in ca. 100 ml Äthanol gelöst wurde, versetzt. Die Fällung
der I lydroxide erfolgt bei 70 ... 80"C durch tropfenweise
Zugabe von I5%iger Ammoniaklösung bis pH 7,5. Nach der Fällung wird noch 1 Stunde bei
700C gerührt. Nach dem Erkalten wird vom Niederschlag dekantiert, mit Wasser aufgeschlämmt
und zentrifugiert Der Niederschlag wird bei 1500C
8 Stunden lang getrocknet und dann bei 8500C 8 Stunden lang gesintert Die Aufheizzeit auf 850° C
beträgt ca. 2 Stunden. Das Sintergut wird anschließend unter Toluolzusatz 6 Stunden in der Kugelmühle
gemahlen, getrocknet und zu Tabletten gepreßt (103... 104 bar),die bei 1000°C49 Stunden an
Luft gesintert werden. Die Kontaktierung erfolgt durch Aufstreichen von 2 Goldkontakten mit Hilfe
des Gold-Reaktionsklebers 8294 der Fa. Dupont.
SnO2 · 0,01 Y2O3
Herstellung des Pulvers wie bei Beispiel I. Das unter Toluol gemahlene Pulver wird mit in der Dickschichttechnik
üblichen Verdünnern auf Trägerplättchen, die bereits mit elektrischen Kontakten versehen sind, aufgestrichen und an Luft 6 Stunden
bei 11600C gesintert
SnO2 0,04ThO2
2,2805 g Th(NO3)* · 5 H2O werden in ca. 1 I Wasser
gelöst und mit 25,0 g SnCU, das unter Kühlung in ca.
100 nl Äthanol gelöst wurde, versetzt. Die Fällung der Hydroxide erfolgt bei 70 ... 8O0C durch tropfenweise
Zugabe von 15%iger Ammoniaklösung bei pH 7 bis 74. Nach der Fällung wird noch 1 Stunde
bei 70"C gerührt Nach de^i Erkalten wird vom
Niederschlag dekantiert, mit Wasser aufgeschlämmt und zentrifugiert Der Niederschlag wird
bei 1500C 8 Stunden lang getrocknet und dann bei
8500C 8 Stunden lang gesintert Die Aufheizzeit
auf 850" C betragt ca. 2 Stunden. Das Sintergut wird
anschließend unter Toluolzusatz 6 Stunden in der Kugelmühle gemahlen, getrocknet und zu Tabletten
gepreßt (IO3 ... 10« bar), die bei 1100°C
10 Stunden an Luft gesintert werden. Die Kontaktierung erfolgt durch Aufstreichen von 2 Goldkontakten
mit Hilfe des Gold-Reaktionsklebers 8294 der Fa. Dupont
SnO2 · 0,04 ThO2
Herstellung des Pulvers wie bei Beispiel 1. Das unter
Toluol gemahlene Pulver wird mit in der Dickschichttechnik üblichen Verdünnern auf Trägerplättchen,
die bereits mit elektrischen Kontakten versehen sind, aufgestrichen und an Luft 6 Stu. len
bei 1160° C gesintert
Zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit der aktiven Schicht werden der Paste vor dem Mahlen 0,1
bis 10% CuO, vorzugsweise 2% (bezogen auf die Menge Mischoxid), zugesetzt
Die Beispiele 1 bis 6 stellen Sensoren dar, die besonders für die Ermittlung von CO in einer Atmosphäre mit Sauerstoffaberschuß oder für die Ermittlung von Sauerstoff in einer solchen mit CO-Überschuß geeignet sind. Dazu zählt Zinndioxid, das mit 0,1 bis 20 Mol-% MgO, Y2O3, Al2O3. ThO2, Nb2Os und/oder Ta2Os einzeln oder im Gemisch dotiert ist
Die Beispiele 1 bis 6 stellen Sensoren dar, die besonders für die Ermittlung von CO in einer Atmosphäre mit Sauerstoffaberschuß oder für die Ermittlung von Sauerstoff in einer solchen mit CO-Überschuß geeignet sind. Dazu zählt Zinndioxid, das mit 0,1 bis 20 Mol-% MgO, Y2O3, Al2O3. ThO2, Nb2Os und/oder Ta2Os einzeln oder im Gemisch dotiert ist
Claims (3)
1. Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des dlogir/</logpo2 = —1/5,75 = —0,17,
Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxidierbaren Be- 5
Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxidierbaren Be- 5
standteilen wie Kohlenmonoxid oder Stickoxide in während dieses Verhältnis im Falle der Kurve 2 bei
Abgasen mittels einer Änderung der elektrischen +1/3^5 = 0,29 liegt Beidiesen reinen Halbleiteroxiden
Leitfähigkeit, -dadurch gekennzeichnet, resultiert also bei einer Änderung des Sauerstoffpartial-
daO der Halbleiter aus einem dotierten Metalloxid drucks von etwa 1/2 Größenordnung nur eine Ände-
besteht dessen katalytisefae Aktivität für die Steue- io rung der Leitfähigkeit von etwa 1/3 Größenordnung,
rung der Reaktion zwischen Sauerstoff und oxidier- Diese relativ geringe Änderung der elektrischen Leätfä-
baren Bestandteilen gezielt vermindert ist, so daß higkeit ist für Warnsignale innerhalb der praktisch in
die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit als Abgasen auftretenden Konzentrationsschwankungen
Funktion der im Unterschuß vorhandenen Kompo- im allgemeinen zu klein und nur unter größerem elektri-
nente mindestens etwa eine Größenordnung be- 15 schein Meßaufwand verwendbar, wenn eine geringe
trägt, wenn sich der Partialdruck der im Oberschuß Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit
vorhandenen Komponente um etwa eine halbe Grö- besteht, oder diese Temperaturabhängigkeit durch ei-
ßenordnung ändert. nen zweiten, gleichen, aber abgedeckten Sensor elek-
2. Halbleiter nach Anspruch 1, dadurch gekenn- trisch kompensiert wird. Für eine Regelung reichen diezeichnet,
i<aJ er aus Zinndioxid besteht, das als Do- 20 se Leitfähigkeitsunterschiede nicht aus.
üermitiei Magnesiumoxid, Aluminiumoxid, Yttrium- In den Druckschriften IiS-FS 38 79 985, DE-PS
oxid, Thoriumoxid, ein Nioboxid oder/und ein Tan- 21 42 796 und DE-AS 20 05 497 sind Gassensoren be-
taloxid enthält schrieben, die zur Messung die elektrische Leitfähigkeit
3. Halbleiter nach Anspruch 2, dadurch gekenn- von Halbleitern, denen mindestens ein weiterer Stoff
zeichnet, daß das Zinndioxid mit 0,1 bis 20 Mol-% 25 zugegeben wurde, ausnutzen. Doch ist allen Druckdes
Dotiermittels dotiert ist Schriften gemeinsam., daß die zugegebenen Stoffe wie
Platin oder Gold die katalytische Aktivität des Halblei-
ters erhöhen, so daß Konzentrationsmessungen über
einen weiten Bereich außerhalb Λ= 1 erschwert werden.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2648373A DE2648373C2 (de) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in Abgasen |
US05/845,796 US4194994A (en) | 1976-10-26 | 1977-10-26 | Sintered metal oxide semiconductor having electrical conductivity highly sensitive to oxygen partial pressure |
JP12855077A JPS5355099A (en) | 1976-10-26 | 1977-10-26 | Semiconductor for sensor for measurement of oxygen and or oxidizable composite contents in exhaust gases |
DE19803024449 DE3024449A1 (de) | 1976-10-26 | 1980-06-28 | Halbleiter fuer sensoren zur bestimmung des gehaltes an sauerstoff und/oder oxydierbaren bestandteilen in gasen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2648373A DE2648373C2 (de) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in Abgasen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2648373A1 DE2648373A1 (de) | 1978-04-27 |
DE2648373C2 true DE2648373C2 (de) | 1986-01-02 |
Family
ID=5991394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2648373A Expired DE2648373C2 (de) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in Abgasen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4194994A (de) |
JP (1) | JPS5355099A (de) |
DE (1) | DE2648373C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4100915A1 (de) * | 1991-01-15 | 1992-07-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor fuer die bestimmung von kohlenmonoxid |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4359709A (en) * | 1979-07-06 | 1982-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Combustible gas sensor |
NL8105116A (nl) * | 1981-11-12 | 1983-06-01 | Philips Nv | Sensor voor het bepalen van het zuurstofgehalte in een fluidum. |
US4701739A (en) * | 1984-03-30 | 1987-10-20 | Figaro Engineering Inc. | Exhaust gas sensor and process for producing same |
US4948529A (en) * | 1985-12-18 | 1990-08-14 | Andus Corporation | Stable high resistance transparent coating |
JPH03118459A (ja) * | 1989-09-30 | 1991-05-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 排ガスセンサ |
DE59107125D1 (de) * | 1991-02-15 | 1996-02-01 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines schnellen Sauerstoffsensors |
CA2104589A1 (en) * | 1991-12-26 | 1993-06-27 | Jerome L. Buchanan | Method and means for coating a surface with a resistant facing by chemical-vapor deposition |
DE4334672C2 (de) * | 1993-10-12 | 1996-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zum Nachweis von Stickoxid |
DE19549090C2 (de) * | 1995-11-08 | 1997-09-25 | Honda Motor Co Ltd | NOx-Sensor für Abgas |
EP0816844A3 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-28 | Osaka Gas Co., Ltd. | Kohlenmonoxidsensor |
EP0851222A1 (de) * | 1996-12-31 | 1998-07-01 | Corning Incorporated | Kohlenwasserstoffsensor mit einem Katalysator aus Metall-Oxid-Halbleiter |
DE10355333B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-30 | Infineon Technologies Ag | Einrichtung und Verfahren zum Nachweis einer Überhitzung eines Halbleiter-Bauelements |
GB0416311D0 (en) * | 2004-07-21 | 2004-08-25 | Imp College Innovations Ltd | Gas sensor |
WO2016096022A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Honeywell International Inc. | Sensing oxygen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1773110A1 (de) * | 1968-04-02 | 1971-09-23 | Philips Nv | Element zur Bestimmung des Sauerstoffpartialdruckes |
GB1257155A (de) * | 1969-02-06 | 1971-12-15 | ||
BE771767A (fr) * | 1970-08-26 | 1971-12-31 | Nat Res Dev | Dispositifs semi-conducteurs sensibles aux gaz |
US3732519A (en) * | 1970-09-23 | 1973-05-08 | N Taguchi | Semiconductor gas detecting device |
US3879985A (en) * | 1972-07-11 | 1975-04-29 | Christopher Gordon Maslen | Detection and analysis of gases or vapours |
US3932246A (en) * | 1973-08-31 | 1976-01-13 | Ford Motor Company | Gas sensor and method of manufacture |
-
1976
- 1976-10-26 DE DE2648373A patent/DE2648373C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-10-26 US US05/845,796 patent/US4194994A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-10-26 JP JP12855077A patent/JPS5355099A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4100915A1 (de) * | 1991-01-15 | 1992-07-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor fuer die bestimmung von kohlenmonoxid |
US5351029A (en) * | 1991-01-15 | 1994-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Sensor for determining carbon monoxide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5355099A (en) | 1978-05-19 |
DE2648373A1 (de) | 1978-04-27 |
JPS6218865B2 (de) | 1987-04-24 |
US4194994A (en) | 1980-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2648373C2 (de) | Halbleiter für Sensoren zur Bestimmung des Gehaltes an Sauerstoff und/oder oxydierbaren Bestandteilen in Abgasen | |
DE60130288T2 (de) | NOx Sensor | |
EP0241751B2 (de) | Verfahren zum kontinuierlichen Überwachen von gasförmigen Bestandteilen in Gasgemischen, ausgenommen O2 | |
EP0750191B1 (de) | Gas-Sensor-Anordnung | |
DE19827927C2 (de) | Gassensor | |
DE10359173B4 (de) | Messvorrichtung mit mehreren auf einem Substrat angeordneten potentiometrischen Elektrodenpaaren | |
DE2119702A1 (de) | Katalytisch wirksame Substanzen mit Perowskitstruktur | |
DE2526453C3 (de) | Gassensor | |
EP1756556A1 (de) | Gassensor zur bestimmung von ammoniak | |
DE69930175T2 (de) | Kohlenwasserstoffsensor | |
DE2513264A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum auffinden und messen von stickoxid und stickstoffdioxid in gasen | |
DE19623212A1 (de) | Sensor zur Bestimmung der Konzentration oxidierbarer Bestandteile in einem Gasgemisch | |
DE3135101A1 (de) | Gasempfindliches element | |
DE19846487C2 (de) | Meßsonde für die Detektion der Momentankonzentrationen mehrerer Gasbestandteile eines Gases | |
DE2603785C2 (de) | Sensor für Kohlenmonoxid und/oder Kohlenwasserstoffe in Abgasen | |
DE3923717A1 (de) | Elektrochemische messzelle zum nachweis von blausaeure oder schwefeldioxid | |
DE2210533A1 (de) | Vorrichtung zur Messung der Nickelionenaktivität | |
DE19856369C2 (de) | Resistiver Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2838230C3 (de) | Sauerstoffsensor | |
WO2008080730A1 (de) | Sensorelement mit zusätzlicher diagnosefunktion | |
WO1992013270A1 (de) | Sensor für die bestimmung von kohlenmonoxid | |
DE3024449C2 (de) | ||
EP1480038A1 (de) | Potentiometrische, ionenselektive Elektrode | |
DE19503783C2 (de) | CO¶2¶ - Sensor | |
DE2361399B2 (de) | Fluessigkeitschromatographisches verfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AG | Has addition no. |
Ref country code: DE Ref document number: 3024449 Format of ref document f/p: P |
|
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
AG | Has addition no. |
Ref country code: DE Ref document number: 3024449 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
AG | Has addition no. |
Ref country code: DE Ref document number: 3024449 Format of ref document f/p: P |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |