DE2644940A1 - Aetzverfahren zum abflachen eines siliciumsubstrats - Google Patents
Aetzverfahren zum abflachen eines siliciumsubstratsInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50119770A JPS5244175A (en) | 1975-10-06 | 1975-10-06 | Method of flat etching of silicon substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2644940A1 true DE2644940A1 (de) | 1977-04-28 |
Family
ID=14769758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762644940 Ceased DE2644940A1 (de) | 1975-10-06 | 1976-10-05 | Aetzverfahren zum abflachen eines siliciumsubstrats |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5244175A (https=) |
| DE (1) | DE2644940A1 (https=) |
| NL (1) | NL7610970A (https=) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4187125A (en) * | 1976-12-27 | 1980-02-05 | Raytheon Company | Method for manufacturing semiconductor structures by anisotropic and isotropic etching |
| US4278987A (en) * | 1977-10-17 | 1981-07-14 | Hitachi, Ltd. | Junction isolated IC with thick EPI portion having sides at least 20 degrees from (110) orientations |
| JPS6272974U (https=) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58148131U (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | 住金鋼材工業株式会社 | ブラケツト式サポ−ト足場 |
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1975
- 1975-10-06 JP JP50119770A patent/JPS5244175A/ja active Granted
-
1976
- 1976-10-04 NL NL7610970A patent/NL7610970A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-10-05 DE DE19762644940 patent/DE2644940A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7610970A (nl) | 1977-04-12 |
| JPS5530294B2 (https=) | 1980-08-09 |
| JPS5244175A (en) | 1977-04-06 |
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