NL7610970A - Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. - Google Patents
Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.Info
- Publication number
- NL7610970A NL7610970A NL7610970A NL7610970A NL7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- flatting
- etching
- procedure
- silicon substrate
- silicon
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11977075A JPS5244175A (en) | 1975-10-06 | 1975-10-06 | Method of flat etching of silicon substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7610970A true NL7610970A (nl) | 1977-04-12 |
Family
ID=14769758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7610970A NL7610970A (nl) | 1975-10-06 | 1976-10-04 | Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5244175A (xx) |
DE (1) | DE2644940A1 (xx) |
NL (1) | NL7610970A (xx) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4187125A (en) * | 1976-12-27 | 1980-02-05 | Raytheon Company | Method for manufacturing semiconductor structures by anisotropic and isotropic etching |
US4362599A (en) * | 1977-10-17 | 1982-12-07 | Hitachi, Ltd. | Method for making semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272974U (xx) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58148131U (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | 住金鋼材工業株式会社 | ブラケツト式サポ−ト足場 |
-
1975
- 1975-10-06 JP JP11977075A patent/JPS5244175A/ja active Granted
-
1976
- 1976-10-04 NL NL7610970A patent/NL7610970A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-10-05 DE DE19762644940 patent/DE2644940A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4187125A (en) * | 1976-12-27 | 1980-02-05 | Raytheon Company | Method for manufacturing semiconductor structures by anisotropic and isotropic etching |
US4362599A (en) * | 1977-10-17 | 1982-12-07 | Hitachi, Ltd. | Method for making semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5530294B2 (xx) | 1980-08-09 |
DE2644940A1 (de) | 1977-04-28 |
JPS5244175A (en) | 1977-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL7610971A (nl) | Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. | |
NL165002C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting, waarbij oneffenheden van het oppervlak van een substraat worden verwijderd. | |
NL190770C (nl) | Inrichting voor het produceren van een siliciumoxidelaag op halfgeleiderplaatjes. | |
NL161788B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van organische siliciumver- bindingen. | |
NL7710659A (nl) | Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat. | |
NL7810373A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL178088B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat. | |
NL7511898A (nl) | Substraatdrager voor vacuumbekledingsinstallaties. | |
NL7601830A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een siliciumhalfgeleider. | |
NL7610283A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor. | |
NL7608923A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7602264A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat. | |
NL7609420A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting. | |
NL7613496A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van polyvinyli- deenfluoridebekledingen. | |
NL7600163A (nl) | Werkwijze voor het carbonyleren van arylalkylha- logeniden. | |
NL7700641A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een bekleding voor halfgeleidersubstraten. | |
NL7604434A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van silicium-tin- -verbindingen alsmede werkwijze voor het berei- den van organopolysiloxanelastomeren. | |
NL7612006A (nl) | Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding. | |
NL162124B (nl) | Werkwijze voor het door etsen selectief verwijderen van een anorganisch oxyde van een substraat. | |
NL188124C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. | |
NL7505134A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL7611057A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL190725C (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een substraat. | |
NL7610970A (nl) | Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. | |
NL179076B (nl) | Inrichting voor het monteren van gordijngevels. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BV | The patent application has lapsed |