DE2634896A1 - Kondensatordielektrikum mit inneren sperrschichten und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Kondensatordielektrikum mit inneren sperrschichten und verfahren zu seiner herstellungInfo
- Publication number
- DE2634896A1 DE2634896A1 DE19762634896 DE2634896A DE2634896A1 DE 2634896 A1 DE2634896 A1 DE 2634896A1 DE 19762634896 DE19762634896 DE 19762634896 DE 2634896 A DE2634896 A DE 2634896A DE 2634896 A1 DE2634896 A1 DE 2634896A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sintering
- capacitor dielectric
- sintering temperature
- temperature
- bao
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 43
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 claims description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010165 TiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 208000002173 dizziness Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 3 Unser Zeichen Berlin und München VPA 7SP ί O 9 S BRD
Kondensatordieloktrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren
zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft ein Kondensator-Dielektrikum mit inneren Sperrschichten aus einem polykristallinen keramischen·Körper aus
Material mit Perowskitstruktur auf der Basis von Bariümtitanat der allgemeinen Formel
mit M = Ca, Sr, Pb und/oder Mg und M = Zr, Sn, wobei ζ die
Vierte 1,005 bis 1,05 einnimmt; das Material enthält wenigstens
zv/ei verschiedene Dotierungs sub stanzen, von denen eine, vorzugsweise
Antimon, Niob, Lanthan oder Wismut, im Innern der Kristallite überwiegend η-Leitung und die andere, vorzugsweise Kupfer,
Kobalt, Nickel, Eisen oder Mangan, in der Oberflächenschlcht der
Kristallite überwiegend p-Leitung bewirken. Der Anteil der die η-Leitung bewirkenden Dotierungssubstanz ist um den Faktor 1,5
bis 2,5 größer als die Maximaldotierungsmenge und der Anteil der die p-Leitung bewirkenden Substanz beträgt 0,01 bis 0,15 Gew%.
Ein solches Kondensatordielektrikum ist in der DT-AS 1 614 605 und in den hierzu korrespondierenden GB-PS 1 204 436 und US-PS
3 569 802 beschrieben.
Ein in diesen Schriften angegebenes Kondensatordielektrikum befindet
sich seit mehreren Jahren unter der Bezeichnung SIBATIT 50.000 (SIBATIT = eingetragenes Warenzeichen) im Handel und ist technisch
vielfach erprobt. Dieses Kondensatordielektrikum kann in Form von Scheiben, Röhren mit kreisförmigem und mit rechteckförmigem
Querschnitt, die mit Metallschichten (z.B Silber) als Elektroden
VPA 75 E 1085
Bck 12 Zi / 29.7.1976 70 98 86/0180
- * - 4 78 P 10 9 9 BRD
versehen sind, sowie auch in Form von sogenannten "Stapelkondensatoren"
Verwendung finden. Stapelkondensatoren sind solche, bei denen dünne Schichten dielektrischen Materials abwechselnd mit
alternierend nach verschiedenen Seiten zum Rand ragenden Metallschichten übereinander angeordnet werden.
Um.trotz der Anteile an n-Dotierungssubstanz, die höher sind als
diejenigen, die normalerweise höchste Leitfähigkeit (Maximaldotierung) erforderlich sind, dennoch maximale Leitfähigkeit im
Korninnern bei gleichzeitiger Anwesenheit der p-Dotierungssubstanz
zu bewirken, wird in den genannten Schriften als bevorzugtes Herstellungsverfahren vorgeschlagen, sämtliche Substanzen
in Oxidform miteinander zur Reaktion zu bringen, denn in diesem Fall erreicht die Leitfähigkeit im Innern der Kristallitkörner
höchstmögliche Yferte, während die in das Perowskitkristallgitter
nicht oder nur begrenzt einbaufähige p-Dotierungssubstanz,
insbesondere das Kupfer, im wesentlichen in die Oberflächenschicht der Kristallite eingebaut wird.
In der GB-PS 1 047 057 ist ein Keramikmaterial als Kondensatordielektrikum
beschrieben, das aus einem polykristallinen Körper aus halbleitcndem Bariustitanat besteht und in der ¥eise hergestellt
ist, daß auf die Oberfläche des Körpers Substanzen, wie Eisen, Kobalt, Mangan, Kupfer u.a. aufgetragen werden, woraufhin
der so vorbereitete Körper erhitzt wird. Dabei diffundieren die genannten Elemente an den Korngrenzen des Keramikkörpers
entlang in diesen hinein. Die halbleitenden Eigenschaften der Bariumtitanat-Keramik.werden erzielt, indem der Körper entweder
durch Reduktion in Vakuum oder in Wasserstoffgas halbleitend gemacht wird, oder indem eine sogenannte valenzkontrollierte Halbleitung
durch n-Dotierungssubstanzen hervorgerufen wird. Bei dem bekannten Kondensator-Dielektrikum und der hierfür angegebenen
Herstellungsweise spielt die Diffusionsgeschwindigkeit eine entscheidende Rolle, und es ist der Diffusionsvorgang verhältnismäßig
schwierig zu kontrollieren. Es kommt hinzu, daß bei diesem
VPA 75 E 1085
709886/0180
Verfahren zunächst der halbleitende Körper hergestellt werden muß,
der dort in v/eiteren Arbeitsschritten mit den einzudiffundierenden
Metallen versehen und der Erhitzung zum Zwecke der Diffusion unterworfen werden muß. Für die in der Massenfertigung erforderliche
Reproduzierbarkeit ist das bekannte Verfahren nicht geeignet.
Wenn man bei einem Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten
von Werten für die Dielektrizitätskonstante (DK) spricht, so sind hier stets Schein-DK-Werte gemeint, da bei der Feststellung
der DK aus der Messung der Kapazität eines solchen Kondensators unterstellt wird, daß der gesamte Körper ein hohes 6. habe -,
während tatsächlich nur die sehr dünnen p-n-Übergänge an den Korngrenzen dielektrisch wirksam werden, die einen für Bariumtitanat
üblichen DK-Wert aufweisen, wegen der Bezugnahme auf den gesamten Körper jedoch eine um ein Vielfaches erhöhte DK ergeben.
Bei einem Kondensatordielektrikum spielt nicht nur die DK im Hinblick
auf die Höhe der Kapazität eine Rolle, sondern es ist auch erforderlich, daß die Abhängigkeit der DK von einer Betriebstemperatur,
der Tangens des Verlustwinkels (Verlustfaktor) und die Isolation und damit die Belastbarkeit des Kondensators in bestimmten
Grenzen liegen.
Dies ist bei/ den eingangs als bekannt angegebenen Kondensatordielektriken
mit inneren Sperrschichten bereits weitgehend der Fall.
Dennoch wird angestrebt, sowohl die elektrischen Eigenschaften zu verbessern, als auch die Reproduzierbarkeit dieser elektrischen
Werte in der Massenproduktion noch gezielter zu erreichen.
Als Maß für die Verbesserung der elektrischen Eigenschaften elektrischer
Kondensatoren wird die Zeitkonstante angesehen, das ist das Produkt aus Kapazität des Kondensators und seinem Isolationswiderstand,
angegeben in Μ-Π«. #uF oder-nach Umrechnung-in Sekunden.
VPA. 75 E 1085 7 0 9 8 3 6/0180
^634896
-- 6 76ΓΡ 1 O 9 9 BRD
Die Angabe der Zeitkonstante soll stets zusammen mit der Angabe über die Feldstärke, bei der gemessen ist, erfolgen, da sowohl
die Kapazität als auch das Isolationsvermögen von der herrschenden Feldstärke abhängen.
Die bekannten Sperrschichtkondensatoren mit inneren Sperrschichten
haben Zeitkonstanten zv/isehen 20 und 70 see bei einer Feldstärke
von 100 V/mm bzw. 2 bis etwa 20 see bei einer Feldstärke
von 200 V/mm.
Die Verbesserung der Reproduzierbarkeit der elektrischen Werte in der Massenproduktion bedeutet in vorliegendem Zusammenhang,
daß die elektrischen Vierte mit geringeren Streuungen erzielt werden, die entstehen, wenn Körper gleicher Ausgangszusammensetzung
und gleicher Vorbehandlung z.B. in verschiedenen Öfen gesintert werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kondensatordielektrikum
mit inneren Sperrschichten anzugeben, bei dem die Zeitkonstante (R.C-Produkt) und damit die Spannungsfestigkeit
und die Dauerbelastbarkeit erhöht und die Reproduzierbarkeit verbessert sind.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist das keramische Kondensatordielektrikum
der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen den Kristallitkörnern eine titandioxidreiche
Titanat-Zwischenphase vorhanden ist, die wenigstens teilweise rekristallisiert ist und die p-Dotierungssubstanz derart
inhomogen verteilt enthält, daß zu den Kristallitkornoberflachen
hin die p-Dotierungssubstanz stark angereichert ist.
Bevorzugte Kondensatordielektriken bestehen aus BaO(Ti0^85 Sn0^15)O2 mit 0,025 TiO2 und 0,2 Gev# Sb2O3 sowie
0,0535 Gew# CuO, wobei der Überschuß der vierwertigen Komponenten
über die zweiwertigen z.B. durch 0,025 TiO2 gegeben ist, oder aus
VPA 75 E 1085
709886/0180
•2 Tfe
634896 fe P 1 O 9 9 BRD
5 mit 0,03 TiO2 und 0,15 Gev$ Sb2O, und 0,04 Gew% CuO.
Die Überlegungen und Versuche, die zur vorliegenden Erfindung geführt
haben, haben gezeigt, daß die Titanat-Zwischenphase zwischen den Kristallitkörnern, in der durch den Überschuß an vierwertigen
Metallen Titan angereichert ist und die in gewissem Maße eine Verglasung des ganzen Körpers mittels sehr dünner Zwischenschichten
bewirkt, dann zu einer Ausbildung sehr abgegrenzter p-n-übergänge an den Kristallitkornoberflachen führt, wenn
die p-Dotierungssubstanz, insbesondere das Kupfer, zu den tfcergangsflächen
Zwischenphase/Kristallitkornoberfläche hin angereichert ist. Eine bloße, nahezu homogene Verteilung der p-Dotierungssubstanz
in den Kristallitkornoberflächenschichten läßt noch zu große Variatr-onbreiten des p-n-Übergangs zu, Auch das Eindiffundieren
von p-Dotierungssubstanz in einen fertigen Keramikkörper
führt bestenfalls zu einer homogenen Verteilung der. p-Dotierungssubstanz
in den evtl. vorhandenen Zwischenschichten.
Die durch die Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin, daß
die Zeitkonstante auf Werte zwischen 40 und 150 see bei Feldstärken
von 250 bis 150 V/mm erhöht werden konnte, während gleichzeitig die Reproduzierbarkeit verbessert wurde, erkennbar an der
Verringerung der Streuung der elektrischen Werte auf wenigstens die Hälfte der bisherigen Toleranzbereiche.
!
Durch röntenstruktur-analytische Aufnahmen und durch die Methode
der Bestimmung der Verteilung einzelner Elemente in einem Körper mittels Mikrosonde kann nachgewissen werden, daß bei den erfindungsgemäßen
Kondensatordielektrika die Anreicherung der Kupferionen an der Übergangsschicht Zwischenphase/Kristallkornoberfläche
tatsächlich vorliegt.
Die Methode der Mikrosondenanalyse ist von L.S.Birks im Buch
"Electron Probe Micro Analyses", 1963, Interscience publishes, beschrieben und besteht darin, daß über einen Schliff des zu untersuchenden
Körpers eine Mikrosonde geführt wird und der Gehalt
VPA 75 E 1085
709.886/0130 '
-ν- S
*
eines ausgewählten Elementes in einer bestimmten Auswahl von Körnern , hier beispielsweise Kupfer, ermittelt wird. Bei der
Rönten-Feinstrukturanalyse wird durch Messung der Gitterkonstante und deren Änderung durch Substitutionselemente eine Aust
sage über die jeweilige Zusammensetzung gemacht.
Das Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikums
nach der Erfindung besteht darin, daß die für die Herstellung der -Körper erforderlichen Ausgangskomponenten in Oxidform oder
in einer die Oxide liefernden Form oder in einer die Titanate bildenden Form gemischt, naß oder trocken vermählen und danach
bei 950° bis 1100° C zur Festkörperreaktion gebracht werden, wie dies in der DT-AS 1 614 605 bzw. in den obengenannten entsprechenden
englischsprachigen Patentschriften beschrieben ist, wonach das Reaktionsprodukt erneut bis zur gewünschten Teilchengröße
(0,1 ... 2/um) gemahlen und aus dem Pulver die Körner durch Pressen
oder im Schlickergießverfahren hergestellt und danach der
Sinterung bei Temperaturen zwischen 1250° C und 1450° C unterworfen
werden, wobei Kristallitkörner zwischen 20 bis 300/um,
vorzugsweise 50 /um entstehen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke der Ausscheidung der Kupferionen
in der Zwischenphase bevorzugt in Nachbarschaft zu den Oberflächen der Kristallitkörner der Sinterprozeß derart geführt wird,
daß die gepreßten Körner zunächst mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 200 K/h bis 800 K/h wenigstens im Temperaturintervall
von 100,0u C ,bis zur Sinter temperatur auf diese erhitzt werden,
dann für 1 bis 4 Stunden bei der Sinter temperatur gehalten, danach
von der Sintertemperatur bis wenigstens 100 K und etwa 350 K unterhalb der Sintertemperatur langsam, d.h. mit einer Geschwindigkeit
zwischen 10 K/h und 100 K/h abgekühlt werden, wonach
die restliche Abkühlung bis zur Normaltemperatur entsprechend der dem Sinterofen eigenen Abkühlbedingungen erfolgt.
VPA 75 E 1085
70988870160
ORIGINAL INSPECTED
- -j/- 9 76 P 1 O 9 9 BRD
Ein.keramischer Körper mit der Grundzusammensetzung von 1 Mol BaO,
0,875 Mol TiO2, 0,15 Mol SnO2 und Zusätzen von 0,2 Gew96 Sb2O3
und 0,0535 Gev/56 CuO werden für den Sinterprozeß mit 600 K/h aufgeheizt,
drei Stunden bei der Sintertemperatur von 1380° C gehalten und danach mit einer Geschwindigkeit von 50 K/h bis 1100°C
abgekühlt.
Durch diese für den gesamten Sinterprozeß, der aus Aufheizperiode,
Sinterperiode und Abkühlperiode besteht, angegebenen sehr engen Bedingungen ist gewährleistet, daß die Streuung der elektrischen Werte im fertigen Körper auf ein vertretbares Mindestmaß
herabgesetzt sind.
Die relativ hohe Aufheizgeschwindigkeit bedingt, daß im gepreßten Körper das Kornwachstum stark eingeschränkt ist, Sintertemperatur
und Sinterdauer sorgen dafür, daß die Ausscheidung der Zwischenphase und die Ansammlung der p-Dotierungssubstanz in der
Zwischenphase gewährleistet sind. Die relativ langsame Abkühlung stellt sicher, daß die Zwischenphase genügend Zeit für eine
Rekristallisation erhält, wobei die Rekristallisation an der Übergangsschicht Zwischenphase/Kristallkornoberfläche begünstigt
erfolgt und deshalb dort eine Anreicherung der p-Dotierungssubstanz,
insbesondere der Kupferionen sichergestellt ist.
In den US-PSn 2 277 733, 2 277 734 und 2 277 736 sind für bis
aus
wenigstens zu 80 ^/Titandioxid bestehende Kondensatordielektrika Sinterprozesse beschrieben, bei denen relativ langsam aufgeheizt wird, «nämlich mit 10 K/h für den Temperaturbereich von Normaltemperatur bis 985° C und 38 K/h für den Temperaturbereich von 985° C bis 1260° C (Sintertemperatur) bei relativ langen Haltezeiten von 6 Stunden bei der Sihtertemperatur, wonach die Abkühlung zwischen 1260° C und 985° C mit einer Geschwindigkeit von 38 K/h erfolgt und danach die Abkühlbedingungen des Sinterofens gelten. Bei diesen bekannten Kondensatordielektriken dient dieser Sinterprozeß insbesondere dazu, eine befriedi-
wenigstens zu 80 ^/Titandioxid bestehende Kondensatordielektrika Sinterprozesse beschrieben, bei denen relativ langsam aufgeheizt wird, «nämlich mit 10 K/h für den Temperaturbereich von Normaltemperatur bis 985° C und 38 K/h für den Temperaturbereich von 985° C bis 1260° C (Sintertemperatur) bei relativ langen Haltezeiten von 6 Stunden bei der Sihtertemperatur, wonach die Abkühlung zwischen 1260° C und 985° C mit einer Geschwindigkeit von 38 K/h erfolgt und danach die Abkühlbedingungen des Sinterofens gelten. Bei diesen bekannten Kondensatordielektriken dient dieser Sinterprozeß insbesondere dazu, eine befriedi-
VPA 75 B 1085
709886/0180
- *"- 10 76 ρ 109 9 BRD
gende Verglasung zu erhalten und die Tendenz zur Kristallisation
zu vermeiden sowie eine geringere Porosität des Körpers zu erreichen
und den Einfluß von Verunreinigungen zu vermindern.
Demgegenüber geht es bei Verfahren der vorliegenden Erfindung
darum, Rekristallisation zu fördern und insbesondere den Einfluß
der Verunreinigungen - denn die Zusätze an p-Dotierungssubstanzen
stellen Verunreinigungen des Perowskitgitters dar - ausgeprägter
zu gestalten.
Anhand der nachfolgenden Ausführungsbeispiele und der Figuren wird der Verteil der Erfindung dargelegt; es wird mit unterschiedlichen
Sinterprozessen gearbeitet, um unterschiedliche Ergebnisse herauszustellen.
Die Figuren 1 bis 4 stellen Diagramme für elektrische Eigenschaften
bei Abwandlung dec Sinterprozesses dar für Material gemäß Tabelle 1.
Figur 5 stellt schematisch das Ergebnis einer Mikrοsondenuntersuchung
dar.
Als Proben wurden scheibenförmige Körper verwendet, die in bekannter
Weise durch Vorbrennen, erneutes Mahlen und Pressen hergestellt wurden.
Die Einwaagezusammensetzung betrug je Mol BaO 0,875 Mol TiO2 und
0,15 Mol SnOp und zusätzlich - bezogen auf das Gewicht der Einvaagezusammensetzung
- 0,20 Gew$6 stl203 xiri°- °»°535 Gew CuO.
Die Sinterung erfolgte an Luft bzw. in oxydierender Atmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von ca. 600 K /h. Die Sintertemperatur
wurde zwischen 13^0 und 1380° C variiert, wobei die
Haltezeit einheitlich drei Stunden betrug. Abgekühlt wurde jeweils mit drei verschiedenen Geschwindigkeiten, nämlich 50,
und 800 K/h. Einhaltung und Reproduzierbarkeit der gewählten
VPA 75 E 1085 709886/ΟΙβΟ
76 P 1 O 9 9 BRD
Sinterprogramme (Aufheizgeschwindigkeit, Sintertemperatur, Haltezeit
und Abkühlgeschwindigkeit) wurden durch elektronische Regelung mit Zeitplangeber gewährleistet, so daß die in Fig. 1 angegebenen
Sinterprogramme durchgeführt werden konnten. Der Aufheiz- und Haltezeitast war für alle drei Programme gleich, während die
Abkühlbedingungen durch die Kurven a, b und c für 50 bzw. 200 bzw. 800 K/h gelten. Auf der Abszisse ist die Zeit in Stunden und
auf der Ordinate die Temperatur in 0C angegeben.
Die Abkühlgeschwindigkeit von 800 K/h konnte nur bis etwa 1?00° C aufrechterhalten v/erden, da sie unterhalb dieser Temperatur durch
die Wärmekapazität des Standofens begrenzt ist. Die Abkühlgeschwindigkeit von 50 K/h wurde aus Zeitgründen bei 1100° C abgebrochen.
Dabei wird angenommen, daß bei dieser Temperatur der Rekristallisationsprozeß beendet ist. Bei allen Abkühlgeschwindigkeiten
wurden die günstigsten elektrischen Werte bei- Sintertemperaturen zwischen 1355 und 13565° C erzielt. Die elektrischen
Werte aus diesen Sinterungen sind in Tabelle I zusammengestellt.
Tabelle 1; Elektrische Werte (Mittelwerte) für Ba(Ti0 875Sn0 15)0-z
+ 0,15 Gew=S Sb2O3 + 0,0535 GewjS CuO in Abhängigkeit
von der Abkühlgeschwindigkeit (Sinterung 1360°C; 3 Std. Haltezeit), gemessen an Scheiben von ca. 11,5 min
und ca. 1,1 mrn Dicke
Abkühlge- _ tanb tan b R [MIi] R [MA] R Γμο.] R [μΩ.1
schwindig- ■£ (IkHzJi (10OkHz) (10 V) (50 V) (10"O-V) (200,V)
keit (.ΙΟ"3) (.10-3$ (.^) (< 104j {.jo») (.1O3)
800 K/h 90 000 38 95 0,6 0,13 0,31 0,044
200 K/h 75 000 38 92 1 0,6 2 0,48
50 K/h 60 000 38 91 1,6 1,2 6 2
VPA 75 Ξ 1085
° 709886/0180
-V-A* W?9§9 BRD
Tabelle 2; Elektrische Werte (Mittelwerte) für BaTiO,+ 0,03 Mol TiCU
+ 0,15 Gev$ Sb2O3
+ 0,04 Gew?£ CuO
in Abhängigkeit von der Abkühlgeschwindigkeit (Aufheiz
geschwindigkeit 200 K/h) Sinterung 1360° C
3 h Haltezeit, gemessen an Scheiben von ca. 11,5mm 0 imd ca. 1,1 mm Dicke.
| Abkühlge schwindig keit bis 1100° C |
22 | ε | tan b (1 kHz) |
R.C (100 V/mm) |
R.C (300 V/mm ) |
I |
| 200 K/h | 20 | 000 | 20 | 100 Mil./uF | 4 VLjTl. | |
| 50 K/h | 000 | 20 | 300 M-a./uF | 40 Mil. | ||
Die Werte der bisher bekannten Sperrschichtkondensatoren mit inneren
Sperrschichten sind etwa den Werten der Abkühlung mit 200 K/h vergleichbar.
Figur 2 zeigt die Gleichspannungsabhängigkeit der Kapazität von Scheibenkondensa"
kühlbedingungen.
Scheibenkondensatoren bei 1 kHz und 25° C, bei verschiedenen Ab-
Der Temperaturgang der Kapazität ist in Bild 3 dargestellt, in
welchem die unteren Kurven für ein überlagertes Gleichfeld von 200 V/mm Gültigkeit haben. Die Kapazität wurde bei 1 kHz in Abhängigkeit
ven den Abkühlgeschwindigkeiten ohne und mit überlagertem
Gleichfeld gemessen und die Sintertemperatur der Körper betrug 1360° C.
Aus Fig. 3 geht hervor, daß bei langsamer Abkühlung der Temperaturgang
der Kapazität, d.h. die Abhängigkeit der Kapazität von unterschiedlichen Temperaturen etwas größer wird. Es scheint, als ob
das Curie-Maximum etwas schärfer ausgeprägt ist, soweit das innerhalb der Streugrenzen überhaupt festgestellt werden kann.
VPA 75 E 1085
709886/0180
ORIGINAL INSPECTED
- as "
Die Tabellen 1 und 2 zeigen einen Abfall der Permittivität und
gleichzeitig einen Anstieg der Isolation mit sinkender Abkühlgeschv/indigkeit. Wichtig für die Beurteilung eines Kondensators
ist das RC-Produkt aus dem Isolationswiderstand und der Kapazität. Besonders bei höheren Feldstärken (Flachrohre mit 0,35 mm Wandstärke
bei 63 V =180 V/mm) zeigt sich eine deutliche Verbesserung
des RC-Produktes mit abnehmender Abkühlgeschwindigkeit. Dies geht aus Fig. 4 hervor, in der die Abhängigkeit des RC-Froduktes
von der Feldstärke und der Abkühlgeschv/indigkeit dargestellt ist. Wegen der verbesserten Zeitkonstante ist zu erwarten, · daß auch
das Dauerversuchsverhalten verbessert ist.
Die Abkühlgeschv/indigkeit hängt auch in gewissem Maße von der jeweiligen
Massezusammensetzung ab; diese Abhängigkeit ist jedoch in einfachen Versuchen schnell zu ermitteln. So sind Abkühlgeschwindigkeiten
zwischen 10 K/h und 100 K/h in Abhängigkeit von der Massezusammensetzung optimal. Es ist auch denkbar, daß mehrmaliges
Durchführen des Rekristallisationsvorgangs eine weitere Verbesserung bringt.
Der Verlustfaktor und die Gleichspannungsabhängigkeit v/erden von
der Abkühlgeschwindigkeit kaum beeinflußt.
In Fig. 5 sind schematisch die Verhältnisse im Innern eines keramischen
Dielektrikums mit inneren Sperrschichten gezeigt, wie sie aufgrund einer Mikrosondenanalyse festgestellt wurden und
festgestellt werden können. In Fig. 5 sind drei η-leitende Körner 1 mit ihren Kornoberflächen 2 gezeigt. Zwischen den Körnern
befindet sich die titanreiche Zwischenphase 3. An den Übergangsschichten Zwischenphase 3/Kornoberflache 2 sind Kupferionen 4 angereichert.
Im Bereich der Kornoberfläche 2 bilden sich die bei angelegter Spannung kapazitiv wirksamen p-n-Übergänge aus.
Die Herstellung der Kondensatordielektrika gemäß der Erfindung
und die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist sowohl in Standöfen als auch in Durchschuböfen möglich. Bei Standöfen
wird das Programm für den Sinterprozeß mit einem Zeitplangeber kontrolliert und eingehalten, während bei Durchstoßofen das Programm
für den Sinterprozeß durch die Variation der einzelnen Zonen erfolgen kann. Kurze Aufheizgeschwindigkeiten bedingen eine
kurze Zone für den Übergang von der Normaltemperatur zur Sintertemperatur,
während umgekehrt eine langsame Abkühlung auch eine entsprechend lange Zone im Ofen benötigt. Bei Durchstoßöfen ist
an sich die DurchstoßgebChwindigkeit gleich, 50 daß hier die einzelnen
Zonen, die von den zu sinternden Körpern durchlaufen werden, entsprechend lang oder kurz gestaltet v/erden müssen.
Die Senkung der Herstellungskosten bei Beachtung der durch die Erfindung gegebenen Lehre infolge höherer Ausbeute bzw. geringerer
Ausschußquoten ist ebenfalls ein Ergebnis der vorliegenden Erfindung.
•*o'
6 Patentansprüche
5 Figuren
5 Figuren
ORIGINAL IMSPEGTl
VPA 75 E 1085 709886/0160
Claims (6)
- 76 P 10 9 9 BRDPatentansprücheondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten aus einem polykristallinen keramischen Körper aus Material mit Perowskitstruktur auf der Basis von Bariumtitrjiat der allgemeinen Formelmit M11 = Ca, Sr, Pb und/oder Mg und MIV = Zr, Sn, wobei ζ die Werte 1,005 bis 1,05 einnimmt, das wenigstens zwei verschiedene Dotierungssubstanzen enthält, von denen eine (Antimon, Niob, Lanthan oder Wismut) im Innern der Kristallite überwiegend η-Leitung und die andere (Kupfer, Kobalt, Nickel, Eisen oder Mangan) in der Oberflächenschicht der Kristallite überwiegend p-Leitung bewirken, der Anteil der die n-Leitung bewirkenden Dotierungs sub stanz um den Faktor 1,5 bis 2,5 größer als die Maximaldotierungsmenge ist, und der Anteil der die p-Leitung be\*irkenden Substanz 0,01 bis 0,15 &ew% beträgt, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Kristallitkörnern eine titandioxidreiche Titanat-Zwischenphase vorhanden ist, die wenigstens teilweise rekris.tallisiert ist und die p-Dotierungssubstanz derart inhomogen verteilt enthält, daß zu den Kristallitkornoberflachen hin die p-Dotierungssubstanz stark angereichert ist.
- 2.) Kondensatordielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus BaO.1,025 (TiQ Q^ SnQ -j = )02 mit 0,2 Gew$ Sb2O, sowie O,p535 Gew?£ CuO besteht.
- 3.) Kondensatordielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus BaO. 1,03 ^iC>2 mit °»15 Gew# Sb2O, sowie 0,04 Ge\i% CuO besteht.
- 4.) Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikuiss nach Anspruch 1,2 oder 3, bei dem die für die Herstellung der Körper erforderlichen Ausgangskomponenten in Oxidform oder einerVPA 75 E 1085709886/0160die Oxide liefernden Form oder in einer die Titanate bildenden Form gemischt, naß oder trocken vermählen und danach bei 950° C bis 1100° C zur Festkörperreaktion gebracht werden, wonach dar* Reaktionsprodukt erneut bis zur gewünschten Teilchengröße gemahlen und aus dem Pulver die Körper durch Pressen oder im Schlickergießverfahren hergestellt und danach der Sinterung bei 1250° C bis 1450° C unterworfen werden, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke der Ausscheidung der Kupferionen in der Zwischenphase bevorzugt in Nachbarschaft zu den Oberflächen der Kristallitkörner der Sinterprozeß derart geführt wird, daß die gepreßten Körper zunächst mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 200 K/h bis 800 K/h wenigstens im Temperaturintervall von 1000° C bis zur Sintertemperatur auf diese erhitzt werden, dann für eine bis vier Stunden bei der Sin-"tertemperatur gehalten, danach von der Sintertemperatur bis wenigstens 100 K und etwa 350 K unterhalb der Sintertemperatur langsam, d.h. mit einer Geschwindigkeit zwischen 10 K/h und 100 K/h abgekühlt werden, wonach die restliche Abkühlung bis zur Normaltemperatur entsprechend der dem Sinterofen eigenen Abkühlbedingungen erfolgt.
- 5.) Verfahren nach Anspruch 4 für die Herstellung eines Kondensatordielektrikums nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß gepreßte keramische Körper mit der Grundzusammensetzung 1 Mol BaO, 0,875 Mol TiO2, 0,15 Mol SnO2 und Zusätzen von 0,2 Gew# Sb2O, und 0,0535 Gew& Cu-für den Sinterprozeß mit 600 K/h aufgeheizt, drei Stunden bei der Sintertemperatur von 13SO0 C gehalten und danach mit einer Geschwindigkeit von 50 K/h bis 1100° C abgekühlt werden.
- 6.) Verfahren nach Anspruch 4 für die Herstellung eines Kondensatordielektrikums nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß gepreßte keramische Körper der Grundzusammensetzung 1 Mol BaO, 1,03 Mol TiO2 und Zusätzen von 0,15 GewS4 SbpO, .und 0,04 Gew% CuO für den Sinterprozeß mit 200 K/h aufgeheizt, drei Stunden bei der Sinterteraperatur von 1360° C gehalten und danach mit einer Geschwindigkeit von 50 K/h bis 1100° C abgekühlt werden.VPA 75 E 1085 709886/0190
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762634896 DE2634896C2 (de) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US05/815,579 US4131903A (en) | 1976-08-03 | 1977-07-14 | Capacitor dielectric with inner blocking layers and method for producing the same |
| AT527077A AT357240B (de) | 1976-08-03 | 1977-07-20 | Kondensatordielektrikum mit inneren sperr- schichten und verfahren zu seiner herstellung |
| IT2615677A IT1082238B (it) | 1976-08-03 | 1977-07-27 | Dielettrico per condensatori con strati di sbarramento interni e procedimento per la sua fabbricazione |
| GB3229477A GB1527060A (en) | 1976-08-03 | 1977-08-02 | Capacitor dielectrics |
| FR7723755A FR2360997A1 (fr) | 1976-08-03 | 1977-08-02 | Dielectrique de condensateur comportant des couches d'arret interieures et procede pour sa fabrication |
| JP9330477A JPS5317961A (en) | 1976-08-03 | 1977-08-03 | Capacitor dielectric having internal bloking layer and method of manufacturing said derivative |
| US05/908,665 US4192840A (en) | 1976-08-03 | 1978-05-23 | Method for producing a capacitor dielectric with inner blocking layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762634896 DE2634896C2 (de) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2634896A1 true DE2634896A1 (de) | 1978-02-09 |
| DE2634896C2 DE2634896C2 (de) | 1985-08-14 |
Family
ID=5984626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762634896 Expired DE2634896C2 (de) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5317961A (de) |
| AT (1) | AT357240B (de) |
| DE (1) | DE2634896C2 (de) |
| FR (1) | FR2360997A1 (de) |
| GB (1) | GB1527060A (de) |
| IT (1) | IT1082238B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2942187A1 (de) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Nichtlineares dielektrisches element |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3165390D1 (en) * | 1980-06-30 | 1984-09-13 | Centralab Inc | Ceramic dielectric for base metal electrode capacitors and method of manufacture |
| JPS57157502A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Murata Manufacturing Co | Barium titanate series porcelain composition |
| JPS57167618A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
| JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
| JPS61275164A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-12-05 | タム セラミツクス インコ−ポレイテツド | 誘電体セラミック組成物 |
| US4939108A (en) * | 1986-11-03 | 1990-07-03 | Tam Ceramics, Inc. | Process for producing dielectric ceramic composition with high dielectric constant, low dissipation factor and flat TC characteristics |
| WO1988008830A1 (en) * | 1986-11-03 | 1988-11-17 | Dean Terence C | Dielectric ceramic with high k, low df and flat tc |
| JPH0692268B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1994-11-16 | 日本油脂株式会社 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
| JP2733667B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-03-30 | ティーディーケイ株式会社 | 半導体磁器組成物 |
| US5550092A (en) * | 1995-02-10 | 1996-08-27 | Tam Ceramics Inc. | Ceramic dielectrics compositions |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2277733A (en) * | 1939-04-27 | 1942-03-31 | Titanium Alloy Mfg Co | Dielectric material and method of making the same |
| GB1047057A (en) * | 1963-02-22 | 1966-11-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Improvements in or relating to dielectric materials |
| DE1646988A1 (de) * | 1965-03-19 | 1970-03-05 | Siemens Ag | Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist |
| DE1646987A1 (de) * | 1965-03-19 | 1970-03-05 | Siemens Ag | Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist |
| DE1646822A1 (de) * | 1966-12-19 | 1971-09-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zur Herstellung von keramischen Materialien mit hoher Dielektrizitaetskonstante |
| DE1614605A1 (de) * | 1967-09-20 | 1972-03-02 | Siemens Ag | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und geringer Temperaturabhaengigkeit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1117766B (de) * | 1959-02-21 | 1961-11-23 | Rosenthal Isolatoren Ges Mit B | Keramisches Kondensatordielektrikum mit hoher Dielektrizitaetskonstante und geringerTemperaturabhaengigkeit |
| FR1279571A (fr) * | 1960-04-29 | 1961-12-22 | Siemens Ag | Condensateur céramique à couche d'arrêt et procédé de fabrication |
-
1976
- 1976-08-03 DE DE19762634896 patent/DE2634896C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-07-20 AT AT527077A patent/AT357240B/de not_active IP Right Cessation
- 1977-07-27 IT IT2615677A patent/IT1082238B/it active
- 1977-08-02 GB GB3229477A patent/GB1527060A/en not_active Expired
- 1977-08-02 FR FR7723755A patent/FR2360997A1/fr not_active Withdrawn
- 1977-08-03 JP JP9330477A patent/JPS5317961A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2277733A (en) * | 1939-04-27 | 1942-03-31 | Titanium Alloy Mfg Co | Dielectric material and method of making the same |
| GB1047057A (en) * | 1963-02-22 | 1966-11-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Improvements in or relating to dielectric materials |
| DE1646988A1 (de) * | 1965-03-19 | 1970-03-05 | Siemens Ag | Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist |
| DE1646987A1 (de) * | 1965-03-19 | 1970-03-05 | Siemens Ag | Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist |
| DE1646822A1 (de) * | 1966-12-19 | 1971-09-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zur Herstellung von keramischen Materialien mit hoher Dielektrizitaetskonstante |
| DE1614605A1 (de) * | 1967-09-20 | 1972-03-02 | Siemens Ag | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und geringer Temperaturabhaengigkeit |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Solid-State Electronics, 1973, Vol. 16, S. 623-628 * |
| Solid-State Electronics, 1974, Vol. 17, S. 1013-1019 * |
| Zeitschrift für angewandte Physik, 1967, Bd. 23, H. 6, S. 373-376 * |
| Zeitschrift für angewandte Physik, 1970, Bd. 29, H. 5, S. 282-287 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2942187A1 (de) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Nichtlineares dielektrisches element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1082238B (it) | 1985-05-21 |
| JPS5317961A (en) | 1978-02-18 |
| GB1527060A (en) | 1978-10-04 |
| ATA527077A (de) | 1979-11-15 |
| FR2360997A1 (fr) | 1978-03-03 |
| DE2634896C2 (de) | 1985-08-14 |
| AT357240B (de) | 1980-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2433661C3 (de) | Halbleiterkeramik mit Zwischenkornisolation | |
| DE112007002865B4 (de) | Dielektrische Keramik und diese verwendender Mehrschicht-Keramikkondensator | |
| DE69516045T2 (de) | Keramischer Mehrschichtkondensator und Herstellungsverfahren | |
| DE2702071C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kondensatorkeramik auf Strontiumtitanatbasis | |
| EP0351004B1 (de) | Nichtlinearer spannungsabhängiger Widerstand | |
| DE3785506T2 (de) | Halbleitende keramische zusammensetzung, sowie kondensator aus halbleitender keramik. | |
| DE1614605B2 (de) | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und geringerer Temperaturabhängigkeit | |
| DE2737080A1 (de) | Nicht-reduzierende dielektrische keramikmassen | |
| DE1646988B2 (de) | Verfahren zum herstellen polykristalliner scheiben-, stabrohr- oder folienfoermiger keramischer kaltleiter- bzw. dielektrikums- bzw. heissleiterkoerper | |
| DE2634896A1 (de) | Kondensatordielektrikum mit inneren sperrschichten und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE112013005662T5 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Piezokeramik, Pietokeramik und piezoelektrisches Element | |
| DE2641701C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikums mit inneren Sperrschichten | |
| DE3037968A1 (de) | Halbleiter-keramik-kondensator vom grenzschicht-typ | |
| DE69201108T2 (de) | Keramischer Kondensator und sein Herstellungsverfahren. | |
| DE2659672A1 (de) | Kondensatordielektrikum mit inneren sperrschichten und verfahren zu seiner herstellung | |
| EP0089550A2 (de) | Monolithischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2909098B2 (de) | Sinterkörper aus halbleitendem keramischem Material auf Basis von mit Niob oder Tantal dotiertem Strontiumtitanat mit einer elektrisch isolierenden Schicht an den Korngrenzen | |
| DE69021809T2 (de) | Verfahren zur herstellung keramischer kondensatoren mit varistor-kennzeichen. | |
| DE102008046858A1 (de) | Keramikmaterial, Verfahren zur Herstellung eines Keramikmaterials, elektrokeramisches Bauelement umfassend das Keramikmaterial | |
| DE2753766A1 (de) | Verfahren zur gezielten einstellung der elektrischen eigenschaften keramischer kaltleiterkoerper | |
| DE3212071A1 (de) | Dielektrischer koerper vom intergranularen isoliertyp und verfahren zur herstellung desselben | |
| EP0066333B1 (de) | Nichtlinearer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2929764C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Dielektrikums | |
| DE3541517C2 (de) | ||
| DE3121289A1 (de) | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| 8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |