DE2631074A1 - Piezoelektrische kristallbaugruppe - Google Patents
Piezoelektrische kristallbaugruppeInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- WGFNXGPBPIJYLI-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-3-[(3-fluorophenyl)sulfonylamino]-n-(3-methoxy-1h-pyrazolo[3,4-b]pyridin-5-yl)benzamide Chemical compound C1=C2C(OC)=NNC2=NC=C1NC(=O)C(C=1F)=C(F)C=CC=1NS(=O)(=O)C1=CC=CC(F)=C1 WGFNXGPBPIJYLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
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Description
'äite Dip;.--!ng. Curt Wallach
Dipl.-Ing. Qünther Koch 2631074 Dipl.-Phys. Dr.Tino Haibach
D-8000 München 2 · Kaufingerstraße 8 · Telefon (0 89) 24 02 75 · Telex 5 29 513 wakai d
Datum: 9. Juli 197-'
Unser Zeichen: I5 565 - Fk/Ne
CTS Corporation
Elkhart, Indiana, USA
Elkhart, Indiana, USA
Piezoelektrische Kristallbaugruppe
Die Erfindung bezieht sich auf eine piezoelektrische Kristallbaugruppe
mit einem Kristall, von dem s ich zwei mit Abstand angeordnete Leitungsdrähte nach außen hin erstrecken und freie
Schwingungsteile aufweisen, und mit einer Grundplatte, die in
Abstand von dem Kristall angeordnet ist und zwei mit Abstand angeordnete Löcher aufweist, die jeweils mit einem der Leitungsdrähte
ausgerichtet sind und diese aufnehmen.
Derartige piezoelektrische Kristallbaugruppen oder Quarzbaugruppen
werden in vielen elektronischen Schaltungen verwendet.
In der US-Patentschrift 3 755 I66 der gleichen Anmelderin ist
eine piezoelektrische Kristallbaugruppe beschrieben, bei der zwei Leitungsdrähte orthogonal an den Knotenpunkten an einer
Oberfläche eines Kristalls mit X-Y-Schnitt befestigt sind, wobei sich die Leitungsdrähte durch zwei dünne rohrförmige parallel
in einer Grundplatte angeordnete Befestigungsstücke erstrecken und an diesen befestigt sind, wobei eine Abdeckung an der Grundplatte
befestigt ist, um den Kristall einzuschließen und wobei der Teil der Leitungsdrähte zwischen den rohrförmigen Befesti-
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gungsstücken und dem Kristall eine derartige Länge sowie einen derartigen Durchmesser aufweist, daß ein maximaler Anteil der
den Leitungsdrähten von dem Kristall erteilten Schwingungsenergie zum Kristall zurückgeführt wird, so daß die Energie
des Kristalls nicht in seiner Halterung verbraucht wird.
Der Betriebswirkungsgrad eines Kristalls oder Quarzes hängt von vielen Paktoren ab, wobei einer der Paktoren die Länge des
Teils jedes der Leitungsdrähte vom Kristall zum Befestigungspunkt der Leitungsdrähte an der Grundplatte ist. Wenn die Länge
der Teile der Leitungsdrähte vorzugsweise eine Viertelwellenlänge beträgt, so wird die auf die Leitungsdrähte von dem Kristall
bei dessen Erregung übertragene Schwingungsenergie im wesentlichen zum Kristall zurückgeführt. Es treten jedoch üblicherweise
Schwierigkeiten bei der Befestigung der Leitungsdrähte
an einem vorgegebenen Punkt an der Grundplatte oder an ,einem rohrförmigen Befestigungsstück auf, das in der Grundplatte
vorgesehen ist, weil das Metall, beispielsweise geschmolzenes Lot, ausgehend von der Grundplatte oder dem rohrförmigen Befestigungsteil
von dem von dem Kristall entfernten Ende auf Grund der Kapillarwirkung weiterfließt. In vielen Fällen fließt
das Metall nicht bis zum gewünschten Befestigungspunkt der Leitungsdrähte an einer Viertelwellenlänge die rohrförmigen Befestigungsstücke
hoch. Die Befestigung der Leitungsdrähte an einem anderen als dem gewünschten Punkt, der einen Abstand
von einer Viertelwellenlänge von dem Kristall aufweist, führt dazu, daß die vom Kristall auf die Leitungsdrähte übertragene
Schwingungsenergie teilweise verbraucht wird und nicht zum Kristall zurückgeführt wird, so daß eine größere Energie zur
Ansteuerung des Kristalls erforderlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine piezoelektrische Kristallbaugruppe der eingangs genannten Art zu schaffen, bei
der die erforderliche Länge der Leitungsdrähte zwischen dem Kristall und der Grundplatte verringert wird, so daß sich eine
kleinere Baugruppe ergibt und bei der gleichzeitig die freie
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Schwingungslänge der Leitungsdrähte zwischen dem Kristall und
dem Befestigungspunkt an der Grundplatte wirksamer und genauer
steuerbar ist, so daß die Übertragung der Schwingungsenergie
von dem Kristall auf die Halterungsanordnung so weit wie möglich verringert wird.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die erfindungsgemäße piezoelektrische Kristallbaugruppe weist einen piezoelektrischen Kristall mit zwei daran befestigten
Elektroden auf. An jeder Elektrode ist ein Leitungsdraht befestigt. Eine Grundplatte aus dielektrischem Material weist
eine innere Oberfläche mit Abstand von der unteren Oberfläche d es Kristalls auf. Die Grundplatte weist weiterhin zwei konische
Löcher auf, die sich durch die Grundplatte mit Abstand voneinander
und elektrisch isoliert erstrecken. Diese konischen Löcher verlaufen senkrecht zur inneren Oberfläche der Grundplatte,
wobei der größere Durchmesser jedes Loches in der inneren Oberfläche der Grundplatte liegt und die Leitungsdrähte aufnimmt.
Die Leitungsdrähte werden an der Grundplatte an einer von dem Kristall entfernten Stelle an der Grundplatte befestigt und
hermetisch gegenüber dieser abgedichtet, so daß die Leitungsdrähte frei innerhalb der konisch geformten Löcher sowie zwischen
der inneren Oberfläche der Grundplatte und der unteren Oberfläche des Kristalls schwingen können. Eine über den Kristall
gesetzte Abdeckung steht mit der Grundplatte in Eingriff und schließt zusammen mit dieser den Kristall ein. Die Abdeckung
erstreckt sich senkrecht über die von dem Kristall entfernte oder äußere Oberfläche der Grundplatte hinaus und wirkt mit
dieser so zusammen, daß sich eine Vergußvertiefung ergibt. Diese Vergußvertiefung wird mit einem Abdichtmaterial beispielsweise
einem Epoxy-Material gefüllt und ergibt eine her-
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metische Abdichtung zwischen der Grundplatte und der Abdeckung, wobei gleichzeitig die Öffnungen zwischen den Leitungsdrähten
und den konischen Löchern hermetisch abgedichtet werden. Durch diese Ausgestaltung der Erfindung wird die Gesamtgröße der
Kristallbaugruppe verringert, so daß ihre Anwendung bei kleinen elektronischen Uhren vereinfacht wird. Weiterhin kann die wirksame
Länge der den Kristall halternden Leitungsdrähte genauer gesteuert werden, so daß die Übertragung der Schwingungsenergie
von dem Kristall auf die Halterungsanordnung verringert xtfird. Die Leitungsdrähte können frei in den Löchern schwingen,
die in der Grundplatte vorgesehen sind.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeichen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Ausführungsform der Kristallbaugruppe;
Fig. 2 eine vergrößerte Längsschnitt-Ansicht der Kristallbaugruppe
im wesentlichen entlang der Schnittlinie II-II nach Fig. 1:
Fig. J eine Schnittansicht im wesentlichen entlang
der Linie III-III nach Fig. 2;
Fig. 4 eine auseinandergezogene Draufsicht der Kristallbaugruppe
nach Fig. 1;
Fig. 5 eine Unteransicht des Kristalls nach Fig. 2, wobei
in gestrichelten Linien die Schwingung des Kristalls um dessen Knotenpunkte gezeigt ist.
In den Zeichnungen und insbesondere in den Figuren 1 und 2 ist eine piezoelektrische Kristallbaugruppe zu erkennen, die
allgemein mit 10 bezeichnet ist und die einen langgestreckten
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stabförmigen Quarzkristall 12 vom X-Y-Schnitt einschließt,
der eine obere Oberfläche 14, eine untere Oberfläche l6 parallel zur oberen Oberfläche 14 und zwei herumgelegte Elektroden l8a,
l8b aufweist, die jeweils einen der beiden Knotenpunkte 20a, 20b (Fig. 5) auf der unteren Oberfläche 16 umgeben. Die Kristallbaugruppe
10 schließt weiterhin zwei Leitungsdrähte 22a, 22b mit geradlinigen Abschnitten 24a, 24b ein. Die oberen Enden
26a, 26b der Leitungsdrähte sind mit Hilfe von Lot jeweils an den Knotenpunkten 20a, 20b senkrecht zur unteren Oberfläche
l6 befestigt, so daß die geraden Teile 24a, 24b parallel zueinander
angeordnet sind.
Wie es aus den Figuren 2 bis 4 zu erkennen ist, schließt die
Kristallbaugruppe 10 weiterhin eine langgestreckte und im wesentlichen stabförmige Grundplatte 28 mit einer ebenen"inneren
Oberfläche 50, einer ebenen äußeren Oberfläche 32, die mit
Abstand und parallel zur ebenen inneren Oberfläche 30 angeordnet
ist, zwei lange Seitenflächen 34a, 34b, die die inneren
und äußeren Oberflächen 30, 32 verbinden und orthogonal zu
diesen angeordnet sind, sowie zwei kurze Seitenoberflächen 36a, 36b ein, die im wesentlichen orthogonal zu den langen
Seitenoberflächen 34a, 34b angeordnet sind. Die Grundplatte ist weiterhin mit zwei konischen Löchern 38a, 38 b versehen,
die orthogonal zur inneren Oberfläche 30 angeordnet sind und
deren größere Enden 40a, 40b in der inneren Oberfläche 30 liegen. Metallisierte Oberflächenteile oder Kissen 42a, 42b
auf der äußeren Oberfläche 32 umgeben die Öffnungen der Löcher
38a, 38b.
Die piezoelektrische Kristallbaugruppe 10 nach den Figuren 2 bis 4 schließt weiterhin eine Abdeckung 44 mit einem im wesentlichen
langgestreckten und ebenen Abdeckteil 46, mit zwei langen Wandteilen 48a, 48b, mit zwei kurzen Wandteilen 50a,
50b, mit zwei Anlageanschlägen 52a, 52b an den langen Wandteilen
48a, 48b für die Grundplatte sowie zwei Grundplatten-Festlegungsanschläge 54a, 54b an den kurzen Wandteilen 50a, 50b ein.
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Beim Zusammenbau werden die herumgelegten Elektroden 18a, l8b auf Teile des Kristalls 12 aufmetallisiert und die Enden 26a,
26b der Leitungsdrähte 22a, 22b werden mit Hilfe von Metallabscheidungen, wie z.B. Lot-Hohlkehlen 56a, 56b an den Elektroden
18a, l8b an den Knotenpunkten 20a, 20b des Kristalls befestigt und die Leitungsdrähte 22a, 22b werden durch die
konischen Löcher 38a, 58b in der Grundplatte eingesetzt. Die
untere Oberfläche l6 des Kristalls 12 ist mit Abstand und parallel zur inneren Oberfläche 30 der Grundplatte 28 angeordnet
und die Leitungsdrähte werden an einem Punkt, der gleich einer Viertelwellenlänge entspricht, an den metallisierten Teilen
42a, 42b der Grundplatte 28 mit Hilfe von Lotverbindungen 58a, 58b befestigt. Weil die konische Form der Löcher 38a, 38b wirksam
verhindert, daß die Lotverbindungen 58a, 58b sich innerhalb der konischen Löcher 38a ausbilden, sind die Schwingungslängen
der geraden Teile 24a, 24b der Leitungsdrähte 22a, 22b genau festgelegt. Die Grundplatte 18 mit den daran befestigten Leitungsdrähten
22a, 22b sowie dem an die Enden 26a, 26b der Leitungsdrähte 22a, 22b angelötetenKristall 12 wird in den oberen
Teil der Abdeckung 44 eingesetzt, bis die innere Oberfläche 30 der Grundplatte 28 gegen die Anlageanschläge 52a, 52b, 54a,
54b anstößt.
Vorzugsweise wird eine Vergußmassenvertiefung 60, die durch die äußere Oberfläche 32 der Grundplatte 28 und die vorstehenden
Teile 62a, 62b, 64a, 64b der Abdeckung 44 gebildet ist, mit einer geeigneten Vergußmasse 66, wie z.B. einem Epoxy-Material
gefüllt. Die Vergußmasse 66 wird wirksam befestigt und dichtet hermetisch die Grundplatte 28 gegenüber dem unteren
Teil der Abdeckung 44 ab und gleichzeitig ergibt sich eine Befestigung und hermetische Abdichtung der Leitungsdrähte
22a, 22b an der Grundplatte 28.
Bei einer wahlweisen Konstruktion sind die Lötverbindungen 58a, 58b fortgelassen und es wird lediglich das Epoxy-Material
zur Abdichtung und Befestigung der Leitungsdrähte 22a, 22b
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an der Grundplatte 28 verwendet. Allgemein sind hierbei zwei Epoxy-Klebevorgänge erforderlich: Einerseits zur Festlegung
der Lage des Kristalls gegenüber der Grundplatte und andererseits zur Befestigung und hermetischen Abdichtung der Abdeckung
gegenüber der Grundplatte.
Die Grundplatte 28 besteht vorzugsweise aus dielektrischem Material, allgemein aus einem Keramikmaterial, wie z.B. Aluminiumoxyd
und das Material für die Abdeckung 44 und die Vergußmasse 66 ist vorzugsweise so ausgewählt, daß sich im wesentlichen
der gleiche lineare Ausdehnungskoeffizient wie bei der Grundplatte ergibt. Hierdurch wird verhindert, daß unzulässige
thermische Beanspruchungen die Verbindung beschädigen und/oder Zugspannungen auf Grund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
zwischen dem Epoxymaterial 66 und der Abdeckung 44 oder zwischen dem Epoxymaterial 66 und der Grundplatte
28 hervorrufen. Ein derartiges Metall, das im Handel unter dem Handelsnamen KOVAR erhältlich ist und eine Legierung
aus Eisen, Kobalt und Nickel mit einem linearen Ausdehnungskoeffizient von ungefähr 6,2 χ 10~ ist, ist mit dem für die
Grundplatte verwendbaren Aluminiumoxyd im Hinblick auf den Ausdehnungskoeffizienten vereinbar.
In Fig. 5 ist die Schwingungsart des Kristalls 12 durch gestrichelte
Linien 68a, 68b dargestellt. Es ist leicht zu erkennen, daß obwohl die Schwingung des Kristalls 12 um die
Knotenpunkte 20a, 20b erfolgt, die Leitungsdrähte 22a, 22b sowohl Drehschwingungen als auch Biegeschwingungen auf Grund
der Schwingungen des Kristalls ausgesetzt werden. Die Ausübung der Drehschwingungen auf die Leitungsdrähte 22a, 22b ist aus
der Krümmung der gestrichelten Linien 68a, 68b erkennbar. In gleicher Weise ist aus einer Betrachtung der Fig. 5 zu erkennen,
daß die Knotenpunkte 20a, 20b jedesmal dann näher aneinandergebracht werden, wenn der Kristall in die Form schwingt, die durch
die gestrichelten Linien 28b dargestellt ist, so daß sich zumindest zwei Perioden der Biegeschwingungen ergeben, die auf
die Leitungsdrähte 22a, 22b bei jeder Schwingungsperiode des
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Kristalls 12 ausgeübt werden. Auf Grund der komplexen den Leitungsdrähten durch den Kristall erteilten Schwingungen ist
es sehr schwierig, theoretisch die Länge des Leitungsdrahtes zu berechnen, die gleich einer Viertelwellenlange der Betriebsfrequenz des Kristalls ist. Entsprechend wird die freie Schwingungslänge
des Leitungsdrahtes empirisch bestimmt.
Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung der Kristallbaugruppe ergibt sich eine wirkungsvolle Verringerung der Gesamtgröße der Kristallbaugruppe 10 dadurch, daß die geraden Teile
24a, 24b der Leitungsdrähte 22a, 22b an der äußeren Oberfläche 32 der stabförmigen Grundplatte 28 befestigt sind, so daß
die geraden Teile 24a, 24b frei in jeder Richtung in den konisohen
Löchern 38a, 38b sowie zwischen dem Kristall 12 und
der Grundplatte 28 schwingen können. Daher wird der Abstand zwischen dem Kristall 12 und der Oberfläche J50 der Grundplatte
28 um die Dicke der Grundplatte 28 verringert und die Gesamtgröße der Baugruppe wird ebenfalls entsprechend verringert,
während die Leitungsdrähte immer noch eine Länge von einer Viertelwellenlänge behalten.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform schwingt der Kristall
mit 32,768 kHz, die Leitungsdrähte weisen einen Durchmesser
von 0,127 mm auf und sie sind an der äußeren Oberfläche der Grundplatte befestigt, so daß sich eine freie Schwingungslänge von ungefähr 1,65 mm ergibt, wobei die freie Schwingungslänge empirisch als eine Viertelwellenlänge bestimmt wurde.
Bei der gleichen Anordnung weist die Grundplatte eine Dicke von 1,17 mm auf. Somit werden 70 % der für die Leitungsdrähte
benötigten Lange in den konischen oder sich verjüngenden Löchern in der Grundplatte aufgenommen und die Gesamtgröße
der Kristallbaugruppe wird beträchtlich verringert. Die Kosten für die gesamte Kristallbaugruppe werden ebenfalls verringert,
weil die Grundplatte aus einem Stück besteht und die Löcher in der Grundplatte vorgesehen sind. Weiterhin werden durch die
erfindungsgemäße Ausbildung Beanspruchungen der Baugruppe auf
§09885/0806
q _
die Grundplatte 28 wirksam vermieden, weil die Befestigung der Abdeckung oder des Deckels 44 ander Grundplatte 28 mit
Hilfe einer Vergußmasse und nicht durch einen Kaltschweißvorgang erfolgt.
Der Ausdruck "konisch" bezeichnet irgendeine konische oder sich verjüngende Form, bei der der Querschnitt des Konus zwischen
dem Scheitel und der Basis oval, kreisförmig oder mehreckig sein kann.
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Claims (11)
- - ίο -PatentansprücheIj Piezoelektrische Metallbaugruppe mit einem Kristall, zwei mit Abstand angeordneten und sich von dem Kristall nach außen hin erstreckenden Leitungsdrähten, die freie Schwingungsteile aufweisen, und mit einer Grundplatte, die mit Abstand von dem Kristall angeordnet ist und Befestigungseinrichtungen für den Kristall aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (28) zwei mit Abstand angeordnete Löcher (38a, 38b) aufweist, die jeweils mit einem der Leitungsdrähte (22a, 22b) ausgerichtet sind und jeweils einen Leitungsdraht (22a, 22b) aufnehmen, daß die Grundplatte (28) eine erste dem Kristall (12) zugewandte Oberfläche (30) und eine von dem Kristall (12) entfernte Oberfläche (32) sowie Verankerungseinrichtungen (42a, 42b) zur festen Befestigung der Leitungsdrähte (22a, 22b) an der Grundplatte (28) aufweist, daß die beiden Löcher (38a, 38b) benachbart zum Kristall (12) einen größeren Durchmesser und an ihrem von dem Kristall (12) entfernten Enden einen kleineren Durchmesser aufweisen und daß die Verankerungseinrichtungen (42a, 42b) eine wirksame Befestigung der Leitungsdrähte (22a, 22b) näher an der zweiten Oberfläche (32) als an der ersten Oberfläche (30) der Grundplatte (28) bewirken.
- 2. Kristallbaugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil jedes der Leitungsdrähte (22a, 22b) benachbart zur ersten Oberfläche, der eine Ebene dieser Oberfläche schneidet und sich im wesentlichen von der ersten Oberfläche (30) zur zweiten Oberfläche (32) erstreckt, nicht an der Grundplatte (28) befestigt ist, so daß die Erregung des Kristalls eine freie Schwingung609885/0806- ii -der Leitungsdrähte (22a, 22b) in jeder Richtung innerhalb der Löcher (38a, 38b) in der Grundplatte (28) er-• möglicht.
- 3. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Entfernung jedes der Leitungsdrähte (22a, 22b) zur Kante des jeweiligen Loches an der zweiten Oberfläche (32) kleiner als die Entfernung jedes Leitungsdrahtes von der Kante des jeweiligen Loches in der ersten Oberfläche (30) ist.
- 4. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3* dadurch gekennzeichnet, daß aufmetallisierte Kissen (42a, 42b) mit der zweiten Oberfläche (32) verbunden sind und zumindest teilweise jedes der Löcher (38a, 38b) umgeben und daß die Verankerungseinrichtungen Metallabscheidungen (58a, 58b) einschließen, die mit den Kissen und den Leitungsdrähten verbunden sind.
- 5. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, g ekennzeichnet durch eine Abdeckung (44), die mit Teilen der Grundplatte (28) zusammenwirkt und den Kristall (12) einschließt, und Befestigungseinrichtungen (66), die die Leitungsdrähte (22a, 22b) gegenüber der Grundplatte (28) und die Grundplatte (28) gegenüber der Abdeckung (44) hermetisch abdichten.
- 6. Kristallbaugruppe nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß die Befestigungseinrichtungen mit der Abdeckung (44) und der Grundplatte verbundenes Material (66) einschließen.
- 7. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall (12) ein langgestreckter Stab mit allgemein rechtwinkligem Quer-609885/0806schnitt und gegenüberliegenden parallelen Seiten ist.
- 8. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (28) ein langgestrecktes stabförmiges Teil aus dielektrischem Material einschließt, in dem die Löcher (58a, 58b) ausgebildet sind und daß die elektrische Isolation der Löcher durch das dielektrische Material gegeben ist.
- 9. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennze ichnet, daß die beiden Löcher (58a, 38b) einen größeren Durchmesser in der Nähe der dem Kristall (12) zugewandten Oberfläche (30) und einen kleineren Durchmesser an der von dem Kristall entfernten Oberfläche (32) aufweisen.
- 10. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis S, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (38a, 38b) eine konische Form aufweisen und daß die Leitungsdrähte (22a, 22b) lediglich an der zweiten Oberfläche (32) an der Grundplatte(28) befestigt sind.
- 11. Kristallbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge d*er Leitungsdrähte von dem Kristall (12) zur zweiten Oberfläche (32) der Grundplatte (28) im wesentlichen einer ViertelwelLenlänge entspricht.6 0988570806
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/595,373 US4152616A (en) | 1975-07-14 | 1975-07-14 | Piezoelectric crystal mounting |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2631074A1 true DE2631074A1 (de) | 1977-02-03 |
DE2631074B2 DE2631074B2 (de) | 1978-05-03 |
DE2631074C3 DE2631074C3 (de) | 1978-12-21 |
Family
ID=24382992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2631074A Expired DE2631074C3 (de) | 1975-07-14 | 1976-07-09 | Piezoelektrische Kristallbaugruppe |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4152616A (de) |
JP (1) | JPS5211889A (de) |
BR (1) | BR7604556A (de) |
CA (1) | CA1069610A (de) |
CH (1) | CH607335A5 (de) |
DE (1) | DE2631074C3 (de) |
FR (1) | FR2318506A1 (de) |
GB (1) | GB1506830A (de) |
IT (1) | IT1064937B (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2612050B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 振動波モータ |
US5206460A (en) * | 1991-07-24 | 1993-04-27 | Yang Mu K | Oscillator package |
US5765046A (en) * | 1994-08-31 | 1998-06-09 | Nikon Corporation | Piezoelectric vibration angular velocity meter and camera using the same |
JP4555359B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2010-09-29 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
JP2010171536A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子 |
EP2695188A4 (de) * | 2011-04-01 | 2014-10-15 | Services Petroliers Schlumberger | Hochdichte mikroelektronikverpackung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2513870A (en) * | 1948-01-23 | 1950-07-04 | Reeves Hoffman Corp | Hermetically sealed crystal |
US2546321A (en) * | 1949-02-12 | 1951-03-27 | Bell Telephone Labor Inc | Piezoelectric crystal apparatus |
US3073975A (en) * | 1958-12-23 | 1963-01-15 | Rca Corp | Crystal unit |
US3735166A (en) * | 1971-10-06 | 1973-05-22 | Cts Corp | Piezoelectric crystal assembly |
US3913195A (en) * | 1974-05-28 | 1975-10-21 | William D Beaver | Method of making piezoelectric devices |
-
1975
- 1975-07-14 US US05/595,373 patent/US4152616A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-06-30 CA CA256,063A patent/CA1069610A/en not_active Expired
- 1976-07-09 DE DE2631074A patent/DE2631074C3/de not_active Expired
- 1976-07-13 IT IT68752/76A patent/IT1064937B/it active
- 1976-07-13 FR FR7621456A patent/FR2318506A1/fr active Granted
- 1976-07-13 BR BR7604556A patent/BR7604556A/pt unknown
- 1976-07-13 CH CH896976A patent/CH607335A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-07-14 JP JP51083922A patent/JPS5211889A/ja active Pending
- 1976-07-14 GB GB29308/76A patent/GB1506830A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR7604556A (pt) | 1977-08-02 |
IT1064937B (it) | 1985-02-25 |
FR2318506A1 (fr) | 1977-02-11 |
GB1506830A (en) | 1978-04-12 |
US4152616A (en) | 1979-05-01 |
DE2631074B2 (de) | 1978-05-03 |
CH607335A5 (de) | 1978-12-15 |
FR2318506B3 (de) | 1979-04-06 |
CA1069610A (en) | 1980-01-08 |
DE2631074C3 (de) | 1978-12-21 |
JPS5211889A (en) | 1977-01-29 |
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