DE2620707C3 - Vorrichtung zur Herstellung eines Überzuges auf einer integrierten Halbleiterschaltung - Google Patents
Vorrichtung zur Herstellung eines Überzuges auf einer integrierten HalbleiterschaltungInfo
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- H10P95/00—
-
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- H10W72/0198—
-
- H10W72/073—
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- H10W72/07336—
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- H10W72/07533—
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/576,517 US4041896A (en) | 1975-05-12 | 1975-05-12 | Microelectronic circuit coating system |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2620707A1 DE2620707A1 (de) | 1976-11-18 |
| DE2620707B2 DE2620707B2 (de) | 1978-09-21 |
| DE2620707C3 true DE2620707C3 (de) | 1979-05-23 |
Family
ID=24304755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2620707A Expired DE2620707C3 (de) | 1975-05-12 | 1976-05-11 | Vorrichtung zur Herstellung eines Überzuges auf einer integrierten Halbleiterschaltung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4041896A (enExample) |
| JP (1) | JPS51135471A (enExample) |
| CA (1) | CA1059648A (enExample) |
| DE (1) | DE2620707C3 (enExample) |
| FR (1) | FR2311404A1 (enExample) |
| GB (1) | GB1519251A (enExample) |
| IT (1) | IT1060415B (enExample) |
| NL (1) | NL7604980A (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4401053A (en) * | 1981-07-17 | 1983-08-30 | Riley Thomas J | Coating fixture |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2704992A (en) * | 1951-12-28 | 1955-03-29 | Erie Resistor Corp | Gas plating apparatus |
| US2879188A (en) * | 1956-03-05 | 1959-03-24 | Westinghouse Electric Corp | Processes for making transistors |
| US3117025A (en) * | 1961-08-31 | 1964-01-07 | Space Technology Lab Inc | Thin filming apparatus |
| BE623233A (enExample) * | 1961-10-12 | 1900-01-01 | ||
| US3207126A (en) * | 1961-11-14 | 1965-09-21 | Byron Ernest | Mask changer means for vacuum deposition device |
| US3312572A (en) * | 1963-06-07 | 1967-04-04 | Barnes Eng Co | Process of preparing thin film semiconductor thermistor bolometers and articles |
| US3276423A (en) * | 1963-10-04 | 1966-10-04 | David P Triller | Pattern mask for use in making thin film circuitry |
| US3465209A (en) * | 1966-07-07 | 1969-09-02 | Rca Corp | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof |
| FR1518843A (fr) * | 1967-02-13 | 1968-03-29 | Radiotechnique Coprim Rtc | Dispositif pour le dépôt de couches minces sur des supports semi-conducteurs |
| US3597834A (en) * | 1968-02-14 | 1971-08-10 | Texas Instruments Inc | Method in forming electrically continuous circuit through insulating layer |
| US3621812A (en) * | 1969-06-18 | 1971-11-23 | Texas Instruments Inc | Epitaxial deposition reactor |
| US3647533A (en) * | 1969-08-08 | 1972-03-07 | Us Navy | Substrate bonding bumps for large scale arrays |
| US3785046A (en) * | 1970-03-06 | 1974-01-15 | Hull Corp | Thin film coils and method and apparatus for making the same |
| US3678892A (en) * | 1970-05-19 | 1972-07-25 | Western Electric Co | Pallet and mask for substrates |
-
1975
- 1975-05-12 US US05/576,517 patent/US4041896A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-04-15 GB GB15576/76A patent/GB1519251A/en not_active Expired
- 1976-04-21 CA CA250,654A patent/CA1059648A/en not_active Expired
- 1976-05-07 IT IT23115/76A patent/IT1060415B/it active
- 1976-05-10 NL NL7604980A patent/NL7604980A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-05-11 DE DE2620707A patent/DE2620707C3/de not_active Expired
- 1976-05-11 JP JP51053756A patent/JPS51135471A/ja active Pending
- 1976-05-11 FR FR7614041A patent/FR2311404A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1060415B (it) | 1982-08-20 |
| FR2311404B1 (enExample) | 1979-03-02 |
| US4041896A (en) | 1977-08-16 |
| DE2620707B2 (de) | 1978-09-21 |
| JPS51135471A (en) | 1976-11-24 |
| NL7604980A (nl) | 1976-11-16 |
| CA1059648A (en) | 1979-07-31 |
| DE2620707A1 (de) | 1976-11-18 |
| FR2311404A1 (fr) | 1976-12-10 |
| GB1519251A (en) | 1978-07-26 |
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