DE2620707C3 - Vorrichtung zur Herstellung eines Überzuges auf einer integrierten Halbleiterschaltung - Google Patents

Vorrichtung zur Herstellung eines Überzuges auf einer integrierten Halbleiterschaltung

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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • H10P14/6334
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    • H10P95/00
    • H10W74/131
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401053A (en) * 1981-07-17 1983-08-30 Riley Thomas J Coating fixture

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2704992A (en) * 1951-12-28 1955-03-29 Erie Resistor Corp Gas plating apparatus
US2879188A (en) * 1956-03-05 1959-03-24 Westinghouse Electric Corp Processes for making transistors
US3117025A (en) * 1961-08-31 1964-01-07 Space Technology Lab Inc Thin filming apparatus
BE623233A (enExample) * 1961-10-12 1900-01-01
US3207126A (en) * 1961-11-14 1965-09-21 Byron Ernest Mask changer means for vacuum deposition device
US3312572A (en) * 1963-06-07 1967-04-04 Barnes Eng Co Process of preparing thin film semiconductor thermistor bolometers and articles
US3276423A (en) * 1963-10-04 1966-10-04 David P Triller Pattern mask for use in making thin film circuitry
US3465209A (en) * 1966-07-07 1969-09-02 Rca Corp Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
FR1518843A (fr) * 1967-02-13 1968-03-29 Radiotechnique Coprim Rtc Dispositif pour le dépôt de couches minces sur des supports semi-conducteurs
US3597834A (en) * 1968-02-14 1971-08-10 Texas Instruments Inc Method in forming electrically continuous circuit through insulating layer
US3621812A (en) * 1969-06-18 1971-11-23 Texas Instruments Inc Epitaxial deposition reactor
US3647533A (en) * 1969-08-08 1972-03-07 Us Navy Substrate bonding bumps for large scale arrays
US3785046A (en) * 1970-03-06 1974-01-15 Hull Corp Thin film coils and method and apparatus for making the same
US3678892A (en) * 1970-05-19 1972-07-25 Western Electric Co Pallet and mask for substrates

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Publication number Publication date
IT1060415B (it) 1982-08-20
FR2311404B1 (enExample) 1979-03-02
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DE2620707A1 (de) 1976-11-18
FR2311404A1 (fr) 1976-12-10
GB1519251A (en) 1978-07-26

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