DE2612548B2 - Integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren, insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais - Google Patents

Integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren, insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais

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DE2612548B2
DE2612548B2 DE19762612548 DE2612548A DE2612548B2 DE 2612548 B2 DE2612548 B2 DE 2612548B2 DE 19762612548 DE19762612548 DE 19762612548 DE 2612548 A DE2612548 A DE 2612548A DE 2612548 B2 DE2612548 B2 DE 2612548B2
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    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
    • H03K17/666Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
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    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
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Description

In der Hauptanmeldung ist ein integrierter Treiberbaustein für binäre bzw. ternäre Ausgangssignale mit bipolaren Transistoren erfaßt, der einen Ausgangsgegentaktverstärker hat, der durch zwei in Reihe liegende getrennt steuerbare Gegentakttransistoren gebildet wird. Der Ausgangsverstärker weist einen Tri-State-Ausgang auf. Jeder der beiden Gegentakttransistoren wird über eine Konstantstromquelle gesteuert, die nur dann stromliefernd geschaltet ist, wenn der betreffende von ihr angesteuerte Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert werden soll. Dieser Treiberbaustein dient insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais. In der Hauptpatentanmeldung ist auch angegeben, daß zur Schaffung von Konstantstromquellen Multikollektortransistoren ausnutzbar sind, die an sich bekannt sind (siehe DE-AS 36 316, DE-OS 22 56 640).
Die Erfindung zeigt nun einen Weg, wie diese Technik mit einem besonders geringen Aufwand zustande zu bringen ist
Demgemäß wird von einem integrierten Treiberbaustein für binäre bzw. ternäre Ausgangssignale mit bipolaren Transistoren und mit einem Ausgangsgegentaktverstärker ausgegangen, der durch zwei in Reihe liegende, getrennt steuerbare Gegentakttransistoren gebildet wird, wobei der Ausgangsverstärker einen Tri-State-Ausgang aufweist und bei dem jeder der s beiden Gegentakttransistoren über eine nur dann stromliefernd geschaltete Konstantstromquelle angesteuert wird, wenn der betreffende von ihr angesteuerte Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert werden soll, insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais, nach Patentanmeldung 26 12 495.8. Gemäß der Erfindung ist dieser Baustein dadurch gekennzeichnet daß als Konstantstromquellen Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors benutzt sind, daß das Stromlieferndschalten zwecks Ansteuerung der Gegentakttransistoren durch Hochohmigschalten von Schaltern bewirkt wird, die individuell an die betreffenden Kollektoren angeschlossen sind und durch die sonst der Kollcktorstrom vom betreffenden Gegentakttransistor ferngehalten wird. Da als Konstantstromquellen die Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors benutzt wird, ergibt sich ein besonders geringer schaltungstechnischer Aufwand, und es läßt sich der Baustein in integrierter Technik besonders leicht herstellen. Die erfindungsgemäße Technik ist aber auch von Vorteil, wenn es sich um einen aus diskreten Bauelementen zusammengeschalteten Baustein handelt
Die Erfindung wird im folgenden anhand der F i g. 1 und 2 näher erläutert F i g. 1 zeigt ein Blockschaltbild, das den Ausgangsgegentaktverstärker und die Konstantstromquellen umfaßt F i g. 2 zeigt den schaltungstechnischen Aufbau dieser Teile des Bausteins.
In dem Blockschaltbild des Bausteins gemäß F i g. 1 sind diejenigen Teile gezeigt die für die Erfindung von Bedeutung sind. Dazu gehören die beiden Stufen A 1 und Λ 2 des Ausgangsgegentaktverstärkers. Diese beiden Stufen sind an die Klemmen mit den Spannungen Us 1 und Us 2 der Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Der Tri-State-Ausgang ist mit Q bezeichnet Dort kann entweder die Spannung Us 1 oder die Spannung Us 2 geliefert werden, je nachdem, ob die Stufe A 1 oder die Stufe .4 2 leitend gesteuert ist Der Tri-State-Ausgang kann auch hochohmig sein, nämlich dann, wenn keine dieser beiden Stufen leitend gesteuert ist Die Stufen A 1 und A 2 werden über die Konstantstromquellen S1 und 5 2 gesteuert Diese Konstantstromquellen sind ihrerseits ebenfalls an die Klemmen mit den Spannungen USl und US 2 angeschlossea Ober die Steuerklemmen Va und Vb kann das Stromlieferndschalten der Konstantstromquellen S1 und 52 bewirkt werden.
In der Fig.2 ist der p-n-p-Multikollektortransistor MKT gezeigt, dessen Kollektoren kl und k2 als Konstantstromquellen benutzt sind. An den Kollektor Jt 1 ist die eine Stufe des Ausgangsgegentaktverstärkers angeschlossen, zu der die n-p-n-Transistoren TIl und Tl 2 gehören und an den Kollektor k2 ist die andere Stufe des Ausgangsgegentaktverstärkers angeschlossen, zu der die n-p-n-Transistoren T21 und T22 gehören. Die Steuerklemme Va ist mit dem Kollektor k 1 und die Steuerklemme Vb ist mit dem Kollektor k 2 verbunden. Zum Stromlieferndschalten der Konstantstromquellen dienen hier die schematisch dargestellten Schaltmittel va und vb, die wie Ruhekontakte wirken und die individuell an die Kollektoren k 1 und Jt 2 über die Steuerklemmen Va und VZj angeschlossen sind. Im Ruhezustand wird daher der Kollektorstrom von den Stufen des Ausgangsgegentaktverstärkers und damit
von den zugehörigen Gegentakttransistoren ferngehalten. Wird der Ruhekontakt va betätigt, so wird die Stufe mit den Transistoren Tiί und Γ12 leitend gesteuert Wird stattdessen der Ruhekontakt vb betätigt, so wird die Stufe mit den Transistoren Γ21 und Γ22 leitend gesteuert Der Emitter des Multikolloktortransistors MKT'ist nämlich an die Klemme mit der Spannung Us 1 der Betriebsspannungsquelle angeschlossen, die hier positiv ist Der Kollektor A 3 und die damit verbundene Basis des Multikollektortransistors MKT ist über den Widerstand F an die Klemme mit der Spannung Us 2 der Betriebsspannungsquelle angeschlossen, die hier negativ Potential hat Diese Schaltungstechnik hat zur Folge, daß der Muldkollektortransistor in einen Sättigungszustand gesteuert wird, so daß seine Kollektoren il und k 2 als Konstantstromquellen gut ausnutzbar sind. In der F i g. 2 ist noch zum Widerstand R der Transistor Tin Reihe gelegt, der mit Hilfe der an seiner Basis liegenden Steuerspannung Us2\ leitend gesteuert ist Auf diese Weise kann der über den Widerstand R fließende Strom sfabiJisiert werden, wodurch sich besonders konstante Betriebsverhältnisse ergeben.
Der von den Kollektoren des Multikollektortransistors gelieferte konstante Strom könnte direkt zum Steuern von Gegentakttransistoren des Ausgangsgegentaktverstärkers benutzt werden. Bei dem in F i g. 2 gezeigten Schaltungsbeispiel ist jedem Gegentakttransistor noch jeweils ein Steuertransistor vorgeschaltet. So ist dem Gegentakttransistor T12 der Steuertransi stör TU und dem Gegentaktfansistor Γ22 der Steuertransistor T2\ vorgeschaltet Die Steuertransistoren dienen hier zur Stromverstärkung und werden zur Anpassung der Betriebseigenschaften des Multikollektortransistors MKTan die Betriebseigenschaften der
ίο Gegentakttransistoren Γ12 und T22 ausgenutzt Mit
Hilfe der Diode G 2 und der Widerstände R 11, R 12 und R 2 wird die richtige Arbeitsweise des Ausgangsgegen-
taktverstärkers sichergestellt
Die als Ruhekontakte in der Fig.2 dargestellten
Schaltmittel va und vb können z. B. durch Transistoren realisiert sein, die durch Steuersignale fallweise leitend gesteuert werden, dagegen im Ruhezustand gesperrt gesteuert sind.
Den Transistoren Γ11 und 712 ist die Diode Ci
vorgeschaltet. Sie dient zum Schutz dieser Transistoren, wenn der Tri-State-Ausgang Q zusammen mit anderen derartigen Ausgängen von Bausteinen an dieselbe Busleitung angeschlossen ist Es wird dann verhindert, daß die Emitter-Basis-Strecken dieser Transistoren im Sperrzustand durch eine Spannung, die dem Ausgang Q zugeführt wird, unzulässig hoch belastet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Integrierter Treiberbaustein für binäre bzw. ternäre Ausgangssignale mit bipolaren Transistoren und mit einem Ausgangsgegentaktverstärker, der durch zwei in Reihe liegende, getrennt steuerbare Gegentakttransistoren gebildet wird, wobei der Ausgangsverstärker einen Tri-State-Ausgang aufweist, bei dem jeder der beiden Gegentakttransistoren über eine nur dann stromliefernd geschaltete Konstantstromquelle angesteuert wird, wenn der betreffende von ihr angesteuerte Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert werden soll, insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais, nach Patentanmeldung 26 12 495.8, dadurch gekennzeichnet, daß als Konstantstromquellen die Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors (MKT) benutzt sind, daß das Stromlieferndschalten zwecks Ansteuerung der Gegentakttransistoren durch Hochohmigschalten von Schaltern (va, »^bewirkt wird, die individuell an die betreffenden Kollektoren (k\, Jt 2) angeschlossen sind und durch die sonst der Kollektorstrom vom betreffenden Gegentakttransistor (T 12, T22) ferngehalten wird.
2. Baustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kollektor (k3) und die damit verbundene Basis de* Multikollektortransistors (MKT) aber einen Widerstand (R) an die eine Klemme (Us 2) und daß sein Emitter an die andere Klemme (Us 1) der Betriebsspannungsquelle angeschlossen sind.
3. Baustein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der über den Widerstand (R) fließende Strom durch einen zum Widerstand (R) in Reihe liegenden und leitend gesteuerten Transistor (T) stabilisiert ist
4. Baustein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Gegentakttransistor (T 12, Γ22) ein Steuertransistor (T 11, Γ 21) vorgeschaltet ist
DE19762612548 1976-03-24 1976-03-24 Integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren, insbesondere zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais Expired DE2612548C3 (de)

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DE2612548A1 (de) 1977-09-29
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