CH615296A5 - Integrated driver component with bipolar transistors - Google Patents

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CH615296A5
CH615296A5 CH204977A CH204977A CH615296A5 CH 615296 A5 CH615296 A5 CH 615296A5 CH 204977 A CH204977 A CH 204977A CH 204977 A CH204977 A CH 204977A CH 615296 A5 CH615296 A5 CH 615296A5
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push
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transistor
transistors
driver module
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CH204977A
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German (de)
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Johann Geier
Peter Dipl Ing Picard
Irmfried Dipl Ing Bromme
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Siemens Ag
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
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    • H03K17/666Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
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Description

Die Erfindung betrifft die Stromversorgung der Ausgangsstufe eines integrierten Bausteins, und zwar mit einer Ausgangsstufe aus bipolaren Transistoren. Es handelt sich also um einen integrierten Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren. Der Baustein dient insbesondere zur Steuerung von Relais, z. B. polarisierter, etwa bipolarer Fernsprechrelais, die eine gut definierte Ansprechschwelle aufweisen. Der Baustein eignet sich The invention relates to the power supply of the output stage of an integrated module, namely with an output stage made of bipolar transistors. It is an integrated driver module with bipolar transistors. The block is used in particular to control relays, e.g. B. polarized, such as bipolar telephone relays that have a well-defined response threshold. The block is suitable

2 2nd

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

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65 65

jedoch auch zur Steuerung nichtpolarisierter Relais oder zur Steuerung sonstiger Einrichtungen, welche mit energiereichen Impulsen einer oder beider Polaritäten gesteuert werden müssen, deren Amplitude möglichst unabhängig von der Spannung der Gleichstromversorgung sein soll. however also for controlling non-polarized relays or for controlling other devices which have to be controlled with high-energy pulses of one or both polarities, the amplitude of which should be as independent as possible of the voltage of the direct current supply.

Integrierte Treiberbausteine mit bipolaren Transistoren sind in grosser Zahl bekannt. Zum Beispiel in der US-PS 3 435 295 und in der DT-OS 2 322 639, Fig. 1 bis 4, sind solche integrierten Treiberbausteine mit bipolaren Transistoren gezeigt, die zur Steuerung von Relais dienen. Integrated driver modules with bipolar transistors are known in large numbers. For example, in US Pat. No. 3,435,295 and in DT-OS 2,322,639, FIGS. 1 to 4, such integrated driver modules with bipolar transistors are shown, which are used to control relays.

Dreizustands-Ausgänge, in der Fachwelt meistens Tri-State-Ausgänge genannt, also Ausgänge mit zwei verschiedenen niederohmigen und einem sehr hochohmigen Zustand, sind häufig angewendet, vgl. z. B. Motorola, Mc MOS-Handbook, Okt. 1973, Seite 6.20/6.21. Three-state outputs, usually called tri-state outputs in the technical field, i.e. outputs with two different low-resistance and a very high-resistance state, are often used, cf. e.g. B. Motorola, McMOS Handbook, Oct. 1973, pages 6.20 / 6.21.

Durch Blomeyer-Bartenstein, Mikroprozessor und Mikrocomputer, Siemens, S. 29, Bild 7c, ist bereits ein integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren bekannt, der einen Ausgangsgegentaktverstärker mit zwei in Reihe liegenden, getrennt steuerbaren Gegentakttransistoren zeigt, wobei dieser Ausgangsgegentaktverstärker einen Dreizustands-Ausgang aufweist. Im hochohmigen Zustand des Ausgangs sind beide Gegentakttransistoren nichtleitend, in den beiden niederohmigen Zuständen ist jeweils der eine oder der andere der beiden Gegentaktttansistoren leitend. Dieser Treiberbaustein dient insbesondere zur Steuerung weiterer TTL-Schaltungen über Bus-Leitungen. An integrated driver module with bipolar transistors is already known from Blomeyer-Bartenstein, microprocessor and microcomputer, Siemens, p. 29, figure 7c, which shows an output push-pull amplifier with two series-controlled, separately controllable push-pull transistors, this output push-pull amplifier having a three-state output . In the high-resistance state of the output, both push-pull transistors are non-conductive; in the two low-resistance states, one or the other of the two push-pull transistors is conductive. This driver module is used in particular to control other TTL circuits via bus lines.

Integrierte Bausteine, auch der zuletzt genannte integrierte Treiberbaustein, können normalerweise mit Gleichstromversorgungsspannungen versorgt werden, die bereits eine relativ grosse Toleranz aufweisen können. Integrated modules, also the last-mentioned integrated driver module, can normally be supplied with DC supply voltages, which can already have a relatively large tolerance.

Durch die DT-OS 2 237 559 ist eine Konstantspannungs-quelle als Versorgungsquelle eines integrierten Bausteins bekannt. Die Konstantspannungsquelle enthält neben einer Reihenschaltung von Zenerdioden noch einen Multikollektortransistor zur Versorgung dieser Reihenschaltung. DT-OS 2 237 559 discloses a constant voltage source as a supply source for an integrated module. In addition to a series connection of zener diodes, the constant voltage source also contains a multi-collector transistor for supplying this series connection.

Durch die DT-OS 2 256 640 ist eine Konstantstromquelle zur Gleichstromversorgung eines integrierten Bausteins mit bipolaren Transistoren bekannt. Diese Konstantstromquelle enthält einen Multikollektortransistor, dessen Kollektoren einen konstanten Strom liefern können. Damit dieser Strom konstant ist, liegt hier in Reihe zum Emitter dieses Multikollektortransistors ein weiterer Transistor, dessen Widerstand seiner Kollektor-Emitter-Strecke durch einen weiteren Regelverstärker gesteuert ist, wobei der Regelverstärker seinerseits durch den Strom in einem der Kollektoren des Multikollektortransistors gesteuert ist. DT-OS 2 256 640 discloses a constant current source for direct current supply to an integrated module with bipolar transistors. This constant current source contains a multi-collector transistor, the collectors of which can supply a constant current. So that this current is constant, there is a further transistor in series with the emitter of this multi-collector transistor, the resistance of its collector-emitter path is controlled by a further control amplifier, the control amplifier in turn being controlled by the current in one of the collectors of the multi-collector transistor.

Durch z. B. Electronic Engg., Sept. 1953, S. 358-364, insbes. Fig. 4 und 13 ist bekannt, dass der Kollektor-Emitter-Strom gesättigter Transistoren zwar vom Basisstrom, aber nahezu nicht von der Kollektor-Emitter-Spannung abhängt. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Toleranz der Gleichstromversorgungsspannungen eines Treiberbausteins sehr stark zu vergrössern, also einen Baustein mit sog. Riesentoleranz herzustellen, obwohl am Bausteinausgang Ausgangsströme beider Polaritäten mit relativ engen Toleranzen auftreten sollen. Wegen dieser besonderen Aufgabe eignet sich der erfin-dungsgemäss integrierte Treiberbaustein besonders zur Steuerung von polarisierten Fernsprechrelais, die mindestens drei verschiedene Schaltzustände, je nach Grösse und Polarität des Ausgangsstromes, aufweisen, wobei die im System, hier die im Fernsprechsystem, verwendeten Gleichstromversorgungsspannungen zum Beispiel eine Toleranz zwischen 36 V und 6,8 V aufweisen dürfen. Die Toleranz der Gleichstromversor-gungsspannung beträgt also ein Vielfaches der minimal notwendigen Gleichstromversorgungsspannung. Der Treiberbaustein mit einer solchen Riesentoleranz seiner Gleichstromversorgung kann daher ausserordentlich vielseitig in Systemen By z. B. Electronic Engg., Sept. 1953, pp. 358-364, esp. Fig. 4 and 13 it is known that the collector-emitter current of saturated transistors depends on the base current, but almost not on the collector-emitter voltage . The object of the invention is to greatly increase the tolerance of the DC supply voltages of a driver module, that is to say to produce a module with a so-called giant tolerance, although output currents of both polarities are to occur at the module output with relatively narrow tolerances. Because of this special task, the driver module integrated according to the invention is particularly suitable for controlling polarized telephone relays which have at least three different switching states, depending on the size and polarity of the output current, the DC supply voltages used in the system, here the ones in the telephone system, for example, one Tolerance between 36 V and 6.8 V. The tolerance of the DC power supply voltage is therefore a multiple of the minimum necessary DC power supply voltage. The driver module with such a huge tolerance of its DC power supply can therefore be extremely versatile in systems

3 615 296 3,615,296

verwendet werden, welche weitgehend beliebige Versorgungsspannungen aufweisen dürfen. Insbesondere sollte der erfin-dungsgemässe Treiberbaustein aber zusätzlich die Steuerung unpolarisierter Relais bei besonders niedrigen Gleichstromver-5 sorgungsspannungen des Treiberbausteins zulassen, also von Relais mit zwei Schaltzuständen, welche durch Ausgangsströme mit einer bestimmten Mindestgrösse der einen Polarität in ihren ersten Schaltzustand und durch Ausgangsströme unterhalb einer zweiten Mindestgrösse der gleichen Polarität io in den zweiten Schaltzustand gesteuert werden; um zu verhindern, dass bei Abwesenheit von Steuersignalen Treiberbaustein-Ausgangsströme fliessen, welche die Ausgangsstufe des Treiberbausteins und das am Treiberbausteinausgang angeschlossene Organ, insbesondere polarisierte Relais, mit einem 15 Ruhestrom belasten, muss der Treiberbausteinausgang auch in einen hochohmigen Zustand gesteuert werden können; es sollte daher ein Dreizustands-Ausgang vorgesehen werden. are used, which may largely have any supply voltages. In particular, the driver module according to the invention should, however, additionally allow the control of unpolarized relays at particularly low DC supply voltages of the driver module, i.e. relays with two switching states, which in their first switching state by output currents with a certain minimum magnitude of one polarity and by output currents below one second minimum size of the same polarity io can be controlled in the second switching state; In order to prevent driver module output currents from flowing in the absence of control signals, which load the output stage of the driver module and the organ connected to the driver module output, in particular polarized relays, with a quiescent current, the driver module output must also be able to be controlled in a high-impedance state; a three-state output should therefore be provided.

Die Erfindung geht aus von einem integrierten Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren sowie mit einem Ausgangsge-20 gentaktverstärker, der durch zwei in Reihe liegende, getrennt steuerbare Gegentakttransistoren gebildet wird, wobei der Ausgangsgegentaktverstärker einen Dreizustands-Ausgang aufweist. Der erfindungsgemässe Treiberbaustein ist dadurch gekennzeichnet, dass jeder der beiden Gegentakttransistoren 25 des Ausgangsgegentaktverstärkers über eine nur dann stromliefernd geschaltete Konstantstromquelle angesteuert wird, wenn der betreffende Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert ist. An sich kann für jeden Gegentakttransistor eine ihm eigene solche Konstantstromquelle angebracht 30 werden. Beide Gegentakttransistoren können aber auch durch eine beiden gemeinsame Konstantstromquelle, z. B. durch einen einzigen Multikollektor-Transistor gesteuert werden, dessen erster Kollektor den Basisstrom für den ersten Gegentakttransistor und dessen zweiter Kollektor den Basisstrom des 35 zweiten Gegentakttransistors liefert, wobei Schalter, z. B. Transistorschalter, einmal den konstanten Strom dem ersten, später dem zweiten Gegentakttransistor zuführen. Solche Schalter sind insbesondere zwischen die Konstantstromquelle und die Steuerelektroden der Gegentakttransistoren einzufügen. 40 Die Erfindung und Weiterbildungen davon werden anhand der in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Ausführungsbeispiele näher erläutert, wobei The invention is based on an integrated driver module with bipolar transistors as well as with an output clock amplifier, which is formed by two series-controlled, separately controllable push-pull transistors, the output push-pull amplifier having a three-state output. The driver module according to the invention is characterized in that each of the two push-pull transistors 25 of the output push-pull amplifier is driven via a constant current source that is only switched to supply current when the push-pull transistor in question is controlled in its conductive state. As such, a constant current source of its own can be attached 30 for each push-pull transistor. Both push-pull transistors can also by a common constant current source, z. B. be controlled by a single multi-collector transistor, the first collector of which supplies the base current for the first push-pull transistor and the second collector of which is the base current of the 35 second push-pull transistor, switches, e.g. B. transistor switch, once the constant current to the first, later the second push-pull transistor. Such switches are to be inserted in particular between the constant current source and the control electrodes of the push-pull transistors. The invention and further developments thereof are explained in more detail with reference to the exemplary embodiments shown in FIGS. 1 to 3, wherein

Fig. 1 das Prinzip eines Ausführungsbeispieles und Fig. 1 shows the principle of an embodiment and

Fig. 2 und 3 detaillierte Ausführungsbeispiele für das in 45 Fig. 1 gezeigte Prinzip zeigen. FIGS. 2 and 3 show detailed exemplary embodiments for the principle shown in FIG. 1.

Das in Fig. 1 gezeigte Prinzipschaltbild zeigt den Signaleingang I für das Polaritätssteuersignal, das die Polarität des Stromes am Treiberbausteinausgang Q steuert. Ausserdem ist der Aktivierungssignaleingang EN, in der Fachwelt meistens Enaso blesignaleingang genannt, gezeigt, über welchen der Treiberbausteinausgang Q wahlweise in seinen hochohmigen (EN = L) oder in einen niederohmigen Zustand (EN = H) gesteuert werden kann. Das am Treiberbausteinausgang Q angeschlossene, hier polarisierte Relais RE wird also im niederohmigen Zustand 55 des Ausgangs Q von Strömen der einen oder der entgegengesetzten Polarität durchflössen, je nachdem, ob das Polaritätssteuersignal I jeweils L oder H ist. Das Relais RE wird jedoch von keinem Strom durchflössen, wenn der Treiberbausteinausgang Q hochohmig ist, wenn also am Aktivierungssignalein-60 gang EN kein Aktivierungssignal, also EN = L, anliegt. The basic circuit diagram shown in FIG. 1 shows the signal input I for the polarity control signal which controls the polarity of the current at the driver module output Q. In addition, the activation signal input EN, in the technical field mostly called Enaso signal input, is shown, via which the driver block output Q can be controlled either in its high-resistance (EN = L) or in a low-resistance state (EN = H). The relay RE connected to the driver module output Q, here polarized, is thus flowed through by currents of one or the opposite polarity in the low-resistance state 55 of the output Q, depending on whether the polarity control signal I is L or H in each case. However, no current flows through the relay RE if the driver module output Q has a high impedance, that is to say if there is no activation signal at the activation signal input EN, ie EN = L.

Bei dem in Fig. 1 gezeigten Treiberbaustein ist also ein Ausgangsgegentaktverstärker mit zwei in Reihe liegenden, In the driver module shown in FIG. 1, there is therefore an output push-pull amplifier with two,

getrennt steuerbaren, bipolaren Gegentakttransistoren angebracht, dessen Ausgang Q einen Dreizustands-Ausgang bildet. 65 Je nachdem, ob separately controllable, bipolar push-pull transistors, whose output Q forms a three-state output. 65 Depending on whether

1. beide Gegentakttransistoren A1/A2 in ihrem sperrenden Zustand sind, oder ob 1. both push-pull transistors A1 / A2 are in their blocking state, or whether

2. der eine oder 2. the one or

615296 615296

3. der andere dieser beiden Gegentakttransistoren, also AI oder A2, in seinem leitenden Zustand ist, 3. the other of these two push-pull transistors, ie AI or A2, is in its conductive state,

fliesst durch das polarisierte Relais RE flows through the polarized relay RE

1. kein Strom, oder ein Strom 1. no electricity, or a current

2. der einen oder 2. the one or

3. anderen Polarität. 3. different polarity.

Der durch das Relais RE fliessende Ausgangsstrom der ersten Polarität fliesst also über den Gleichstromversorgungs-anschluss USI, über den Gegentakttransistor A2, über den Ausgang Q und über das Relais RE zum Anschluss UM. Der Ausgangsstrom entgegengesetzter Polarität fliesst hingegen zum Gleichstromversorgungsanschluss US2 über den Gegentakttransistor AI, über den Ausgang Q und über das Relais RE vom Anschluss UM her. The output current of the first polarity flowing through the relay RE thus flows via the direct current supply connection USI, via the push-pull transistor A2, via the output Q and via the relay RE to the connection UM. The output current of opposite polarity, on the other hand, flows to the DC supply connection US2 via the push-pull transistor AI, via the output Q and via the relay RE from the connection UM.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, können die Potentiale an USI, z. B. + 15 V, und am Anschluss US2, z. B. —15 V, betragen. Es zeigte sich jedoch, wie später noch beschrieben wird, dass diese Potentiale auch ganz erheblich, z. B. jeweils um den Faktor 2, nach unten abweichen können, obwohl die Ausgangsströme durch das Organ RE nahezu konstante Amplitude haben - dass also Riesentoleranzen für die Gleichstromversorgung zugelassen sind. As shown in Fig. 1, the potentials at USI, e.g. B. + 15 V, and at connection US2, z. B. -15 V. However, it was shown, as will be described later, that these potentials are also very considerable, e.g. B. each can deviate downwards by a factor of 2, although the output currents through the RE element have an almost constant amplitude - that is, huge tolerances are permitted for the direct current supply.

Jeder der beiden Gegentakttransistoren Al, A2 wird bei diesem Beispiel über eine ihm eigene Konstantstromquelle Sl, S2 gesteuert. Die jeweils individuell zugeordnete Konstantstromquelle SI, S2 wird ihrerseits dann in ihren stromliefernden Zustand geschaltet, wenn der betreffende zugeordnete, von ihr angesteuerte Gegentakttransistor AI bzw. A2 in seinen leitenden Zustand gesteuert werden soll. Solange der zugeordnete Gegentakttransistor A1, A2 j edoch in seinen nichtleitenden Zustand gesteuert werden soll, ist auch die betreffende Konstantstromquelle Sl bzw. S2 jeweils nicht in denjenigen Zustand geschaltet, in dem diese Konstantstromquelle einen Strom zur Steuerung des zugeordneten Ausgangstransistors AI bzw. A2 in dessen leitenden Zustand liefert. In this example, each of the two push-pull transistors A1, A2 is controlled via its own constant current source S1, S2. The individually assigned constant current source SI, S2 is in turn switched to its current-supplying state when the associated push-pull transistor AI or A2 to be controlled by it is to be controlled in its conductive state. As long as the associated push-pull transistor A1, A2 is to be controlled in its non-conductive state, however, the relevant constant current source S1 or S2 is also not switched to the state in which this constant current source has a current for controlling the assigned output transistor AI or A2 in it supplies conductive state.

Dadurch, dass die beiden Gegentakttransistoren Al, A2 getrennt ansteuerbar sind, also unabhängig voneinander wahlweise in ihren leitenden oder in ihren nichtleitenden Zustand steuerbar sind, bildet der Treiberbausteinausgang Q einen Drei-zustands-Ausgang. Dadurch, dass beide getrennt steuerbaren Gegentakttransistoren A1, A2 nur mit stabilisierten, also von der Gleichstromversorgung weitgehend unabhängigen Strömen über jeweils individuell ihnen zugeordnete, also eigene Konstantstromquellen SI, S2 angesteuert werden, kann die Versorgungsspannung an den Anschlüssen USI, US2 nicht nur Riesentoleranzen aufweisen, sondern es kann zusätzlich jede der beiden Konstantstromquellen SI, S2 selbst wahlweise in ihren Strom liefernden und in ihren keinen Strom liefernden Zustand geschaltet werden, ohne zusätzliche Schalter zwischen diesen Konstantstromquellen und ihren zugeordneten Gegentakttransistoren anbringen zu müssen. Wegen der Riesentoleranz kann ein stabilisierter, vorbestimmter Strom der Konstantstromquellen SI, S2 praktisch unabhängig von der jeweiligen Grösse der Gleichstromversorgungsspannung die bipolaren Gegentakttransistoren Al, A2 nur in solche leitende Zustände steuern, in denen der Kollektorstrom bzw. Emitterstrom dieser Gegentakttransistoren Al, A2 einen - über den Verstärkungsfaktor dieser Ausgangstransistoren gut definierten, vom stabilisierten Strom der Konstantstromquellen SI, S2 abhängigen - Ausgangsstrom dem an den Treiberbausteinausgang Q angeschlossenen Organ, hier ein bipolarisiertes Relais RE, liefert. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Gegentakttransistoren jeweils in ihren gesättigten Zustand gesteuert werden, falls sie leitend sein sollen. Gesättigte Transistoren werden nämlich von Kollektorströroen durchflössen, die fast unabhängig von der Kollektor-Emitter-Spannung dieses Transistors sind. Because the two push-pull transistors A1, A2 can be controlled separately, that is to say can be controlled independently of one another in their conductive or non-conductive state, the driver module output Q forms a three-state output. The fact that the two separately controllable push-pull transistors A1, A2 are only controlled with stabilized currents, that is to say largely independent of the direct current supply, via individually assigned, that is, their own constant current sources SI, S2, means that the supply voltage at the connections USI, US2 can not only have huge tolerances, instead, each of the two constant current sources SI, S2 itself can optionally be switched in its current-supplying and non-current-supplying state without having to install additional switches between these constant current sources and their associated push-pull transistors. Because of the huge tolerance, a stabilized, predetermined current of the constant current sources SI, S2 can control the bipolar push-pull transistors Al, A2 practically independent of the respective size of the DC supply voltage only in those conductive states in which the collector current or emitter current of these push-pull transistors Al, A2 over - one the amplification factor of these output transistors, well-dependent on the stabilized current of the constant current sources SI, S2 - output current provides the organ connected to the driver block output Q, here a bipolarized relay RE. This is particularly the case if the push-pull transistors are each controlled in their saturated state if they are to be conductive. Saturated transistors are traversed by collector currents that are almost independent of the collector-emitter voltage of this transistor.

Die Erfindung nutzt also aus, dass unabhängig voneinander steuerbare, bipolare Gegentakttransistoren Al, A2 durch Steuerung an ihren Basen mit von Konstantstromquellen SI, S2 gelieferten Strömen in leitende Zustände steuerbar sind, in denen diese Gegentakttransistoren weitgehend unabhängig von den Gleichstromversorgungsspannungen USI, US2 nur Ausgangsströme mit entsprechend engen Toleranzen durch das am Treiberbausteinausgang Q angeschlossene Organ RE liefern. The invention thus makes use of the fact that bipolar push-pull transistors Al, A2, which can be controlled independently of one another, can be controlled by control at their bases with currents supplied by constant current sources SI, S2 in conductive states in which these push-pull transistors are largely independent of the DC supply voltages USI, US2 and only have output currents deliver correspondingly narrow tolerances by the RE element connected to the driver module output Q.

In Fig. 1 ist zusätzlich eine Verknüpfungsschaltung V gezeigt, welche die bereits genannten Eingänge I und EN, In Fig. 1, a logic circuit V is additionally shown, which the already mentioned inputs I and EN,

sowie zwei Ausgänge aufweist. Der erste Ausgang schaltet bei diesem Beispiel die Konstantstromquelle Sl. Der zweite Ausgang schaltet die Konstantstromquelle S2. Der Aufbau der Verknüpfungsschaltung V gewährleistet, dass der Treiberbausteinausgang Q, also der dort angebrachte Dreizustands-Ausgang, in seine drei verschiedenen Zustände mit Hilfe von dem Treiberbaustein zugeführten Steuersignalen, hier I und EN, gesteuert werden kann. and has two outputs. In this example, the first output switches the constant current source S1. The second output switches the constant current source S2. The structure of the logic circuit V ensures that the driver module output Q, that is to say the three-state output attached there, can be controlled in its three different states with the aid of control signals supplied to the driver module, here I and EN.

Zur weiteren Vergrösserung der Riesentoleranz für die Gleichstromversorgungsspannungen kann, wie in Fig. 1 angedeutet ist, vorgesehen sein, dass auch die Verknüpfungsschaltung V selbst über eine, spannungsstabilisierende und/oder stromstabilisierende, zusätzliche stabilisierende Einheit S3 mit Gleichstrom versorgt wird. Dadurch kann nämlich jede der Konstantstromquellen SI, S2 mit besonders stabilisierten Signalen über die Ausgänge der Verknüpfungsschaltung V geschaltet werden, so dass die Ausgänge der Konstantstromquellen SI, S2 ihrerseits ganz besonders stark stabilisierte Ströme zur Ansteuerung der Gegentakttransistoren Al, A2 liefern. To further increase the huge tolerance for the direct current supply voltages, it can be provided, as indicated in FIG. 1, that the logic circuit V itself is also supplied with direct current via a voltage-stabilizing and / or current-stabilizing, additional stabilizing unit S3. As a result, each of the constant current sources SI, S2 can be switched with specially stabilized signals via the outputs of the logic circuit V, so that the outputs of the constant current sources SI, S2 in turn deliver very particularly stabilized currents for driving the push-pull transistors A1, A2.

Grundsätzlich könnte der Ausgang Q des Treiberbausteins auch dadurch einen Dreizustands-Ausgang darstellen, dass dort ein weiterer Schalter bzw. Transistor, z. B. zwischen das am Ausgang Q angeschlossene Organ RE und dem Verbindungspunkt zwischen den Gegentakttransistoren Al, A2, eingefügt wird. Dieser eingefügte Schalter könnte z. B. direkt von dem Aktivierungssignal EN gesteuert werden. In diesem Falle könnte eine Verknüpfungsschaltung V mit eigenem Aktivierungssignaleingang EN entfallen. In principle, the output Q of the driver module could also represent a three-state output in that another switch or transistor, e.g. B. between the terminal RE connected to the output Q and the connection point between the push-pull transistors A1, A2. This inserted switch could e.g. B. can be controlled directly by the activation signal EN. In this case, a logic circuit V with its own activation signal input EN could be omitted.

Die Einfügung eines solchen Schalters kann vermieden werden, wenn eine von einem Aktivierungssignal EN gesteuerte Verknüpfungsschaltung V vorgesehen ist, die direkt die Verbindung zwischen den Konstantstromquellen und den Gegentakttransistoren oder die direkt die Konstantstromquellen schalten, so dass keiner der beiden Gegentakttransistoren in seinen leitenden Zustand gesteuert wird und damit der Drei-zustands-Ausgang Q hochohmig wird, solange kein Aktivierungssignal EN am Treiberbaustein anliegt. The insertion of such a switch can be avoided if a logic circuit V controlled by an activation signal EN is provided, which directly connects the connection between the constant current sources and the push-pull transistors or which directly switch the constant current sources, so that neither of the two push-pull transistors is controlled in its conductive state and so that the three-state output Q becomes high-resistance as long as no activation signal EN is present at the driver module.

Dadurch, dass zwischen die Verknüpfungsschaltung und den Steuerleitungen der Gegentakttransistoren die von der Verknüpfungsschaltung gesteuerten Konstantstromquellen Sl, S2 eingefügt sind, werden die Gegentakttransistoren unmittelbar von den Konstantstromquellen und nur mittelbar von der Verknüpfungsschaltung gesteuert, wodurch die den Basen der Gegentakttransistoren Al, A2 zugeführten stabilisierten Steuerströme noch besser stabilisiert sind, als wenn die Verknüpfungsschaltung direkt auf die Verbindung zwischen den Konstantstromquellen SI, S2 einerseits und den zugeordneten Gegentakttransistoren Al, A2 wirken würden. Because the constant current sources S1, S2 controlled by the logic circuit are inserted between the logic circuit and the control lines of the push-pull transistors, the push-pull transistors are controlled directly by the constant current sources and only indirectly by the logic circuit, as a result of which the stabilized control currents supplied to the bases of the push-pull transistors A1, A2 are stabilized even better than if the logic circuit acted directly on the connection between the constant current sources SI, S2 on the one hand and the associated push-pull transistors A1, A2.

Dadurch, dass die Verknüpfungsschaltung zwei getrennte Eingänge aufweist, die, wie in Fig. 1 gezeigt, mit dem Ausgangsstrompolaritätssignal I und dem Aktivierungssignal EN beliefert werden, und zwei getrennte Ausgänge aufweist, die getrennt mittelbar oder unmittelbar die Gegentakttransistoren steuern, kann auf einfache Weise mit den binären Signalen I und EN die getrennte Steuerung der beiden Gegentakttransistoren und damit die erwünschte, wahlweise Steuerung des Zustandes des Dreizustands-Ausganges Q erreicht werden. The fact that the logic circuit has two separate inputs, which, as shown in FIG. 1, are supplied with the output current polarity signal I and the activation signal EN, and has two separate outputs, which directly or indirectly control the push-pull transistors, can be used in a simple manner the binary signals I and EN separate control of the two push-pull transistors and thus the desired, optional control of the state of the three-state output Q can be achieved.

4 4th

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15 15

20 20th

25 25th

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55 55

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5 5

615296 615296

Diese Verknüpfungsschaltung ist bei dem in Fig. 1 gezeigten Beispiel also zwischen die Signaleingänge 1 und EN des Treiberbausteins einerseits und den beiden Gegentakttransistoren und deren Konstantstromquellen SI, S2 andererseits eingefügt. In the example shown in FIG. 1, this logic circuit is therefore inserted between the signal inputs 1 and EN of the driver module on the one hand and the two push-pull transistors and their constant current sources SI, S2 on the other hand.

Wie bereits erwähnt, kann vorgesehen sein, dass die Konstantstromquellen SI, S2 hochstabilisierte schaltende Ströme zugeführt erhalten, indem die Verknüpfungsschaltung eine weitere konstante Quelle aufweist, z. B. eine weitere Konstantstromquelle, die diese schaltenden Ströme der Ausgänge der Verknüpfungsschaltung stabilisiert. Hierdurch wird eine besonders grosse Unempfindlichkeit des Treiberbausteins gegenüber Veränderungen der Gleichstromversorgungsspannungen USI, US2 erreicht, obwohl die an das Organ RE gelieferten Ausgangsströme enge Toleranzen aufweisen. As already mentioned, it can be provided that the constant current sources SI, S2 are supplied with highly stabilized switching currents by the logic circuit having a further constant source, e.g. B. another constant current source that stabilizes these switching currents of the outputs of the logic circuit. As a result, the driver module is particularly insensitive to changes in the DC supply voltages USI, US2, even though the output currents supplied to the device RE have narrow tolerances.

Man kann die geschalteten Konstantstromquellen SI, S2 und/oder die weitere konstante Quelle S3 jeweils durch Multi-kollektortransistoren bilden, wobei zumindest der Basis von geschalteten Konstantstromquellen, hier SI, S2, jeweils ein abhängig von dem Ausgangsstrompolaritätensignal I gesteuerter, stabilisierter Gleichstrom zugeführt wird. Die Kollektoren liefern dann die stabilisierten Ströme. Ein Beispiel hierfür ist in Fig. 2 gezeigt. Die Multikollektortransistoren SI, S2, hier gebildet durch integrierte, laterale pnp-Transistoren T9, T10, TI 1 und T12, T13, T14, stellen jeweils die Konstantstromquellen S2 und Sl dar. Die Strecke zwischen dem Kollektor und der Basis der Teile TI 1 und T12 beider Multikollektortransistoren sind überbrückt, so dass die in der Verknüpfungsschaltung V enthaltenen, die Konstantstromquellen schaltenden Transistoren T15, T16 jeweils unmittelbar die schaltenden Ströme in die Basis der Multikollektortransistoren SI, S2 einspeisen. Die Emitter beider Multikollektortransistoren sind jeweils untereinander verbunden und liegen bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel auf dem Potential USI. Die Transistoren T15, T16 steuern also die Kollektorströme der beiden Kollektoren jedes der Transistoren SI, S2, wobei jeweils der erste Kollektor, vgl. T10 und T13, den stabilisierten Gleichstrom an seinen zugeordneten Gegentakttransistoren A2, AI bzw. T20, T23 liefert. Ein Vorteil eines Multikollektortransistors gegenüber mehreren einzelnen, voneinander getrennten Transistoren als Konstant-stromquelle mit mehreren Ausgängen besteht darin, dass wegen verminderter Herstellungstoleranzen die von den verschiedenen Ausgängen des Multikollektors gelieferten stabilisierten Ströme unter sich relativ leicht nahezu gleich gross gemacht werden können, also dass dann die Stabilisierung besonders gross ist. Die Gegentakttransistoren selbst sind hier übrigens jeweils als Darlingtonverstärker T19/T20.T22/T23 mittels npn-Transistoren aufgebaut, damit die von den Kollektoren der Multikollektortransistoren SI, S2 zu liefernden stabilisierten Ströme niedrig sein können. The switched constant current sources SI, S2 and / or the further constant source S3 can each be formed by multi-collector transistors, with at least the basis of switched constant current sources, here SI, S2, being supplied with a stabilized direct current controlled depending on the output current polarity signal I. The collectors then deliver the stabilized currents. An example of this is shown in FIG. 2. The multi-collector transistors SI, S2, here formed by integrated, lateral pnp transistors T9, T10, TI 1 and T12, T13, T14, each represent the constant current sources S2 and Sl. The path between the collector and the base of the parts TI 1 and T12 of both multicollector transistors are bridged, so that the transistors T15, T16 contained in the logic circuit V and switching the constant current sources each feed the switching currents directly into the base of the multicollector transistors SI, S2. The emitters of both multi-collector transistors are each connected to one another and are at the USI potential in the exemplary embodiment shown. The transistors T15, T16 thus control the collector currents of the two collectors of each of the transistors SI, S2, the first collector in each case, cf. T10 and T13, supplies the stabilized direct current to its associated push-pull transistors A2, AI and T20, T23, respectively. An advantage of a multi-collector transistor compared to several individual, separate transistors as a constant current source with several outputs is that, due to reduced manufacturing tolerances, the stabilized currents supplied by the various outputs of the multi-collector can be made relatively easily almost the same, i.e. that then Stabilization is particularly great. The push-pull transistors themselves are constructed here as Darlington amplifiers T19 / T20.T22 / T23 by means of npn transistors, so that the stabilized currents to be supplied by the collectors of the multicollector transistors SI, S2 can be low.

Der erste Kollektor der Multikollektortransistoren SI, S2 kann jeweils mit dem Steueranschluss der zugeordneten Gegentakttransistoren T20, T23, bzw. T19, T22 verbunden werden. Der zweite Kollektor dieser Multikollektortransistoren kann jeweils mit dem Steueranschluss eines Blockierschalters K2, Kl verbunden werden, der jeweils nicht den zugeordneten Gegentakttransistor, sondern den anderen Gegentakttransistor kontrolliert, nämlich freigibt oder blockiert. Diese Blok-kierschalter sollen, während der Umsteuerung des von ihm kontrollierten Gegentakttransistors von dem leitenden in den nichtleitenden Zustand, ein zusätzliches Sperrpotential diesem kontrollierten Gegentakttransistor zuführen, damit die Umsteuerung beschleunigt wird. Diese Blockierschalter Kl, K2 sind auch in Fig. 1 angedeutet. The first collector of the multi-collector transistors SI, S2 can each be connected to the control connection of the associated push-pull transistors T20, T23, or T19, T22. The second collector of these multi-collector transistors can in each case be connected to the control connection of a blocking switch K2, K1, which in each case does not control the assigned push-pull transistor, but rather the other push-pull transistor, namely releases or blocks it. These blocking switches are intended to supply an additional blocking potential to this controlled push-pull transistor during the reversal of the push-pull transistor controlled by it from the conductive to the non-conductive state, so that the reversal is accelerated. These blocking switches K1, K2 are also indicated in FIG. 1.

Der Blockierschalter Kl, K2 ist bei dem in Fig. 2 gezeigten Beispiel also so angebracht, dass er selbst leitend ist, wenn der kontrollierte Gegentakttransistor in den nichtleitenden Zustand zu steuern ist, und umgekehrt. Da ein bipolarer, vor allem ein gesättigter bipolarer Transistor relativ schnell in seinen leitenden Zustand, aber nur relativ langsam aus dem leitenden in den nichtleitenden Zustand gesteuert werden kann, wird der so geschaltete Blockierschalter Kl, K2 besonders rasch den kontrollierten Gegentakttransistor T23/20 in dessen nichtleitenden Zustand steuern, weil der Blockierschalter Kl, K2 bzw. T24/T21 selbst besonders rasch hierbei in den leitenden Zustand gesteuert wird und also besonders rasch die Überschwemmung der Basis des Gegentakttransistors mit Ladungen beseitigt und damit besonders rasch ein Sperrpotential an die Steuerelektrode des kontrollierten Gegentakttransistors liefert. Zusätzlich wird dadurch erreicht, dass beim Umschalten niemals beide Gegentakttransistoren T20/T23 gleichzeitig leitend sind, wodurch sie zerstört werden könnten. In the example shown in FIG. 2, the blocking switch K1, K2 is thus mounted such that it is itself conductive when the controlled push-pull transistor is to be controlled in the non-conductive state, and vice versa. Since a bipolar, especially a saturated bipolar transistor can be controlled relatively quickly in its conductive state, but only relatively slowly from the conductive to the non-conductive state, the blocking switch K1, K2 thus switched becomes the controlled push-pull transistor T23 / 20 in it Control the non-conductive state, because the blocking switch Kl, K2 or T24 / T21 itself is particularly quickly controlled in the conductive state and thus very quickly eliminates the flooding of the base of the push-pull transistor with charges and thus particularly quickly a blocking potential to the control electrode of the controlled push-pull transistor delivers. In addition, it is thereby achieved that, when switching over, both push-pull transistors T20 / T23 are never conductive at the same time, which could destroy them.

Die Verknüpfungsschaltung wird bei dem in Fig. 2 und 3 gezeigten Beispiel im wesentlichen durch einen Differenzverstärker gebildet, der seinerseits einen relativ konstanten Strom an die Basen der Multikollektortransistoren SI, S2 liefern kann. Dies ist besonders leicht dann möglich, falls der im Kollektorzweig des Differenzverstärkers angebrachte Transistor T18 in den Sättigungszustand gesteuert wird und der Widerstand R6 hochohmig ist, also z. B. ca. 15 kOhm beträgt und wenn die dem Differenzverstärker zugeführte Vergleichsspannung, vgl. D7, ein konstantes Bezugspotential für den Transistor T16 des Differenzverstärkers darstellt - die oben bereits angegebene weitere konstante Quelle S3 ermöglicht dem Differenzverstärker T15/T16, besonders gut stabilisierte schaltende Ströme an die Basen der Multikollektortransistoren bzw. Stromkonstantquellen Sl, S2 abzugeben. In the example shown in FIGS. 2 and 3, the logic circuit is essentially formed by a differential amplifier, which in turn can supply a relatively constant current to the bases of the multi-collector transistors SI, S2. This is particularly easily possible if the transistor T18 mounted in the collector branch of the differential amplifier is controlled into the saturation state and the resistor R6 is high-impedance, that is to say e.g. B. is approximately 15 kOhm and if the reference voltage supplied to the differential amplifier, cf. D7 represents a constant reference potential for the transistor T16 of the differential amplifier - the above-mentioned further constant source S3 enables the differential amplifier T15 / T16 to deliver particularly well stabilized switching currents to the bases of the multi-collector transistors or constant current sources S1, S2.

Insbesondere das in Fig. 3 gezeigte Schaltungsbeispiel bewährte sich für die Herstellung eines integrierten Treiberbausteins. Die Fig. 2 und 3 unterscheiden sich dadurch, dass in Fig. 3 bei den Gegentakttransistoren Al, A2, bei den Blockierschaltern Kl, K2 und bei den Konstantstromquellen SI, S2 zusätzliche Widerstände R7 bis R14 eingefügt wurden, welche eine noch bessere Stabilisierung der Kennlinien der betreffenden Transistoren und vor allem eine raschere Steuerung der betreffenden Transistoren in den gesperrten Zustand gestatten. Die weitere konstante Quelle S3 ist bei dem in Fig. 3 gezeigten Beispiel ebenfalls durch einen Multikollektortransistor gebildet, der von einer Vergleichsspannungsquelle RV gesteuert ist. An der Zenerdiode D3 entsteht nämlich eine erste Vergleichsspannung, welche die Spannung über dem Spannungsteiler R2/R3 stabilisiert. Daher ist das den Transistor T2 steuernde Potential bzw. dessen Steuerstrom stabilisiert, so dass dieser Transistor T2 einen hochstabilisierten Strom der Basis des Multikollektortransistors S3 einprägt. Zwei Kollektoren des die weitere konstante Quelle bildenden Multikollektortransistors S3 sind mit den Steuerelektroden des Differenzverstärkers T15/T16 verbunden, so dass diese Steuerelektroden mit stabilisierten Strömen betrieben werden. Ausserdem sind Kollektoren des Multikollektortransistors S3 mit den Steuerelektroden von Transistoren T17, T18 verbunden, welche den Zustand des Transistors T18 abhängig vom Aktivierungssignal EN steuern und zusätzlich stabilisieren, so dass der Transistor T18 zwei stabilisierte, durch das Aktivierungssignal EN definierte Zustände aufnehmen kann, nämlich einen gut definierten gesättigten und einen nichtleitenden Zustand. Die Verknüpfungsschaltung V enthält hier zur Förderung der Stabilisierung also zusätzlich den Transistor T1 als Vorverstärker sowie die dem gleichen Zweck dienende Zenerdiode D4. In particular, the circuit example shown in FIG. 3 has proven itself for the production of an integrated driver module. 2 and 3 differ in that, in FIG. 3, additional resistances R7 to R14 have been added to the push-pull transistors A1, A2, the blocking switches K1, K2 and the constant current sources SI, S2, which provide even better stabilization of the characteristic curves of the transistors in question and above all allow faster control of the transistors in question in the blocked state. In the example shown in FIG. 3, the further constant source S3 is likewise formed by a multi-collector transistor, which is controlled by a reference voltage source RV. This is because a first comparison voltage arises at the zener diode D3, which stabilizes the voltage across the voltage divider R2 / R3. The potential controlling the transistor T2 or its control current is therefore stabilized, so that this transistor T2 impresses a highly stabilized current on the base of the multi-collector transistor S3. Two collectors of the multicollector transistor S3 forming the further constant source are connected to the control electrodes of the differential amplifier T15 / T16, so that these control electrodes are operated with stabilized currents. In addition, collectors of the multi-collector transistor S3 are connected to the control electrodes of transistors T17, T18, which control and additionally stabilize the state of the transistor T18 depending on the activation signal EN, so that the transistor T18 can take on two stabilized states defined by the activation signal EN, namely one well-defined saturated and a non-conductive state. In order to promote stabilization, the logic circuit V additionally contains the transistor T1 as a preamplifier and the zener diode D4 which serves the same purpose.

Die Diode D5 leitet bei I = H den Konstantstrom des T6 über D7 zum Masseanschluss E des Treiberbausteins ab. Die Diode D5 begrenzt also den Spannungsanstieg an der Basis von T15 und verhindert die Sättigung von T15 und einen eventuell möglichen Basis-Emitter-Durchbruch von T16. Die Diode D5 bewirkt also bei I = H ein konstantes Potential an der Basis von T15 und somit einen konstanten Einprägestrom an die Basis des Multikollektortransistors S3. When I = H, the diode D5 derives the constant current of the T6 via D7 to the ground connection E of the driver module. The diode D5 thus limits the voltage rise at the base of T15 and prevents the saturation of T15 and a possible base-emitter breakdown of T16. The diode D5 thus causes a constant potential at the base of T15 at I = H and thus a constant impressing current at the base of the multicollector transistor S3.

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

615 296 615 296

6 6

Es hat sich erwiesen, dass das in Fig. 3 gezeigte Beispiel wegen der durch die Stabilisierungen erreichten Riesentoleranz sogar mit 36 V zwischen USI und US2 betrieben werden kann, nämlich mit + 18 V an USI und -18 V an US2. Dieses gleiche Beispiel kann jedoch auch mit 13,6 V zwischen USI und US2 betrieben werden, nämlich mit nur 6,8 V an USI und mit —6,8 V an US2, ohne den Ausgangsstrom durch das Organ RE wesentlich zu beeinflussen. It has been shown that the example shown in FIG. 3 can even be operated with 36 V between USI and US2, namely with + 18 V at USI and -18 V at US2, because of the huge tolerance achieved by the stabilizations. However, this same example can also be operated with 13.6 V between USI and US2, namely with only 6.8 V at USI and with —6.8 V at US2, without significantly influencing the output current through the organ RE.

Dadurch, dass die Gegentakttransistoren Al, A2 durch Dioden D9, D8 gegenüber Spannungen geschützt werden, können auch Relais als Organe RE an den Ausgang Q des Treiberbausteins angeschlossen werden. Es werden nämlich beim Abschalten des Relais am Ausgang Q auftretende hohe Spannungsspitzen von den Gegentakttransistoren Al, A2 ferngehalten. Because the push-pull transistors Al, A2 are protected against voltages by diodes D9, D8, relays can also be connected as organs RE to the output Q of the driver module. This is because high voltage peaks occurring at the output Q when the relay is switched off are kept away from the push-pull transistors A1, A2.

Der in Fig. 3 gezeigte Treiberbaustein kann wegen der erreichten Riesentoleranz sogar noch mit Gleichstromversorgungsspannungen bis herab zu 6,8 V störungsfrei betrieben werden und den vorbestimmten, eng tolerierten Gleichstrom am Ausgang Q an das Organ RE liefern falls das Organ RE nur mit Ausgangsströmen der einen Polarität, also nicht mit Ausgangsströmen beider Polaritäten zu steuern ist. Das Organ RE kann dann also z. B. ein unpolarisiertes Relais sein. In diesem Falle kann nämlich der Erdungsanschluss E mit dem Anschluss US2 kurzgeschlossen werden. Falls dann kein Aktivierungssignal EN vorliegt ist der Ausgang Q in seinen hochohmigen Zustand, weil T18 nichtleitend und also auch die Multikollektortransistoren SI, S2 nichtleitend sind, so dass sowohl der Gegentakttransistor A2 als auch der Gegentakttransistor AI nichtleitend sind. The driver module shown in Fig. 3 can even be operated with DC supply voltages down to 6.8 V without interference due to the huge tolerance achieved and deliver the predetermined, closely tolerated DC current at the output Q to the organ RE if the organ RE only with output currents of the one Polarity, i.e. not to be controlled with output currents of both polarities. The organ RE can then, for. B. be an unpolarized relay. In this case, earth connection E can be short-circuited to connection US2. If there is then no activation signal EN, the output Q is in its high-impedance state because T18 is non-conductive and therefore also the multi-collector transistors SI, S2 are non-conductive, so that both the push-pull transistor A2 and the push-pull transistor AI are non-conductive.

Falls hingegen ein Aktivierungssignal EN anliegt, ist abhängig vom Ausgangsstrompolaritätssignal I entweder T16 oder T15 und damit entweder S1 oder S2 leitend, so dass entweder AI oder A2 leitend ist. Falls der Gegentakttransistor AI leitend ist, fliesst praktisch kein Ausgangsstrom durch das an den Ausgang Q angeschlossene Organ RE, falls am Anschluss UM Erdpotential liegt. Falls aber der Gegentakttransistor A2 leitend ist, fliesst ein Ausgangsstrom durch das Organ RE, und zwar mit enger, vorgegebener Toleranz, sogar dann, falls die Spannung zwischen den Anschlüssen UM und USI und zwischen E und USI jeweils nur noch 6,8 V beträgt - entsprechend der etwa ähnlich grossen Zenerspannung der Zenerdiode D7 in der Verknüpfungsschaltung V. Bei dieser «unpolarisierten» Betriebsweise kann jedoch die Spannung jeweils zwischen UM und USI und zwischen E und USI ohne Störung des Betriebs auch stark erhöht werden, z. B. auf 30 V. Auch bei dieser Betriebsweise ist also eine Riesentoleranz gegeben, die hier •30 V - 6,8 V = 23,2 V also etwa das Dreieinhalbfache des Mindestwertes 6,8 V beträgt. If, on the other hand, an activation signal EN is present, depending on the output current polarity signal I, either T16 or T15 and thus either S1 or S2 is conductive, so that either AI or A2 is conductive. If the push-pull transistor AI is conductive, practically no output current flows through the organ RE connected to the output Q if earth potential is present at the connection UM. However, if the push-pull transistor A2 is conductive, an output current flows through the element RE, with a narrow, predetermined tolerance, even if the voltage between the connections UM and USI and between E and USI is only 6.8 V each - corresponding to the approximately similarly large Zener voltage of the Zener diode D7 in the logic circuit V. In this “unpolarized” mode of operation, however, the voltage between UM and USI and between E and USI can also be greatly increased without disturbing the operation, for. B. to 30 V. Also in this mode of operation there is a huge tolerance, which is • 30 V - 6.8 V = 23.2 V, which is about three and a half times the minimum value of 6.8 V.

Für die Integration erwies sich als günstig, ein p-Substrat mit pnp-Lateraltransistoren und npn-Transistoren, wie in Fig. 2 und 3 gezeigt, zu verwenden. Die Schutzdioden D8/D9 die die Gegentakttransistoren gegen Abschaltspannungsspitzen von einem durch ein Relais gebildeten Organ RE schützen sollen, sind dann ebenfalls leicht integrierbar. Insbesondere kann dann eine besondere Schutzdiode D9 weggelassen werden, weil die Anordnung der Gegentakttransistoren auf dem Substrat dann so ist, dass die Schutzdiode gleichsam bereits durch eine parasitäre pn-Diode zwischen Substrat und Kollektor des T23 gebildet wird. For the integration it turned out to be favorable to use a p-substrate with pnp lateral transistors and npn transistors, as shown in FIGS. 2 and 3. The protective diodes D8 / D9, which are intended to protect the push-pull transistors against switch-off voltage peaks from an organ RE formed by a relay, can then also be easily integrated. In particular, a special protective diode D9 can then be omitted because the arrangement of the push-pull transistors on the substrate is such that the protective diode is, as it were, formed by a parasitic pn diode between the substrate and the collector of the T23.

Vorstehend ist ein integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren behandelt, der einen Ausgangsgegentaktverstärker hat, der durch zwei in Reihe liegende getrennt steuerbare Gegentakttransistoren gebildet ist. Der Ausgangsverstärker weist einen Dreizustands-Ausgang auf. Jeder der beiden Gegentakttransistoren wird über eine Konstantsstromquelle gesteuert, die nur dann Strom liefernd geschaltet ist, wenn der betreffende von ihr angesteuerte Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert werden soll. Dieser Treiberbaustein ist zur Steuerung bipolarer Fernsprechrelais geeignet. Zur Schaffung von Konstantstromquellen sind Multikollektortransistoren ausnutzbar, die an sich bekannt sind (siehe DT-AS 1036 315, DT-OS 2 256 640). An integrated driver module with bipolar transistors is dealt with above, which has an output push-pull amplifier which is formed by two separately controllable push-pull transistors lying in series. The output amplifier has a tri-state output. Each of the two push-pull transistors is controlled via a constant current source, which is only connected to supply current when the relevant push-pull transistor controlled by it is to be controlled in its conductive state. This driver module is suitable for controlling bipolar telephone relays. Multi-collector transistors, which are known per se, can be used to create constant current sources (see DT-AS 1036 315, DT-OS 2 256 640).

Im folgenden wird gezeigt, wie diese Technik mit einem besonders geringen Aufwand zustande zu bringen ist. The following shows how this technique can be achieved with particularly little effort.

Hierzu werden als Konstantstromquellen Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors benutzt, und das Stromlieferendschalten zwecks Ansteuerung der Gegentakttransistoren wird durch Hochohmigschalten von Schaltmitteln bewirkt, die individuell an die betreffenden Kollektoren angeschlossen sind und durch die sonst der Kollektorstrom vom betreffenden Gegentakttransistor ferngehalten wird. Da als Konstantstromquellen die Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors benutzt wird, ergibt sich ein besonders geringer schaltungstechnischer Aufwand, und es lässt sich der Baustein in integrierter Technik besonders leicht herstellen. Diese Technik ist aber auch von Vorteil, wenn es sich um einen diskreten Bauelementen zusammengeschalteten Baustein handelt. For this purpose, collectors of a single multi-collector transistor are used as constant current sources, and the current supply switching for the purpose of controlling the push-pull transistors is effected by switching high-impedance switching means which are individually connected to the relevant collectors and by means of which the collector current is otherwise kept away from the relevant push-pull transistor. Since the collectors of a single multi-collector transistor are used as constant current sources, there is a particularly low outlay in terms of circuitry, and the module can be manufactured particularly easily in integrated technology. However, this technique is also advantageous if it is a discrete component interconnected component.

Der Baustein wird im folgenden anhand der Fig. 4 und 5 näher erläutert. Fig. 4 zeigt ein Blockschaltbild, das den Ausgangsgegentaktverstärker und die Konstantstromquellen umfasst. Fig. 5 zeigt den schaltungstechnischen Aufbau dieser Teile des Bausteins. The block is explained in more detail below with reference to FIGS. 4 and 5. Fig. 4 shows a block diagram comprising the output push-pull amplifier and the constant current sources. 5 shows the circuit design of these parts of the module.

In dem Blockschaltbild des Bausteins gemäss Fig. 4 sind diejenigen Teile gezeigt, die für die Erläuterung von Bedeutung sind. Dazu gehören die beiden Stufen Al 1 und A22 des Aus-gangsgegentaktverstärkers. Diese beiden Stufen sind an die Klemmen mit den Spannungen Usi und Us2 der Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Der Dreizustands-Ausgang ist mit Q bezeichnet. Dort kann entweder die Spannung Usi oder die Spannung Us2 geliefert werden, je nachdem, ob die Stufe Al 1 oder die Stufe A22 leitend gesteuert ist. Der Dreizustands-Aus-gang Q kann auch hochohmigsein, nämlich dann, wenn keine dieser beiden Stufen leitend gesteuert ist. Die Stufen All und A22 werden über die Konstantstromquellen Sil und S22 gesteuert. Diese Konstantstromquellen sind ihrerseits ebenfalls an die Klemmen mit den Spannungen Usi und Us2 angeschlossen. Über die Steuerklemmen Va und Vb kann das Stromlieferendschalten der Konstantstromquellen Sil undS22bewirkt werden. 4 shows those parts which are important for the explanation. These include the two stages Al 1 and A22 of the output push-pull amplifier. These two stages are connected to the terminals with the voltages Usi and Us2 of the operating voltage source. The three-state output is labeled Q. Either voltage Usi or voltage Us2 can be supplied there, depending on whether stage A1 or stage A22 is controlled to be conductive. The three-state output Q can also be high-impedance, namely if neither of these two stages is controlled. The stages All and A22 are controlled by the constant current sources Sil and S22. These constant current sources are in turn also connected to the terminals with the voltages Usi and Us2. The current supply switching of the constant current sources Sil and S22 can be effected via the control terminals Va and Vb.

In der Fig. 5 ist der pnp-Multikollektortransistor MKT gezeigt, dessen Kollektoren kl und k2 als Konstantstromquellen benutzt sind. An den Kollektor kl ist die eine Stufe des Aus-gangsgegentaktverstärkers angeschlossen, zu der die npn-Transistoren TI 11 und T112 gehören und an den Kollektor k2 ist die andere Stufe des Ausgangsgegentaktverstärkers angeschlossen, zu der die npn-Transistoren T221 und T222 gehören. Die Steuerklemme Va ist mit dem Kollektor kl und die Steuerklemme Vb ist mit dem Kollektor k2 verbunden. Zum Stromlieferendschalten der Konstantstromquellen dienen hier die schematisch dargestellten Schaltmittel va und vb, die wie Ruhekontakte wirken und die individuell an die Kollektoren kl und k2 über die Steuerklemmen Va und Vb angeschlossen sind. Im Ruhezustand wird daher der Kollektorstrom von den Stufen des Ausgangsgegentaktverstärkers und damit von den zugehörigen Gegentakttransistoren ferngehalten. Wird der Ruhekontakt va betätigt, so wird die Stufe mit den Transistoren TI 11 und T112 leitend gesteuert. Wird stattdessen der Ruhekontakt vb betätigt, so wird die Stufe mit den Transistoren T221 und T222 leitend gesteuert. Der Emitter des Multikollektortransistors MKT ist nämlich an die Klemme mit der Spannung Usi der Betriebsspannungsquelle angeschlossen, die hier positiv ist. Der Kollektor k3 und die damit verbundene Basis des Multikollektortransistors MKT ist über den Widerstand R an die Klemme mit der Spannung Us2 der Betriebsspannungsquelle angeschlossen, die hier negatives Potential hat. Diese Schaltungstechnik hat zur Folge, dass der Multikollektortransistor in 5 shows the pnp multi-collector transistor MKT, the collectors kl and k2 of which are used as constant current sources. The one stage of the output push-pull amplifier, to which the npn transistors TI 11 and T112 belong, is connected to the collector kl, and the other stage of the output push-pull amplifier, to which the npn transistors T221 and T222 belong, is connected to the collector k2. The control terminal Va is connected to the collector kl and the control terminal Vb is connected to the collector k2. The schematically represented switching means va and vb, which act like normally closed contacts and which are individually connected to the collectors kl and k2 via the control terminals Va and Vb, are used here to switch the current supply of the constant current sources. In the idle state, the collector current is therefore kept away from the stages of the output push-pull amplifier and thus from the associated push-pull transistors. If the normally closed contact va is actuated, the stage is controlled with the transistors TI 11 and T112. If the normally closed contact vb is actuated instead, the stage is turned on using the transistors T221 and T222. The emitter of the multi-collector transistor MKT is namely connected to the terminal with the voltage Usi of the operating voltage source, which is positive here. The collector k3 and the associated base of the multi-collector transistor MKT is connected via the resistor R to the terminal with the voltage Us2 of the operating voltage source, which here has a negative potential. This circuit technology has the consequence that the multi-collector transistor in

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

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45 45

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einen Sättigungszustand gesteuert wird, so dass seine Kollektoren kl und k2 als Konstantstromquellen gut ausnutzbar sind. In der Fig. 5 ist noch zum Widerstand R der Transistor T in Reihe gelegt, der mit Hilfe der an seiner Basis liegenden Steuerspannung Us21 leitend gesteuert ist. Auf diese Weise kann der über den Widerstand R fliessende Strom stabilisiert werden, wodurch sich besonders konstante Betriebsverhältnisse ergeben. a state of saturation is controlled so that its collectors kl and k2 can be used as constant current sources. In FIG. 5, the transistor T is also connected in series with the resistor R and is controlled in a conductive manner with the aid of the control voltage Us21 at its base. In this way, the current flowing through the resistor R can be stabilized, which results in particularly constant operating conditions.

Der von den Kollektoren des Multikollektortransistors gelieferte konstante Strom könnte direkt zum Steuern von Gegentakttransistoren des Ausgangsgegentaktverstärkers benutzt werden. Bei dem in Fig. 5 gezeigten Schaltungsbeispiel ist jedem Gegentakttransistor noch jeweils ein Steuertransistor vorgeschaltet. So ist dem Gegentakttransistor T112 der Steuertransistor Till und dem Gegentaktttansistor T222 der Steuertransistor T221 vorgeschaltet. Die Steuertransistoren dienen hier zur Stromverstärkung und werden zur Anpassung The constant current supplied by the collectors of the multi-collector transistor could be used directly to control push-pull transistors of the output push-pull amplifier. In the circuit example shown in FIG. 5, a control transistor is connected upstream of each push-pull transistor. The push-pull transistor T112 is preceded by the control transistor Till and the push-pull transistor T222 by the control transistor T221. The control transistors are used for current amplification and are used for adaptation

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der Betriebseigenschaften des Multikollektortransistors MKT an die Betriebseigenschaften der Gegentakttransistoren T112 und T222 ausgenutzt. Mit Hilfe der Diode G22 und der Widerstände R111, R112 und R22 wird die richtige Arbeitsweise des 5 Ausgangsgegentaktverstärkers sichergestellt. exploited the operating properties of the multi-collector transistor MKT to the operating properties of the push-pull transistors T112 and T222. With the help of the diode G22 and the resistors R111, R112 and R22 the correct functioning of the 5 output push-pull amplifier is ensured.

Die als Ruhekontakte in der Fig. 5 dargestellten Schaltmittel va und vb können z. B. durch Transistoren realisiert sein, die durch Steuersignale fallweise leitend gesteuert werden, dagegen im Ruhezustand gesperrt gesteuert sind. The switching means va and vb shown as normally closed contacts in FIG. B. realized by transistors, which are occasionally controlled by control signals, but are controlled locked in the idle state.

io Den Transistoren TI 11 und TI 12 ist die Diode Gl 1 vorgeschaltet. Sie dient zum Schutz dieser Transistoren, wenn der Dreizustands-Ausgang Q zusammen mit anderen derartigen Ausgängen von Bausteinen an dieselbe Busleitung angeschlossen ist. Es wird dann verhindert, dass die Emitter-Basis-Strek-15 ken dieser Transistoren im Sperrzustand durch eine Spannung, die dem Ausgang Q zugeführt wird, unzulässig hoch belastet werden. io The transistors TI 11 and TI 12 are preceded by the diode Gl 1. It is used to protect these transistors when the three-state output Q is connected to the same bus line together with other such outputs from components. It is then prevented that the emitter-base paths of these transistors in the blocking state are subjected to an impermissibly high load by a voltage which is supplied to the output Q.

G G

2 Blatt Zeichnungen 2 sheets of drawings

Claims (20)

615 296 615 296 PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS 1. Integrierter Treiberbaustein mit bipolaren Transistoren sowie mit einem Ausgangsgegentaktverstärker, der durch zwei in Reihe liegende, getrennte steuerbare Gegentakttransistoren gebildet wird, wobei der Ausgangsverstärker einen Dreizu-stands-Ausgang aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass jeder der beiden Gegentakttransistoren (A1/A2, T23/T20, Al 1/A22, TI 12/T222) des Ausgangsgegentaktverstärkers über eine nur dann stromliefernd geschaltete Konstantstromquelle (S1/S2, SI 1/S22, MKT) angesteuert wird, wenn der betreffende von ihr angesteuerte Gegentakttransistor in seinen leitenden Zustand gesteuert ist. 1.Integrated driver module with bipolar transistors and with an output push-pull amplifier, which is formed by two series-connected, separate controllable push-pull transistors, the output amplifier having a three-state output, characterized in that each of the two push-pull transistors (A1 / A2, T23 / T20, Al 1 / A22, TI 12 / T222) of the output push-pull amplifier is controlled via a constant current source (S1 / S2, SI 1 / S22, MKT) that only supplies current when the relevant push-pull transistor controlled by it is controlled in its conductive state . 2. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine von einem Aktivierungssignal (EN) gesteuerte Verknüpfungsschaltung (V) vorgesehen ist, über deren Ausgang bzw. deren Ausgänge die Gegentakttransistoren (Al ; A2) steuerbar und/oder deren zugeordnete Konstantstromquellen (SI, S2) schaltbar sind, so dass bei Fehlen des Aktivierungssignals (EN = L) keiner der beiden Gegentakttransistoren in seinen leitenden Zustand gesteuert ist. 2. Driver module according to claim 1, characterized in that a logic circuit (V) controlled by an activation signal (EN) is provided, via the output or the outputs of which the push-pull transistors (A1; A2) are controllable and / or their associated constant current sources (SI, S2) are switchable, so that in the absence of the activation signal (EN = L) neither of the two push-pull transistors is controlled in its conductive state. 3. Treiberbaustein nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Verknüpfungsschaltung (V) und den Gegentakttransistoren (Al, A2) die von der Verknüpfungsschaltung (V) geschaltete(n) Konstantstromquelle(n) (SI, S2) eingefügt ist bzw. sind. 3. Driver module according to claim 2, characterized in that between the logic circuit (V) and the push-pull transistors (A1, A2) the constant current source (s) (SI, S2) connected by the logic circuit (V) is or are inserted . 4. Treiberbaustein nach Patentanspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen zwei seiner Signaleingänge (I, EN) und den beiden Gegentakttransistoren (Al, A2) die Verknüpfungsschaltung (V) eingefügt ist, die ihrerseits zwei Eingänge und zwei Ausgänge enthält, dass dem ersten Verknüpfungseingang das Aktivierungssignal (EN) und dem zweiten Verknüpfungseingang ein die Polarität des Treiberbausteins-Ausgangsstro-mes bestimmendes Ausgangsstrompolaritätssignal (I) zugeführt ist und dass über die beiden Ausgänge der Verknüpfungsschaltung (V) mittelbar oder unmittelbar jeweils ein eigener der beiden Gegentakttransistoren steuerbar ist. 4. Driver module according to claim 3, characterized in that between two of its signal inputs (I, EN) and the two push-pull transistors (Al, A2) the logic circuit (V) is inserted, which in turn contains two inputs and two outputs that the first logic input the activation signal (EN) and the second logic input are supplied with an output current polarity signal (I) which determines the polarity of the driver module output current and that one of the two push-pull transistors can be controlled directly or indirectly via the two outputs of the logic circuit (V). 5. Treiberbaustein nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verknüpfungsschaltung (V) eine weitere konstante Quelle (S3) aufweist, die die Ströme des Ausgangs der Verknüpfungsschaltung (V) stabilisiert, so dass die Verknüpfungsschaltung einen dem Ausgangsstrompolaritätssignal (I) entsprechenden stabilisierten Strom liefert. 5. Driver module according to claim 2, characterized in that the logic circuit (V) has a further constant source (S3) which stabilizes the currents of the output of the logic circuit (V), so that the logic circuit has a stabilized current corresponding to the output current polarity signal (I) delivers. 6. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei jedem Gegentakttransistor ein Blockiertransistor (Kl, K2) angebracht ist, der beim Umsteuern des Gegen-takttransistors vom leitenden in den nichtleitenden Zustand niederohmig ein Sperrpotential dem Gegentakttransistor zuführt. 6. Driver module according to claim 1, characterized in that a blocking transistor (K1, K2) is attached to each push-pull transistor, which supplies a blocking potential to the push-pull transistor with low resistance when reversing the push-pull transistor from the conductive to the non-conductive state. 7. Treiberbaustein nach Patentanspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die geschaltete(n) Konstantstromquelle(n)(Sl, S2) durch einen Multikollektortransistor (T9/T10/Tl 1 ) gebildet wird/werden und dass deren Basis jeweils ein abhängig vom Ausgangsstrompolaritätssignal (I) gesteuerter, stabilisierter Gleichstrom zugeführt ist. 7. Driver module according to claim 6, characterized in that the switched (n) constant current source (s) (Sl, S2) is / are formed by a multi-collector transistor (T9 / T10 / Tl 1) and that the basis of each is dependent on the output current polarity signal ( I) controlled, stabilized direct current is supplied. 8. Treiberbaustein nach Patentanspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der erste der Kollektoren (T13, T10) mit dem Steueranschluss des zugeordneten Gegentakttransistors und der zweite der Kollektoren (T14, T9) jeweils mit dem Steueranschluss eines der Blockierschalter (Kl, K2 bzw. T24) verbunden ist, der seinerseits - während der Steuerung des mit der Emitter-Kollektorstrecke des Blockierschalters verbundenen Gegentakttransistors (Al, A2) von dessen leitenden in dessen nichtleitenden Zustand - ein zusätzliches, diesen Gegentakttransistor in den sperrenden Zustand steuerndes Sperrpotential diesem Gegentakttransistor zuführt. 8. Driver module according to claim 7, characterized in that the first of the collectors (T13, T10) with the control connection of the associated push-pull transistor and the second of the collectors (T14, T9) each with the control connection of one of the blocking switches (Kl, K2 or T24 ) is connected, which in turn - during the control of the push-pull transistor (Al, A2) connected to the emitter-collector path of the blocking switch from its conductive to its non-conductive state - supplies an additional blocking potential which controls this push-pull transistor into the blocking state and supplies this push-pull transistor. 9. Treiberbaustein nach Patentanspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Multikollektortransistor im eingeschalteten Zustand gesättigt ist. 9. Driver module according to claim 7, characterized in that the multi-collector transistor is saturated in the switched-on state. 10. Treiberbaustein nach Patentanspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der mit dem Steuereingang des Gegentakttransistors mit seiner Emitter-Kollektorstrecke verbundene Blockierschalter (Kl, K2) in den leitenden Zustand gesteuert ist, wenn der verbundene Gegentakttransistor (A1, A2) in den nichtleitenden Zustand gesteuert ist, und umgekehrt. 10. Driver block according to claim 6, characterized in that the blocking switch (Kl, K2) connected to the control input of the push-pull transistor with its emitter-collector path is controlled in the conductive state when the connected push-pull transistor (A1, A2) is controlled in the non-conductive state and vice versa. 11. Treiberbaustein nach Patentanspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Blockierschalter (Kl) des einen Gegentakttransistors (AI) jeweils von der den anderen Gegentakttransistor (A2) direkt steuernden Konstantstromquelle (S2) gesteuert ist. 11. Driver module according to claim 6, characterized in that the blocking switch (Kl) of a push-pull transistor (AI) is controlled in each case by the constant current source (S2) which directly controls the other push-pull transistor (A2). 12. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegentakttransistoren (Al, A2) jeweils durch eine Schutzdiode (D8, D9) gegen Abschaltspan-nungsspitzen eines am Bausteinausgang (Q) angeschlossenen Relais (RE) geschützt sind. 12. Driver module according to claim 1, characterized in that the push-pull transistors (Al, A2) are each protected by a protective diode (D8, D9) against switch-off voltage peaks of a relay (RE) connected to the module output (Q). 13. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegentakttransistoren Dreischicht-Transistoren, und zwar npn-Transistoren sind. 13. Driver module according to claim 1, characterized in that the push-pull transistors are three-layer transistors, namely NPN transistors. 14. Treiberbaustein nach Patentanspruch 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, dass die den einen Gegentakttransistor (AI) schützenden erste Schutzdiode (D9) durch einen Sub-strat-Kollektor-pn-Übergang zwischen Substrat und Kollektor dieses Gegentakttransistors (AI) gebildet ist. 14. Driver module according to claim 12 and 13, characterized in that the one push-pull transistor (AI) protecting the first protective diode (D9) is formed by a sub-strat-collector-pn junction between the substrate and collector of this push-pull transistor (AI). 13- Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Konstantstromquelle jeweils ausreichend Strom zur Steuerung des zugeordneten Gegentakttransistors in dessen gesättigten Zustand liefert. 13- Driver module according to claim 1, characterized in that the constant current source in each case delivers sufficient current to control the associated push-pull transistor in its saturated state. 16. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Gegentakttransistor eine ihm eigene Konstantstromquelle zugeordnet ist. 16. Driver module according to claim 1, characterized in that each push-pull transistor is assigned its own constant current source. 17. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beiden Gegentakttransistoren gemeinsam die gleiche Stromkonstantquelle zugeordnet ist. 17. Driver module according to claim 1, characterized in that the two push-pull transistors are assigned the same constant current source. 18. Treiberbaustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Konstantstromquellen die Kollektoren eines einzigen Multikollektortransistors (MKT) sind, dass das Stromlieferendschalten zwecks Ansteuerung der Gegentakttransistoren durch Hochohmigschalten von Schaltmittel (Va, Vb) bewirkt ist, die individuell an die betreffenden Kollektoren (kl, k2) angeschlossen sind und durch die sonst der Kollektorstrom vom betreffenden Gegentakttransistor (TI 12, T222) ferngehalten wird. 18. Driver module according to claim 1, characterized in that the constant current sources are the collectors of a single multi-collector transistor (MKT), that the current supply switching for the purpose of controlling the push-pull transistors is effected by high-resistance switching of switching means (Va, Vb), which are individually connected to the relevant collectors (kl , k2) are connected and otherwise the collector current is kept away from the relevant push-pull transistor (TI 12, T222). 19. Baustein nach Patentanspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kollektor (k3) und die damit verbundene Basis des Multikollektortransistors (MKT) über einen Widerstand (R) an die eine Klemme (Us2) und dass sein Emitter an die andere Klemme (Usi) der Betriebsspannungsquelle angeschlossen sind. 19. Module according to claim 18, characterized in that a collector (k3) and the associated base of the multi-collector transistor (MKT) via a resistor (R) to one terminal (Us2) and that its emitter to the other terminal (Usi) the operating voltage source are connected. 20. Baustein nach Patentanspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der über den Widerstand (R) fliessende Strom durch einen zum Widerstand (R) in Reihe liegenden und leitend gesteuerten Transistor (T) stabilisiert ist. 20. Module according to claim 19, characterized in that the current flowing through the resistor (R) is stabilized by a transistor (T) which is connected in series and conductively controlled to the resistor (R). 21. Baustein nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Gegentakttransistor (TI 12, T222) ein Steuertransistor (TI 11,T221) vorgeschaltet ist. 21. Module according to claim 1, characterized in that a control transistor (TI 11, T221) is connected upstream of each push-pull transistor (TI 12, T222).
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