DE2604295C3 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2604295C3
DE2604295C3 DE2604295A DE2604295A DE2604295C3 DE 2604295 C3 DE2604295 C3 DE 2604295C3 DE 2604295 A DE2604295 A DE 2604295A DE 2604295 A DE2604295 A DE 2604295A DE 2604295 C3 DE2604295 C3 DE 2604295C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chamber
opening
steam
substrate
crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2604295A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2604295A1 (de
DE2604295B2 (de
Inventor
Emmett R. Los Gatos Calif. Anderson (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of DE2604295A1 publication Critical patent/DE2604295A1/de
Publication of DE2604295B2 publication Critical patent/DE2604295B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2604295C3 publication Critical patent/DE2604295C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/006Apparatus
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/169Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Aus der DT-AS 15 21 174 ist bereits ein Verfahren zum explosionsartigen Bedampfen eines Substrats im Vakuum bekannt, bei dem das Substrat schlagartig einem Dampf ausgesetzt wird. Hierbei wird das Bedampfungsmaterial, das in Form eines pulverförmigen Stoffgemisches vorliegt, auf die Unterlage aufgebracht und im Vakuum mittels eines energieübertragenden Strahls erhitzt. Die Unterlage wird mit dem darauf befindlichen Stoffgemisch langsam in den Strahl hineinbewegt, damit es an der jeweiligen Auftreffstelle sofort verdampft.
Bei diesem Verfahren wird von dem energieübertragenden Strahl jeweils nur eine verhältnismäßig kleine Fläche erfaßt, so daß der Bedampfungsvorgang jedenfalls einer größeren Fläche recht zeitraubend ist und das Substrat nur ungleichmäßig aufgedampft werden kann, da der Strahl so geführt werden muß, daß die Auftreffstellen einander überlappen. Außerdem kann bei dem bekannten Verfahren das Substrat verhältnismäßig viel Wärme aufnehmen, was insbesondere bei der Beschichtung von Kunststoffen unerwünscht ist. Außerdem muß das Bedampfungsmaterial pulverförmig sein, was einen verhältnismäßig hohen Aufwand wegen der hierzu notwendigen Herstellung des Pulvers erfordert.
Aus der DT-PS 7 02 937 ist es weiter bekannt, die schlagartige Eledampfung durch elektrische Explosion dünner Drähte herbeizuführen, wobei das verdampfte Material des Drahtes als Bedampfungsmaterial verwendet wird.
Abgesehen davon, daß hierbei das jeweils zur Verfügung stehende Material und damit die jeweils bedampfbare Fläche beschränkt ist, kann bei diesem Verfahren das Bedampfungsmaterial nicht in einer bestimmten Richtung aufgebracht werden, weil die Bewegungsrichtung des Dampfes stark streut. Außerdem ist das Drahtexplosionsverfahren hinsichtlich des Bedampfungsmaterials verhältnismäßig stark eingeschränkt, weil nicht jedes Material als Draht herstellbar und elektrisch leitend ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugtbon, bei deren Anwendung praktisch jedes beliebige Substratmaterial mit einer großen Vielfalt von Bedampfungsmaterialien möglichst wirtschaftlich, gezielt und gleichmäßig bedampft werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das im Patentanspruch 1 beschriebene Verfahren bzw. die im Patentanspruch 5 beschriebene Vorrichtung gelöst.
Weiterbildungen und bevorzugte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 4, bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung Gegenstand der Unteransprüche 6 bis 10.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung des in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Es zeigt
Fig. 1 die Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Dampfabscheidung und
F i g. 2 den Querschnitt 2-2 der F i g. 1.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung 10 zum explosionsartigen Bedampfen eines Substrats enthält eine Dampfquelle mit einem Gehäuse U. Diese Anordnung ist aus einem hochtemperaturfesten, bei Hochfrequenz isoliei enden Material, z. B. Aluminiumoxid oder anderer geeigneter Keramik hergestellt; Sie enthält eine Abdeckung 12 und eine Basis 13. Die Abdeckung enthält eine innere Seitenwand 16, eine äußere Seitenwand 17 und eine ringförmige Oberwand 18. Die Seitenwände 16 und 17 sind insgesamt zylindrisch und koaxial zueinander angeordnet. Die Basis 13 enthält einen erhabenen oder aufgewölbten Mittelteil 21 mit einer axialen öffnung 22 und einen äußeren Teil oder Flansch
23. Die Basis 13 enthält weiter einen aufrechtstehenden, innen mit einem Gewinde versehenen Umfangsflansch
24, in den die Außenwand der Gehäuseabdeckung eingeschraubt ist. Längs der Innen- und Außenkanten der Basis 13 verlaufen O-Ringe 26 bzw. 27, die die unteren Enden der Seitenwände 16 und 17 abdichten, wenn Abdeckung 12 und Basis 13 miteinander verspannt sind.
Im Gehäuse 11 ist ir dem von den Seiten wänden 16
und 17, der oberen Wand 18 und dem ringförmigen Teil 23 der Basis 13 umschlossenen Raum eine Induktionsspule 31 angeordnet. Die Induktionsspule 31 besteht aus mehreren Windungen aus einem geeigneten Leiter, beispielsweise aus einem hohlen Kupferrohr, das mittels eines geeigneten Isoliermaterials, beispielsweise einem Glasfaserschlauch, umschlossen ist. Die Spule liegt konzentrisch zum Gehäuse und in der Nähe der Innenwand 16.
Die Enden der Induktionsspule 31 sind mit Durchführungen 32 und 33 verbunden, die durch öffnungen 34 und 36 im ringförmigen Teil 23 der Basis 13 verlaufen. Die Durchführungen 32 und 33 bestehen aus elektrisch leitfähigem Material; sie dienen zum Anschluß der Spule
31 an eine außerhalb des Gehäuses befindliche hochfrequente Spannungsquelle. Die Durchführungen
32 und 33 weisen Kanäle auf, die mit der öffnung in dem die Spule bildenden Rohr in Verbindung stehen. Die Durchführungen sind mit Anschlüssen versehen, durch die ein Kühlmittel zur Kühlung der Spule durch dieselbe zirkulierend hindurchgeleitet werden kann. Das Gehäuse ist für die Erfindung unwesentlich; sie kann ?uch ohne das Gehäuse ausgeführt werden. Auch das Induktionsheizsystem kann durch andere geeignete Heizeinrichtungen, beispielsweise Widerstandsheizeinnchtungen ersetzt werden.
Zur Aufnahme des zu verdampfenden Materials in einer bestimmten Stellung innerhalb des Feldes der Induktionsspule 31 dient ein Schmelztiegel 41. Dieser ruht auf einem aus einem axial verlaufenden Schaft 44 w und einer Plattform 43 bestehenden Sockel 42. Der Schaft 44 verläuft durch die öffnung 22 in der Basis 13 und ist somit von der Außenseite des Gehäuses 11 her zugänglich. Der Sockel ruht auf einem zylindrischen Abstandsstück 46, das zwischen Plattform 43 und dem JS Vorsprung 21 der Basis 13 angeordnet ist. Auf der Plattform 43 ruht ein becherförmiger Hitzeschild 47. Der Schmelztiegel 41 steht auf einem Abstandsstück 48, das seinerseits auf der Bodenwand des Hitzeschirms 47 steht.
Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht der Schmelztiegel 41 aus dielektrischem Material, so daß die Energie von der Induktionsspule 31 das zu verdampfende Material und nicht den Schmelztiegel aufheizt. Der Schmelztiegel kann auch aus anderem geeignetem Material bestehen, z. B. Kohlenstoff, glasartigem Kohlenstoff oder anderen elektrisch leitfähigen Materialien. Der Sockel 42 und die Abstandsstücke 46 und 48 bestehen aus hochtemperaturfestem Isoliermaterial, beispielsweise Aluminiumoxid oder anderer geeigneter Keramik. Der Hitzeschirm 47 besteht vorzugsweise aus einem keramischen Material mit geringer Dichte, beispielsweise feuerfestem Metalloxid. Er dient zur Reflexion der vom im Tiegel 41 befindlichen Materials abgestrahlten Wanne. Zusätzlich dient er zur Aufnahme des geschmolzenen, zu verdampfenden Materials bei einem Bruch des Schmelztiegels 41.
Ist das zu verdampfende Material ein dielektrisches Material, so wird in dem Schmelztiegel ein insgesamt zylindrischer Nebenschlußring (Susceptor) 49 aus elektrisch leitfähigem Material wie Kohlenstoff, glasartigem Kohlenstoff, Wolfram oder Tantal angeordnet.
Auf der oberen Wand 18 der Gehäuseanordnung 11 ist mittels nicht gezeigter Einrichtungen ein Block 51 mit einer in Axialrichtung verlaufenden Bohrung 52 zur Aufnahme des oberen Teils des Hitzeschirms 47 befestigt. In einer Axialrirhtung verlaufenden Senkbohrung 56 im oberen Teil des Blocks 51 ist ein ringförmiger Einsatz 54 mit einer axialen öffnung 57 befestigt, die zusammen mit dem Schmelztiegel 41 und dem Block 51 eine Kammer 58 oberhalb des im Schmelztiegel 41 befindlichen Materials begrenzt. Der Block 51 und der Einsatz 54 bestehen ja nach der gewünschten Wirkung aus einem bei Hochfrequenz leitfähigem Material wie Graphit oder einem bei Hochfrequenz isolierenden Material wie Aluminiumoxid. Bei der gegenwärtig bevorzugten Ausführungsform bestehen der Block und der Einsatz aus Graphit; sie dienen zur Vorerhitzung des oberen Teils der Kammer bei eingeschalteter Induktionsspule 31.
Zum öffnen und Schließen der Kammer 58 dient ein auf dem Einsatz 54 gleitend beweglich befestigter Verschlußschieber 61, der zwischen einer geöffneten und einer geschlossenen Stellung beweglich ist. Der Verschlußschieber 61 bildet gemäß Fig. 1 einen insgesamt rechteckigen Teil mit einer zu einem Ende hin offenen U-förmigen öffnung 6Z Längs einander gegenüberliegender Seiten des Verschlußschiebers verlaufen nach unten ragende Flan-r.ie 63 und 64, die mit einer abgeschrägten Nut 66 in Eingriff stehen; letztere verläuft in der Nähe der Oberseite des Einsatzes 54, so daß der Verschlußschieber seitlich beweglich, in Axialrichtung jedoch unbeweglich ist. Bei der bevorzugten Ausführurigsform bestehen Einsatz 54 und Verschlußschieber 61 aus Graphit. Zwischen der oberen Oberfläche des Einsatzes 54 und der unteren Oberfläche des Verschlußschieberj 61 besteht eine dichte Abdichtung. Gegebenenfalls kann ein anderer geeigneter Schieber oder Verschluß anstelle des oben beschriebenen Verschlußschiebers 61 angewendet werden.
An dem der U-förmigen Öffnung 62 gegenüberliegenden Ende des Verschlußschiebers 61 ist ein Betätigungsbügel 68 vorgesehen, der über eine Verbindungsstange 69 mit einem Antrieb, beispielsweise einem hydraulischen oder pneumatischen, nicht gezeigten Zylinder verbunden ist, der den Verschlußschieber 61 zwischen seiner geöffneten und seiner geschlossenen Stellung antreibt.
Zur weiteren Verbesserung der Wirksamkeit des Dampfes in der Beschichtung oder zur Verhinderung unerwünschter Reaktionen im Beschichtungsprozeß ist eine Einrichtung zur Injektion zusätzlicher Materialien in die Kammer 58 vorgesehen. Bei der gezeigten Ausführungsform enthält diese Einrichtung mehrere, radial durch den Block 51 verlaufende Einlaßkanäle 73, die mit einem außerhalb des Gehäuses U befindlichen Verteiler 72 in Verbindung stehen. Der Verteiler 72 ist mit einer nicht gezeigten Quelle zur Injektion des gewünschten Materials in die Kammer verbunden.
Betrieb und Benutzung sowie das erfindungsgemäße Verfi/hrsn verlaufen folgendermaßen: Es sei angenommen, daß sich die Dampfquelle 10 in einer geeigneten Vakuumkammer befindet und daß oberhalb der Quelle in der Kammer zu beschichtende Gegenstände angeordnet sind. Es sei weiter angenommen, daß die Durchführungen 32 und 33 mit einer geeigneten hochfrequenten Spannungsquelle und mit Kühlmittelleitungen verbunden wurden. Das zu verdampfende Material 71 befindet sich im Schmelztiegel 41 und, falls es sich um ein dielektrisches Material handelt, auch der Neben- oder Kurzschlußring 49. Darauf wird der Schieber 61 geschlossen, wobei die öffnung 62 nicht mit der Öffnung 57 fluchtet. Die Kammer 58 und die Kammer oberhalb der Dampfquelle sind beide evakuiert. Darauf wird der Induktionsspule 31 hochfrequente
Energie zugeführt, so daß die im Schmelztiegel befindlichen Materialien durch Induktionsheizung erhitzt werden. Ist die Verdampfungstemperatur des Materials überschritten, so wird oberhalb des zu verdampfenden Materials in der Kammer 58 ein Druck erzeugt. Infolge dieses Druckanstiegs kann die Temperatur des Verdampfungsmittels weiter erhöht werden, während die Verdampfung durch den steigenden Druck in der geschlossenen Kammer begrenzt wird. Hierdurch kann das zu verdampfende Material überhitzt werden, wodurch sich in der Kammer ein verhältnismäßig hoher Sattdampfdruck einstellt.
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens und mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung können Temperaturen des zu verdampfenden Materials erreicht werden, die höher als die bekanntermaßen möglichen sind, da die Verdampfung durch den erhöhten Druck in der Kammer verhindert wird. Vor der Entspannung hat der Dampf wegen der erhöhten Temperatur und des erhöhten Druckgefälles zwischen Kammer und umgebendem Vakuum vor der öffnung des Ventils zusätzliche kinetische Energie.
Bei geschlossener Kammer können durch den Verteiler 72 und die Kanäle 71 gewünschtenfalls zusätzliche Materialien injiziert werden. Bei der Abscheidung von SiOj beispielsweise kann der Dampf mit O2 angereichert werden, um die Menge des ansonsten abgeschiedenen SiO zu verringern. Bei der Injektion oxidierender Materialien kann es zum Schutz des Graphits wünschenswert sein, zunächst ein inertes Gas z. B. Argon oder Stickstoff, zu injizieren. Das inerte Gas kann dann vor dem öffnen des Verschlußschiebers 61 durch das gewünschte Oxid ersetzt werden.
Haben Temperatur und Druck in der Kammer 58 die gewünschte Höhe erreicht, und wurde gegebenenfalls zusätzliches Material injiziert, so wird der Verschlußschieber 61 geöffnet und die öffnung 62 auf die öffnung 57 ausgerichtet. Der Dampf wird dann in überhitztem Zustand und unter hohem Druck mit hoher kinetischer Energie auf die zu beschichtenden Gegenstände aufgebracht.
Im überhitztem Zustand haben manche Verdampfungsmittel die Tendenz, flüssige Tröpfchen auszuscheiden, die mit den zu beschichtenden Gegenständen kollidieren. Hierdurch kommt es zu unbrauchbaren Überzügen. In manchen Fällen werden diese Tröpfchen infolge heftiger Bewegungen der Schmelze an ihrer Oberfläche ejiziert, die durch das Sieden oder Verdampfen an der Grenzfläche zwischen Schmelze und Tiegel entstehen. Diese Erscheinung ist besonders deutlich, wenn der Tiegel aus einem elektrisch leitfähigen Material besteht und die induzierte hochfrequente Energie mit dem Tiegel gekoppelt ist, so daß der Tiegel wärmer ist als das aufzudampfende Material und der Wärmestrom in Richtung vom Tiegel zum zu verdampfenden Material verläuft. Diese Schwierigkeit kann dadurch vermieden werden, daß die Induktionsspule abgeschaltet und abgewartet wird, bis Tiegel und aufzudampfendes Material auf gleicher Temperatur liegen, bevor der Verschluß geöffnet wird. Wenn darauf der Verschluß geöffnet wird, ergibt sich eine sehr heftige Verdampfung bei einem Minimum ejizierter Tropfen.
Die Erfindung hat eine Anzahl wichtiger Merkmale
und Vorteile. Wegen der hohen Dampfdichte und kinetischen Energie des entspannten Dampfes erfolgt die Beschichtung sehr schnell und es ergibt sich ein sehr günstiger »um die Ecken«- oder »Rückseiten«-Be-Schichtungseffekt, im Gegensatz zu der normalen kosinusförmigen Verteilung bei herkömmlichen Dampfbeschichtungsquellen. Bei einer bestimmten Stärke der Beschichtung bleibt die Temperatur des Substrats oder eines anderen zu beschichtenden Gegenstandes wesent-
to lieh unterhalb der Temperatur, die während der Aufbringung eines Oberzuges gleicher Stärke auf herkömmliche Weise erreicht wird. Dieser begrenzte Anstieg der Substrattemperatur ist besonders dann vorteilhaft, wenn das Substrat aus einem Kunststoff oder einem Material besteht, dessen strukturelle Eigenschaften sich bei verhältnismäßig niedriger Temperatur ändern. Die Erfindung kann bei einer großen Vielfalt von Überzug- und Substratmaterialien angewendet werden. Beispielsweise kann das Überzugmaterial aus einem Metall oder einem Dielektrikum bestehen; das zu überziehende Material kann aus einem beliebigen Material bestehen, das aus der Dampfphase beschichtet werden kann.
Während herKömmliche Verdampfungsquellen auf
ein Verteilungsmuster senkrecht zur Oberfläche des Bedampfungsmaterials beschränkt sind, kann die erfindungsgemäße Dampfquelle den Dampf unter einem beliebigen Winkel zur Oberfläche des aufzudampfenden Materials richten. Bei einer herkömmlichen Dampfquel-Ie entsteht der Dampf an der Oberfläche des Bedampfungsmateriais, das ganz oder teilweise eine Flüssigkeit ist, und wird in einem Tiegel, Herd od. dgl. unter dem Einfluß der Schwerkraft gehalten. Bei der erfindungsgemäßen Dampfquelle erfolgt dagegen die
J5 Dampfabgabe von dem überhitzten, unter hohem Druck stehenden, in der Kammer zwischen dem Verschluß und der Schmelze eingeschlossenen Dampf. Der Verschluß kann daher so ausgerichtet werden, daß der Dampf in einer beliebigen gewünschten Richtung, z. B. parallel zur
Oberfläche der Schmelze abgegeben wird.
Die Injektion zusätzlicher Materialien in die geschlossene Kammer hat eine Reihe von Vorteilen. Diese Materialien werden bei einer Temperatur injiziert, bei der der Dampf in einem stark reaktiven Zustand ist.
Diese Technik erlaubt die Ablagerung chemischer Verbindungen, die bei der Anwendung offener Kammern sonst nicht leicht aufgetragen werden können. Diese Technik macht es weiter möglich, den Verlust von Komponenten aus dem abzuscheidenden Material zu kompensieren, was bei der Anwendung offener Quellen zuweilen vorkommt. Wird beispielsweise SiO2 in einer offenen Dampfquelle erhitzt, so geht normalerweise Sauerstoff aus der Verbindung verloren, und die sich ergebenden Überzüge sind reicher an Silizium, als es durch die chemische Formel SiO2 angegeben wird. Durch Einleitung von Sauerstoff in die geschlossene Kammer vor ihrer öffnung kann der Verlust an Sauerstoff ausgeglichen werden und es wird tatsächlich SiO2 als Überzug aufgebracht Die Ablagerung von SiO2
w ist freilich nur als Beispiel beschrieben; diese Technik kann allgemein bei Materialien angewendet werden, bei denen normalerweise bei Erhitzung in einer offenen Kammer einer oder mehrere Bestandteile verlorengehen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum explosionsartigen Bedampfen eines Substrats im Vakuum, bei dem das Substrat schlagartig einem Dampf ausgesetzt wird, d a durch gekennzeichnet, daß das Bedampfungsmaterial in einer geschlossenen Kammer bis zur Verdampfung erhitzt wird, wobei während der Verdampfung des Materials in der Kammer ein to Druck aufgebaut wird, und daß die Kammer bei Erreichen eines vorbestimmten Druckes geöffnet wird
2. Verfahren nach Anspruch J, dadurch gekennzeichnet, daß das Material induktiv erhitzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die induktive Heizung vor dem öffnen der Kammer ausgeschaltet wird.
4. Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß zusätzliches Material vor dem Offnen der Kammer in dieselbe injiziert wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Kammer (58) zur Aufnahme des Bedampfungsmaterials (71), durch eine Heizung zur Erhitzung des Materials in der Kammer, und durch einen die Kammer verschließenden, abnehmbaren Deckel.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung aus einer außerhalb der Kammer (58) angeordneten Induktionsspule (31) besteht.
7. Vorrichtung nach Anspru/h 5, gekennzeichnet durch in die Kammer (58) verlaufende Kanäle (73) zur Injektion zusätzlichen Mater ils in die geschlossene Kammer (58).
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die in die Kammer (58) verlaufenden Kanäle (73) an ihrem ihrer Mündung in die Kammer gegenüberliegenden Ende an einen gemeinsamen Verteiler (72) angeschlossen sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel aus einem zwischen einer geöffneten und einer geschlossenen Stellung verschiebbaren Verschlußschieber (61) besteht.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Verschlußschieber (61) eine U-förmige öffnung (62) vorgesehen ist, wobei die Schenkel des U parallel zur Verschiebungsrichtung des Verschlußschiebers verlaufen.
DE19762604295 1975-02-06 1976-02-04 Verfahren und vorrichtung zum explosionsartigen bedampfen eines substrats im vakuum Granted DE2604295B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US54771775A 1975-02-06 1975-02-06

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2604295A1 DE2604295A1 (de) 1976-08-26
DE2604295B2 DE2604295B2 (de) 1977-11-17
DE2604295C3 true DE2604295C3 (de) 1978-07-13

Family

ID=24185849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762604295 Granted DE2604295B2 (de) 1975-02-06 1976-02-04 Verfahren und vorrichtung zum explosionsartigen bedampfen eines substrats im vakuum

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4061800A (de)
JP (1) JPS51103880A (de)
DE (1) DE2604295B2 (de)
FR (1) FR2299907A1 (de)
GB (1) GB1543442A (de)
NL (1) NL7601187A (de)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0008807A1 (de) * 1978-09-13 1980-03-19 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH Vorrichtung und Verfahren zum diskontinuierlichen oder kontinuierlichen thermischen Bedampfen von Formteilen oder Bandmaterial
US4421786A (en) * 1981-01-23 1983-12-20 Western Electric Co. Chemical vapor deposition reactor for silicon epitaxial processes
US4390571A (en) * 1981-06-30 1983-06-28 International Business Machines Corporation Boatless point source evaporation method
CH651592A5 (de) * 1982-10-26 1985-09-30 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen.
FR2549857B1 (fr) * 1983-07-26 1985-10-04 Allovon Michel Dispositif d'evaporation sous vide
CH654596A5 (de) * 1983-09-05 1986-02-28 Balzers Hochvakuum Verdampferzelle.
JPS60251273A (ja) * 1984-05-28 1985-12-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸発装置の蒸発量制御方法
US4679007A (en) * 1985-05-20 1987-07-07 Advanced Energy, Inc. Matching circuit for delivering radio frequency electromagnetic energy to a variable impedance load
US4876114A (en) * 1987-09-23 1989-10-24 International Business Machines Corporation Process for the self fractionation deposition of a metallic layer on a workpiece
US5031229A (en) * 1989-09-13 1991-07-09 Chow Loren A Deposition heaters
US5157240A (en) * 1989-09-13 1992-10-20 Chow Loren A Deposition heaters
DE4222500A1 (de) * 1992-07-09 1994-01-13 Heinz Dr Selic Verfahren zur Herstellung von Bauteilen aus Metall und/oder von Bauteilen mit dichtereduzierter Metallbeschichtung im Vakuum, insbesondere im Weltall
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
JP3336747B2 (ja) * 1994-06-09 2002-10-21 ソニー株式会社 絶縁膜の形成方法、並びに半導体装置の作製方法及び半導体装置
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6797337B2 (en) * 2002-08-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for delivering precursors
US20050051097A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Jan Koninckx Covering assembly for crucible used for evaporation of raw materials
US20080128094A1 (en) * 2004-10-21 2008-06-05 Tatsuo Fukuda Evaporation Source Device
JP2007039791A (ja) * 2005-06-29 2007-02-15 Fujifilm Corp リフレクタ、それを備えた加熱用るつぼおよび放射線像変換パネルの製造方法
DE102005030862B4 (de) * 2005-07-01 2009-12-24 Sintec Keramik Gmbh Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper
US20080241367A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Intevac Corporation Apparatus for and method of applying lubricant coatings to magnetic disks via a vapor flow path including a selectively opened and closed shutter
US20090047417A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-19 Barnes Michael S Method and system for vapor phase application of lubricant in disk media manufacturing process
US20100285218A1 (en) * 2008-12-18 2010-11-11 Veeco Instruments Inc. Linear Deposition Source
US20100282167A1 (en) * 2008-12-18 2010-11-11 Veeco Instruments Inc. Linear Deposition Source
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
CN104018121A (zh) * 2014-05-14 2014-09-03 深圳市华星光电技术有限公司 防止高温金属材料泄漏的加热容器及其制造方法
CN105177507B (zh) * 2015-09-08 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀设备
US11404254B2 (en) * 2018-09-19 2022-08-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Insertable target holder for solid dopant materials
US11170973B2 (en) 2019-10-09 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials
US11854760B2 (en) 2021-06-21 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Crucible design for liquid metal in an ion source

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2440135A (en) * 1944-08-04 1948-04-20 Alexander Paul Method of and apparatus for depositing substances by thermal evaporation in vacuum chambers
US2584660A (en) * 1949-09-24 1952-02-05 Eastman Kodak Co Vacuum coating process and apparatus therefor
US2910039A (en) * 1956-06-21 1959-10-27 Nat Res Corp Apparatus for coating metal onto metal by vaporizing the coating
US3281517A (en) * 1963-11-19 1966-10-25 Melpar Inc Vacuum furnace
JPS4029775Y1 (de) * 1965-06-11 1965-10-18
US3446936A (en) * 1966-01-03 1969-05-27 Sperry Rand Corp Evaporant source
US3574650A (en) * 1969-03-13 1971-04-13 United Aircraft Corp Vacuum vapor deposition with control of elevation of metal melt
GB1263582A (en) * 1969-09-19 1972-02-09 Barr & Stroud Ltd Improvements in or relating to thin film deposition
US3690933A (en) * 1970-05-21 1972-09-12 Republic Steel Corp Apparatus and method for continuously condensing metal vapor upon a substrate
JP2827941B2 (ja) * 1994-12-27 1998-11-25 ヤマハ株式会社 フィードサーチ装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB1543442A (en) 1979-04-04
NL7601187A (nl) 1976-08-10
FR2299907A1 (fr) 1976-09-03
DE2604295A1 (de) 1976-08-26
DE2604295B2 (de) 1977-11-17
JPS51103880A (de) 1976-09-14
US4061800A (en) 1977-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2604295C3 (de)
DE4133615C2 (de) Verdampfungsquelle für die Vakuum-Metallisierung
DE4235953C2 (de) Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten
DE3539981C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien
DE3626876A1 (de) Vorrichtung zur oberflaechenbehandlung
EP2271787B1 (de) Verdampferkörper
EP0989200B1 (de) Bedampfungsvorrichtung
DE1615195B1 (de) Anwendung eines Induktionsofens auf das Schmelzen von hochschmelzenden keramischen Stoffen und Verfahren zum Schmelzen und Wiedererstarren solcher Stoffe
DE3136798A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur ausbildung von duennen oxydfilmschichten unter verwendung der reaktiven verdampfung
DE2430637A1 (de) Anordnung zur kondensierung und abscheidung von wachs, paraffin und anderen stoffen aus einem gasstrom
DE102006029593A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lotverbindung
DE102007012370A1 (de) Bedampfungseinrichtung und Bedampfungsverfahren zur Molekularstrahlbedampfung und Molekularstrahlepitaxie
DE19505258C2 (de) Beschichtungsvorrichtung
DE2818303A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum plasmaspritzen eines ueberzugmaterials auf eine unterlage
DE3414669C2 (de) Verdampferzelle
EP1336189A1 (de) Vorrichtung, set und verfahren zur zuführung eines gases oder einer flüssigkeit durch ein rohr an eine oberfläche
DE1446186A1 (de) Verfahren zum praezisen Aufdampfen durch Schablonen
DE3800680A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrates
DE839688C (de) Schmelzen elektrisch schlecht leitender Stoffe, vorzugsweise von Glas
CH658257A5 (en) Process and device for vapour deposition of material onto a substrate
EP0282540A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum metallisieren von folienoberflächen.
EP1761933B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung eines brennelementkastens aus einer zirkoniumlegierung
DE1298381B (de) Bedampfungseinrichtung zur Herstellung duenner Schichten
DE2820286C2 (de) Durchlauf-Heizeinrichtung für diskontinuierlichen Betrieb als Vorschalteinrichtung für Vakuumbeschichtungsanlagen
DE3905690C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee