DE2559065A1 - Verdampfungs-vorrichtung - Google Patents
Verdampfungs-vorrichtungInfo
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Description
Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc., Bellevue (Washington), V.St.A,
Verdampfungs-Vorrichtung
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verdampfung schwer zu verdampfenden Verdampfungsguts und insbesondere
eine Elektronen-Strahl-Verdampfungs-Vorrichtung mit einer in der Schmelze des Verdampfungsguts schwebenden oder
schwimmenden Matrix.
Herkömmlich verwendet eine Laser-Anreicherung einen strömenden Uran-Dampf, der mittels Elektronen-Strahl-Technik
erzeugt ist (vgl. US-PS 3 772 519), wobei der Umgebung eine isotopenselektive Laser-Strahlung zugeführt wird, zur Anregung
einer gewünschten Isotopenart. Dadurch wird schließlich die Ionisierung der Isotopenart und deren getrennte
Sammlung aufgrund der ionisierten Ladung erreicht.
Die Elektronen-Strahl-Verdampfungs-Vorrichtung begrenzt vorteilhaft die Verdampfung auf eine Stelle oder eine Linie
entlang der Oberfläche einer üblicherweise in einem Schmelz-
052-(JNA-50)-MeBk
ORIGINAL INSPECTED
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tiegel enthaltenen Uran-Schmelze. Da einerseits hoher
Wirkungsgrad bei geringem Leistungsbedarf und andererseits hohe Dampf-Strömungsgeschwindigkeit erreicht werden sollen, wird bei der herkömmlichen Elektronen-Strahl-Methode
ein Werkstoff der Uran-Schmelze zugefügt, um das Fließen von Konvektionsströmen zu verhindern, die
üblicherweise In der Schmelze entstehen. Eine derartige Impedanz-Sperre verringert vorteilhaft den Wärmeverlust
durch Konvektion.
Es ist Aufgabe der Erfindung bei einer Verdampfungsvorrichtung^
der eingangs genannten Art eine einfach ausführbare derartige Impedanz-Sperre vorzusehen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist eine Schmelze einer Elektronen-Strahl-Verdampfungs-Vorrichtung
eine der Schmelze zugefügte Matrix auf zum Unterdrücken der Strömung verflüssigten Verdampfungsgutes,
die aus einem Werkstoff besteht, der geringere Dichte als
das Verdampfungsgut besitzt, um an der Oberfläche des Verdampfungsguts
zu schwimmen oder zu schweben, und die sich einen vorgegebenen Abstand unter die Oberfläche erstreckt,
der im wesentlichen kleiner als die Tiefe der Schmelze ist. Dadurch wird nicht nur das Fließen von Konvektionsströmen
verhindert und der Verdampfungs-Wirkungsgrad und die Dampf-Strömungsgeschwindigkeit verbessert, sondern auch
ein längerer Betrieb über einen Schmelzenpegel-Bereich ermöglicht, bevor die Matrix abtrocknet, was auftritt, wenn
sie im Schmelztiegel an dessen Boden aufsitzt.
Bei einer besonderen Anwendung auf die Uran-Anreicherung sieht eine Schmelze, die aus einem Uran-Verdampfungsgut
besteht und eine besonders bemessene Tantal-Matrix vorteilhaft eine Konvektions-Wärmeströmungs-Sperre vor, während
gleichzeitig eine wesentliche Entleerung des Uran-Ver-
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2 5 5 9 η 6
dampfungsgutes durch hohe Verdampfungsgeschwindigkeit
möglich ist, bevor ein Nachfüllen des Urans notwendig wird.
Die Erfindung sieht also eine schwimmende oder schwebende Masse oder Matrix zur Verwendung in einer
Schmelze einer Elektronen-Strahl-Verdampfungs-Vorrichtung vor, um einen großen Verdampfungsgut-Pegelbereich
ohne notwendiges Nachfüllen zu erreichen, während gleichzeitig Konvektionsströme in der Schmelze herabgesetzt
werden.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 schematisch im Schnitt eine Uran-Anreicherungs-Einrichtung,
die die Erfindung verwendet,
Fig. 2 perspektivisch im Teilschnitt eine erfindungsgemäße
Verdampfungs-Vorrichtung mit Elektronen-Strahl,
Fig. J5A, 3B Aufsicht und Querschnitt einer Verdampfungsgut-Schmelze
gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Die Erfindung erzeugt eine Schmelze für eine Verdampfungs-Vorrichtung
mit Elektronen-Strahl, die eine Matrix besonderer Eigenschaften besitzt, die nicht nur das Fließen von Konvektionss
trömen in der Schmelze unterdrückt, sondern auch durch Schwimmen oder Schweben an der Oberfläche einen sehr großen Schmelzenpegel-Bereich
vorsieht, über dem Uran erfolgreich aus der Schmelze durch den Elektronen-Strahl verdampft werden kann,
bevor die Matrix trocken wird oder trocken fällt. Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Matrix in einem geometri-
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sehen Muster aufgebaut und aus einem Werkstoff hergestellt,
der geringere Dichte als das Verdampfungsgut besitzt, derart, daß die Matrix-Anordnung an der Oberfläche der Schmelze
schwimmt oder schwebt, ohne daß sie allzu weit über die Oberfläche hinausragt. Pur die Matrix ist eine Anordnung
gewählt, um ganz allgemein an der Oberfläche eine wirksame Konvektlons-Sperre vorzusehen, während
gleichzeitig wesentlich langsamer fortschreitende Einlaßströme zum Nachfüllen des Verdampfungsguts an der Oberfläche
möglich sind. Dabei kann auch eine nachgiebige oder nicht starre Anordnung für die Matrix verwendet
werden. Der besondere Aufbau gemäß der Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert.
In Fig. 1 ist schematisch und im Schnitt eine einzelne
Kammer 12 einer Laser-Anreicherungseinrichtung dargestellt, wie sie herkömmlich ist (vgl. US-PS j5 772 519). Die Kammer
12 wird mittels einer Vakuumeinrichtung 14 evakuiert,
um einen Niederdruck von üblicherweise 10 Torr im Bereich über einer Urandampf-Quelle oder -Vorrichtung l6
aufrecht zu erhalten. Die Dampf- oder Verdampfungs-Vorrichtung
16 enthält wie dargestellt einen Schmelztiegel mit mehreren, wasserführenden Kühlöffnungen 20, der eine
Schmelze 22 aufweist, die das Uran-Verdampfungsgut enthält. Ein Elektronen-Strahl 25 wird von einem Heizdraht
um eine Anode 26 auf die Oberfläche der Schmelze 22 gerichtet, um eine lokale oder örtliche Erwärmung entlang
einer Linie an der Oberfläche zu erzeugen. Das verdampfte Uran expandiert oder dehnt sich radial über der Schmelze
22 aus in einen Ionen-Trenner 28, der von herkömmlichem Aufbau sein kann (vgl. US-PS 3 772 519) und der fein abgestimmte
Laser-Strahlung empfängt, um isotopenselektive
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Anregung üblicherweise des U-235-Isotops im Urandampf
zu erzeugen, wobei ein magnetisches und ein elektrisches Feld sich kreuzen, die von einer Spule bzw.
Schleife 30 und einer Spannungsquelle 32 stammen, um
die aufeinanderfolgend ionisierten Teilchen zu beschleunigen, zu deren getrennten Sammlung auf einer
Fläche. Die Schleife 30 erzeugt auch das Magnetfeld mit einer Feldstärke von etwa einem Gau 1^ bis zu einigen
hundert Gauß im Bereich des Elektronen-Strahls vom Heizdraht 24, um eine Strahlfokussierung auf die Oberfläche
der Schmelze 22 zu erreichen. Eine Schleifenstromquelle 36 sorgt für die elektrische Erregung der
Schleife bzw. Spule 30.
Der Heizdraht 24 wird durch eine Heizdraht-Stromquelle versorgt mit üblicherweise 1000 W Leistung und
der Strom für den Elektronen-Strahl 25 wird von einer
Stromquelle 42 erzeugt, die ein Potential von etwa 30 kV zwischen dem Heizdraht 24 und dem Schmelztiegel l8 aufrechterhält.
Die Verdampfungs-Vorrichtung mit Elektronen-Strahl
ist perspektivisch und im Teilschnitt ausführlich in Fig. 2 dargestellt. Wie dort dargestellt, ist der Schmelztiegel
l8 in der Richtung des Heizdrahts 24 länglich ausgeführt. Der Heizdraht 24 wird an einem Ende durch ein
erstes Stützglied 44 und die Anode 26 durch ein zweites Stützglied 46 abgestützt oder gehaltert. Ähnliche Stützglieder
sind an den anderen Enden des Heizdrahts 24 und der Anode 26 zum Haltern und Spannen vorgesehen.
Wie in den Fig. 1 und 2 dargestellt, besteht die Schmelze 22 aus einem Uran-Vorrat 48 und einer Massen-
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oder Matrixanordnung, kurz Matrix 50, die an der Oberfläche der Schmelze 22 schwimmt oder schwebt, wobei das Oberende
der Matrix 50 nur geringfügig über die Schmelze 22 hinausragt. Wie sich aus den Fig. 1 und 2 ergibt, ist unter der
Matrix 50 ein beträchtliches Uranmetall-Volumen in der Schmelze 22 vorgesehen, um eine Verdampfung einer großen
Uranmenge zu erreichen, bevor die Matrix 50 am Boden des Schmelztiegels l8 aufsitzt und der Uran-Vorrat 48 nicht
mehr nahezu das Oberende der Matrix 50 erreicht. Zwischen den Grenzen eines gefüllten Schmelztiegels 18 und eines
derart Uran-leeren Schmelztiegels 18 kann die Verdampfungs-Vorrichtung
geeignet oder bequem betrieben werden. Es kann auch eine automatische Uran-Versorgungsleitung vorgesehen
werden, um den Schmelztiegel l8 wieder mit Uran aufzufüllen, nachdem eine vorgegebene Menge des Vorrats 48 verbraucht,
d.h. verdampft, worden ist. Eine Wägung oder eine andere
Erfassung kann zum automatischen Erfassen oder Aufzeichnen dieser Bedingung und zum Auslösen der Uran-Versorgung
verwendet v/erden.
Bei einem besonderen Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält der Werkstoff für die Matrix 50 Tantal, das vorteilhaft
geringfügig geringere Dichte als das geschmolzene Uran besitzt ebenso wie wesentlich geringeren Dampfdruck,
so daß vernachlässigbare Prozentsätze oder Anteile an Tantal im Urandampf auftreten. Der Dichteunterschied zwischen
Uran und Tantal ermöglicht eine Verarbeitung des Urans sehr nahe an der Oberfläche der Matrix 50. In diesem
Fall kann etwas Tantal in der Matrix 50 im Aufschlagoder Auftreffbereich des Elektronenstrahls 25 geschmolzen
sein, um eine geringe Vertiefung in der Matrix 50 in diesem Bereich vorzusehen, um die relativ reine Uranflüssigkeit
der Verdampfung auszusetzen.
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Die Konvektionsströme bei der beschriebenen Verdampfungs-Vorrichtung
fließen üblicherweise an der Oberfläche nach außen und unter der Oberfläche nach innen.
Durch das Vorsehen einer Strömungs-Sperre an der Oberfläche wird dadurch an der Stelle größter Konvektionswärmeübertragung
der Wärmeverlust wirksam verhindert oder blockiert.
Die Ausgangs-Schmelze 22 kann durch Anordnen einer ausreichenden Menge von Uranstäben oder -etücken oder
-blocken auf der Tantal-Matrix 50 auf dem Boden des
Schmelztiegels 18 und durch Schmelzen des Urans durch die Matrix 50 erreicht werden zur Bildung eines Bads
aus geschmolzenem Uran innerhalb des größten ■Volumenanteils
der Schmelze 22, wobei die Matrix 20 an der Oberfläche schwimmt oder schwebt. Das Vorhandensein
der Matrix 50 an der Stelle oder im Bereich der Erwärmung vom Elektronen-Strahl 25 zum Unterdrücken des
Fließens von Konvektionsströmen zu den Wänden des Schmelztiegels
l8 sieht eine wesentliche Erhöhung des Verdampfungs-Wirkungsgrades und der Dampfströmungsgeschwindigkeit
vor. Die Begrenzung der Konvektionsströme
induziert auch die Verfestigung eines Teils des Urans in der Schmelze 22 nahe den Wänden des Schmelztiegels 18,
um die Korrosion des Schmelztiegels l8 zu begrenzen.
Die Matrix 50 kann eine beliebige feste oder sonstige
Form aufweisen, die eine ausreichende Impedanz gegenüber dem Konvektionsstrom vorsieht und gleichzeitig die relativ
langsameren Einlaß- oder Nachfüllströme des Urans in dem Bereich der Matrix 50 aufrechterhält oder ermöglicht,
um eine Verdampfung von der Oberfläche zu erlauben.
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Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung gemäß der Fig. ;5A und der Fig. j?B besteht die Matrix aus einem
perforierten, spiral- oder wendelförmig aufgewickelten Band 52 aus Tantal mit etwa 2,5 cm Breite bzw. Tiefe
(Fig. JA) und etwa 0,5 mm Dicke. Die Tantal-Matrix 52
wird in einem kreisförmigen Schmelztiegel 54 angeordnet
mit darauf liegenden Uran-Stäben,und ein einziger Elektronen-Strahl
56 wird in die Mitte des Schmelztiegels 54
zum Schmelzen des Urans durch die Matrix 52 in den Bodenbereich
des Schmelztiegels 54 fokussiert. Während des Betriebs schmilzt der Elektronen-Strahl 56 die lose liegenden
Teile der Tantal-Matrix 52 im Bereich bzw. der Stelle des Auftreffens, um eine Vertiefung zu erzeugen,
wie das im Bereich 58 der Fig. 3B dargestellt ist, wodurch
Uran in diesem Bereich zur wirksamen Verdampfung an der Oberfläche ausgesetzt ist. Das geschmolzene Tantal bildet
keine Haut über dem Uran, was eine Uran-Verdampfung verhindern
x\rürde, sondern fließt oder strömt zu den Rändern der Matrix 52. Die sich so ergebende, in Fig. J5B dargestellte
Form mit einer Vertiefung 52 nahe der Mitte der Matrix 52 erzeugt eine wesentlich höhere Uranverdampfung gegenüber
einer ähnlichen, unvertieften Matrix 52.
Da der Dampfdruck von Tantal etwa um drei Größenordnungen geringer als der von Uran ist, wird dadurch
die Verdampfung des Tantalmetalls im wesentlichen verhindert, was eine spektrometrische Analyse des sich
ergebenden Dampfes bestätigt.
Wenn sich auch die in Fig. ^B dargestellte Matrix
bis zum Boden des Schmelztiegels 54 erstreckt, so ist das
vorzugsweise bei der Endanwendung nicht so. Bei einer Weiterbildung, ist, wie sich das aus der Zeichnung ergibt,
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ein wesentliches Volumen des Urans von dem Schmelztiegel 54 verdampft, bevor die Matrix 52 den Boden
des Schmelztiegels 54 erreicht und nicht mehr an der
Oberfläche schwimmt oder schwebt. Wegen des relativ schmalen Konvergenzwinkels des Elektronen-Strahls 56
kann eine relativ gute Fokussierung des Elektronen-Strahls 56 über einen wesentlichen Abstand erreicht werden,
was bewirkt, daß Verluste der tatsächlichen Verdampfung durch den Elektronen-Strahl 56 über diesen Bereich
unwesentlich sind.
Claims (1)
- - ίο -AnsprücheIj/Vorrichtung zum Verdampfen schwer zu verdampfenden Verdampfungsguts,mit einem Schmelztiegel,
mit einer Schmelze im Schmelztiegel, mit einem Vorrat an Verdampfungsgut, und mit einer Heizeinrichtung,gekennzeichnet durchWerkstoff miteine Matrix (50, 52) aus einem/gegenüber dem Verdampfungsgut (22) geringerer Dichte, wobei dieses durch die Matrix-Zwischenräume aufgenommen ist, und wobei die Heizeinrichtung (24, 25, 26, 40, 42, 44, 46, 56) die Oberfläche der Schmelze (22) so aufheizt, daß ein Teil des Verdampfungsguts (22) verflüssigt und verdampft ist.2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Matrix-Werkstoff einen wesentlich niedrigeren Dampfdruck als der Dampfdruck des Verdampfungsguts (22) bei dessen Verdampfungstemperatur besitzt.5. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdampfungsgut (22) elementares Uran und der Matrix-Werkstoff Tantal enthalten,4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 -5, dadurch gekennzeichnet, daß die Matrix (52) ein gewendeltes und perforiertes Band aus dem Matrix-Werkstoff enthält (Fig.3A,609 8 28/0907- ii -5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-4, gekennzeichnet durch einen Strahler zum Richten eines Elektronen-Strahls (25, 56) auf die Oberfläche der Schmelze (22) mit einer zur Verdampfung des Verdampfungsguts ausreichende Strahl-Stärke.6. Vorrichtung nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß die Matrix (50, 52) im Elektronen-Strahl-Auftreffbereich (58) .eine Vertiefung aufweist (Fig.7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelztiegel (l8) einen länglichen Querschnitt aufweist (Fig. 2).8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-7, gekennzeichnet durch eine Isotopen-Trenner (28) zum Trennen von Isotopen im verdampften Verdampfungsgut.9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,daß das Verdampfungsgut Uran enthält, und
daß der Isotopen-Trenner (28) aufweist:einen Ionisator zum isotopenselektiven Ionisieren von Uran-Teilchen einer Isotopenart in Dampf, undeinen Beschleuniger zum Beschleunigen der ionisierten Teilchen im Dampf (Fig. 1),10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Ionisator eine Laser-Einrichtung zur isotopenselektiven Licht-Anregung enthält.609828/090?11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschleuniger eine magnetohydrodynamische Kraft auf die ionisierten Teilchen ausübt.12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Matrix (50, 52) nur wenig über die Oberfläche der Schmelze (22) hinaus erstreckt zum Unterdrücken von nach außen fließenden Oberflächen-Konvektionsströmen in der Schmelze (22).13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 12, zur Erzeugung eines sich ausdehnenden Urandampf-Stroms, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelztiegel (l8, 54) wassergekühlt ist.14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß ggf. ein Sammler vorgesehen ist zum getrennten Sammeln von ionisierten Uran-Teilchen im sich ausdehnenden Urandampf.ORIGINAL INSPECTED609828/0907
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/538,881 US3996469A (en) | 1975-01-06 | 1975-01-06 | Floating convection barrier for evaporation source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=24148815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US3996469A (de) |
JP (1) | JPS5193781A (de) |
AU (1) | AU508034B2 (de) |
BE (1) | BE837327A (de) |
CA (1) | CA1043874A (de) |
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ES (1) | ES444100A1 (de) |
FR (1) | FR2296457A1 (de) |
GB (1) | GB1534140A (de) |
IL (1) | IL48720A (de) |
IT (1) | IT1052892B (de) |
NL (1) | NL7515181A (de) |
SE (1) | SE7514744L (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021129537A1 (de) | 2021-11-12 | 2023-05-17 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verfahren, Verdampfungsanordnung und Verwendung einer Konvektionsbarriere |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4124801A (en) * | 1976-09-24 | 1978-11-07 | Phrasor Technology Incorporated | Apparatus and process for separating materials |
US4251725A (en) * | 1979-08-06 | 1981-02-17 | Honeywell Inc. | Programmed sample pyrolysis for mass spectrometer |
US4472453A (en) * | 1983-07-01 | 1984-09-18 | Rca Corporation | Process for radiation free electron beam deposition |
JPS6270576A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-04-01 | Kawasaki Steel Corp | 大量蒸気流発生用蒸発源装置 |
CA2023044A1 (en) * | 1990-08-09 | 1992-02-10 | Naoum Araj | Vessel for evaporation of low-temperature melting material |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3329524A (en) * | 1963-06-12 | 1967-07-04 | Temescal Metallurgical Corp | Centrifugal-type vapor source |
CH452313A (de) * | 1965-12-18 | 1968-05-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | Vorrichtung zur Verdampfung von Stoffen im Vakuum |
US3414655A (en) * | 1966-01-26 | 1968-12-03 | Nat Res Corp | Apparatus for evaporation of low temperature semiconductor material by electron beam impingement on the material and comprising means for draining electric charge from the material |
SE345881B (de) * | 1969-06-13 | 1972-06-12 | Aga Ab | |
US3772519A (en) * | 1970-03-25 | 1973-11-13 | Jersey Nuclear Avco Isotopes | Method of and apparatus for the separation of isotopes |
-
1975
- 1975-01-06 US US05/538,881 patent/US3996469A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-12-24 IL IL48720A patent/IL48720A/xx unknown
- 1975-12-24 AU AU87884/75A patent/AU508034B2/en not_active Expired
- 1975-12-30 SE SE7514744A patent/SE7514744L/xx unknown
- 1975-12-30 NL NL7515181A patent/NL7515181A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-12-30 DE DE19752559065 patent/DE2559065A1/de not_active Withdrawn
- 1975-12-31 GB GB53292/75A patent/GB1534140A/en not_active Expired
- 1975-12-31 CA CA242,882A patent/CA1043874A/en not_active Expired
-
1976
- 1976-01-05 IT IT47526/76A patent/IT1052892B/it active
- 1976-01-05 FR FR7600083A patent/FR2296457A1/fr active Granted
- 1976-01-05 ES ES444100A patent/ES444100A1/es not_active Expired
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- 1976-01-06 JP JP51000103A patent/JPS5193781A/ja active Pending
- 1976-01-06 BE BE163325A patent/BE837327A/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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